JP6686825B2 - 評価装置、半導体装置の評価方法 - Google Patents
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Description
図1は、実施の形態1に係る評価装置の構成概略図である。チャックステージ3は半導体装置5を真空吸着する台座である。半導体装置5の保持手段は真空吸着に限るものではなく、静電吸着等でもよい。図1では1つの半導体装置5を示しているが、複数の半導体装置をチャックステージ3の上にのせてもよい。チャックステージ3の表面は、チャックステージの側面に設けた接続部8Bと、接続部8Bに取り付けられた信号線6bを介して、評価部4に電気的に接続されている。
図7は、実施の形態2に係る絶縁物7等の底面図である。絶縁部64、68は、絶縁部62、66よりも長い。絶縁部64、68の長手方向の側面に、絶縁部62、66の両端が接触している。絶縁部62は下面62aと斜面62bを有し、絶縁部64は下面64aと斜面64bを有し、絶縁部66は下面66aと斜面66bを有し、絶縁部68は下面68aと斜面68bを有している。斜面62b、64b、66b、68bにより下面62a、64a、66a、68aは細くなっている。なお、実施の形態1と同様に絶縁部62、64、66、68はそれぞれ先端部分と接続部分を有しており、斜面62b、64b、66b、68bと下面62a、64a、66a、68aは先端部分に属している。
図8は、実施の形態3に係る絶縁部40、44等の断面図である。プローブ10に高電圧を印加する場合、プローブ10の近くの高電位側で沿面距離を拡大することが好ましい。そこで、実施の形態3では、先端部分23、25の外壁面を斜面23d、25dとすることで先端部分23、25を先細り形状とした。これにより下面23c、25cを、図5の下面23a、25aよりもプローブ10側に寄せることができる。この場合、絶縁部の下面は、終端領域20の最外周部分ではなく、終端領域20の中央部に接する。
図9は、実施の形態4に係る絶縁部40等の拡大図である。絶縁物7を構成する絶縁部40において、その先端部分23の下面23aに下面23aを保護する保護部材80が設けられている。保護部材80は、半導体装置5との繰り返しの接触に対し耐久性があり、かつ半導体装置5との良好な接触性を有するものを採用する。そのような保護部材80は例えばテフロン(登録商標)コートである。
図11は、実施の形態5に係る評価装置による半導体装置の評価方法を示す図である。絶縁物7を構成する絶縁部40において、その先端部分23の下面23aに溝90が形成されたことで、先端部分23は2つの下面23aを有している。つまり、溝90により、プローブ10側にある下面23aと、溝90よりプローブ10から離れた下面23aが設けられる。先端部分25の下面25aには溝94が形成されている。これにより先端部分25は2つの下面25aを有している。つまり、溝94よりプローブ10側にある下面25aと、溝94よりプローブ10から離れた下面25aがある。
電磁シールドが複数のプローブ10を囲むように、すべての絶縁部の中に電磁シールドを設けることが好ましい。電磁シールドは絶縁物7の表面に設置してもよい。評価の際、電磁シールドで外部からの電磁界を抑制することで、電磁界に起因した放電もしくは評価精度の悪化を抑制できる。
Claims (16)
- 絶縁板と、
前記絶縁板に固定された複数のプローブと、
前記絶縁板に着脱可能に接続された接続部分と、前記接続部分につながる先端部分とを有し、前記接続部分よりも前記先端部分が細く形成された絶縁部と、
前記絶縁部を複数組み合わせて平面視で前記複数のプローブを囲むように形成された絶縁物と、
前記複数のプローブに電流を流して被測定物の電気的特性を評価する評価部と、を備え、
前記絶縁板の下面に前記絶縁物の嵌合のための溝部が設けられ、前記溝部の一部に前記絶縁物が嵌合した結果、前記絶縁物が嵌合していない前記溝部は予備溝部となっていることを特徴とする評価装置。 - 絶縁板と、
前記絶縁板に固定された複数のプローブと、
前記絶縁板に着脱可能に接続された接続部分と、前記接続部分につながる先端部分とを有し、前記接続部分よりも前記先端部分が細く形成された絶縁部と、
前記絶縁部を複数組み合わせて平面視で前記複数のプローブを囲むように形成された絶縁物と、
前記複数のプローブに電流を流して被測定物の電気的特性を評価する評価部と、を備え
前記絶縁板には前記絶縁物の嵌合のための貫通孔が設けられ、前記貫通孔の一部に前記絶縁物が嵌合した結果、前記絶縁物が嵌合していない前記貫通孔があることを特徴とする評価装置。 - チャックステージを備え、
前記先端部分の下面は、前記チャックステージの表面と対向することを特徴とする請求項1又は2に記載の評価装置。 - 前記先端部分の内壁面を斜面とすることで前記先端部分は先細り形状になっていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の評価装置。
- 前記先端部分の下面に溝を形成したことで、前記下面が複数設けられたことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の評価装置。
- 前記先端部分の下面は平面視で長方形となっていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の評価装置。
- 前記先端部分の外壁面を斜面とすることで前記先端部分は先細り形状になっていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の評価装置。
- 前記先端部分の下面に凹部を形成したことを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の評価装置。
- 前記絶縁物はシリコーンゴムであることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の評価装置。
- 前記先端部分の下面に設けられた前記下面を保護する保護部材を備えたことを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の評価装置。
- 前記貫通孔は非環状に複数設けられたことを特徴とする請求項2に記載の評価装置。
- 前記複数の絶縁部のうち隣接する2つの絶縁部が嵌合したことを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の評価装置。
- 前記絶縁板に固定された複数のソケットを備え、
前記複数のプローブは前記複数のソケットに固定されたことを特徴とする請求項1〜12のいずれか1項に記載の評価装置。 - 前記絶縁物の中又は表面に設けられた電磁シールドを備えたことを特徴とする請求項1〜13のいずれか1項に記載の評価装置。
- 半導体装置の活性領域に、絶縁板に固定された複数のプローブを接触させるとともに、前記半導体装置の前記活性領域を囲む部分である終端領域の一部に、前記絶縁板に着脱可能に接続され前記複数のプローブを囲む絶縁物を直接又は保護部材を介して接触させながら、前記複数のプローブに電流を流して前記半導体装置の電気的特性を評価する、前記絶縁板の下面に前記絶縁物の嵌合のための溝部が設けられ、前記溝部の一部に前記絶縁物が嵌合した結果、前記絶縁物が嵌合していない前記溝部は予備溝部となっている半導体装置の評価方法。
- 半導体装置の活性領域に、絶縁板に固定された複数のプローブを接触させるとともに、前記半導体装置の前記活性領域を囲む部分である終端領域の一部に、前記絶縁板に着脱可能に接続され前記複数のプローブを囲む絶縁物を直接又は保護部材を介して接触させながら、前記複数のプローブに電流を流して前記半導体装置の電気的特性を評価する、前記絶縁板には前記絶縁物の嵌合のための貫通孔が設けられ、前記貫通孔の一部に前記絶縁物が嵌合した結果、前記絶縁物が嵌合していない前記貫通孔がある半導体装置の評価方法。
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