JP2009302277A - 基板処理システム - Google Patents

Abstract

【課題】処理液を再生処理しても、処理液中に含まれる界面活性剤の濃度を必要濃度に維持することができる基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板処理システム1は、基板処理装置12、処理液再生装置30及び新液供給装置70を備える。基板処理装置12は、処理液を貯留する貯留槽11と、基板K上に処理液を供給して処理する処理槽13と、基板Kを搬送する搬送機構14と、処理液Lを処理槽13に供給し、処理槽13内の処理液Lを貯留槽11に還流させる処理液供給機構20とを備える。処理液再生装置30は、金属成分を吸着する吸着材が充填された吸着容器32,33と、処理液を吸着容器32,33に供給して流通させ、流出した処理液を貯留槽11に還流させる処理液循環機構34とを備える。新液供給装置70は、処理槽11から基板Kが搬出される度に、所定量の新液Lを、貯留槽11の処理液L、又は吸着容器32,33から貯留槽11に還流される処理液Lに添加するように構成される。
【選択図】図１

Description

本発明は、貯留槽に貯留された処理液を基板上に供給して当該基板を処理する基板処理装置と、貯留槽内の処理液から金属成分を除去して当該処理液を再生する処理液再生装置とを備えた基板処理システムに関する。

半導体（シリコン）ウエハ，液晶ガラス基板，フォトマスク用ガラス基板，光ディスク用基板といった各種基板を製造する工程には、これらの基板にエッチング液や現像液といった各種の処理液を供給して基板を処理する工程がある。

例えば、エッチング液を用いた処理（エッチング処理）は、エッチング液を貯留する貯留槽と、基板をエッチングする基板処理機構と、貯留槽内のエッチング液を基板処理機構に供給し、供給したエッチング液をこの基板処理機構から回収して、貯留槽と基板処理機構との間でエッチング液を循環させるエッチング処理用循環機構とを備えたエッチング装置によって実施される（特開２０００−９６２６４号公報参照）。

前記基板処理機構は、閉塞空間を備えた処理チャンバと、処理チャンバ内に配設され、基板を水平に搬送する複数の搬送ローラと、処理チャンバ内に配設され、基板の上面に向けてエッチング液を吐出する複数のノズル体とからなり、前記エッチング処理用循環機構は、貯留槽と各ノズル体とを接続する供給管と、供給管を介して各ノズル体にエッチング液を供給する供給ポンプと、処理チャンバの底部と貯留槽とを接続する回収管とからなる。

斯くして、このエッチング装置では、供給ポンプにより供給管を介し各ノズル体に供給された貯留槽内のエッチング液が、これら各ノズル体から吐出されて、搬送ローラにより所定方向に搬送される基板の上面に供給され、かかるエッチング液によって基板がエッチングされる。尚、基板の上面に吐出されたエッチング液は、回収管を通って処理チャンバ内から貯留槽内に回収される。

ところで、例えば、基板の上面に形成された酸化インジウムスズ膜などの金属膜に対してエッチングを行うと、この金属膜を構成するインジウムやスズといった金属がエッチング液に溶解するため、エッチング液を貯留槽と基板処理機構との間で循環させるように構成された上記エッチング装置では、貯留槽内のエッチング液に含まれる金属成分が徐々に増加して、エッチング処理を効率的に実施することができないという問題や、精度の良いエッチング形状が得られないという問題を生じる。

このため、かかる従前のエッチング装置では、貯留槽内のエッチング液を定期的に取り替える必要があり、このエッチング液の取り替えによって、処理コストが上昇するという問題があった。

そこで、本願出願人は、エッチング液中の金属成分を除去して、当該エッチング液を再生するようにしたエッチング装置を既に提案している（特願２００７−１０１３９２号）。このエッチング装置は、上述したエッチング装置の構成に加え、エッチング液中の金属イオンを吸着するキレート材が充填された吸着塔と、貯留槽内のエッチング液を吸着塔内に供給して流通させるとともに、流出したエッチング液をこの吸着塔から回収する除去処理用循環機構とを備えている。

斯くして、このエッチング装置では、吸着塔のキレート材によってエッチング液中の金属成分（エッチング液に溶解した金属イオン）が吸着，除去されるので、上述した問題を解消することができる。

特開２０００−９６２６４号公報

ところが、このエッチング装置おいても未だ改善すべき点があり、エッチング液を再生することで当該エッチング液を長期にわたって使用することができ、処理コストを軽減することができるというメリットを有するものの、エッチング液を再生することで、逆に、以下に説明するような問題を生じていた。

即ち、通常、エッチング液には、エッチング後の基板上に残渣が生じるのを防止すべく界面活性剤が添加されているが、この場合に、エッチング液を吸着塔に供給して、当該エッチング液中に含まれる金属成分をキレート材によって吸着，除去させると、その際、金属成分のみならず界面活性剤も同時にキレート材によって吸着，除去されるという問題を生じていたのである。このため、エッチング液に含まれる界面活性剤の濃度が徐々に低下して、上記残渣の発生を抑制する効果が損なわれる結果となっていた。

本発明は、以上の実情に鑑みなされたものであって、処理液の再生処理を実施しても、処理液中に含まれる界面活性剤の濃度を必要濃度に維持することができる基板処理システムの提供を、その目的とする。

上記目的を達成するための本発明は、
界面活性剤が含まれた処理液を貯留する貯留槽と、前記基板上に前記処理液を供給して該基板を処理する工程、及び少なくとも処理後の基板上から処理液を一次除去する工程を行う処理槽と、該処理槽に基板を搬入し、搬入した基板を処理槽から搬出する搬送機構と、前記貯留槽に貯留された処理液を前記処理槽に供給する一方、前記処理槽の底部に集液された処理液を前記貯留槽に還流させる処理液供給機構とを備えた基板処理装置と、
前記処理液に含まれる金属成分を吸着する吸着材が充填された吸着容器と、前記貯留槽に貯留された処理液を前記吸着容器に供給して流通させ、流出した処理液を前記貯留槽に還流させる処理液循環機構とを備えた処理液再生装置と、
前記処理槽から処理後の基板が搬出される度に、予め定められた量の新しい処理液を、前記貯留槽に貯留された処理液、又は前記吸着容器から前記貯留槽に還流される処理液に添加する新液供給装置とを設けた基板処理システムに係る。

上記のように、前記基板処理装置においては、貯留槽に貯留された処理液が、処理液供給機構によって処理槽に供給され、当該処理槽内には、搬送機構によって処理対象の基板が搬入される。斯くして、処理槽内に搬入された基板上に処理液が供給され、当該処理液によって基板が処理される。

処理対象の基板は、前記搬送機構によって一枚ずつ順次処理槽内に搬入され、その上面に処理液が供給されて処理され、処理後に、基板上の処理液が一次除去され、除去後の基板が処理槽から搬出される。一次除去の態様としては、一般的に、基板を斜めに傾斜させて流し落とすといった態様が採り得る。

そして、基板上から一次除去された処理液は処理槽の底部に集液され、前記処理液供給機構によって前記貯留槽に還流，回収される。尚、一次除去によっては、完全に基板上から処理液を除去することはできず、したがって、処理槽から搬出される基板上には若干の処理液が残存しており、基板の搬出によって、この若干量の処理液が系外に持ち出される。また、この一次除去の後で、エアーを吹き掛けるなどして、基板上から更に処理液を除去する二次除去処理が行われることもあるが、これによって除去される処理液は極僅かであるため、通常は、この処理液を貯留槽に還流させることはしていない。

一方、処理液再生装置では、処理液循環機構によって、貯留槽に貯留された処理液が吸着容器に供給され、この吸着容器内を流通した処理液が再び貯留槽に還流される。

前記基板処理装置において処理に供された処理液には、基板から溶出した金属成分（金属イオン）が含まれているので、これを貯留槽に還流させると、貯留層内の処理液に含まれる金属成分の濃度が徐々に高くなり、これが所定濃度を超えると、処理効率や処理精度が低下するという問題を生じるが、前記吸着容器内を流通させることで、処理液中の金属成分を吸着材に吸着させて除去することができるので、処理液中の金属成分濃度が上昇するのを抑えることができ、処理液の寿命を延ばすことができる。

尚、この処理液再生装置による処理液の再生処理は、新品の処理液を用いて処理を開始した直後から行っても良いが、所定時間処理を行った後、若しくは所定枚数の基板を処理した後に、当該再生処理を行うようにしても何れでも良い。

また、新液供給装置では、処理槽から処理後の基板が搬出される度に、予め定められた量の新しい処理液が、貯留槽に貯留された処理液、又は吸着容器から貯留槽に還流される処理液に添加される。

前述したように、通常、処理液には基板上に残渣が生じるのを抑制すべく界面活性剤が添加されているが、前記再生処理装置によって、処理液中の金属成分を吸着材に吸着させる処理を行うと、この界面活性剤が金属成分と共に吸着材に吸着されて、その抑制効果が減少するという不都合を生じる。

したがって、前記抑制効果を適正に維持するためには、吸着材に吸着され減少した量に相当する量の界面活性剤を再生処理後の処理液に添加して補う必要がある。

そこで、本発明では、前記新液供給装置を設け、処理槽から基板が搬出される度に、予め定められた量の新しい処理液を、貯留槽に貯留された処理液、又は吸着容器から貯留槽に還流される処理液に添加するようにしている。

尚、新液供給装置によって一度に添加する新液の量は、処理槽から搬出される基板によって系外に持ち出される処理液量と、略同量とするのが好ましい。持ち出される処理液量よりも多いと貯留槽がオーバフローする可能性があり、少なすぎると、界面活性剤の濃度が低下して適正な範囲を逸脱し、適正な基板処理を行うことができない可能性があるからである。

また、前記処理液再生装置の吸着容器内を流通させる処理液の流量は、新液添加量とバランスさせるのが好ましい。即ち、当該流量を、処理槽から基板が搬出される時間間隔において、１回の新液添加によって処理液に添加される界面活性剤の量と略同量若しくはこれ以下の量の界面活性剤が吸着剤に吸着されるような流量とするのが好ましい。

以上により、貯留槽内の処理液に含有される界面活性剤の濃度を必要濃度に維持することができ、残渣を抑制する効果を適正に維持することができる。

また、処理槽から基板が搬出される度に、新しい処理液を添加するようにしているので、仮に処理液に含有される界面活性剤の濃度が変化するとしても、その変化は緩やかであり、したがって、安定した基板処理を行うことができる。

尚、上記基板としては、例えば、半導体（シリコン）ウエハ，液晶ガラス基板，フォトマスク用ガラス基板及び光ディスク用基板などを例示することができ、また、前記処理液としては、例えば、エッチング液，現像液及び洗浄液などを例示することができる。

また、前記吸着材としては、例えば、キレート材やイオン交換樹脂などを例示することができ、これらの吸着材によって吸着可能な金属としては、例えば、インジウムを挙げることができる。

また、前記界面活性剤としては、例えば、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びその塩，ポリスチレンスルホン酸及びその塩，リグニンスルホン酸及びその塩といったポリスルホン酸化合物、ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレンブロックコポリマー、ドデシルベンゼンスルホン酸のようなアルキルベンゼンスルホン酸及びその塩，アルキル硫酸エステル及びその塩，スルホコハク酸のジアルキルエステル及びその塩，ポリオキシエチレンアルキルエーテルスルホン酸やポリオキシエチレンアリルエーテルスルホン酸及びそれらの塩といったスルフォネート型陰イオン界面活性剤、パーフルオロアルキルエチレンオキシドやパーフルオロアルケニルエチレンオキシドといったフッ素系非イオン性界面活性剤、パーフルオロアルケニルスルホン酸及びその塩やパーフルオロアルケニルカルボン酸及びその塩といったフッ素系陰イオン性界面活性剤などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。

以上説明したように、本発明によれば、処理液に含まれる界面活性剤の量を適正な範囲に維持しつつ、処理液中の金属成分を除去することができるので、高い処理効率及び処理精度を維持することができ、しかも残渣を抑制する効果を適正に維持することができる。

以下、本発明の具体的な実施形態について、図面を参照して説明する。尚、図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置システムの概略構成を示した説明図であり、図２は、その基板処理装置を示した断面図である。

図１に示すように、本例の基板処理システム１は、エッチング液Ｌを貯留する貯留槽１１と、エッチング液Ｌによって基板Ｋをエッチングする基板処理装置１２と、貯留槽１１に貯留されたエッチング液Ｌを基板処理装置１２に供給するエッチング液供給装置２０と、貯留槽１１に貯留されたエッチング液Ｌから金属成分を吸着して除去するエッチング液再生装置３０と、貯留槽１１に未使用の新しいエッチング液Ｌを補充する新液供給装置７０と、前記基板処理装置１２，エッチング液供給装置２０，エッチング液再生装置３０及び新液供給装置７０の作動を制御する制御装置２５とから構成される。

前記貯留槽１１には、例えば、蓚酸及び界面活性剤がそれぞれ所定濃度となるように調整されたエッチング液Ｌが貯留される。

尚、界面活性剤としては、例えば、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びその塩，ポリスチレンスルホン酸及びその塩，リグニンスルホン酸及びその塩といったポリスルホン酸化合物、ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレンブロックコポリマー、ドデシルベンゼンスルホン酸のようなアルキルベンゼンスルホン酸及びその塩，アルキル硫酸エステル及びその塩，スルホコハク酸のジアルキルエステル及びその塩，ポリオキシエチレンアルキルエーテルスルホン酸やポリオキシエチレンアリルエーテルスルホン酸及びそれらの塩といったスルフォネート型陰イオン界面活性剤、パーフルオロアルキルエチレンオキシドやパーフルオロアルケニルエチレンオキシドといったフッ素系非イオン性界面活性剤、パーフルオロアルケニルスルホン酸及びその塩やパーフルオロアルケニルカルボン酸及びその塩といったフッ素系陰イオン性界面活性剤などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。

図２に示すように、前記基板処理装置１２は、基板Ｋの搬送方向（矢示方向）に順次連続して並設された閉塞空間たるエッチング室１３ａ，第１液切室１３ｂ及び第２液切室１３ｃを備えた処理チャンバ１３と、前記各室１３ａ，１３ｂ，１３ｃにそれぞれ設けられた開口部１３ｄから当該各室１３ａ，１３ｂ，１３ｃに基板Ｋを搬入した後、搬出する搬送ローラ１４ａを備えた搬送装置１４とから構成される。

前記エッチング室１３ａ内には、その上部に、吐出管１５ａと、この吐出管１５ａの下面に固設された複数のノズル体１５ｂとから構成されるエッチング液吐出機構１５が設けられており、エッチング液Ｌが前記エッチング液供給装置２０から吐出管１５ａに供給され、前記ノズル体１５ｂからその下方に向けて吐出される。

斯くして、前記ノズル体１５ｂから吐出されたエッチング液Ｌは、前記搬送ローラ１４ａによって搬送される基板Ｋ上に供給され、このエッチング液Ｌによって基板Ｋ上面がエッチングされる。尚、基板Ｋ上から溢れ落ちたエッチング液Ｌは、当該エッチング室１３ａ内の底部に集液される。

また、前記第１液切室１３ｂ内には、搬送ローラ１４ａ上の基板Ｋを斜めに傾斜させる傾斜機構が設けられており、上面にエッチング液Ｌが供給された状態でエッチング室１３ａから搬出され、第１液切室１３ｂに搬入された基板Ｋが、この傾斜機構（図示せず）によって傾斜せしめられ、この傾斜によって、基板Ｋ上のエッチング液Ｌが流し落とされる。尚、基板Ｋ上から流し落とされたエッチング液Ｌは、第１液切室１３ｂ内の底部に集液される。

また、第２液切室１３ｃ内には、その上部に、吐出管１６ａと、この吐出管１６ａの下面に固設された複数のノズル体１６ｂとを備えた圧縮空気吐出機構１６が設けられており、この吐出管１６ａに、切換弁１６ｄが介装された供給管１６ｃを介して、図示しない圧縮空気供給源から圧縮空気が供給され、供給された圧縮空気がノズル体１６ｂからその下方に向けて吐出される。

斯くして、第１液切室１３ｂから搬出され、第２液切室１３ｃに搬入された基板Ｋは、その搬送過程で、ノズル体１６ｂから吐出される圧縮空気によって噴き付けられ、これにより、その上面に残存したエッチング液Ｌが吹き飛ばされ、基板Ｋ上から除去される。尚、吹き飛ばされたエッチング液Ｌは第２液切室１３ｃ内の底部に集液される。

前記エッチング液供給装置２０は、一端が貯留槽１１に接続し、他端が前記吐出管１５ａに接続した供給管２１と、この供給管２１を介して前記吐出管１５ａにエッチング液Ｌを供給する供給ポンプ２２と、一端が前記貯留槽１１に接続し、他端が２つに分岐して、その一方が前記エッチング室１３ａの底部に接続し、他方が前記第１液切室１３ｂの底部に接続した回収管２４ａとから構成される。尚、供給管２１には、切換弁２３が設けられている。

前記エッチング液再生装置３０は、エッチング液Ｌに含まれる金属成分（インジウムイオンやスズイオン）を吸着する吸着機構３１と、貯留槽１１と吸着機構３１との間でエッチング液Ｌを循環させる循環機構３４と、吸着機構３１によって吸着された金属成分を溶離させるための溶離液を供給する溶離液供給機構４２と、溶離液を吸着機構３１から回収する溶離液回収機構４８と、吸着機構３１を洗浄するための洗浄液を供給する洗浄液供給機構５４と、洗浄液を吸着機構３１から回収する洗浄液回収機構５８とからなる。

前記吸着機構３１は、前記金属成分を吸着する吸着材としてのキレート材（図示せず）が内部に充填された２つの吸着容器（第１吸着容器３２及び第２吸着容器３３）を備える。

尚、キレート材（図示せず）とは、一般的には、有機系のアミノカルボン酸塩を総称したものであり、金属成分を吸着する一方、吸着した金属を特定の溶液によって溶離することができるという性質を備えたものである。具体的には、ＥＤＴＡ（エチレンジアミン四酢酸），ＮＴＡ（ニトリロ三酢酸），ＤＴＰＡ（ジエチレントリアミン五酢酸），ＧＬＤＡ（Ｌ−グルタミン酸二酢酸），ＨＥＤＴＡ（ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸），ＧＥＤＴＡ（グリコールエーテルジアミン四酢酸），ＴＴＨＡ（トリエチレンテトラミン六酢酸），ＨＩＤＡ（ヒドロキシエチルイミノ二酢酸）及びＤＨＥＧ（ヒドロキシエチルグリシン）などが一例として挙げられるが、これらに限定されるものではない。

前記循環機構３４は、一端が貯留槽１１に接続し、他端が分岐して各吸着容器３２，３３の一方端に接続したエッチング液供給管３５と、エッチング液供給管３５を介して各吸着容器３２，３３の内部にエッチング液Ｌを供給する供給ポンプ３６と、一端が貯留槽１１に接続し、他端が分岐して各吸着容器３２，３３の他方端に接続したエッチング液回収管３７と、エッチング液供給管３５の前記他端側にそれぞれ設けられた第１供給切換弁３８及び第２供給切換弁３９と、エッチング液回収管３７の前記他端側にそれぞれ設けられた第１排出切換弁４０及び第２排出切換弁４１とからなる。

前記溶離液供給機構４２は、例えば、塩酸や硫酸あるいは苛性ソーダからなる溶離液を供給する溶離液供給部４３と、一端が溶離液供給部４３に接続し、他端が分岐して各吸着容器３２，３３の前記他方端に接続した溶離液供給管４４と、溶離液供給管４４の前記一端側に設けられた溶離液供給弁４５と、溶離液供給管４４の前記他端側にそれぞれ設けられた第１供給切換弁４６及び第２供給切換弁４７とからなる。

前記溶離液回収機構４８は、溶離液を回収する溶離液回収部４９と、一端が溶離液回収部４９に接続し、他端が分岐して各吸着容器３２，３３の前記他方端に接続した溶離液回収管５０と、溶離液回収管５０の前記他端側にそれぞれ設けられた第１排出切換弁５１及び第２排出切換弁５２と、溶離液回収管５０の前記一端側に設けられた溶離液回収弁５３とからなる。

前記洗浄液供給機構５４は、例えば、純水からなる洗浄液を供給する洗浄液供給部５５と、一端が洗浄液供給部５５に接続し、他端が溶離液供給管４４の分岐部と溶離液供給弁４５との間に接続して、この溶離液供給管４４を介し各吸着容器３２，３３に接続した洗浄液供給管５６と、この洗浄液供給管５６に設けられた洗浄液供給弁５７とを備えてなり、前記第１供給切換弁４６及び第２供給切換弁４７は、当該洗浄液供給機構５４としても機能する。

また、前記洗浄液回収機構５８は、洗浄液を回収する洗浄液回収部５９と、一端が洗浄液回収部５９に接続し、他端が溶離液回収管５０の分岐部と溶離液回収弁５３との間に接続して、この溶離液回収管５０を介し各吸着容器３２，３３に接続した洗浄液回収管６０と、洗浄液回収管６０に設けられた洗浄液回収弁６１とを備えてなり、前記第１排出切換弁５１及び第２排出切換弁５２は、当該洗浄液回収機構５８としても機能する。

前記新液供給装置７０は、未使用の新しいエッチング液Ｌが貯留された補助貯留槽７１と、一端が補助貯留槽７１に接続し、他端が貯留槽１１に接続した供給管７３と、供給管７３を介して前記補助貯留槽７１内のエッチング液Ｌを貯留槽１１に供給する供給ポンプ７２と、供給ポンプ７２と貯留槽１１との間の供給管７３に設けられた流量制御弁７４とから構成される。

また、前記貯留槽１１には、槽内のエッチング液Ｌの全量を交換するための装置であって、図示しない新液供給源に接続された新液供給管２６の一端が接続され、この新液供給管２６には前記制御装置２５によってその作動が制御される切換弁２８が介装されている。また、前記供給管２１には、これから分岐する回収管２７が設けられており、回収管２７には、前記制御装置２５によってその作動が制御される切換弁２９が介装されている。

更に、前記貯留槽１１には、エッチング液Ｌの液面位置を検出する２つの液面検出センサ６６，６７が上下に間隔を隔てて設けられており、液面検出センサ６６は高位の限界レベルを設定し、液面検出センサ６７は低位の限界レベルを設定する。

また、前記制御装置２５は、供給ポンプ２２，３６，７２、搬送装置１４、傾斜機構（図示せず）、切換弁１６ｄ，２３，２８，２９，３８，３９，４０，４１，４５，４６，４７，５１，５２，５３，５７，６１、流量制御弁７４、溶離液供給部４３及び洗浄液供給部５５の作動を制御する。

以上のように構成された本例の基板処理システム１によれば、以下の処理が行われる。

（エッチング液交換処理）
制御装置２５は、まず、切換弁２３を閉じ、切換弁２９を開いた状態で、供給ポンプ２２を駆動して、貯留槽１１内のエッチング液Ｌの全量を、回収管２７から回収し、ついで、切換弁２９を閉じ、供給ポンプ２２を停止させた後、切換弁２８を開いて、新液供給源（図示せ）から新液供給管２６を通して、新しいエッチング液Ｌを液面検出センサ６６によってその液面が検出されるまで貯留槽１１内に供給する。以上の操作によって、貯留槽１１内の使用済みのエッチング液Ｌの全量を新しいエッチング液Ｌと交換する。尚、液面検出センサ６７が液面を検出した場合にも、同様に、新液供給管２６を通して、新しいエッチング液Ｌが貯留槽１１内に供給される。

（エッチング処理）

前記制御装置２５は、まず、基板処理装置１２の搬送装置１４を駆動して、基板Ｋを順次エッチング室１３ａ，第１液切室１３ｂ，第２液切室１３ｃに搬送するとともに、切換弁２９を閉じ、切換弁２３を開いた状態で供給ポンプ２２を駆動し、同時に、切換弁１６ｄを開いた状態にする。

供給ポンプ２２が駆動されると、貯留槽１１内のエッチング液Ｌがエッチング液吐出機構１５の吐出管１５ａに供給され、ノズル体１５ｂからその下方に向けて吐出される。そして、ノズル体１５ｂから吐出されたエッチング液Ｌは、搬送ローラ１４ａによって搬送される基板Ｋ上に供給され、このエッチング液Ｌによって当該基板Ｋ上面がエッチングされる。

上面にエッチング液Ｌが供給された基板Ｋはエッチング室１３ａから第１液切室１３ｂに搬出されるが、この第１液切室１３ｂに基板Ｋが搬入されると、制御装置２５は、傾斜機構（図示せず）を駆動して基板Ｋを傾斜させて、基板Ｋ上のエッチング液Ｌを流し落とした後、再び、基板Ｋを水平に戻して、第２液切室１３ｃに向けて搬出する。

尚、エッチング室１３ａにおいて基板Ｋ上から溢れ落ちたエッチング液Ｌ、及び第１液切室１３ｂにおいて基板Ｋ上から流し落とされたエッチング液Ｌは、それぞれ各室１３ａ，１３ｂの底部に集液され、回収管２４ａから貯留槽１１に還流，回収される。

前記第２液切室１３ｃでは、圧縮空気吐出機構１６の吐出管１６ａから圧縮空気が吐出されており、第１液切室１３ｂから搬入された基板Ｋは、その搬送過程で、ノズル体１６ｂから吐出される圧縮空気によって噴き付けられ、これにより、その上面に残存したエッチング液Ｌが吹き飛ばされ、基板Ｋ上から除去される。尚、吹き飛ばされたエッチング液Ｌは第２液切室１３ｃ内の底部に集液され、回収管２４ｂから廃棄される。

以上にようにして、順次搬送される基板Ｋは、エッチング室１３ａにおいて上面にエッチング液Ｌが供給されて、その上面がエッチングされ、ついで、第１液切室１３ｂにおいて傾斜されて、基板Ｋ上からエッチング液Ｌが流し落とされ、最後に、第２液切室１３ｃにおいて、基板Ｋ上面に残存したエッチング液Ｌが、圧縮空気によって吹き飛ばされ、除去される。

（再生処理）
上述したように、基板Ｋのエッチングに供されたエッチング液Ｌは、回収管２４ａを介して貯留槽１１に還流，回収されるが、エッチング処理後のエッチング液Ｌ中には、エッチング処理によって基板Ｋ上の酸化インジウムスズ膜が溶出するため、貯留層１１内のエッチング液Ｌに含まれる金属成分の濃度が徐々に高くなり、これが所定濃度を超えると、エッチング効率やエッチングによる形状精度が低下するという問題を生じる。

そこで、本例の基板処理システム１では、基板処理装置１２によるエッチングを開始後、所定時間が経過した後、又は、所定枚数の基板Ｋをエッチングした後、貯留層１１内に貯留されたエッチング液Ｌをエッチング液再生装置３０により処理して、当該エッチング液Ｌに含有される金属成分を除去して、再生するようにしている。

具体的には、制御装置２５は、先ず、例えば、循環機構３０の第１供給切換弁３８及び第１排出切換弁４０を開き、第２供給切換弁３９及び第２排出切換弁４１を閉じた状態で供給ポンプ３６を駆動して、貯留槽１１内のエッチング液Ｌを第１吸着容器３２に供給し、同第１吸着容器３２内を流通させた後、エッチング液回収管３７を介して同貯留槽１１内に還流，回収する。

これにより、第１吸着容器３２内に充填されたキレート材（図示せず）によって、エッチング液Ｌ中の金属成分が吸着，除去され、当該エッチング液Ｌが再生される。

そして、エッチング液Ｌを所定量、又は所定時間だけ第１吸着容器３２内を流通させると、当該第１吸着容器３２内に充填したキレート材（図示せず）が吸着限界に達して、その吸着性能が低下するため、制御装置２５は、エッチング液Ｌを所定量、又は所定時間だけ流通させた後、前記第１供給切換弁３８及び第１排出切換弁４０を閉じ、第２供給切換弁３９及び第２排出切換弁４１を開いて、エッチング液Ｌを供給する対象を第１吸着容器３２から第２吸着容器３３に切り換える。

斯くして、以後、エッチング液Ｌは第２吸着容器３３に供給され、その内部に充填されたキレート材（図示せず）により金属成分が吸着，除去されて、再生される。

一方、エッチング液Ｌの供給が停止された第１吸着容器３２では、制御装置２５によって溶離液供給弁４５，第１供給切換弁４６，第１排出切換弁５１及び溶離液回収弁５３が開かれ、溶離液が溶離液供給部４３から溶離液供給管４４を介して第１吸着容器３２に供給され、当該第１吸着容器３２内を流通した後、溶離液回収管５０を介して溶離液回収部４９に回収される。

これにより、第１吸着容器３２内のキレート材は、吸着した金属成分が溶離液に溶出して再生され、再び金属成分を吸着可能な状態となる。

そして、このようにしてキレート材から金属成分が除去されると、次に、制御装置２５は、前記第１供給切換弁４６及び第１排出切換弁５１をそのまま開いた状態にして、溶離液供給弁４５及び溶離液回収弁５３を閉じ、洗浄液供給弁５７及び洗浄液回収弁６１を開いて、洗浄液供給部４９から洗浄液供給管５６及び溶離液供給管４４を介して第１吸着容器３２に洗浄液を供給し、当該第１吸着容器３２内を流通させた後、溶離液回収管５０及び洗浄液回収管６０を介して洗浄液回収部５９に回収する。

これにより、第１吸着容器３２内のキレート材は、洗浄液によって洗浄され、再び、再生処理を行うことができる状態となる。

斯くして、エッチング液Ｌを所定量、又は所定時間だけ第２吸着容器３３内を流通させると、次に、エッチング液Ｌを供給する対象を第２吸着容器３３から第１吸着容器３２に切り換えて、第１吸着容器３２内のキレート材によってエッチング液Ｌを再生させるとともに、第２吸着容器３３に溶離液及び洗浄液を順次供給して、第２吸着容器３３内のキレート材を再生させる。

具体的には、制御装置２５は、まず、前記第２供給切換弁３９及び第２排出切換弁４１を閉じ、第１供給切換弁３８及び第１排出切換弁４０を開いて、第１吸着容器３２にエッチング液Ｌが供給されるようにする。

これと同時に、制御装置２５は、洗浄液供給弁５７及び洗浄液回収弁６１、並びに第１供給切換弁４６及び第１排出切換弁５１を閉じ、溶離液供給弁４５，第２供給切換弁４７，第２排出切換弁５２及び溶離液回収弁５３を開いて、溶離液を第２吸着容器３３に供給して、当該第２吸着容器３３内を流通させた後、溶離液回収部４９に回収する。

そして、上記溶離処理後、前記第２供給切換弁４７及び第２排出切換弁５２をそのまま開いた状態にして、溶離液供給弁４５及び溶離液回収弁５３を閉じ、洗浄液供給弁５７及び洗浄液回収弁６１を開いて、洗浄液を第２吸着容器３３に供給して、当該第２吸着容器３３内を流通させた後、洗浄液回収部５９に回収する。

以上により、第１吸着容器３２によってエッチング液Ｌを再生するとともに、第２吸着容器３３内のキレート材を再生する。

以後、第１吸着容器３２及び第２吸着容器３３に対して交番的にエッチング液Ｌが供給されて、当該エッチング液Ｌが再生され、同様に、第１吸着容器３２及び第２吸着容器３３に対して交番的に溶離液及び洗浄液が順次供給されて、その内部に充填されたキレート材が再生される。

（新液補充処理）
前述したように、通常、基板上に残渣が生じるのを抑制すべく、エッチング液には界面活性剤が添加されているが、前記エッチング液再生装置３０によって、エッチング液中の金属成分を吸着，除去すると、金属成分とともに界面活性剤もキレート材に吸着されて除去されるため、その抑制効果が減少するという問題を生じる。

したがって、抑制効果を適正に維持するためには、キレート材に吸着され減少した界面活性剤の相当量分を再生処理後のエッチング液に添加して補う必要がある。

また、第１液切室１３ｂでの処理を終え、第２液切室１３ｃに搬出された基板Ｋに付着したエッチング液Ｌは、貯留槽１１には還流されず、系外に持ち出されるようになっている。したがって、この基板Ｋとともに系外に持ち出されるエッチング液に相当する量を、貯留槽１１に補充する必要がある。

そこで、本例の基板処理システム１では、第２液切室１３ｃから基板Ｋが搬出されるたびに、新液供給装置７０によって、所定量の新しいエッチング液Ｌを貯留槽１１に補充するようにしている。

具体的には、制御装置２５は、基板処理装置１２の動作状態から基板Ｋが搬出されるタイミングを認識し、基板Ｋが１枚搬出されるたびに、供給ポンプ７２を駆動して所定量の新しいエッチング液Ｌを貯留槽１１に補充する。

貯留槽１１に補充されるエッチング液Ｌの補充量（添加量）は、基板Ｋとともに系外に持ち出されるエッチング液Ｌの量と略同量とするのが好ましく、このような量となるように流量制御弁７４によって、補充量が制御される。補充量を持ち出し量よりも多くすると貯留槽１１がオーバフローする可能性があり、逆に少なすぎると、界面活性剤の濃度が低下して適正な範囲を逸脱するため、適正なエッチングを行うことができない可能性があるからである。

尚、上述した再生処理において、第１吸着容器３２及び第２吸着容器３３内を流通させるエッチング液Ｌの流量は、新液の補充量を考慮して設定するのが好ましい。即ち、当該流量を、第２液切室１３ｃから基板Ｋが搬出される時間間隔において、１回の新液添加によってエッチング液Ｌに添加される界面活性剤の量と略同量若しくはこれ以下の量の界面活性剤がキレート材に吸着されるような流量とするのが好ましい。そして、このような流量は、実験的な経験値を基に設定される。

以上詳述したように、本例の基板処理システム１によれば、エッチング処理によってエッチング液中に溶出した金属成分を、エッチング液再生装置３０によって吸着，除去するようにしているので、エッチング液Ｌの寿命を延ばすことができ、エッチング処理に要する費用を軽減することができる。

また、第１吸着容器３２及び第２吸着容器３３に対して交番的にエッチング液Ｌを供給して再生させるようにしているので、エッチング液Ｌの再生を連続的に行うことができ、当該再生処理を断続的に行う場合に比べて、エッチング液Ｌ中の金属成分濃度を一定に維持することができ、安定した精度のエッチング処理を実現することができる。

また、エッチング液の寿命を延ばすことで、廃棄するエッチング液の総量を低減することができ、環境保護に貢献することができる。

また、エッチング液の再生処理により、金属成分とともに界面活性剤もキレート材に吸着されて除去されるため、そのまま放置すると、界面活性剤による抑制効果が減少するという問題を生じるが、本例では、基板処理装置１２から１枚の基板Ｋが搬出されるたびに、その間にキレート材に吸着される界面活性剤に相当する量を含んだ新しいエッチング液Ｌを貯留槽１１に補充するようにしているので、貯留槽１１内のエッチング液Ｌに含まれる界面活性剤の量を適正な範囲に維持することができ、残渣を抑制する効果を適正に維持することができる。

また、基板処理装置１２から基板Ｋが搬出される度に、新しいエッチング液Ｌを添加するようにしているので、仮にエッチング液Ｌに含有される界面活性剤の濃度が変化するとしても、その変化は緩やかであり、したがって、安定した基板処理を行うことができる。

以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明の採り得る具体的な態様は、何らこれに限定されるものではない。

例えば、上例の新液供給装置７０では、供給管７３を貯留槽１１に接続させた構成としたが、これに限るものではなく、当該供給管７３を前記循環機構３４のエッチング液回収管３７に接続させ、このエッチング液回収管３７よって貯留槽１１に還流されるエッチング液Ｌに対して新液を添加するように構成しても良い。

また、上記の例では、エッチング液再生装置３０を所謂インラインに（システムの一部として）設けたが、このエッチング液再生装置３０の内、キレート材の再生に係る溶離液供給機構４２、溶離液回収機構４８、洗浄液供給機構５４及び洗浄液回収機構５８（以下、これらを「キレート材再生装置」という）については、これらを基板処理システム１の外部に設けることもできる。

この場合、前記第１吸着容器３２及び第２吸着容器３３を着脱自在な構成とし、これらの内のどちらか一方の容器にエッチング液を供給して再生している間に、他方の容器を取り外し、これを外部に設けたキレート材再生装置に搬送，装着して、その内部に充填されたキレート材を再生処理するようにする。そして、再生処理後の容器を再び基板処理システム１に戻して、エッチング液の再生処理に供する。

尚、吸着容器は２個に限られず、これを３個以上用意し、運用しても良い。即ち、順次基板処理システム１に装着してエッチング液の再生処理に供し、キレート材の吸着限界に達したときに、順次他のものと交換し、エッチング液再生処理後の吸着容器が所定数溜まった段階で、これらの吸着容器を前記キレート材再生装置に搬送し、バッチ処理的に、キレート材の再生処理を行うようにしても良い。

以上の構成とすれば、例えば、製造ラインに複数の基板処理システム１が設けられている場合に、各基板処理システム１において再生処理が必要となるキレート材を、一つのエッチング液再生装置３０で処理することができるので、処理コストを低減し、且つ処理効率を高めることができる。

本発明は、各種処理液を用いた、半導体（シリコン）ウエハ，液晶ガラス基板，フォトマスク用ガラス基板，光ディスク用基板といった各種基板の処理に、好適に適用することができる。

本発明の一実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示した説明図である。 本実施形態に係る基板処理装置を示した断面図である。

符号の説明

１ 基板処理システム
１１ 貯留槽
１２ 基板処理装置
２０ エッチング液供給装置
２２ 供給ポンプ
２５ 制御装置
３０ エッチング液再生装置
３２ 第１吸着容器
３３ 第２吸着容器
３５ エッチング液供給管
３６ 供給ポンプ
３７ エッチング液回収管
７０ 新液供給装置
Ｋ 基板
Ｌ エッチング液

Claims (1)

1. 界面活性剤が含まれた処理液を貯留する貯留槽と、前記基板上に前記処理液を供給して該基板を処理する工程、及び少なくとも処理後の基板上から処理液を一次除去する工程を行う処理槽と、該処理槽に基板を搬入し、搬入した基板を処理槽から搬出する搬送機構と、前記貯留槽に貯留された処理液を前記処理槽に供給する一方、前記処理槽の底部に集液された処理液を前記貯留槽に還流させる処理液供給機構とを備えた基板処理装置と、
   前記処理液に含まれる金属成分を吸着する吸着材が充填された吸着容器と、前記貯留槽に貯留された処理液を前記吸着容器に供給して流通させ、流出した処理液を前記貯留槽に還流させる処理液循環機構とを備えた処理液再生装置と、
   前記処理槽から処理後の基板が搬出される度に、予め定められた量の新しい処理液を、前記貯留槽に貯留された処理液、又は前記吸着容器から前記貯留槽に還流される処理液に添加する新液供給装置とを設けて構成したことを特徴とする基板処理システム。

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