JP6672806B2 - 透光性ジルコニア焼結体及びその製造方法並びにその用途 - Google Patents

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Description

本発明は、高い透光性及び強度を有するジルコニア焼結体及びその製造方法に関する。
ジルコニアを主成分とする焼結体であって透光性を有するもの(以下、「透光性ジルコニア焼結体」ともいう。)は、ガラスやアルミナよりも機械的特性に優れる。そのため、透光性ジルコニア焼結体は、光学特性のみならず機械的特性をも必要とする用途を目的とした素材として検討されている。
例えば、特許文献1には歯科用材料や外装部材等に適した素材としての透光性ジルコニア焼結体が開示されている。当該透光性ジルコニア焼結体は、3mol%のイットリアを含有するジルコニア焼結体であった。
特許文献2には、歯科用材料、特に歯列矯正ブラケットに適した素材としての透光性ジルコニア焼結体が開示されている。当該透光性ジルコニア焼結体は、8mol%のイットリアを含有するジルコニア焼結体であった。
特許文献3には、歯科用材料、特に義歯及び義歯を得るためのミルブランクに適した素材としてのジルコニア焼結体が開示されている。当該ジルコニア焼結体は、イットリア及びチタニアを含有するジルコニア焼結体であった。
特許公開2008−050247号公報 特許公開2009−269812号公報 特許公開2008−222450号公報
従来のジルコニア焼結体は、ジルコニア中の安定化剤の含有量が高くなることにより、透光性が高くなるとともに強度が低下するものであった。他方、安定化剤の含有量が低くなることにより、従来のジルコニア焼結体は、透光性が低くなるとともに強度が高くなるものであった。このように、従来のジルコニア焼結体は、透光性又は強度のいずれかが高いものしかなかった。
本発明は、これらの課題を解決し、高い透光性及び高い強度を兼備したジルコニア焼結体を提供することを目的とする。
本研究者等は、透光性を有するジルコニア焼結体について検討した。その結果、結晶粒子内の組織構造を制御することで、強度及び透光性を兼備した焼結体となることを見出した。さらに、このような結晶粒子内の組織構造は、ランタンをジルコニアに固溶させることで制御できることを見出した。
すなわち、本発明は、立方晶ドメイン及び正方晶ドメインを有する結晶粒子を含み、安定化剤及びランタンを固溶することを特徴とするジルコニア焼結体である。
以下、本発明のジルコニア焼結体について説明する。
本発明のジルコニア焼結体は焼結体中に単にランタン(La)を含むではなく、ジルコニアにランタンが固溶した、ランタン固溶ジルコニア焼結体である。ランタンが固溶することで、焼結体の結晶粒子の組織構造が微細になる。
本発明のジルコニア焼結体(以下、「本発明の焼結体」ともいう。)において、ランタンがジルコニアに固溶していることは粉末X線回折(以下、「XRD」とする。)パターンから確認することができる。本発明の焼結体はCuKα線(λ=0.15418nm)を線源とするXRD測定において、2θ=30±2°のピーク(以下、「メインピーク」ともいう。)を有する。メインピークは正方晶ジルコニアのXRDピーク(2θ=30.0±2°)及び立方晶ジルコニアのXRDピーク(2θ=29.6±2°)が重複したピークであり、なおかつ、本発明の焼結体のXRDパターンにおける回折強度が最も強いXRDピークである。メインピークから求められる格子定数(Lattice Parameter)が、ランタンを固溶しないジルコニア焼結体よりも大きいことから、本発明の焼結体においてランタンがジルコニアに固溶していることが確認できる。例えば、本発明の焼結体がランタン及び3mol%のイットリアを含有する場合、その格子定数は、同量のイットリアのみを含有するジルコニア焼結体の格子定数よりも大きくなる。格子定数が大きいことは、XRDパターンにおいてメインピークが低角側へシフトすることから確認できる。
さらに、本発明の焼結体は、ランタンとジルコニウムとからなる複合酸化物又はランタン酸化物(以下、「ランタン酸化物等」ともいう。)を実質的に含有しないことが好ましい。ランタン酸化物等を含まないことで、本発明の焼結体が、より透光性の高い焼結体となる。ランタン酸化物等を含まないことは、本発明の焼結体のXRDパターンにおいて、ジルコニアのXRDピーク以外に相当するXRDピークを有さないことから確認することができる。ランタン酸化物等としてはLaZr、及びLaを例示することができる。
本発明の焼結体のランタン含有量は1mol%以上であることが好ましい。ランタンを2mol%以上含有することで、結晶粒子中のドメインが微細になりやすい。なお、ランタン含有量(mol%)は、焼結体中のジルコニア、安定化剤及び酸化物換算したランタン(La)の合計に対する、酸化物換算したランタンのモル割合である。ジルコニアに全てのランタンを固溶させるため、本発明の焼結体のランタンの含有量は10mol%以下であることが好ましい。ランタンの含有量を10mol%以下とすることで、ランタン酸化物等の析出がより抑制され、なおかつ、本発明の焼結体の強度が高くなりやすい。好ましいランタン含有量として、1mol%以上、10mol%以下、更には1mol%以上、7mol%以下、また更には2mol%以上、10mol%以下、また更には2mol%以上、7mol%以下、また更には2mol%以上、6.5mol%以下、また更には3mol%以上、6.5mol%以下を挙げることができる。
ランタンはランタノイド元素であるが、本発明の焼結体はランタン以外のランタノイド元素を含まないことが好ましい。ランタン以外のランタノイド元素として、例えば、ユーロピウム(Eu)、ガドリウム(Gd)、テルビウム(Tb)、ジスプロジム(Dy)、ホロニウム(Ho)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)、イッテルビウム(Yb)又はルテチウム(Lu)を挙げることができる。ランタン以外のランタノイド元素を含むと、立方晶ドメイン及び正方晶ドメインを含む結晶粒子が得られにくくなる。したがって、不可避不純物として含まれる量を超える、ランタン以外のランタノイド元素を含まないことが好ましい。本発明の焼結体のランタン以外のランタノイド元素を含まないことが好ましいが、組成分析の測定誤差を考慮すると本発明の焼結体におけるランタン以外のランタノイド元素の含有量は0.6mol%以下であることが例示できる。
本発明の焼結体は、安定化剤を含む。安定化剤はジルコニア中に固溶する。ランタン及び安定化剤がジルコニアに固溶することで、室温等の低温環境下においても、本発明の焼結体の結晶粒子(Crystal Grain)が立方晶ドメイン及び正方晶ドメインを含んだ状態となる。安定化剤は、イットリア(Y)、スカンジア(Sc)、カルシア(CaO)、マグネシア(MgO)、及びセリア(CeO)からなる群の少なくとも1種であることが好ましい。工業的に利用しやすいため、安定化剤はカルシア、マグネシア及びイットリアからなる群の少なくともいずれか、更にはイットリアであることが好ましい。
本発明の焼結体が含む安定化剤は、2mol%以上、7mol%以下、更には2mol%以上、5mol%以下、また更には2.1mol%以上、4.9mol%以下、また更には2mol%以上、4mol%以下であることが挙げられる。なお、安定化剤含有量(mol%)は、焼結体中のジルコニア、安定化剤及び酸化物換算したランタン(La)の合計に対する、安定化剤のモル割合である。
本発明の焼結体はジルコニア焼結体であり、ジルコニアを主成分とする焼結体である。そのため、本発明の焼結体に含まれる安定化剤及びランタンの合計含有量が50mol%未満であればよい。本発明の焼結体のジルコニア含有量は50mol%超であればよく、更には60mol%以上、また更には80mol%以上、また更には83mol%超、また更には90mol%以上であることが好ましい。
本発明の焼結体はアルミナ(Al)を含んでいてもよい。アルミナを含有することで、特に強度が高い焼結体における透光性が高くなりやすい。本発明の焼結体がアルミナを含む場合、アルミナ含有量は100重量ppm以上2000重量ppm以下、更には200重量ppm以上1000重量ppm以下であることが好ましい。アルミナの含有量(重量ppm)は、焼結体中のジルコニア、安定化剤及び酸化物換算したランタン(La)の合計重量に対する、酸化物換算したアルミニウム(Al)の重量割合である。
本発明の焼結体は上記の組成を有するが、不可避不純物は含んでいてもよい。不可避不純物としては、ハフニウム(Hf)及びランタン以外の希土類元素(Ce,Pr,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm、Yb,Lu)が挙げられる。
本発明の焼結体の好ましい組成として以下のモル組成を挙げることができる。
ジルコニア(ZrO) :90mol%以上、95mol%以下
安定化剤 :2mol%以上、5mol%以下
ランタン(La) :2mol%以上、6.5mol%以下
本発明の焼結体の特に好ましい組成として以下のモル組成を挙げることができる。
ジルコニア(ZrO) :92mol%以上、94mol%以下
安定化剤 :2mol%以上、4mol%以下
ランタン(La) :3mol%以上、5mol%以下
上記組成における安定化剤はイットリアであることが好ましい。
本発明の焼結体は、結晶粒子中に立方晶ドメイン及び正方晶ドメインを有する。結晶粒子中に立方晶ドメインと正方晶ドメインとが含まれることで、透光性が高いだけでなく、強度が高くなる。本発明において、ドメインとは、結晶粒子中の結晶子(Crystallite)又は結晶子の集合体の少なくともいずれかであって、同一の結晶構造が連続した部分である。また、立方晶ドメインとは結晶構造が立方晶蛍石型構造であるドメイン、及び、正方晶ドメインとは結晶構造が正方晶蛍石型構造であるドメインである。本発明の焼結体が、その結晶粒子中に立方晶ドメイン及び正方晶ドメインを有することは、XRDパターンのリートベルト解析により確認することができる。すなわち、XRDパターンのリートベルト解析により、本発明の焼結体が立方晶と正方晶とを含むことが確認できる。なおかつ、リートベルト解析により算出される立方晶と正方晶のそれぞれの結晶子径が、結晶粒子径よりも小さいことから、結晶粒子中に立方晶ドメインと正方晶ドメインを含むことを確認することができる。本発明の焼結体は、立方晶ドメイン及び正方晶ドメインを有する結晶粒子を含むが、立方晶ドメイン及び正方晶ドメインを有する結晶粒子からなることが好ましい。
本発明の焼結体は上記のドメインを含むため、その結晶構造は立方晶蛍石型構造及び正方晶蛍石型構造を含む。さらに、本発明の焼結体は、単斜晶を実質的に含まないことが好ましい。ここで、単斜晶を実質的に含まないとは、XRDパターンにおいて単斜晶のXRDピークが確認されないことが挙げられる。
立方晶ドメイン及び正方晶ドメインのランタン濃度は同じであってもよいが、本発明の焼結体において、結晶粒子中の立方晶ドメイン及び正方晶ドメインのそれぞれのランタン濃度が異なっていてもよく、さらには立方晶ドメインのランタン濃度が正方晶ドメインのランタン濃度よりも高くなっていてもよい。本発明において各ドメイン中のランタン濃度は透過型電子顕微鏡(以下、「TEM」とする。)観察における組成分析により観察することができる。
本発明の焼結体は、メインピークの半値幅(以下、「FWHM」とする。)から算出される平均結晶子径(Average Crystallite Size;以下、単に「平均結晶子径」ともいう。)が255nm以下であることが好ましい。平均結晶子径が250nm以下、更には200nm以下、また更には150nm以下、また更には130nm以下であることで透光性が高くなりやすい。さらに、平均結晶子径が100nm以下、更には60nm以下、また更には50nm以下、また更には30nm以下であることで、光散乱がより抑制される。これにより本発明の焼結体の透光性がより高くなる。
平均結晶子径は小さいことが好ましいが、本発明の焼結体においては、通常2nm以上、更には5nm以上、また更には10nm以上、また更には15nm以上であることが挙げられる。
本発明の焼結体の平均結晶子径が255nm以下であることは、本発明の焼結体のXRDパターンにおいてFWHMが0.1536°以上であることをもって、確認することができる。そのため、本発明の焼結体はFWHMが0.1536°以上あることが好ましい。FWHMが大きくなるほど、平均結晶子径が小さくなる。例えば、FWHMは、平均結晶子径が250nm以下の場合は0.154°以上、200nm以下の場合は0.1635°以上、150nm以下の場合は0.178°以上、130nm以下の場合は0.187°以上、及び、100nm以下の場合は0.25℃以上となる。FWHMは0.3°以上、更には0.4°以上であることが好ましい。一方、結晶性が高くなるほどXRDピークのFWHMは小さくなるが、通常のXRD測定において測定できるFWHMは40°程度までである。本発明の焼結体のメインピークのFWHMとして1°以下、更には0.7°以下であることが挙げられる。
なお、本発明の結晶粒子中に含まれる、立方晶及び正方晶それぞれの結晶子径は、本発明の焼結体のXRDパターンのリートベルト解析により求めることができる。すなわち、リートベルト法により、本発明の焼結体のXRDパターンを、立方晶に起因するXRDピーク及び正方晶に起因するXRDピークに分離する。分離後の各結晶構造のXRDピークの半値幅を求め、得られた半値幅から以下のシェラー式によって結晶子径を求めればよい。
D=K×λ/((β−B)×cosθ)
上記式において、Dは各結晶の結晶子径(nm)、Kはシェラー定数(1.0)、λはCuKαの波長(0.15418nm)、βは半値幅(°)、Bは装置定数(0.1177°)、及び、θはXRDピークの回折角(°)である。半値幅を求める際のXRDピークは、正方晶が2θ=30.0±2°のXRDピーク、及び、立方晶が2θ=29.6±2°のXRDピークである。
本発明の焼結体の平均結晶粒子径(Average Cryatal Grain Size)は20μm以上、100μm以下、更には30μm以上、90μm以下であることが挙げられる。平均結晶粒子径がこの範囲であることで透光性が高い焼結体となる。本発明において、平均結晶粒子径はプラニメトリック法により測定することができる。
本発明の焼結体は密度が高いことが好ましい。安定化剤及びランタンの量により、密度は異なる。本発明の焼結体の密度は6.0g/cm以上6.2g/cm以下、更には6.0g/cm以上6.12g/cm以下を例示することができる。
本発明の焼結体は高い透光性(Translucency)を有する。そのため、本発明の焼結体は、試料厚さ1mmとし、D65光線を線源とする全光線透過率(以下、単に「全光線透過率」ともいう。)が45%以上である。透光性は高いほど好ましく、全光線透過率は50%以上、また更には55%以上であることが好ましい。平均結晶子径が大きくなるほど全光透過率が高くなる傾向にある。例えば、ランタン含有量が2.5mol%以上の場合、平均結晶子径が25nm以上であることで全光線透過率が65%以上となる。
本発明の焼結体の透光性は上記の全光線透過率を満たせばよいが、試料厚さ1mmとし、D65光線を線源とする直線透過率(以下、単に「直線透過率」ともいう。)が1%以上、更には3%以上、また更には10%以上、また更には20%以上、また更には30%以上であることにより、より透明性(Transparency)が高い焼結体となるため好ましい。本発明の焼結体の直線透過率の上限は70%以下、更には66%以下であることが例示できる。一方、本発明の焼結体の試料厚さ1mmとし、D65光線を線源とする拡散透過率(以下、単に「拡散透過率」ともいう。)は10%以上、更には15%以上、また更には20%以上であることが好ましい。より好ましい拡散透過率として30%以上、65%以下を例示することができる。
本発明の焼結体は高い強度を有する。本発明の焼結体の曲げ強度として500MPa以上、更には600MPa以上であることが挙げられる。適用できる用途が広がるため、本発明の焼結体の強度は800MPa以上、更には1000MPa以上であることが好ましい。本発明における強度は、ISO/DIS6872に準じて測定される二軸曲げ強度として500MPa以上、1600MPa以下、更には600MPa以上、1500MPa以下であることが挙げられる。また、本発明における強度は、JIS R1601に準じて測定される三点曲げ強度として500MPa以上、1500MPa以下、更には600MPa以上、1200MPa以下であることが挙げられる。
本発明の焼結体は、8mol%イットリア含有ジルコニア焼結体などの立方晶ジルコニアからなる透光性ジルコニア焼結体と同等以上の破壊靱性を有することが好ましい。これにより、本発明の焼結体が、従来の透光性ジルコニア焼結体が使用されている部材として使用することができる。本発明の焼結体の破壊靱性として1.7MP・m0.5以上、更には1.8MPa・m0.5以上、また更には2MPa・m0.5以上、また更には2.2MPa・m0.5以上であることが挙げられる。
本発明において、破壊靱性はJIS R1607に準じたIF法又はSEPB法のいずれかにより測定することができる。
次に、本発明のジルコニア焼結体の製造方法について説明する。
本発明のジルコニア焼結体は、ジルコニア原料、安定化剤原料及びランタン原料を混合して混合粉末を得る混合工程、得られた混合粉末を成形して成形体を得る成形工程、得られた成形体を1650℃以上の焼結温度で焼結して焼結体を得る焼結工程、及び、焼結温度から1000℃までを1℃/min超の降温速度で降温する降温工程、を含むことを特徴とする製造方法、により製造することができる。
混合工程では、ジルコニア原料、安定化剤原料及びランタン原料を混合して混合粉末を得る。ジルコニア原料、安定化剤原料及びランタン原料が均一に混合されれば、混合方法は湿式混合又は乾式混合のいずれであってもよい。より均一な混合粉末が得られるため、混合方法は湿式混合であることが好ましく、湿式ボールミル又は湿式攪拌ミルの少なくともいずれかによる湿式混合であることがより好ましい。
ジルコニア原料は、ジルコニア又はその前駆体であり、BET比表面積が4〜20m/gであるジルコニア粉末を挙げることができる。
安定化剤原料は、イットリア、スカンジア、カルシア、マグネシア、及びセリアからなる群の少なくとも1種(安定化剤)の粉末又はその前駆体、更にはイットリアの粉末又はその前駆体を挙げることができる。
さらに、ジルコニア原料は安定化剤を含むジルコニア粉末であることが好ましい。このようなジルコニア粉末は、ジルコニア原料及び安定化剤原料となる。ジルコニア粉末が含有する安定化剤は、イットリア、スカンジア、カルシア、マグネシア、及びセリアからなる群の少なくとも1種であることが好ましく、イットリアであることがより好ましい。安定化剤含有ジルコニア粉末として、2mol%〜7mol%の安定化剤を含有するジルコニア粉末、更にはBET比表面積が4〜20m/gであり2mol%〜7mol%の安定化剤を含有するジルコニア粉末であることが好ましい。安定化剤含有ジルコニア粉末が含有する安定化剤量は2mol%〜5mol%、更には2mol%〜4mol%であることが好ましい。
ランタン原料は、ランタンを含む化合物を挙げることができ、酸化ランタン、水酸化ランタン、硝酸ランタン、硫酸ランタン、塩化ランタン、炭酸ランタン、及びパイロクロア型LaZrからなる群の少なくとも1種を挙げることができ、好ましくは酸化ランタン又はLaZrの少なくともいずれかである。
混合粉末は、アルミナ原料を含んでいてもよい。アルミナ原料はアルミニウムを含む化合物を挙げることができ、アルミナ、水酸化アルミニウム、炭酸アルミニウム及びスピネルからなる群の少なくとも1種、更にはアルミナを挙げることができる。好ましいアルミナとしてα型アルミナ又はγ型アルミナの少なくともいずれか、更にはα型アルミナが挙げられる。
混合粉末の組成は所望の割合であればよいが、酸化物換算でジルコニアが83mol%超97mol%以下、安定化剤が2mol%以上7mol%以下、ランタンが1mol%以上10mol%以下であることが挙げられる。
好ましい混合粉末の組成として以下のモル組成を挙げることができる。
ジルコニア(ZrO) :90mol%以上、95mol%以下
安定化剤 :2mol%以上、5mol%以下
ランタン(La) :2mol%以上、6.5mol%以下
特に好ましい混合粉末の組成として以下のモル組成を挙げることができる。
ジルコニア(ZrO) :92mol%以上、94mol%以下
安定化剤 :2mol%以上、4mol%以下
ランタン(La) :3mol%以上、5mol%以下
上記組成における安定化剤はイットリアであることが好ましい。
成形工程では、混合粉末を成形して成形体を得る。所望の形状の成形体が得られれば成形方法は任意である。成形方法として、プレス成形、射出成形、シート成形、押出成形、及び鋳込み成形からなる群の少なくとも1種を挙げることができ、プレス成形又は射出成型の少なくともいずれかであることが好ましい。
また、得られる成形体の形状は任意であるが、例えば、円板状、円柱状、及び多面体状などの形状や、歯列矯正ブラケットや半導体製造治具、その他の複雑形状を例示することができる。
焼結工程においては、成形体を焼結することにより、結晶構造が立方晶等の高温型の結晶構造である焼結体を得る。そのため、焼結工程において、得られた成形体を1650℃以上の焼結温度で焼結する。1650℃以上で焼結することで、焼結体の結晶構造が高温型の結晶構造になると考えられる。高温型の結晶構造を有する焼結体が降温工程を経ることにより、結晶粒子中の結晶構造が立方晶ドメインと正方晶ドメインとが生成し、本発明の焼結体の結晶構造を含む焼結体を得ることができる。焼結温度は1700℃以上であることが好ましく、更には1725℃以上、また更には1750℃以上であることが好ましい。汎用の焼成炉を使用する場合、焼結温度は2000℃以下、更には1900℃以下、また更には1800℃以下であることが挙げられる。
上記の焼結温度で焼結すれば、焼結方法は任意である。焼結方法として、例えば、常圧焼結、加圧焼結及び真空焼結からなる群の少なくともいずれかを挙げることができ、常圧焼結及び加圧焼結であることが好ましい。
本発明の製造方法における、好ましい焼結工程として、常圧焼結のみで行う焼結方法(以下、「一段焼結法」ともいう。)、又は、成形体を1000℃以上1650℃未満で焼成して一次焼結体を得る一次焼結及び該一次焼結体を1650℃以上で焼結する二次焼結を含む焼結工程(以下、「二段焼結法」ともいう。)を挙げることができる。
一段焼結法は、焼結工程を常圧焼結(Pressureless Sintering)に供することで本発明の焼結体を得ればよい。常圧焼結とは、焼結時に成形体に対して外的な力を加えず単に加熱することにより焼結する方法である。常圧焼結においては成形工程で得られた成形体を常圧焼結し焼結体とすればよい。焼結温度は1600℃以上であればよく、1700℃以上1900℃以下であることが好ましい。焼結雰囲気は酸化雰囲気又は還元雰囲気の何れであってもよい。簡便であるため大気雰囲気であることが好ましい。
二段焼結法は、成形体を一次焼結することにより一次焼結体とし、当該一次焼結体を二次焼結する。一次焼結は、成形体を1000℃以上1650℃未満で焼結することが好ましい。一次焼結の雰囲気は酸化雰囲気又は還元雰囲気の少なくともいずれかであることが好ましく、大気雰囲気であることが好ましい。好ましい一次焼結として、大気中1000℃以上1650未満、更には1400℃以上1520℃以下の常圧焼結を挙げることができる。これにより、得られる一次焼結体の組織が微細となる。これに加え、一次焼結体の結晶粒子内に気孔が生成しにくくなる。
二次焼結は、一次焼結体を1650℃以上、更には1700℃以上、また更には1725℃以上、また更には1750℃以上で焼結する。高い強度を有する焼結体を得るため、二次焼結温度は2000℃以下、更には1900℃以下、また更には1800℃以下であることが好ましい。二次焼結温度を2000℃以下とすることで、粗大な結晶粒子が生成しにくくなる。
より高密度な焼結体を得るために、二次焼成は熱間静水圧プレス(以下、「HIP」とする。)処理であることが好ましい。
HIP処理の時間(以下、「HIP時間」とする。)は、少なくとも10分であることが好ましい。HIP時間が少なくとも10分であれば、HIP処理中に、焼結体の気孔が十分に除去される。
HIP処理の圧力媒体(以下、単に「圧力媒体」ともいう。)は、アルゴンガス、窒素ガス、酸素などが例示できるが、一般的なアルゴンガスが簡便である。
HIP処理の圧力(以下、「HIP圧力」ともいう。)は、5MPa以上、更には50MPa以上であることが好ましい。HIP圧力が5MPa以上であることで、焼結体中の気孔の除去がより促進される。圧力の上限に関しては特に指定はないが、通常のHIP装置を使用した場合、HIP圧力は200MPa以下である。
HIP処理では、非還元性の材質からなる容器に成形体又は一次焼結体を配置することが好ましい。これにより、発熱体等のHIP装置の材質に由来する還元成分による焼結体の局所的な還元が抑制される。非還元性の材質としては、アルミナ、ジルコニア、ムライト、イットリア、スピネル、マグネシア、窒化ケイ素及び窒化ホウ素からなる群の少なくとも1種、更にはアルミナ又はジルコニアの少なくともいずれかが例示できる。
降温工程では、焼結温度から1000℃までを1℃/min超の降温速度で降温する。降温速度を1℃/min超、更には5℃/min以上、また更には8℃/min以上とすることで、透光性の高い焼結体が得られる。降温速度が1℃/min以下の場合は、析出物や単斜晶が生成するため、得られる焼結体が透光性の低いものとなる。これにより得られる焼結体の透光性が著しく低いものとなる。より高い透光性を有するランタン固溶ジルコニア焼結体を得るため、焼成温度から1000℃への降温は、降温速度を10℃/min以上、更には15℃/min以上、また更に30℃/min以上、また更には50℃/min以上とすることが好ましい。
本発明の製造方法では、降温工程後の焼結体を熱処理するアニール工程を有していてもよい。焼結体をアニール工程に供することで、焼結体の透光性をより高くすることができる。アニール工程は、酸化雰囲気中、900℃以上1200℃以下、更には980℃以上1030℃以下で焼結体を処理することが挙げられる。
本発明により、高い透光性及び高い強度を兼備したジルコニア焼結体を提供することができる。本発明の焼結体は、従来の透光性セラミックスと比べ、透光性及び機械的強度が高い。そのため、歯列矯正ブラケットなどの審美性が要求される歯科用部材として使用した場合に、その大きさを小さくすることができる。これにより、より審美性が高い歯科用部材として使用することができる。
実施例1のジルコニア焼結体のXRDパターンのリートベルト解析結果 実施例1のジルコニア焼結体のTEM観察図(図中スケールは100nm) ( A)明視野像、B)イットリウムの元素マッピング図、C)ジルコニニウムの元素マッピング図、D)ランタンの元素マッピング図) 実施例1のジルコニア焼結体のSEM観察図(図中スケールは50μm) 実施例1のジルコニア焼結体の外観 実施例1のジルコニア焼結体の変角光度スペクトル 実施例1のジルコニア焼結体のUV−VISスペクトル ( a)全光線透過率、b)直線透過率) 実施例1のジルコニア焼結体の水熱劣化試験前後のXRDパターン ( a)水熱劣化処理前、b)水熱劣化試験後) 実施例11のジルコニア焼結体のラマンスペクトル ( a)破断面、b)表面) 比較例3のジルコニア焼結体のXRDパターン 比較例4のジルコニア焼結体のXRDパターン 実施例35のジルコニア焼結体のXRDパターンのリートベルト解析結果 実施例35のジルコニア焼結体のTEM観察図(図中スケールは100nm) ( A)明視野像、B)イットリウムの元素マッピング図、C)ジルコニニウムの元素マッピング図、D)ランタンの元素マッピング図) 実施例38のジルコニア焼結体のTEM観察図(図中スケールは100nm) ( A)明視野像、B)イットリウムの元素マッピング図、C)ジルコニニウムの元素マッピング図、D)ランタンの元素マッピング図)
以下、実施例及び比較例により本発明を具体的に説明する。しかしながら、本発明は実施例に限定されるものではない。
(密度の測定)
焼結体試料の実測密度はアルキメデス法による水中重量を測定することにより求めた。
(平均結晶粒径の測定)
焼結体試料を平面研削した後、9μm、6μm及び1μmのダイアモンド砥粒を順に用いて鏡面研磨した。研磨面を1400℃で1時間保持し、熱エッチングした後、SEM観察し、得られたSEM観察図からプラニメトリック法により平均結晶粒径を求めた。
(結晶構造の同定)
焼結体試料のXRD測定によって得られたXRDパターンを同定分析することで、各焼結体試料の結晶構造の同定、及び、不純物層の有無を確認した。XRD測定は、一般的な粉末X線回折装置(装置名:UltimaIII、リガク社製)を用い、鏡面研磨をした焼結体試料について行った。XRD測定の条件は以下のとおりである。
線源 : CuKα線(λ=0.15418nm)
測定モード : ステップスキャン
スキャン条件: 毎秒0.04°
発散スリット: 0.5deg
散乱スリット: 0.5deg
受光スリット: 0.3mm
計測時間 : 1.0秒
測定範囲 : 2θ=20°〜80°
XRDパターンの同定分析には、XRD解析ソフトウェア(商品名:JADE7、MID社製)を用いた。
(平均結晶子径の測定)
結晶相の同定と同様な測定方法で得られたXRDパターンの2θ=27°〜30°の範囲について、シェラー式を使用して焼結体試料の平均結晶子径を求めた。
D=K×λ/((β−B)×cosθ)
上記式において、Dは平均結晶子径(nm)、Kはシェラー定数(1.0)、λはCuKαの波長(0.15418nm)、βは半値幅(°)、Bは装置定数(0.1177°)、及びθはメインピークの回折角(°)である。
なお、メインピークは、ジルコニアの立方晶(111)面に相当するピーク、及び、正方晶(111)面に相当するピークが重複するピークを単一ピークとみなした。
また、半値幅は、Rigaku社製Integral Analysis for Windows(Version 6.0)を用いて求めた。
(リートベルト解析)
結晶構造の同定と同様な測定方法で得られたXRDパターンをリートベルト解析することにより、焼結体試料中の立方晶及び正方晶の各結晶構造の割合、結晶子径、及び、格子定数を求めた。リートベルト解析は汎用のプログラム(Rietan−2000)を用いた。
得られた格子定数から、以下の式に基づいて正方晶中のY濃度を求めた。
YO1.5=(1.0223−cf/af)/0.001319
=100×YO1.5/(200−YO1.5
上記式において、YO1.5はイットリア濃度、cf及びafは、それぞれ、リートベルト解析で求めた正方晶蛍石型構造のc軸及びa軸の格子定数である。
(透過率の測定)
JIS K321−1の方法に準じた方法によって、試料の全光線透過率(Total Transmittance;以下「TT」とする。)、拡散透過率(Defraction Transmittance;以下「DF」とする。)、及び直線透過率(In−Line Transmittance;以下「PT」とする。)を測定した。標準光D65を測定試料に照射し、当該測定試料を透過した光束を積分球によって検出することによって、光透過率を測定した。測定には一般的なヘーズメーター(装置名:ヘーズメーターNDH2000、NIPPON DENSOKU製)を用いた。
測定試料には直径16mm、厚さ1.0mmの円板状成形体を用いた。測定に先立ち、測定試料の両面を研磨し、表面粗さRaを0.02μm以下に鏡面研磨した。
(透過率の波長依存性の測定)
焼結体試料の透過率の波長依存性として、分光全光線透過率(Spectral Total Transmittance;以下、「S−TT」とする。)及び分光直線透過率(Spectral In−Line Transmittance;以下、「S−PT」とする。)をUV−VISにより測定した。測定条件は以下のとおりである。
光源 :重水素ランプ、及び、ハロゲンランプ
測定波長 :200〜800nm
測定ステップ :1nm
UV−VIS測定には、一般的なダブルビーム方式の分光光度計(装置名:V−650型、日本分光社製)を使用した。
測定試料には直径16mm、厚さ1.0mmの円板状成形体を用いた。測定に先立ち、測定試料の両面を研磨し、表面粗さRaを0.02μm以下に鏡面研磨した。
(透過光の角度分布の測定)
透過光の角度分布は、変角光度計(装置名:GP−200、村上色彩技術研究社製)を用いて測定した。測定試料には直径16mm、厚さ1.0mmの円板状成形体を用いた。測定に先立ち、測定試料の両面を研磨し、表面粗さRaを0.02μm以下に鏡面研磨した。
(元素分布の観察)
TEM観測により、結晶粒子中の元素分布を測定した。測定に先立ち、試料はFIB(集束イオンビーム)による薄片化加工した。加工後、イオンミリング仕上げ、及びカーボン蒸着をして測定試料とした。TEM観察は一般的なTEM(装置名:EM−2000FX、日本電子製)を用い、加速電圧200kVとして観測した。
(二軸曲げ強度の測定)
ISO/DIS6872に準じた二軸曲げ強度測定によって、試料の二軸曲げ強度を測定した。測定試料の厚みは1mmとして、両面鏡面研磨した試料について測定した。
(三点曲げ強度の測定)
JIS R1601「ファインセラミックスの曲げ強さ試験方法」準じた方法により、試料の3点曲げ強度を測定した。測定試料には表面粗さRaを0.02μm以下に鏡面研磨したもの使用した。また、1試料について5回強度を測定し、その平均値をもって三点曲げ強度とした。
(破壊靱性の測定)
JIS R1607に準じた方法により、試料の破壊靱性をIF法及びSEPB法により測定した。測定試料としては、表面粗さRaを0.02μm以下に鏡面研磨したものを試料に用いた。ひとつの試料に対して測定を5回行い、その平均値を試料の破壊靱性値とした。IF法における測定条件は以下のとおりである。
押し込み加重 :5kgf
焼結体の弾性率 :205GPa
IF法により得られた破壊靱性値をKIC(IF)とし、SEPB法により得られた破壊靱性値をKIC(SEPB)とした。
(水熱劣化試験)
焼結体試料を熱水雰囲気下で処理し、劣化評価した。純水と焼結体試料をステンレス製の耐圧容器に入れ、これを140℃で24時間保持して水熱劣化試験とした。保持後、回収した焼結体試料をXRD測定した。得られたXRDパターンに含まれる単斜晶に相当するXRDピークの割合を以下式から求め、焼結体試料の単斜晶の体積分率(以下、「単斜晶率」ともいう。)を求めた。
X=(Im(111)+Im(11−1))
/(Im(111)+Im(11−1)+It(111)+Ic(111))
ここで、Xは試料の単斜晶率、Im(111)は単斜晶(111)面に相当するXRDピーク強度、Im(11−1)は単斜晶(11−1)面に相当するXRDピーク強度、It(111)は正方晶(111)面に相当するXRDピーク強度、及び、Ic(111)は立方晶(111)面に相当するXRDピーク強度である。
(熱伝導率測定)
焼結体試料の熱伝導率をレーザーフラッシュ法により測定した。測定には、レーザーフラッシュ法熱定数測定装置(装置名:TC−1200RH、アドバンス理工社製)を用いた。
合成例(LaZr粉末の合成)
固相法により、LaZr粉末を合成した。すなわち、酸化ジルコニウム(商品名:TZ−0Y、東ソー製)と酸化ランタン(純度99.99%、和光純薬製)とを混合して混合粉末を得た。混合は、エタノール溶媒中で、ジルコニア製の直径10mmボールを用いたボールミルによる湿式混合で行った。
混合後の混合粉末は、乾燥、及び、か焼してか焼粉末を得た。か焼条件は、大気中、1100℃で10時間の熱処理とした。得られたか焼粉末を、上記の混合と同様な条件で湿式混合し、乾燥した。乾燥後の粉末を大気中、1400℃で2時間焼成することで、白色粉末を得、LaZrO粉末(以下、「LZO粉末」ともいう。)とした。
XRD測定により、得られた白色粉末がLaZr単相であることを確認した。
実施例1
BET比表面積が7m/gの3mol%イットリア含有ジルコニア粉末(商品名:TZ−3YS、東ソー製)に対するLZO粉末の重量割合が20重量%となるように、LZO粉末をジルコニア粉末に添加し、これを混合して混合粉末を得た。混合は、直径10mmのジルコニアボールを用いたボールミルにより、エタノール溶媒中で120時間の湿式混合することで行った。得られた混合粉末を大気中、80℃で乾燥し、原料粉末とした。
金型プレスによる一軸加圧で原料粉末を成形し、予備成形体を得た。一軸加圧の圧力は50MPaとした。得られた予備成形体を冷間静水圧プレス(以下、「CIP」とする。)処理することで、直径20mm、及び、厚さ約3mmの円柱状成形体を得た。CIP処理の圧力は200MPaとした。
当該成形体を、大気中、昇温速度を100℃/h、焼結温度1450℃、及び焼結時間2時間で一次焼結することで一次焼結体を得た。
得られた一次焼結体を蓋付きのジルコニア製の容器に配置し、これをHIP処理することでHIP処理体を得、これを本実施例のジルコニア焼結体とした。HIP処理条件は、圧力媒体として99.9%のアルゴンガス雰囲気中、昇温速度600℃/h、HIP温度1750℃、HIP圧力150MPa、及び保持時間1時間とした。
HIP処理後、焼結温度から室温まで降温しHIP処理体を得た。なお、HIP温度から1000℃までの降温速度は83℃/minであった。
得られたHIP処理体を、大気中、1000℃で1時間熱処理をすることで、無色かつ透光性を有する焼結体が得られた。
本実施例のジルコニア焼結体のリートベルト解析結果を図1に、TEM観察図を図2、及びSEM観察図を図3に示す。図1のXRDパターンより、本実施例のジルコニア焼結体がランタン酸化物等を含有しないことが確認できる。また、表1にSEM−EDSによる、結晶粒子内部及び結晶粒界の組成分析結果を示した。なお、SEM−EDSによる分析は、焼結体に熱エッチング処理を施さずに行った。表1より、結晶粒子内と結晶粒界付近の平均組成が同程度であることから、本実施例の焼結体は結晶粒子内と結晶粒界とで組成が相違しておらず、均質な焼結体であることが確認できた。
Figure 0006672806
さらに、図2(A)より、立方晶ドメインおよび正方晶ドメインが確認できた。平均結晶粒子径が88.3μmであるのに対し、当該ドメインは50nm程度であり、結晶粒子径よりも小さいことが確認できた。これより、本実施例のジルコニア焼結体が結晶粒子中に正方晶ドメイン及び立方晶ドメインを有することが確認できた。
なお、リートベルト解析より、本実施例のジルコニア焼結体は立方晶が48.4重量%及び正方晶が51.6重量%であること、立方晶の格子定数がa=0.51872nmであること、正方晶の格子定数がaf=0.50975nm、及びcf=0.51917nmであること、立方晶の結晶子径が21nmであること、正方晶の結晶子径が32nmであることが確認できた。なお、当該リートベルト解析は、信頼度因子Rwp=20%及びS=1.28であった。格子定数から求めた正方晶のY濃度は1.48mol%であった。
また、TEM観察による元素マッピングから、ランタンが存在する領域と、ランタンがほとんど存在しない領域が存在することが分かった(図2(D))。リートベルト解析結果及び当該元素マッピングより、ランタンが存在する領域はランタンが固溶した立方晶の領域であり、一方、ランタンが存在しない領域は正方晶の領域であると考えられる。これより、本実施例の焼結体では立方晶ドメインが正方晶ドメインよりもランタン濃度が高いことが確認できた。
TEM観察により得られた立方晶ドメイン及び正方晶ドメインの大きさは、平均結晶子径、並びに、リートベルト解析により得られた正方晶及び立方晶の各結晶子径と一致した。これらの結果より、本実施例の焼結体において、立方晶ドメインは立方晶の結晶子、及び、正方晶ドメインは正方晶の結晶子であることが確認できた。
次に、本実施例のジルコニア焼結体の概観を図4に、偏角光度スペクトルを図5に、及び、UV−VISスペクトルを図6に示した。図4より、本実施例のジルコニア焼結体を通して背面の線図が確認でき、本発明のジルコニア焼結体が透光性を有することが確認できる。さらに、本実施例のジルコニア焼結体の拡散透過率(DF)は24.28%であるが、図5及び6より、そのほとんどが直線透過光付近の角度の拡散透過率であり直線方向に高い透過率を有し、なおかつ、300nm〜800nmの可視光の波長範囲において高い透光性を有することが確認できた。これより本発明のジルコニア焼結体は、より高い透明度を有することが確認できた。
さらに、水熱劣化試験後の単斜晶率は0%であり、本実施例のジルコニア焼結体は劣化しにくいことが確認できた。水熱劣化試験後のXRDパターンを図7に示した。
本実施例のジルコニア焼結体の評価結果を表2に示した。
実施例2
HIP処理温度を1700℃としたこと以外は実施例1と同様な方法で本実施例のジルコニア焼結体を得た。本実施例のジルコニア焼結体の評価結果を表2に示す。
実施例3
HIP処理温度を1800℃としたこと以外は実施例1と同様な方法で本実施例のジルコニア焼結体を得た。本実施例のジルコニア焼結体の評価結果を表2に示す。
実施例4
HIP処理圧力を54MPaとしたこと以外は実施例1と同様な方法で本実施例のジルコニア焼結体を得た。本実施例のジルコニア焼結体の評価結果を表2に示す。
実施例5
HIP処理時間を15分としたこと以外は実施例1と同様な方法で本実施例のジルコニア焼結体を得た。本実施例のジルコニア焼結体の評価結果を表2に示す。
実施例6
一次焼結の温度を1425℃としたこと以外は実施例1と同様な方法で本実施例のジルコニア焼結体を得た。本実施例のジルコニア焼結体の評価結果を表2に示す。
実施例7
LZO粉末の重量割合が15重量%となるように、LZO粉末をジルコニア粉末に添加したこと以外は実施例1と同様な方法で本実施例のジルコニア焼結体を得た。本実施例のジルコニア焼結体の平均結晶粒子径は82.1μmであった。評価結果を表2に示す。
実施例8
LZO粉末の重量割合が17.5重量%となるように、LZO粉末をジルコニア粉末に添加したこと、及び、HIP処理温度を1700℃とした以外は実施例1と同様な方法で本実施例のジルコニア焼結体を得た。本実施例のジルコニア焼結体の平均結晶粒子径は48.2μmであった。評価結果を表2に示す。
実施例9
LZO粉末の重量割合が17.5重量%となるように、LZO粉末をジルコニア粉末に添加したこと、一次焼結の温度を1500℃としたこと、及び、HIP処理圧力を15MPaとした以外は実施例1と同様な方法で本実施例のジルコニア焼結体を得た。本実施例のジルコニア焼結体の評価結果を表2に示す。
実施例10
LZO粉末の重量割合が25重量%となるように、LZO粉末をジルコニア粉末に添加したこと、及び、HIP処理温度を1700℃とした以外は実施例1と同様な方法で本実施例のジルコニア焼結体を得た。本実施例のジルコニア焼結体の平均結晶粒子径は45.6μmであった。評価結果を表2に示す。
実施例11
LZO粉末の重量割合が17.5重量%となるように、LZO粉末をジルコニア粉末に添加したこと、及び、HIP処理温度を1725℃とした以外は実施例1と同様な方法で本実施例のジルコニア焼結体を得た。本実施例のジルコニア焼結体の平均結晶粒子径は61.2μmであった。評価結果を表2に示す。
さらに、二軸強度曲げ評価後の試験片の研磨表面及び破断面のラマン分析を行った。ラマン分析は、一般的な顕微ラマン装置(装置名:NRS−5100、日本分光性)を用い、測定レーザー波長を532nmとして行った。得られたラマンスペクトルを図8に示す。
図8の研磨表面のラマンスペクトルより、本実施例のジルコニア焼結体は、正方晶及び立方晶に帰属するピーク以外は確認されなかった。一方、破断面には、正方晶及び立方晶に帰属するピーク以外に、単斜晶に由来するピーク(550cm−1、500cm−1、470cm−1、380cm−1、190cm−1及び180cm−1)が確認された。
これより、本実施例のジルコニア焼結体は、曲げ試験において正方晶が単斜晶に転移することにより、その強度が高くなっていることが確認できた。
実施例12
LZO粉末の重量割合が25重量%となるように、LZO粉末をジルコニア粉末に添加したこと、及び、HIP処理温度を1725℃とした以外は実施例1と同様な方法で本実施例のジルコニア焼結体を得た。本実施例のジルコニア焼結体の平均結晶粒子径は67.2μmであった。評価結果を表2に示す。
実施例13
ジルコニア粉末として比表面積が14m/gの3mol%イットリア含有ジルコニア粉末(商品名:TZ−3Y、東ソー製)を使用したこと、LZO粉末の代わりにLa粉末(純度99.99%、和光純薬製)を使用したこと、及び、La粉末の重量割合が10重量%となるように、La粉末をジルコニア粉末に添加したこと以外は実施例1と同様な方法で本実施例のジルコニア焼結体を得た。本実施例のジルコニア焼結体の平均結晶粒子径は46.9μmであった。評価結果を表2に示す。
実施例14
LZO粉末の代わりにLa粉末(純度99.99%、和光純薬製)を使用したこと、La粉末の重量割合が10重量%となるように、La粉末をジルコニア粉末に添加したこと、及びHIP処理時間を15分としたこと以外は実施例1と同様な方法で本実施例のジルコニア焼結体を得た。平均結晶粒子径は33.0μmであった。評価結果を表2に示す。
実施例15
LZO粉末の代わりにLa粉末(純度99.99%、和光純薬製)を使用したこと、La粉末の重量割合が7.5重量%となるように、La粉末をジルコニア粉末に添加したこと、及び、HIP処理温度を1725℃としたこと以外は実施例1と同様な方法で本実施例のジルコニア焼結体を得た。本実施例のジルコニア焼結体の平均結晶粒子径は85.3μmであった。評価結果を表2に示す。
実施例16
LZO粉末の代わりにLa粉末(純度99.99%、和光純薬製)を使用したこと、La粉末の重量割合が7.5重量%となるように、La粉末をジルコニア粉末に添加したこと、及び、HIP処理温度を1700℃としたこと以外は実施例1と同様な方法で本実施例のジルコニア焼結体を得た。本実施例のジルコニア焼結体の平均結晶粒子径は61.3μmであった。評価結果を表2に示す。
実施例17
LZO粉末の代わりにLa粉末(純度99.99%、和光純薬製)を使用したこと、La粉末の重量割合が10重量%となるように、La粉末をジルコニア粉末に添加したこと、及び、HIP処理後の降温速度を80℃/minとしたこと以外は実施例1と同様な方法で本実施例のジルコニア焼結体を得た。本実施例のジルコニア焼結体の平均結晶粒子径は80.2μmであった。評価結果を表2に示す。
実施例18
LZO粉末の代わりにLa粉末(純度99.99%、和光純薬製)を使用したこと、La粉末の重量割合が10重量%となるように、La粉末をジルコニア粉末に添加したこと、及び、HIP処理後の降温速度を20℃/minとしたこと以外は実施例1と同様な方法で本実施例のジルコニア焼結体を得た。本実施例のジルコニア焼結体の平均結晶粒子径は40.2μmであり、三点曲げ強度は827MPaであった。評価結果を表2に示す
実施例19
LZO粉末の代わりにLa粉末(純度99.99%、和光純薬製)を使用したこと、La粉末の重量割合が10重量%となるように、La粉末をジルコニア粉末に添加したこと、及び、HIP処理後の降温速度を10℃/minとしたこと以外は実施例1と同様な方法で本実施例のジルコニア焼結体を得た。本実施例のジルコニア焼結体の平均結晶粒子径は88.5μmであった。評価結果を表2に示す。
Figure 0006672806
実施例20
BET比表面積が7m/gの4mol%イットリア含有ジルコニア粉末(商品名:TZ−4YS、東ソー製)に対するLa粉末の重量割合が5重量%となるように、La粉末をジルコニア粉末に添加し、これを混合して混合粉末を得た。混合は、直径10mmのジルコニアボールを用いたボールミルにより、エタノール溶媒中で120時間の湿式混合することで行った。得られた混合粉末を大気中、80℃で乾燥し、原料粉末とした。
金型プレスによる一軸加圧で原料粉末を成形し、予備成形体を得た。一軸加圧の圧力は50MPaとした。得られた予備成形体を冷間静水圧プレス(以下、「CIP」とする。)処理することで、直径20mm、及び、厚さ約3mmの円柱状成形体を得た。CIP処理の圧力は200MPaとした。
当該成形体を、大気中、昇温速度を100℃/h、焼結温度1450℃、及び焼結時間2時間で一次焼結することで一次焼結体を得た。
得られた一次焼結体を蓋付きのジルコニア製の容器に配置し、これをHIP処理することでHIP処理体を得、これを本実施例のジルコニア焼結体を得た。HIP処理条件は、圧力媒体として99.9%のアルゴンガス雰囲気中、昇温速度600℃/h、HIP温度1650℃、HIP圧力150MPa、及び保持時間1時間とした。
HIP処理後、焼結温度から室温まで降温しHIP処理体を得た。なお、HIP温度から1000℃までの降温速度は83℃/minであった。
得られたHIP処理体を、大気中、1000℃で1時間熱処理をすることで、無色かつ透光性を有する焼結体が得られた。本実施例のジルコニア焼結体の評価結果を表3に示した。
実施例21
原料のジルコニア粉末をBET比表面積が7m/gの5mol%イットリア含有ジルコニア粉末(商品名:TZ−5YS、東ソー製)としたこと、La粉末の重量割合を10重量%としたこと、及び、HIP処理温度を1750℃としたこと以外は実施例20と同様な方法で本実施例のジルコニア焼結体を得た。本実施例のジルコニア焼結体の評価結果を表3に示す。
実施例22
原料のジルコニア粉末としてBET比表面積が7m/gの3mol%イットリア含有ジルコニア粉末(商品名:TZ−3YS、東ソー製)とBET比表面積が7m/gの4mol%イットリア含有ジルコニア粉末(商品名:TZ−4YS、東ソー製)を用い、ジルコニアに対するイットリア量として3.3mol%になるように両者を秤量し、これに対してLa粉末の重量割合が10重量%となるように、La粉末をジルコニア粉末に添加した、これらを混合して混合粉末を得た。当該混合粉末を使用したこと、及び、HIP処理温度を1750℃としたこと以外は実施例20と同様な方法で本実施例のジルコニア焼結体を得た。本実施例のジルコニア焼結体の評価結果を表3に示す。
実施例23
原料のジルコニア粉末としてBET比表面積が7m/gの3mol%イットリア含有ジルコニア粉末(商品名:TZ−3YS、東ソー製)を用い、これに対してLa粉末の重量割合が7.5重量%となるようにLa粉末をジルコニア粉末に添加した。
当該混合粉末を使用したこと、及び、HIP処理温度を1750℃としたこと以外は実施例20と同様な方法で本実施例のジルコニア焼結体を得た。本実施例のジルコニア焼結体の評価結果を表3に示す。
Figure 0006672806
実施例24
原料のジルコニア粉末としてBET比表面積が7m/gの3mol%イットリア含有ジルコニア粉末(商品名:TZ−3YS、東ソー製)と、BET比表面積が16m/gの2mol%イットリア含有ジルコニア粉末(商品名:TZ−2Y、東ソー製)とを混合して2.45mol%イットリア含有ジルコニア粉末とした。当該粉末に対してLa粉末の重量割合が10.5重量%となるように、La粉末を添加したこと以外は実施例1と同様な方法で本実施例の焼結体を作製した。本実施例のジルコニア焼結体の平均結晶粒子径は36.9μmであった。評価結果を表4に示す。
実施例25
実施例24と同様な方法でジルコニア粉末を混合し、2.5mol%イットリア含有ジルコニア粉末とした。得られたジルコニア粉末を使用したこと、及び、La粉末の重量割合を10重量%としたこと以外は実施例1と同様な方法で本実施例の焼結体を作製した。本実施例のジルコニア焼結体の平均結晶粒子径は54.4μmであった。評価結果を表4に示す。
実施例26
実施例24と同様な方法でジルコニア粉末を混合し、2.6mol%イットリア含有ジルコニア粉末とした。得られたジルコニア粉末を使用したこと、及び、La粉末の重量割合を11重量%としたこと以外は実施例1と同様な方法で本実施例の焼結体を作製した。本実施例のジルコニア焼結体の平均結晶粒子径は42.6μmであった。評価結果を表4に示す。
実施例27
実施例24と同様な方法でジルコニア粉末を混合し、2.8mol%イットリア含有ジルコニア粉末とした。得られたジルコニア粉末を使用したこと、及び、La粉末の重量割合を10重量%としたこと以外は実施例1と同様な方法で本実施例の焼結体を作製した。本実施例のジルコニア焼結体の平均結晶粒子径は46.3μmであった。評価結果を表4に示す。
実施例28
実施例24と同様な方法でジルコニア粉末を混合し、2.8mol%イットリア含有ジルコニア粉末とした。得られたジルコニア粉末を使用したこと、及び、La粉末の重量割合を9.2重量%としたこと以外は実施例1と同様な方法で本実施例の焼結体を作製した。本実施例のジルコニア焼結体の平均結晶粒子径は45.2μmであった。評価結果を表4に示す。
Figure 0006672806
実施例29
原料のジルコニア粉末としてBET比表面積が7m/gの3mol%イットリア含有ジルコニア粉末(商品名:TZ−3YS、東ソー製)を用い、これに対してLa粉末の重量割合が10重量%となるようにLa粉末をジルコニア粉末に添加した。ジルコニア粉末とLa粉末の合計重量に対して500重量ppmのCaO粉末(和光純薬、99.9%)を添加して混合粉末を得た。当該混合粉末を使用したこと、及び、HIP処理温度を1750℃としたこと以外は実施例20と同様な方法で本実施例のジルコニア焼結体を得た。XRD測定の結果、焼結体の結晶相はジルコニアのピークのみであり、CaO等、ジルコニア以外の結晶相を含まないことが確認できた。これにより、CaOはYと同様に安定化剤として作用することが確認できた。得られた焼結体は無色で透光性を有する焼結体であった。本実施例のジルコニア焼結体の組成はZrOが92.88mol%、Yが2.88mol%、CaOが0.12mol%及びLaが4.13mol%であった。本実施例のジルコニア焼結体の平均結晶粒子径は21.3μmであった。本実施例のジルコニア焼結体の評価結果を表5に示す。
実施例30
CaO粉末の代わりにMgO粉末(商品名:500A、宇部マテリアル社製)使用したこと以外は実施例29と同様な方法で本実施例のジルコニア焼結体を得た。
XRD測定の結果、焼結体の結晶相はジルコニアのピークのみであり、MgO等、ジルコニア以外の結晶相を含まないことが確認できた。これにより、MgOはYと同様に安定化剤として作用することが確認できた。得られた焼結体は無色で透光性を有する焼結体であった。本実施例のジルコニア焼結体の組成はZrOが92.83mol%、Yが2.88mol%、MgOが0.17mol%及びLaが4.13mol%であった。本実施例のジルコニア焼結体の平均結晶粒子径は24.7μmであった。評価結果を表5に示す。
実施例31
原料のジルコニア粉末としてBET比表面積が7m/gの3mol%イットリア含有ジルコニア粉末(商品名:TZ−3YS、東ソー製)を用い、これに対してLa粉末の重量割合が10重量%となるようにLa粉末をジルコニア粉末に添加した。ジルコニア粉末とLa粉末の合計重量に対してBET比表面積が200m/gのγアルミナ粉末(商品名:TM−300D、大明化学工業製)を1000重量ppm添加して混合粉末を得た。当該混合粉末を使用したこと以外は実施例1と同様な方法で本実施例のジルコニア焼結体を得た。得られた焼結体は無色で透光性を有する焼結体であった。
本実施例のジルコニア焼結体の平均結晶粒子径は52.1μmであった。三点曲げ強度は856MPaであった。評価結果を表5に示す。
実施例32
アルミナ粉末として、BET比表面積6.7m/gのαアルミナ粉末(商品名:AKP−30、住友化学社製)を250重量ppm添加したこと以外は実施例31と同様な方法で本実施例のジルコニア焼結体を得た。得られた焼結体は無色で透光性を有する焼結体であった。本実施例のジルコニア焼結体の平均結晶粒子径は78.5μmであった。三点曲げ強度は842MPaであった。評価結果を表5に示す。
実施例33
アルミナ粉末として、BET比表面積6.7m/gのαアルミナ粉末(商品名:AKP−30、住友化学社製)を500重量ppm添加したこと以外は実施例31と同様な方法で本実施例のジルコニア焼結体を得た。得られた焼結体は無色で透光性を有する焼結体であった。本実施例のジルコニア焼結体の平均結晶粒子径は78.5μmであった。三点曲げ強度は844MPaであった。評価結果を表5に示す。
Figure 0006672806
表5より、安定化剤としてCaO又はMgOを使用した場合であっても全光線透過率68%以上、かつ、二軸曲げ強度1200MPaである透光性及び強度を兼備する焼結体が得られることが確認できた。また、アルミナを含んだ場合であっても、透光性及び強度を兼備する焼結体となることが確認できた。
実施例34
原料のジルコニア粉末としてBET比表面積が7m/gの3mol%イットリア含有ジルコニア粉末(商品名:TZ−3YS、東ソー製)を用い、これに対してLa粉末の重量割合が10重量%となるようにLa粉末をジルコニア粉末に添加した。金型プレスによる一軸加圧で原料粉末を成形し、予備成形体を得た。一軸加圧の圧力は50MPaとした。得られた予備成形体をCIP処理することで、直径20mm、及び、厚さ約3mmの円柱状成形体を得た。CIP処理の圧力は200MPaとした。
当該成形体を、大気中、昇温速度を100℃/h、焼結温度1775℃、及び焼結時間1時間で常圧焼結することで本実施例のジルコニア焼結体を得た。焼結温度から1000℃までの平均の降温速度は16.7℃/minとした。本実施例のジルコニア焼結体の平均結晶粒子径は12.1μmであった。評価結果を表6に示す。
Figure 0006672806
表6より、実施例34の焼結体は二軸曲げ強度が1000MPa以上であり、なおかつ、全光線透過率が50%以上であった。これより、一段焼結法により、透光性及び強度を兼備する焼結体が得られることが確認できた。
実施例35
LZO粉末の代わりにLa粉末(純度99.99%、和光純薬製)を使用したこと、La粉末の重量割合が10重量%となるように、La粉末をジルコニア粉末に添加したこと、及び、HIP処理後の降温速度を80℃/minとしたこと以外は実施例1と同様な方法で本実施例のジルコニア焼結体を得た。結果を表7に示す。
本実施例のジルコニア焼結体のリートベルト解析結果を図11に、TEM観察図を図12に示す。図11のXRDパターンより、本実施例のジルコニア焼結体がランタン酸化物等を含有しないことが確認できた。
さらに、図12(A)より、50nm程度の立方晶ドメインおよび正方晶ドメインが確認できた。平均結晶粒子径が55.8μmであるのに対し、当該ドメインは50nm程度であり、結晶粒子径よりも小さいことが確認できた。これより、本実施例のジルコニア焼結体が結晶粒子中に正方晶ドメイン及び立方晶ドメインを有することが確認できた。
なお、リートベルト解析より、本実施例のジルコニア焼結体は立方晶が68.5重量%及び正方晶が31.5重量%であること、立方晶の格子定数がa=0.51836nmであること、正方晶の格子定数がaf=0.51096nm、及びcf=0.52067nmであること、立方晶の結晶子径が36nmであること、正方晶の結晶子径が32nmであることが確認できた。なお、当該リートベルト解析は、信頼度因子Rwp=18%及びS=1.49であった。格子定数から求めた正方晶のY濃度は1.27mol%であった。
三点曲げ強度は609MPa、破壊靭性KIC(SEPB)は2.74MPa・m0.5及び熱伝導率は、1.81W/mKであった。
実施例36
HIP温度から1000℃までの降温速度を40℃/minとしたこと以外は実施例35と同様な方法で本実施例の焼結体を作製した。三点曲げ強度は893MPa、破壊靭性KIC(SEPB)は2.74MPa・m0.5であった。
実施例37
HIP温度から1000℃までの降温速度を30℃/minとしたこと以外は実施例35と同様な方法で本実施例の焼結体を作製した。三点曲げ強度は1016MPa、破壊靭性KIC(SEPB)は2.93MPa・m0.5であった。
実施例38
HIP温度から1000℃までの降温速度を20℃/minとしたこと以外は実施例35と同様な方法で本実施例の焼結体を作製した。本実施例のTEM観察図を図13に示す。XRD測定の結果、本実施例のジルコニア焼結体がランタン酸化物等を含有しないことがわかった。
さらに、図13(A)より、50nm程度の立方晶ドメインおよび正方晶ドメインが確認できた。平均結晶粒子径が77.9μmであるのに対し、当該ドメインは50nm程度であり、結晶粒子径よりも小さいことが確認できた。これより、本実施例のジルコニア焼結体が結晶粒子中に正方晶ドメイン及び立方晶ドメインを有することが確認できた。
なお、リートベルト解析より、本実施例のジルコニア焼結体は立方晶が58.0重量%及び正方晶が42.0重量%であること、立方晶の格子定数がa=0.51718nmであること、正方晶の格子定数がaf=0.51082nm、及びcf=0.52028nmであること、立方晶の結晶子径が28nmであること、正方晶の結晶子径が35nmであることが確認できた。なお、当該リートベルト解析は、信頼度因子Rwp=18%及びS=1.40であった。格子定数から求めた正方晶のY濃度は1.46mol%であった。三点曲げ強度は895MPa、破壊靭性KIC(SEPB)は3.32MPa・m0.5であった。
実施例35及び38の結果を表7に示した。
Figure 0006672806
表7より、降温速度が遅くなると、正方晶ドメインが増えることが確認できる。また、それに伴い、破壊靱性及び三点曲げ強度が高くなった。これにより降温速度を遅くすることで機械的強度が向上する傾向があることが確認できた。
比較例1
BET比表面積が7m/gの3mol%イットリア含有ジルコニア粉末(商品名:3YS、東ソー製)を、本比較例の原料粉末とした。
金型プレスによる一軸加圧で原料粉末を成形し、予備成形体を得た。CIP処理することで、直径20mm、及び、厚さ約3mmの円柱状成形体を得た。CIPの圧力は200MPaとした。
当該成形体を、大気中、昇温速度を100℃/hr、焼結温度1450℃、及び焼結時間2時間で一次焼結することで一次焼結体を得た。
得られた一次焼結体を蓋付のアルミナ性容器に配置し、これをHIP処理した。HIP処理条件は、圧力媒体として99.9%のアルゴンガス雰囲気中、昇温速度600℃/hr、HIP温度1750℃、HIP圧力150MPa、及び保持時間1時間とした。
HIP処理後、HIP温度から1000℃までの降温速度は83℃/minとして、これを冷却した。
得られたHIP処理体を、大気中、1000℃で1時間熱処理をすることで、本比較例のジルコニア焼結体を得た。得られたジルコニア焼結体の平均結晶粒子径は1.80μmであった。得られたジルコニア焼結体の評価結果を表8に示す。本比較例のジルコニア焼結体の二軸曲げ強度は1GPaを超える高い強度を示したが、全光線透過率は39.00%であり、透光性が著しく低いものであった。
比較例2
BET比表面積が7m/gの8mol%イットリア含有ジルコニア粉末(商品名:8YS、東ソー製)を、本比較例の原料粉末としたこと以外は比較例1と同様な方法で本比較例のジルコニア焼結体を得た。
得られたジルコニア焼結体の平均結晶粒子径は52.9μmであった。得られたジルコニア焼結体の評価結果を表8に示す。本比較例のジルコニア焼結体の全光線透過率は62.00%であり、高い透光性を有する。しかしながら、二軸曲げ強度は253MPaであり強度が非常に低い焼結体であることが確認できた。
比較例3
BET比表面積が7m/gの3mol%イットリア含有ジルコニア粉末(商品名:TZ−3YS、東ソー製)を使用したこと、イットリア含有ジルコニア粉末に対するLZO粉末の重量割合が20重量%となるように、LZO粉末をジルコニア粉末に添加したこと、及び、HIP処理における降温速度を1℃/minとしたこと以外は、比較例1と同様な条件で焼結体を作製した。
本比較例のジルコニア焼結体の評価結果を表8に、XRDパターンを図9に示す。図9より、本比較例の焼結体は単斜晶を含むジルコニア焼結体であることが確認できた。さらに、全光線透過率は44%以下であり、透光性が著しく低いものであった。
比較例4
BET比表面積が14m/gのジルコニア粉末(商品名:0Y、東ソー製)を使用したこと、イットリア含有ジルコニア粉末に対するLa粉末(純度99.99%、和光純薬製)の重量割合が10重量%となるように、La粉末をジルコニア粉末に添加したこと以外は、比較例1と同様な条件で本比較例のジルコニア焼結体を作製した。なお、当該ジルコニア粉末は安定化剤を含まないものである。
本比較例のジルコニア焼結体の評価結果を表8に、XRDパターンを図10に示す。得られたジルコニア焼結体は透光性を有さない焼結体であった。また、XRDパターンより、本比較例のジルコニア焼結体は、単斜晶とLaZrの混相であることが確認できた。さらに、本比較例のジルコニア焼結体はメインピークを有しておらず、その平均結晶子径を求めることができなかった。
比較例5
LZO粉末20重量%の代わりに酸化イッテルビウム粉末10重量%を使用したこと、及び、BET比表面積が7m/gの3mol%イットリア含有ジルコニア粉末(商品名:TZ−3YS、東ソー製)を使用したこと以外は実施例1と同様な方法で本比較例のジルコニア焼結体を得た。結果を表8に示す。XRD測定の結果、本比較例のジルコニア焼結体はジルコニア立方晶のみのピークが確認できた。これにより、ランタノイド元素であるイッテルビウムが固溶したジルコニア焼結体は、立方晶ドメイン及び正方晶ドメインを有する結晶粒子がないことが確認できた。
Figure 0006672806
実施例39
(コンパウンドの作製)
BET比表面積が7m/gの3mol%イットリア含有ジルコニア粉末(商品名:3YS、東ソー製)に、La粉末の重量割合が10重量%となるように、La粉末を混合した後、実施例1と同様の方法で湿式混合をし、混合粉末を得た。混合粉末と、ワックス、可塑剤及び熱可塑性樹脂を含む有機バインダーとを混合し、ジルコニアコンパウンドを得た。
(射出成形及び焼結体の作製)
得られたジルコニアコンパウンドを射出成形により成形し、縦70mm×横30mm×厚み2mmの板状成形体とした。成形体を大気中、450℃で加熱して有機バインダーを除去した後、大気中にて1450℃で、2時間焼成して一次焼結体を得た。得られた一次焼結体を蓋付きのジルコニア製の容器に配置し、これをHIP処理することでHIP処理体を得、これを本実施例のジルコニア焼結体とした。HIP処理条件は、圧力媒体として99.9%のアルゴンガス雰囲気中、昇温速度600℃/h、HIP温度1750℃、HIP圧力150MPa、及び保持時間1時間とした。HIP処理後、焼結温度から室温まで降温しHIP処理体を得た。なお、HIP温度から1000℃までの降温速度は83℃/minであった。
得られたHIP処理体を、大気中、1000℃で1時間熱処理をすることで、無色かつ透光性を有する焼結体が得られた。得られた焼結体はランタンとイットリアが固溶したジルコニア焼結体であり、その組成は、ZrOが92.99mol%、Yが2.88mol%、及びLaが4.13mol%であり、平均結晶粒径は54.5μmであった。結果を表9に示す。
実施例40
一次焼結温度を1475℃としたこと以外は実施例39と同様な方法で焼結体を得た。得られた焼結体の組成は、ZrOが92.99mol%、Yが2.88mol%、及びLaが4.13mol%であった。結果を表9に示す。
実施例41
一次焼結温度を1475℃としたこと、及び、HIP温度から1000℃までの降温速度を20℃/minとしたこと以外は実施例39と同様な方法で焼結体を得た。得られた焼結体の組成は、ZrOが92.99mol%、Yが2.88mol%、及びLaが4.13mol%であり、平均結晶粒径は35.5μmであった。結果を表9に示す。
Figure 0006672806
これらの結果より、射出成形においてもプレス成形と同等なジルコニア焼結体が得られることが確認できた。
実施例42
成形体の形状を歯列矯正ブラケット形状としたこと以外は実施例39と同様な方法で成形、脱脂、焼成、及びHIP処理し、ランタン固溶ジルコニア焼結体からなる歯列矯正ブラケット(縦3.6mm×横3.3mm×高さ2.5mm)を作製した。
実施例43
HIP温度から1000℃までの降温速度を30℃/minとしたこと以外は実施例42と同様な方法でランタン固溶ジルコニア焼結体からなる歯列矯正ブラケットを作製した。
実施例44
HIP温度から1000℃までの降温速度を20℃/minとしたこと以外は実施例42と同様な方法でランタン固溶ジルコニア焼結体からなる歯列矯正ブラケットを作製した。
実施例45
一次焼結温度を1475℃としたこと、及び、HIP温度から1000℃までの降温速度を20℃/minとしたこと以外は実施例42と同様な方法でランタン固溶ジルコニア焼結体からなる歯列矯正ブラケットを作製した。
実施例46
一次焼結温度を1475℃としたこと、HIP処理において一次焼結体を未使用のアルミナ製容器に配置したこと、及び、HIP処理後に熱処理を行わなかったこと以外は実施例42と同様な方法でランタン固溶ジルコニア焼結体からなる歯列矯正ブラケットを作製した。得られた歯列矯正ブラケットは透光性を有していた。
測定例1(トルク強度試験)
実施例42乃至46で得られた歯列矯正ブラケットのトルク強度を測定した。歯列矯正ブラケットを試料として台座に固定し、試料のスロット部にステンレススチールワイヤー(0.019×0.025インチ)を通して固定した。試料のスロット部の表面はHIP処理後の状態とした。台座を回転し、ブラケットが破断される際のトルク強度を測定し、これを試料のトルク強度として測定した。測定は各試料三回行い、その平均値をもって試料のトルク強度とした。測定結果のトルク強度を表10に示す。また、歯列矯正ブラケットとして使用されている、透光性アルミナからなる歯列矯正ブラケット(縦4.4mm×横3.7mm×高さ3.0mm)のトルク強度も合わせて表10に示した。
Figure 0006672806
本発明のジルコニア焼結体のトルク強度は、市販されている透光性アルミナ製の歯列矯正ブラケットと同等のトルク強度を有することが確認できた。歯列矯正ブラケットは大きいほどトルク強度は高くなる。これに対し、実施例の歯列矯正ブラケットは、透光性アルミナのブラケットよりも小さいにも関わらず、同程度のトルク強度を有する。すなわち、本発明のジルコニア焼結体は、歯列矯正ブラケットをより小さくでき、従来の透光性を有する歯列矯正ブラケットよりも目立たず、優れた審美性を有する歯列矯正ブラケットとして使用できることが確認できた。
測定例2(トルク強度試験)
実施例42及び45で得られた歯列矯正ブラケットのスロット部の表面を鏡面研磨したものを試料としたこと以外は測定例1と同様な方法でトルク強度を測定した。結果を表11に示す。
Figure 0006672806
上記の結果より、スロット部を研磨することでトルク強度が向上することが確認できた。実施例42の歯列矯正ブラケットは、表面研磨により透光性アルミナからなる歯列矯正ブラケットよりも高いトルク強度となり、実用的な強度を有することが確認できた。
測定例3(プラズマエッチング試験)
反応性プラズマエッチング装置(装置名:DEM−451、アネルバ社製)を用い、試料の耐プラズマ特性を評価した。すなわち、各試料に対し、以下の条件で試料にプラズマ照射し、エッチング深さ、及び、エッチングレートを測定した。
プラズマ出力 :300W
照射時間 :4時間
反応ガス :CF 25.2sccm
6.3sccm
Ar 126sccm
測定試料は、実施例1及び実施例13のジルコニア焼結体を使用した。また、現行の半導体製造設備として使用されている石英ガラスを比較試料として使用した。測定に先立ち、各試料は表面粗さが0.02μm以下となるまで表面を鏡面研磨した。
プラズマエッチング試験後、JIS B 0601−1994に準じた方法で、試料のエッチング面の中心線平均粗さ(Ra)、最大高さ(Ry)、及び、十点平均高さ(Rz)を測定した。測定にはレーザー顕微鏡(装置名:VK−9500/VK−9510、キーエンス社製)を用いた。結果を表12に示す。
Figure 0006672806
Raは、エッチング後のエッチング面の平均の高さに対する凹凸度合いであり、大きいほどエッチング面に凹凸が多いことを示す。Ryは、エッチング後のエッチング面において、エッチングが最も進んだ部分とエッチングが最も進まなかった部分との差を示し、Ryが大きいほど局所的に深いエッチングが生じていることを示す。Rzはエッチング面の平均的な凹凸の深さを示す。したがって、Rzが大きいほど、エッチング面全体の凹凸が深いことを示す。
これより、本発明の焼結体は石英ガラスと比べて高い耐プラズマ特性を有していることが確認できた。
本発明のジルコニア焼結体は、高い透光性、及び、高い強度を兼備する。そのため、審美性が要求される歯科補綴材、歯科矯正用部材などの歯科用部材に使用することができる。さらに、本発明のジルコニア焼結体は高い意匠性を有するため、時計や宝飾品などの装飾部材として使用することができ、さらには、半導体製造装置用部材の耐プラズマ部材として使用することができる。
◎ :単斜晶ジルコニアに相当するピーク
※ :LaZrに相当するXRDピーク

Claims (8)

  1. 立方晶ドメイン及び正方晶ドメインを有する結晶粒子を含み、イットリア、スカンジア、カルシア、マグネシア又はセリアである安定化剤及びランタンを固溶するジルコニア焼結体であり、試料厚さ1mmとし、D65光線を線源とする全光線透過率が50%以上であって、以下のモル組成であることを特徴とするジルコニア焼結体
    ジルコニア(ZrO ) :90mol%以上、95mol%以下
    安定化剤 :2mol%以上、5mol%以下
    ランタン(La ) :2mol%以上、6.5mol%以下
  2. CuKαを線源とする粉末X線回折パターンにおける2θ=30±2°の半値幅から算出される平均結晶子径が255nm以下である請求項1に記載のジルコニア焼結体。
  3. CuKαを線源とする粉末X線回折パターンにおける2θ=30±2°の半値幅から算出される平均結晶子径が100nm以下である請求項1又は2に記載のジルコニア焼結体。
  4. 曲げ強度が500MPa以上である請求項1乃至のいずれか一項に記載のジルコニア焼結体。
  5. 平均結晶粒子径が12.1μm以上、100μm以下である請求項1乃至4のいずれか一項に記載のジルコニア焼結体。
  6. ジルコニア原料、安定化剤原料及びランタン原料を混合して混合粉末を得る混合工程、得られた混合粉末を成形して成形体を得る成形工程、得られた成形体を1650℃以上の焼結温度で焼結して焼結体を得る焼結工程、及び、焼結温度から1000℃までを1℃/min超の降温速度で降温する降温工程、を含むことを特徴とする請求項1乃至のいずれか一項に記載のジルコニア焼結体の製造方法。
  7. 前記焼結工程が、1000℃以上1650℃未満で焼成して一次焼結体を得る一次焼結、及び、該一次焼結体を1650℃以上で焼結する二次焼結を含む請求項に記載の製造方法。
  8. 請求項1乃至のいずれか一項に記載のジルコニア焼結体を含む歯科用部材。
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