JP6712415B2 - 現像液管理装置 - Google Patents
現像液管理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6712415B2 JP6712415B2 JP2017009836A JP2017009836A JP6712415B2 JP 6712415 B2 JP6712415 B2 JP 6712415B2 JP 2017009836 A JP2017009836 A JP 2017009836A JP 2017009836 A JP2017009836 A JP 2017009836A JP 6712415 B2 JP6712415 B2 JP 6712415B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- concentration
- developer
- value
- carbon dioxide
- developing solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 361
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims description 180
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims description 180
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 152
- 238000007726 management method Methods 0.000 claims description 96
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 74
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 claims description 59
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 44
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 43
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 37
- 238000013500 data storage Methods 0.000 claims description 27
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 24
- 238000000491 multivariate analysis Methods 0.000 claims description 22
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 claims description 21
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 13
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 210
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 36
- 230000008569 process Effects 0.000 description 34
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 29
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 18
- 238000000611 regression analysis Methods 0.000 description 17
- 230000009471 action Effects 0.000 description 15
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 14
- 238000004448 titration Methods 0.000 description 14
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 13
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 11
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 11
- 239000012086 standard solution Substances 0.000 description 10
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 10
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 7
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 6
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 4
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000012417 linear regression Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- LJRGBERXYNQPJI-UHFFFAOYSA-M sodium;3-nitrobenzenesulfonate Chemical compound [Na+].[O-][N+](=O)C1=CC=CC(S([O-])(=O)=O)=C1 LJRGBERXYNQPJI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M Bicarbonate Chemical compound OC([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001231 choline Drugs 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000001739 density measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009401 outcrossing Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000012488 sample solution Substances 0.000 description 1
- 239000001488 sodium phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910000162 sodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/002—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor using materials containing microcapsules; Preparing or processing such materials, e.g. by pressure; Devices or apparatus specially designed therefor
- G03F7/0022—Devices or apparatus
- G03F7/0025—Devices or apparatus characterised by means for coating the developer
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3042—Imagewise removal using liquid means from printing plates transported horizontally through the processing stations
- G03F7/3071—Process control means, e.g. for replenishing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Description
図1は、本実施形態の現像液管理装置Dの説明をするための現像工程の模式図である。本発明の現像液管理装置Dが、現像工程設備A、補充液貯留部B、循環攪拌機構Cなどとともに図示されている。
図2は、本実施形態の現像液管理装置Dの説明をするための現像工程の模式図である。本発明の現像液管理装置Dが、現像工程設備A、補充液貯留部B、循環攪拌機構Cなどとともに図示されている。なお、第一実施形態の構成と同様の構成には同一符号を付して説明を省略する場合がある。
さらに、本発明は多変量解析法(例えば、重回帰分析法)を用いているので、従来は測定が困難であった現像液の吸収二酸化炭素濃度を、精度よく算出することができる。
図3は、本実施形態の現像液管理装置Dの説明をするための現像工程の模式図である。本発明の現像液管理装置Dが、現像工程設備A、補充液貯留部B、循環攪拌機構Cなどとともに図示されている。なお、第一実施形態、及び第二実施形態の構成と同様の構成には同一符号を付して説明を省略する場合がある。
図4は、本実施形態の現像液管理装置Dの説明をするための現像工程の模式図である。本発明の現像液管理装置Dが、現像工程設備A、補充液貯留部B、循環攪拌機構Cなどとともに図示されている。なお、第一実施形態、第二実施形態、及び第三実施形態の構成と同様の構成には同一符号を付して説明を省略する場合がある。
フォトレジスト濃度、吸収二酸化炭素濃度、および、密度を測定し、成分濃度と密度との相関を確かめる実験を行った。
図6は、本実施形態の現像液管理装置Dの説明をするための現像工程の模式図である。本発明の現像液管理装置Dが、現像工程設備A、補充液貯留部B、循環攪拌機構Cなどとともに図示されている。なお、第一実施形態、及び第二実施形態の構成と同様の構成には同一符号を付して説明を省略する場合がある。
図7は、本実施形態の現像液管理装置Dの説明をするための模式図である。本実施形態の現像液管理装置Dは、第一実施形態と同様の構成を有している。なお、第一実施形態から第五実施形態の構成と同様の構成には同一符号を付して説明を省略する場合がある。
1…測定部
11…導電率計、12…第1濃度測定手段、12A…第1特性値測定手段、13…第2濃度測定手段、13A…第2特性値測定手段、13B…密度計
14…サンプリングポンプ、15…サンプリング配管、16…出口側配管
21…制御手段(例えばコンピュータ)、22・・・表示手段
23…データ記憶部、
31…制御部、32,33…演算部、36,37…演算手段
41〜43…制御弁、44、45、46、47…バルブ
61…現像液貯留槽、62…オーバーフロー槽、63…液面計、64…現像室フード、65…ローラーコンベア、66…基板、67…現像液シャワーノズル
71…廃液ポンプ、72、74…循環ポンプ、73、75…フィルター
80…現像液管路、81、82…補充液(現像原液及び/又は新液)用管路、83…純水用管路、84…合流管路、85…循環管路、86…窒素ガス用管路
91、92…補充液(現像原液及び/又は新液)貯留槽
Claims (11)
- 繰り返し使用される、アルカリ性を示す現像液の溶解フォトレジスト濃度及び吸収二酸化炭素濃度を指標として、前記溶解フォトレジスト濃度と前記吸収二酸化炭素濃度との組み合わせ毎に特定される濃度領域ごとに所定の現像性能となることが予め確認された前記現像液の導電率値を有する導電率データが格納されているデータ記憶部と、
前記現像液の溶解フォトレジスト濃度の測定値及び吸収二酸化炭素濃度の測定値により特定される濃度領域の前記データ記憶部に格納された前記導電率値を制御目標値として、前記現像液の導電率が前記制御目標値となるように、前記現像液に補給される補充液を送液する管路に設けられた制御弁に制御信号を発する制御部と、
を備えた制御手段と、
前記現像液の導電率値、溶解フォトレジスト濃度値及び吸収二酸化炭素濃度値のうち少なくとも導電率値を表示する表示手段と、
を備える現像液管理装置。 - 前記表示手段に表示される表示対象を切り替える表示切替手段、をさらに備える請求項1に記載の現像液管理装置。
- 繰り返し使用される、アルカリ性を示す現像液の溶解フォトレジスト濃度及び吸収二酸化炭素濃度を指標として、前記溶解フォトレジスト濃度と前記吸収二酸化炭素濃度との組み合わせ毎に特定される濃度領域ごとに所定の現像性能となることが予め確認された前記現像液の導電率値を有する導電率データが格納されているデータ記憶部と、
前記現像液の溶解フォトレジスト濃度の測定値及び吸収二酸化炭素濃度の測定値により特定される濃度領域の前記データ記憶部に格納された前記導電率値を制御目標値として、前記現像液の導電率が前記制御目標値となるように、前記現像液に補給される補充液を送液する管路に設けられた制御弁に制御信号を発する制御部と、
を備えた制御手段と、
前記現像液の導電率値、溶解フォトレジスト濃度値及び吸収二酸化炭素濃度値のうち少なくとも導電率値を、測定時刻又は測定開始からの経過時間を指標にしてグラフ表示する表示手段と、
を備える現像液管理装置。 - 前記表示手段に表示される表示対象を切り替える表示切替手段、をさらに備える請求項3に記載の現像液管理装置。
- 前記現像液の溶解フォトレジスト濃度と相関のある前記現像液の特性値と前記現像液の吸収二酸化炭素濃度と相関のある前記現像液の特性値とを含む前記現像液の複数の特性値を測定する複数の測定装置、をさらに備え、
前記制御手段が、さらに、
前記複数の測定装置により測定された前記現像液の複数の特性値から、多変量解析法により、前記現像液の溶解フォトレジスト濃度の測定値及び吸収二酸化炭素濃度の測定値を算出する演算部、
を備える請求項1から4のいずれか一項に記載の現像液管理装置。 - 前記現像液の溶解フォトレジスト濃度と相関のある前記現像液の特性値と前記現像液の吸収二酸化炭素濃度と相関のある前記現像液の特性値とを含む前記現像液の複数の特性値を測定する複数の測定装置と、
前記複数の測定装置により測定された前記現像液の複数の特性値から、多変量解析法を用いて、前記現像液の溶解フォトレジスト濃度の測定値及び吸収二酸化炭素濃度の測定値を算出する演算手段と、
をさらに備える請求項1から4のいずれか一項に記載の現像液管理装置。 - 密度計を備え、
前記制御手段が、さらに、
前記現像液の吸収二酸化炭素濃度と密度との間の対応関係に基づいて前記密度計により測定された前記現像液の密度値から前記現像液の吸収二酸化炭素濃度値を算出する演算部、
を備える請求項1から4のいずれか一項に記載の現像液管理装置。 - 密度計と、
前記現像液の吸収二酸化炭素濃度と密度との間の対応関係に基づいて前記密度計により測定された前記現像液の密度値から前記現像液の吸収二酸化炭素濃度値を算出する演算手段と、
をさらに備える請求項1から4のいずれか一項に記載の現像液管理装置。 - 繰り返し使用される、アルカリ性を示す現像液の溶解フォトレジスト濃度と相関のある吸光度及び吸収二酸化炭素濃度を指標として、前記吸光度と前記吸収二酸化炭素濃度との組み合わせ毎に特定される濃度領域ごとに所定の現像性能となることが予め確認された前記現像液のアルカリ成分濃度値を有するアルカリ成分濃度データが格納されているデータ記憶部と、
前記現像液の吸光度及び吸収二酸化炭素濃度の測定値により特定される濃度領域の前記データ記憶部に格納された前記アルカリ成分濃度値を制御目標値として、前記現像液のアルカリ成分濃度が前記制御目標値となるように前記現像液に補給される補充液を送液する管路に設けられた制御弁に制御信号を発する制御部と、
を備えた制御手段と、
前記現像液のアルカリ成分濃度値、溶解フォトレジスト濃度と相関のある吸光度値、及び、吸収二酸化炭素濃度値のうち少なくとも前記アルカリ成分濃度値を表示する表示手段と、
を備える現像液管理装置。 - 繰り返し使用される、アルカリ性を示す現像液の溶解フォトレジスト濃度と相関のある吸光度及び吸収二酸化炭素濃度を指標として、前記吸光度と前記吸収二酸化炭素濃度との組み合わせ毎に特定される濃度領域ごとに所定の現像性能となることが予め確認された前記現像液のアルカリ成分濃度値を有するアルカリ成分濃度データが格納されているデータ記憶部と、
前記現像液の吸光度及び吸収二酸化炭素濃度の測定値により特定される濃度領域の前記データ記憶部に格納された前記アルカリ成分濃度値を制御目標値として、前記現像液のアルカリ成分濃度が前記制御目標値となるように前記現像液に補給される補充液を送液する管路に設けられた制御弁に制御信号を発する制御部と、
を備えた制御手段と、
前記現像液のアルカリ成分濃度値、溶解フォトレジスト濃度と相関のある吸光度値、及び、吸収二酸化炭素濃度値のうち少なくとも前記アルカリ成分濃度値を、測定時間又は測定開始からの経過時間を指標としてグラフ表示する表示手段と、
を備える現像液管理装置。 - 前記表示手段に表示される表示対象を切り替える表示切替手段、をさらに備える請求項9又は10に記載の現像液管理装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017009836A JP6712415B2 (ja) | 2017-01-23 | 2017-01-23 | 現像液管理装置 |
CN201711232620.8A CN108345183A (zh) | 2017-01-23 | 2017-11-29 | 显影液管理装置 |
KR1020170161409A KR20180087124A (ko) | 2017-01-23 | 2017-11-29 | 현상액 관리 장치 |
TW106141776A TW201827947A (zh) | 2017-01-23 | 2017-11-30 | 顯影液管理裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017009836A JP6712415B2 (ja) | 2017-01-23 | 2017-01-23 | 現像液管理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018120899A JP2018120899A (ja) | 2018-08-02 |
JP6712415B2 true JP6712415B2 (ja) | 2020-06-24 |
Family
ID=62962095
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017009836A Expired - Fee Related JP6712415B2 (ja) | 2017-01-23 | 2017-01-23 | 現像液管理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6712415B2 (ja) |
KR (1) | KR20180087124A (ja) |
CN (1) | CN108345183A (ja) |
TW (1) | TW201827947A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018120897A (ja) * | 2017-01-23 | 2018-08-02 | 株式会社平間理化研究所 | 現像液の濃度監視装置、及び現像液管理装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102262358B1 (ko) * | 2020-04-08 | 2021-06-08 | 주식회사 에이치에스테크놀로지 | 다중 농도 측정 장치 및 가스 공급 장치를 구비한 현상액 농도 관리 장치 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5890708A (ja) * | 1981-11-25 | 1983-05-30 | Tdk Corp | チョークコイル |
JPS6228128A (ja) * | 1985-07-31 | 1987-02-06 | Shimano & Co Ltd | 楕円ギヤの製造法 |
JPS62186265A (ja) * | 1986-02-12 | 1987-08-14 | Canon Inc | 現像装置 |
JPH067910B2 (ja) * | 1987-02-10 | 1994-02-02 | 日立プラント建設株式会社 | 現像原液の希釈装置 |
JP2561578B2 (ja) | 1991-08-07 | 1996-12-11 | 株式会社平間理化研究所 | 現像液管理装置 |
JP3686822B2 (ja) * | 2000-05-19 | 2005-08-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理装置および現像処理方法 |
JP2004271974A (ja) * | 2003-03-10 | 2004-09-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性平版印刷版の現像液疲労度検出方法および現像液管理方法 |
JP4281439B2 (ja) * | 2003-07-30 | 2009-06-17 | 三菱化学エンジニアリング株式会社 | 現像液の供給装置 |
JP4366490B2 (ja) * | 2003-08-22 | 2009-11-18 | 長瀬産業株式会社 | 現像液供給方法及び装置 |
JP2005249818A (ja) * | 2004-03-01 | 2005-09-15 | Nishimura Yasuji | フォトレジスト用現像液管理方法、管理装置 |
JP4839820B2 (ja) * | 2005-12-19 | 2011-12-21 | 三菱化学エンジニアリング株式会社 | 現像液の供給装置 |
JP5604770B2 (ja) * | 2006-11-30 | 2014-10-15 | 三菱化学エンジニアリング株式会社 | 現像液の濃度調節方法および調製装置 |
JP2011128455A (ja) * | 2009-12-18 | 2011-06-30 | Nagase & Co Ltd | 炭酸系塩類濃度測定装置、アルカリ現像液管理システム、及び、炭酸系塩類濃度測定方法 |
KR20160010259A (ko) * | 2014-07-17 | 2016-01-27 | 가부시키가이샤 히라마 리카 켄큐쇼 | 고체입자 회수 제거장치, 액체 관리장치 및 에칭액 관리장치 |
-
2017
- 2017-01-23 JP JP2017009836A patent/JP6712415B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2017-11-29 CN CN201711232620.8A patent/CN108345183A/zh active Pending
- 2017-11-29 KR KR1020170161409A patent/KR20180087124A/ko not_active Application Discontinuation
- 2017-11-30 TW TW106141776A patent/TW201827947A/zh unknown
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018120897A (ja) * | 2017-01-23 | 2018-08-02 | 株式会社平間理化研究所 | 現像液の濃度監視装置、及び現像液管理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018120899A (ja) | 2018-08-02 |
TW201827947A (zh) | 2018-08-01 |
KR20180087124A (ko) | 2018-08-01 |
CN108345183A (zh) | 2018-07-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6721157B2 (ja) | 現像液の成分濃度測定方法及び装置、並びに、現像液管理方法及び装置 | |
TWI695236B (zh) | 顯影液之管理方法及裝置 | |
JP6713658B2 (ja) | 現像液の成分濃度測定装置、成分濃度測定方法、現像液管理装置、及び現像液管理方法 | |
JP6712415B2 (ja) | 現像液管理装置 | |
JP6624762B2 (ja) | 現像液の管理方法及び装置 | |
KR20180087126A (ko) | 현상 장치 | |
JP6736087B2 (ja) | 現像液の濃度監視装置、及び現像液管理装置 | |
JP2018120900A (ja) | 現像液管理装置 | |
JP2018120893A (ja) | 現像液の成分濃度測定装置、及び現像液管理装置 | |
JP6763608B2 (ja) | 現像液の二酸化炭素濃度表示装置、及び現像液管理装置 | |
JP2018120895A (ja) | 現像装置 | |
JP2018120898A (ja) | 現像装置 | |
TW201841080A (zh) | 顯影液的濃度監視裝置及顯影液管理裝置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190418 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200227 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200427 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200511 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200518 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6712415 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |