JP6708275B2 - フッ素樹脂材料、高周波伝送用フッ素樹脂材料および高周波伝送用被覆電線 - Google Patents
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Description
N=I×K/t (A)
I:吸光度
K:補正係数
t:フィルムの厚さ(mm)
従って、たとえば、−COFの官能基数とは、−CF2COFに起因する吸収周波数1883cm−1の吸収ピークから求めた官能基数と、−CH2COFに起因する吸収周波数1840cm−1の吸収ピークから求めた官能基数との合計である。
上記PAVE単位を構成するPAVEとしては、一般式(1):
CF2=CFO(CF2CFY1O)p−(CF2CF2CF2O)q−Rf (1)
(式中、Y1はFまたはCF3を表し、Rfは炭素数1〜5のパーフルオロアルキル基を表す。pは0〜5の整数を表し、qは0〜5の整数を表す。)で表される単量体、および、一般式(2):
CFX=CXOCF2OR1 (2)
(式中、Xは、同一または異なり、H、FまたはCF3を表し、R1は、直鎖または分岐した、H、Cl、BrおよびIからなる群より選択される少なくとも1種の原子を1〜2個含んでいてもよい炭素数が1〜6のフルオロアルキル基、若しくは、H、Cl、BrおよびIからなる群より選択される少なくとも1種の原子を1〜2個含んでいてもよい炭素数が5または6の環状フルオロアルキル基を表す。)で表される単量体からなる群より選択される少なくとも1種を挙げることができる。
各単量体単位の含有量は、19F−NMR法により測定した。
ASTM D1238に従って、メルトインデクサー(安田精機製作所社製)を用いて、372℃、5kg荷重下で内径2mm、長さ8mmのノズルから10分間あたりに流出するポリマーの質量(g/10分)を求めた。
(融点)
示差走査熱量計〔DSC〕を用いて10℃/分の速度で昇温したときの融解熱曲線における極大値に対応する温度として求めた。
試料を330〜340℃にて30分間溶融し、圧縮成形して、厚さ0.25〜0.3mmのフィルムを作製する。このフィルムをフーリエ変換赤外分光分析装置〔FT−IR(商品名:1760X型、パーキンエルマー社製)により40回スキャンし、分析して赤外吸収スペクトルを得、完全にフッ素化されて官能基が存在しないベーススペクトルとの差スペクトルを得る。この差スペクトルに現れる特定の官能基の吸収ピークから、下記式(A)に従って試料における炭素原子1×106個あたりの官能基数Nを算出する。
I:吸光度
K:補正係数
t:フィルムの厚さ(mm)
実施例または比較例において得られた試験片(圧縮成形)から、ASTM V型ダンベルを用いてダンベル状試験片を切り抜き、得られたダンベル状試験片を用いて、オートグラフ(島津製作所社製 AGS−J 5kN)を使用して、ASTM D638に準じて、50mm/分の条件下で、25℃で破断強度を測定した。
強度保持率は次式で求めた。
強度保持率(%)=(電子線照射後の破断強度/基準とする破断強度)×100
基準とする破断強度は、フッ素化処理後であって、電子線照射前の試験片の破断強度である。実施例1〜5については、比較例2の破断強度を、基準とする破断強度とした。実施例6〜7については、比較例4の破断強度を、基準とする破断強度とした。実施例8については、比較例6の破断強度を、基準とする破断強度とした。
実施例または比較例において得られた試験片(押出成形)の誘電正接および比誘電率を、空洞共振器法により、測定した。ネットワークアナライザー(ヒューレットパッカード社製、HP8510C)を用いて、共振周波数およびQ値(電界強度)の変化を20〜25℃の温度で測定し、12GHzにおける誘電正接(tanδ)および比誘電率(εr)を測定した。また、誘電正接および比誘電率から、次式により誘電損失寄与Aを求めた。
TFE/PPVE共重合体のペレットを用いた。
組成:TFE/PPVE=94.5/5.5(質量%)
MFR:26.0(g/10min)
融点:303℃
官能基数:321個(OH/COF/COOH=150/17/154(個))
上記ペレットを、押出成形機を用いて、押出成形した。6gの上記ペレットを、直径10mmのシリンダーに投入し、372℃で5分間加熱溶融した後、5kgの荷重で、口径2mmφ、長さ8mmのダイスから押し出して、長さ100mmのバー状に成形し、試験片(押出成形)を得た。上記の方法により、得られた試験片(押出成形)の誘電正接、比誘電率および誘電損失寄与を測定した。結果を表3に示す。
上記ペレットを、ヒートプレス成形機を用いて、直径120mm、1.5mm厚の円盤状に成形し、試験片(圧縮成形)を得た。上記の方法により、得られた試験片(圧縮成形)の破断強度および強度保持率を測定した。結果を表3に示す。
比較例1で用いたペレットを容器に入れ、窒素ガスで20質量%に希釈したフッ素ガスを200℃にて常圧で10時間通して、フッ素ガス処理をした。フッ素ガス処理をして得られたペレットを用いて、官能基数を測定したところ、官能基は検出されなかった。また、フッ素ガス処理をして得られたペレットを用いる以外は、比較例1と同様にして、試験片(押出成形)および試験片(圧縮成形)を得て、同様に評価した。結果を表3に示す。
比較例2で得られた試験片(押出成形)および試験片(圧縮成形)を、電子線照射装置(NHVコーポレーション社製)の電子線照射容器に収容し、その後窒素ガスを加えて、容器内を窒素雰囲気にした。容器内の温度が表3に記載の照射温度で安定したことを確認した後、電子線加速電圧が3000kV、照射線量の強度が20kGy/5minの条件で、各試験片に、表3に記載の照射線量の電子線を照射した。電子線を照射した試験片を用いる以外は、比較例1と同様に評価した。結果を表3に示す。
表3に記載の条件で電子線を照射した以外は、実施例1と同様にして、試験片を得た。得られた試験片を用いて、比較例1と同様に評価した。結果を表3に示す。
TFE/PPVE/HFP共重合体のペレットを用いた以外は、比較例1と同様にして、試験片を得た。得られた試験片を用いて、比較例1と同様に評価した。結果を表3に示す。
組成:TFE/PPVE/HFP=87.9/1.0/11.1(質量%)
MFR:24.0(g/10min)
融点:257℃
官能基数:517個(COF/COOH/CF2H=22/12/483(個))
比較例3で用いたペレットを使用した以外は、比較例2と同様にして、フッ素ガス処理をした。フッ素ガス処理をして得られたペレットを用いて、官能基数を測定したところ、官能基は検出されなかった。また、フッ素ガス処理をして得られたペレットを用いる以外は、比較例1と同様にして、試験片(押出成形)および試験片(圧縮成形)を得て、同様に評価した。結果を表3に示す。
比較例4で得られたペレットを用い、表3に記載の条件で電子線を照射した以外は、実施例1と同様にして、試験片を得た。得られた試験片を用いて、比較例1と同様に評価した。結果を表3に示す。
TFE/HFP共重合体のペレットを用いた以外は、比較例1と同様にして、試験片を得た。得られた試験片を用いて、比較例1と同様に評価した。結果を表3に示す。
組成:TFE/HFP=88.9/11.1(質量%)
MFR:27.0(g/10min)
融点:266℃
官能基数:404個(COF/COOH/CF2H=2/28/374(個))
比較例5で用いたペレットを使用した以外は、比較例2と同様にして、フッ素ガス処理をした。フッ素ガス処理をして得られたペレットを用いて、官能基数を測定したところ、官能基は検出されなかった。また、フッ素ガス処理をして得られたペレットを用いる以外は、比較例1と同様にして、試験片(押出成形)および試験片(圧縮成形)を得て、同様に評価した。結果を表3に示す。
比較例6で得られたペレットを用い、表3に記載の条件で電子線を照射した以外は、実施例1と同様にして、試験片を得た。得られた試験片を用いて、比較例1と同様に評価した。結果を表3に示す。
Claims (3)
- 溶融加工性のフッ素樹脂を含有し、12GHzにおける比誘電率が2.1以下であり、誘電正接が0.00030以下であるフッ素樹脂材料であって、前記フッ素樹脂が、テトラフルオロエチレン/(パー)フルオロ(アルキルビニルエーテル)共重合体、および、テトラフルオロエチレン/ヘキサフルオロプロピレン共重合体からなる群より選択される少なくとも1種の共重合体であり、前記フッ素樹脂の主鎖炭素数106個当たりの官能基数が、6個以下であるフッ素樹脂材料。
- 請求項1に記載のフッ素樹脂材料を含有する高周波伝送用フッ素樹脂材料。
- 絶縁被覆層として、請求項1に記載のフッ素樹脂材料を備え、前記絶縁被覆層が中実の絶縁被覆層である高周波伝送用被覆電線。
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