JP6689423B2 - 半導体装置、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機 - Google Patents
半導体装置、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機 Download PDFInfo
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Description
本実施形態の半導体装置は、第1の面を備えるp型のSiC層と、ゲート電極と、SiC層の第1の面とゲート電極との間に設けられ、第1の層と、第1の層よりも酸素密度の高い第2の層と、第1の層と第2の層との間に設けられ、N(窒素)、P(リン)、As(ヒ素)、Sb(アンチモン)、Bi(ビスマス)の群から選ばれる少なくとも一つの第1の元素を含有し、第1の元素の濃度の第1のピークを有する第1の領域と、を有するゲート絶縁層と、を備える。
本実施形態の半導体装置は、第1の層と第2の層の上下が反転していること以外は、第1の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
本実施形態の半導体装置は、SiC層とゲート絶縁層との間に設けられ、N(窒素)、P(リン)、As(ヒ素)、Sb(アンチモン)、Bi(ビスマス)の群から選ばれる少なくとも一つの第2の元素を含有し、第2の元素の濃度の第2のピークを有する第2の領域を、更に備える以外は、第1の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
本実施形態の半導体装置は、ゲート絶縁層が、第1の層と第2の層の積層構造を複数層備えること以外は、第1の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
本実施形態の半導体装置は、p型のSiC層と、ゲート電極との間に設けられ、Ge(ゲルマニウム)、B(ボロン)、Al(アルミニウム)、Ga(ガリウム)、In(インジウム)、Be(ベリリウム)、Mg(マグネシウム)、Ca(カルシウム)、Sr(ストロンチウム)、Ba(バリウム)、Sc(スカンジウム)、Y(イットリウム)、La(ランタン)、ランタノイド(Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu)の群から選ばれる少なくとも一つの元素と、C(炭素)を含むゲート絶縁層と、を備える。ゲート絶縁層の構成が異なる以外は、第1の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
本実施形態のインバータ回路及び駆動装置は、第1の実施形態の半導体装置を備える駆動装置である。
本実施形態の車両は、第1の実施形態の半導体装置を備える車両である。
本実施形態の車両は、第1の実施形態の半導体装置を備える車両である。
本実施形態の昇降機は、第1の実施形態の半導体装置を備える昇降機である。
28 ゲート絶縁層
28a 第1の層
28b 第2の層
30 ゲート電極
40 第1の領域
50 第2の領域
100 MISFET(半導体装置)
140 モーター
150 インバータ回路
200 MISFET(半導体装置)
300 駆動装置
400 車両
1000 車両
1100 昇降機
Claims (8)
- p型のSiC層と、
ゲート電極と、
前記SiC層と前記ゲート電極との間のゲート絶縁層と、を備え、
前記ゲート絶縁層が、Ge(ゲルマニウム)、B(ボロン)、Al(アルミニウム)、Ga(ガリウム)、In(インジウム)、Be(ベリリウム)、Mg(マグネシウム)、Ca(カルシウム)、Sr(ストロンチウム)、Ba(バリウム)、Sc(スカンジウム)、Y(イットリウム)、La(ランタン)、ランタノイド(Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu)の群の少なくとも一つの元素と、C(炭素)を含み、
前記ゲート絶縁層中の前記元素の最大濃度が、前記ゲート絶縁層中のC(炭素)の最大濃度の80%以上120%以下である半導体装置。 - p型のSiC層と、
ゲート電極と、
前記SiC層と前記ゲート電極との間のゲート絶縁層と、を備え、
前記ゲート絶縁層が、Ge(ゲルマニウム)、B(ボロン)、Al(アルミニウム)、Ga(ガリウム)、In(インジウム)、Be(ベリリウム)、Mg(マグネシウム)、Ca(カルシウム)、Sr(ストロンチウム)、Ba(バリウム)、Sc(スカンジウム)、Y(イットリウム)、La(ランタン)、ランタノイド(Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu)の群の少なくとも一つの元素と、C(炭素)を含み、
前記ゲート絶縁層の膜厚方向に測定を行った場合に測定される濃度が、測定を行った範囲で、同一の位置で前記元素の濃度が、C(炭素)の濃度の80%以上120%以下である半導体装置。 - 前記ゲート絶縁層中の前記元素の最大濃度が、1×1018cm−3以上5×10 20 cm −3 以下である請求項1又は請求項2記載の半導体装置。
- 前記ゲート絶縁層中のC(炭素)の最大濃度が、1×1018cm−3以上5×10 20 cm −3 以下である請求項1乃至請求項3いずれか一項記載の半導体装置。
- 請求項1乃至請求項4いずれか一項記載の半導体装置を備えるインバータ回路。
- 請求項1乃至請求項4いずれか一項記載の半導体装置を備える駆動装置。
- 請求項1乃至請求項4いずれか一項記載の半導体装置を備える車両。
- 請求項1乃至請求項4いずれか一項記載の半導体装置を備える昇降機。
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