CN115987246A - 高隔离度声表面波双工器及多工器 - Google Patents
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Abstract
本申请关于一种高隔离度声表面波双工器及多工器，涉及声表面波器件领域。该高隔离度声表面波双工器/高隔离度声表面波多工器，通过将声表面波梯形滤波器的反射器电极与接地端子电性连接，减少了电磁干扰，从而提升了声表面波双工器/声表面波多工器的隔离度；另外，与接地端子电性连接的反射器电极与导电细长条图形电性连接的设置，可以进一步减少电磁干扰，提升声表面波双工器/声表面波多工器的隔离度；实现了能够在不改变声表面波双工器/声表面波多工器芯片中某一谐振器的叉指换能器周期、孔径和指条数，也不改变声表面波双工器/声表面波多工器封装基板的情况下，使声表面波双工器/声表面波多工器的隔离度得到提升。
Description
技术领域
本申请涉及声表面波器件技术领域，特别涉及一种高隔离度声表面波双工器及多工器。
背景技术
声表面波器件，具有成本低、体积小和功能多等特点，其在雷达、通信、导航、识别等领域获得了广泛的应用。
手机的通信中最常用的声表面波器件有声表面波滤波器、声表面波双工器和声表面波多工器。对于声表面波双工器和声表面波多工器，均需要在通带外具有足够的隔离度，以避免不同滤波器的信号窜扰影响其他滤波器的正常工作。
然而，作为业界的共同难题，目前普遍缺少能不增加通带差损的、能不增加设计复杂度的、能简单有效的提升通带外隔离度的声表面波双工器和声表面波多工器。
发明内容
本申请的目的是提供一种高隔离度声表面波双工器及多工器，以解决能够在不改变声表面波双工器/声表面波多工器芯片中某一谐振器的叉指换能器周期、孔径和指条数，也不改变声表面波双工器/声表面波多工器封装基板的情况下，使声表面波双工器/声表面波多工器的隔离度得到提升的问题。
为实现上述目的，本申请采用的技术方案为：
一方面，本申请提供了一种高隔离度声表面波双工器，包括压电基底，所述压电基底上集成有一个天线端子以及两个间隔分布的独立端子，每个所述独立端子与所述天线端子之间均集成有声表面波滤波器，每个所述声表面波滤波器均电性连接有至少一个接地端子；
至少其中一个所述声表面波滤波器为：
由至少一个声表面波串联臂谐振器和至少一个声表面波并联臂谐振器组成的声表面波梯形滤波器；
所述声表面波串联臂谐振器和所述声表面波并联臂谐振器均包括：
集成于所述压电基底上的两个反射器电极以及位于两个所述反射器电极之间的一个叉指换能器电极；
至少其中一个所述声表面波梯形滤波器的至少一个所述反射器电极与至少一个所述接地端子电性连接。
在一种可能的实现方式中，所述压电基底上还集成有一个导电细长条图形；至少一个与所述接地端子电性连接的所述反射器电极与所述导电细长条图形电性连接。
在一种可能的实现方式中，所述导电细长条图形的线条长度不小于λ；其中，λ为所有所述声表面波梯形滤波器中的所有所述叉指换能器电极具有的周期中的最大周期。
在一种可能的实现方式中，所述导电细长条图形呈直长条、弯曲长条或弯折长条状。
在一种可能的实现方式中，所述压电基底为具有压电性的块体材料。
在一种可能的实现方式中，所述压电基底由不具有压电性的块体材料和在所述块体材料上的具有压电性的薄膜材料组成。
另一方面，本申请提供了一种高隔离度声表面波多工器，包括压电基底，所述压电基底上集成有一个天线端子以及至少三个间隔分布的独立端子，每个所述独立端子与所述天线端子之间均集成有声表面波滤波器，每个所述声表面波滤波器均电性连接有至少一个接地端子；
至少其中一个所述声表面波滤波器为：
由至少一个声表面波串联臂谐振器和至少一个声表面波并联臂谐振器组成的声表面波梯形滤波器；
所述声表面波串联臂谐振器和所述声表面波并联臂谐振器均包括：
集成于所述压电基底上的两个反射器电极以及位于两个所述反射器电极之间的一个叉指换能器电极；
至少其中一个所述声表面波梯形滤波器的至少一个所述反射器电极与至少一个所述接地端子电性连接。
在一种可能的实现方式中，所述压电基底上还集成有一个导电细长条图形；至少一个与所述接地端子电性连接的所述反射器电极与所述导电细长条图形电性连接。
在一种可能的实现方式中，所述导电细长条图形的线条长度不小于λ；其中，λ为所有所述声表面波梯形滤波器中的所有所述叉指换能器电极具有的周期中的最大周期。
在一种可能的实现方式中，所述导电细长条图形呈直长条、弯曲长条或弯折长条状。
在一种可能的实现方式中，所述压电基底为具有压电性的块体材料。
在一种可能的实现方式中，所述压电基底由不具有压电性的块体材料和在所述块体材料上的具有压电性的薄膜材料组成。
另一方面，本申请提供了一种通信设备，包括如上所述的高隔离度声表面波双工器或如上所述的高隔离度声表面波多工器。
本申请提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
通过将声表面波梯形滤波器的反射器电极与接地端子电性连接，减少了电磁干扰，从而提升了声表面波双工器/声表面波多工器的隔离度；另外，与接地端子电性连接的反射器电极与导电细长条图形电性连接的设置，可以进一步减少电磁干扰，提升声表面波双工器/声表面波多工器的隔离度；实现了能够在不改变声表面波双工器/声表面波多工器芯片中某一谐振器的叉指换能器周期、孔径和指条数，也不改变声表面波双工器/声表面波多工器封装基板的情况下，使声表面波双工器/声表面波多工器的隔离度得到提升。
附图说明
附图用来提供对本申请的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本申请，并不构成对本申请的限制。在附图中：
图1示出了本申请实施例一提供的高隔离度声表面波双工器的电路结构示意图；
图2示出了本申请实施例一提供的高隔离度声表面波双工器(实线)与常规声表面波双工器(虚线)的隔离性能对比图；
图3示出了本申请实施例二提供的高隔离度声表面波双工器的电路结构示意图；
图4示出了本申请实施例二提供的高隔离度声表面波双工器(实线)与常规声表面波双工器(虚线)的隔离性能对比图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
下面结合附图和实施例对本申请作更进一步的说明。
实施例一
图1示出了本申请实施例一提供的高隔离度声表面波双工器的电路结构示意图，该高隔离度声表面波双工器100包括压电基底149，压电基底149上集成有一个天线端子121、独立端子一101以及独立端子二102，该独立端子一101与独立端子二102间隔分布。
其中，独立端子一101与天线端子121之间集成有声表面波滤波器一111，独立端子二102与天线端子121之间集成有声表面波滤波器二112。声表面波滤波器一111电性连接有接地端子一131和接地端子二132，声表面波滤波器二112电性连接有接地端子三133和接地端子四134。
具体来说，请参阅图1，声表面波滤波器一111为一个声表面波梯形滤波器。该声表面波滤波器一111具有将独立端子一101和天线端子121连结起来的串联支路，该串联支路彼此串联地连接了声表面波串联臂谐振器一141和声表面波串联臂谐振器二142；在将声表面波串联臂谐振器一141和声表面波串联臂谐振器二142的连接点与接地端子一131之间连结起来的并联支路中，配置有声表面波并联臂谐振器一145；在将声表面波串联臂谐振器二142和独立端子一101的连接点与接地端子二132之间连结起来的并联支路中，配置有声表面波并联臂谐振器二146。
声表面波串联臂谐振器一141包括集成于压电基底149上的反射器电极一141A、反射器电极二141B以及位于反射器电极一141A与反射器电极二141B之间的叉指换能器电极一141C。
声表面波串联臂谐振器二142包括集成于压电基底149上的反射器电极三142A、反射器电极四142B以及位于反射器电极三142A与反射器电极四142B之间的叉指换能器电极二142C。
声表面波并联臂谐振器一145包括集成于压电基底149上的反射器电极五145A、反射器电极六145B以及位于反射器电极五145A与反射器电极六145B之间的叉指换能器电极三145C。
声表面波并联臂谐振器二146包括集成于压电基底149上的反射器电极七146A、反射器电极八146B以及位于反射器电极七146A与反射器电极八146B之间的叉指换能器电极四146C。
相对应地，请参阅图1，声表面波滤波器二112也为一个声表面波梯形滤波器。该声表面波滤波器二112具有将独立端子二102和天线端子121连结起来的串联支路，该串联支路彼此串联地连接了声表面波串联臂谐振器三143和声表面波串联臂谐振器四144；在将声表面波串联臂谐振器三143和声表面波串联臂谐振器四144的连接点与接地端子三133之间连结起来的并联支路中，配置有声表面波并联臂谐振器三147；在将声表面波串联臂谐振器四144和独立端子二102的连接点与接地端子四134之间连结起来的并联支路中，配置有声表面波并联臂谐振器四148。
声表面波串联臂谐振器三143包括集成于压电基底149上的反射器电极九143A、反射器电极十143B以及位于反射器电极九143A与反射器电极十143B之间的叉指换能器电极五143C。
声表面波串联臂谐振器四144包括集成于压电基底149上的反射器电极十一144A、反射器电极十二144B以及位于反射器电极十一144A与反射器电极十二144B之间的叉指换能器电极六144C。
声表面波并联臂谐振器三147包括集成于压电基底149上的反射器电极十三147A、反射器电极十四147B以及位于反射器电极十三147A与反射器电极十四147B之间的叉指换能器电极七147C。
声表面波并联臂谐振器四148包括集成于压电基底149上的反射器电极十五148A、反射器电极十六148B以及位于反射器电极十五148A与反射器电极十六148B之间的叉指换能器电极八148C。
需要说明的是，请参阅图1，在声表面波滤波器一111中，使至少一个反射器电极与至少一个接地端子电性连接。在一个示例中，反射器电极三142A与接地端子二132电性连接。同样地，在声表面波滤波器二112中，使至少一个反射器电极与至少一个接地端子电性连接。在一个示例中，反射器电极十五148A与接地端子四134电性连接。
效果验证：
图2示出了本申请实施例一提供的高隔离度声表面波双工器(实线)与常规声表面波双工器(虚线)的隔离性能对比图，可以看到，相比于声表面波梯形滤波器的反射器电极没有电性连接接地端子的常规声表面波双工器，在不改变器件的叉指换能器电极的周期、孔径和指条数，也不改变器件的封装基板的情况下，本申请实施例一的高隔离度声表面波双工器呈现出更优的隔离性能，使得双工器隔离度提升3dB左右。这是因为，当使声表面波梯形滤波器的反射器电极，尤其是天线端子121附近的声表面波梯形滤波器的反射器电极电性连接接地端子时，可以减少电磁干扰对天线端子121的影响，从而提升双工器的隔离度。
实施例二
图3示出了本申请实施例二提供的高隔离度声表面波双工器的电路结构示意图，本实施例提供的高隔离度声表面波双工器200的结构基本与实施例一相同，不同的是本实施例提供的高隔离度声表面波双工器200的压电基底149上还集成有一个导电细长条图形251。
值得注意的是，与接地端子二132电性连接的反射器电极三142A与该导电细长条图形251电性连接。导电细长条图形251的线条长度不小于10λ；其中，λ为所有声表面波梯形滤波器(此处指图3中的声表面波滤波器一211和声表面波滤波器二112)中的所有叉指换能器电极具有的周期中的最大周期。可选地，导电细长条图形251呈直长条、弯曲长条或弯折长条状。
效果验证：
图4示出了本申请实施例二提供的高隔离度声表面波双工器(实线)与常规声表面波双工器(虚线)的隔离性能对比图，可以看到，相比于声表面波梯形滤波器的反射器电极没有电性连接接地端子的常规声表面波双工器，在不改变器件的叉指换能器电极的周期、孔径和指条数，也不改变器件的封装基板的情况下，本申请实施例二的高隔离度声表面波双工器呈现出更优的隔离性能，使得双工器隔离度提升4dB左右。并且，本申请实施例二的双工器的隔离性能也略优于本申请实施例一的双工器，这是因为，该导电细长条图形251近似一个电感结构或平面天线结构，且与接地端子二132电性连接的反射器电极三142A与该导电细长条图形251电性连接的设置，可以进一步减少电磁干扰对天线端子121的影响，从而进一步提升双工器的隔离度。
值得一提的是，上述实施例一和实施例二中，叉指换能器电极(141C、142C、143C、144C、145C、146C、147C、148C)和反射器电极(141A、142A、143A、144A、145A、146A、147A、148A、141B、142B、143B、144B、145B、146B、147B、148B)，其电极材料可以为铝、铜、钨、金、铂、钛、银、铬等金属，也可以是某些金属的合金。可选地，压电基底149为具有压电性的块体材料，如石英、钽酸锂、铌酸锂、四硼酸锂、锗酸铋、硅酸铋、硅酸镓镧系列等压电单晶材料。可选地，压电基底149也可以为由不具有压电性的块体材料和在该块体材料上的具有压电性的薄膜材料组合形成的复合压电材料；所述不具有压电性的块体材料为半导体元器件加工中的常见基底，其包括但不限于单晶硅、多晶硅、氮化铝、玻璃、碳化硅、金刚石、蓝宝石；所述具有压电性的薄膜材料包括但不限于铌酸锂压电薄膜材料、钽酸锂压电薄膜材料、具有c轴择优取向的氮化镓薄膜、具有c轴择优取向的氮化铝薄膜、具有c轴择优取向的氮化铝钪薄膜、具有c轴择优取向的氧化锌薄膜。
另外，本申请还提供了一种高隔离度声表面波多工器，包括压电基底，压电基底上集成有一个天线端子以及至少三个间隔分布的独立端子，例如独立端子一、独立端子二……独立端子N。每个独立端子与天线端子之间均集成有声表面波滤波器，例如独立端子一对应的声表面波滤波器一、独立端子二对应的声表面波滤波器二……独立端子N对应的声表面波滤波器N。每个声表面波滤波器均电性连接有至少一个接地端子；至少其中一个声表面波滤波器为：由至少一个声表面波串联臂谐振器和至少一个声表面波并联臂谐振器组成的声表面波梯形滤波器；声表面波串联臂谐振器和声表面波并联臂谐振器均包括：集成于压电基底上的两个反射器电极以及位于两个反射器电极之间的一个叉指换能器电极；至少其中一个声表面波梯形滤波器的至少一个反射器电极与至少一个接地端子电性连接。
在一个优选地实施方式中，压电基底上还集成有一个导电细长条图形；至少一个与接地端子电性连接的反射器电极与导电细长条图形电性连接。该导电细长条图形的线条长度不小于10λ；其中，λ为所有声表面波梯形滤波器中的所有叉指换能器电极具有的周期中的最大周期。可选地导电细长条图形呈直长条、弯曲长条或弯折长条状。
可选地，压电基底为具有压电性的块体材料，如压电钽酸锂晶圆片或压电铌酸锂晶圆片。
可选地，压电基底由不具有压电性的块体材料和在块体材料上的具有压电性的薄膜材料组成，如硅晶圆上压电铌酸锂薄膜，硅晶圆上SiO2薄膜加压电钽酸锂薄膜。
需要说明的是，该高隔离度声表面波多工器是根据上述高隔离度声表面波双工器的基础上，对应增加了独立端子以及与独立端子对应的表面波滤波器，原理一致，故不做更加详细的阐述。
最后，本申请还提供了一种通信设备，包括如上所述的高隔离度声表面波双工器或高隔离度声表面波多工器。
综上所述，本申请通过将声表面波梯形滤波器的反射器电极与接地端子电性连接，减少了电磁干扰，从而提升了声表面波双工器/声表面波多工器的隔离度；另外，与接地端子电性连接的反射器电极与导电细长条图形电性连接的设置，可以进一步减少电磁干扰，提升声表面波双工器/声表面波多工器的隔离度；实现了能够在不改变声表面波双工器/声表面波多工器芯片中某一谐振器的叉指换能器周期、孔径和指条数，也不改变声表面波双工器/声表面波多工器封装基板的情况下，使声表面波双工器/声表面波多工器的隔离度得到提升。
以上所述仅是本申请的优选实施方式，应当指出：对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。
Claims (9)
1.一种高隔离度声表面波双工器，包括压电基底，其特征在于，所述压电基底上集成有一个天线端子以及两个间隔分布的独立端子，每个所述独立端子与所述天线端子之间均集成有声表面波滤波器，每个所述声表面波滤波器均电性连接有至少一个接地端子；
至少其中一个所述声表面波滤波器为：
由至少一个声表面波串联臂谐振器和至少一个声表面波并联臂谐振器组成的声表面波梯形滤波器；
所述声表面波串联臂谐振器和所述声表面波并联臂谐振器均包括：
集成于所述压电基底上的两个反射器电极以及位于两个所述反射器电极之间的一个叉指换能器电极；
至少其中一个所述声表面波梯形滤波器的至少一个所述反射器电极与至少一个所述接地端子电性连接。
2.根据权利要求1所述的高隔离度声表面波双工器，其特征在于，所述压电基底上还集成有一个导电细长条图形；
至少一个与所述接地端子电性连接的所述反射器电极与所述导电细长条图形电性连接。
3.根据权利要求2所述的高隔离度声表面波双工器，其特征在于，所述导电细长条图形的线条长度不小于10λ；
其中，λ为所有所述声表面波梯形滤波器中的所有所述叉指换能器电极具有的周期中的最大周期。
4.根据权利要求2所述的高隔离度声表面波双工器，其特征在于，所述导电细长条图形呈直长条、弯曲长条或弯折长条状。
5.一种高隔离度声表面波多工器，包括压电基底，其特征在于，所述压电基底上集成有一个天线端子以及至少三个间隔分布的独立端子，每个所述独立端子与所述天线端子之间均集成有声表面波滤波器，每个所述声表面波滤波器均电性连接有至少一个接地端子；
至少其中一个所述声表面波滤波器为：
由至少一个声表面波串联臂谐振器和至少一个声表面波并联臂谐振器组成的声表面波梯形滤波器；
所述声表面波串联臂谐振器和所述声表面波并联臂谐振器均包括：
集成于所述压电基底上的两个反射器电极以及位于两个所述反射器电极之间的一个叉指换能器电极；
至少其中一个所述声表面波梯形滤波器的至少一个所述反射器电极与至少一个所述接地端子电性连接。
6.根据权利要求5所述的高隔离度声表面波多工器，其特征在于，所述压电基底上还集成有一个导电细长条图形；
至少一个与所述接地端子电性连接的所述反射器电极与所述导电细长条图形电性连接。
7.根据权利要求6所述的高隔离度声表面波多工器，其特征在于，所述导电细长条图形的线条长度不小于10λ；
其中，λ为所有所述声表面波梯形滤波器中的所有所述叉指换能器电极具有的周期中的最大周期。
8.根据权利要求6所述的高隔离度声表面波多工器，其特征在于，所述导电细长条图形呈直长条、弯曲长条或弯折长条状。
9.一种通信设备，其特征在于，包括如权利要求1所述的高隔离度声表面波双工器或如权利要求5所述的高隔离度声表面波多工器。
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Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1204891A (zh) * | 1997-07-07 | 1999-01-13 | 株式会社村田制作所 | 声表面波器件 |
| CN1284787A (zh) * | 1999-08-11 | 2001-02-21 | 株式会社村田制作所 | 声表面波滤波器、双工器和通信设备 |
| CN1340916A (zh) * | 2000-07-25 | 2002-03-20 | 株式会社村田制作所 | 纵向连接谐振器型的声表面波滤波器 |
| CN1842961A (zh) * | 2004-07-23 | 2006-10-04 | 株式会社村田制作所 | 声表面波器件 |
| CN105284048A (zh) * | 2013-06-13 | 2016-01-27 | 株式会社村田制作所 | 声表面波滤波器、声表面波滤波器装置以及双工器 |
| CN105745840A (zh) * | 2013-11-29 | 2016-07-06 | 京瓷株式会社 | 弹性波元件、分波器以及通信装置 |
| CN107547064A (zh) * | 2016-06-24 | 2018-01-05 | 株式会社村田制作所 | 声表面波滤波器、双工器及多工器 |
| CN109417380A (zh) * | 2016-06-29 | 2019-03-01 | 株式会社村田制作所 | 多工器、高频前端电路及通信装置 |
| CN110089029A (zh) * | 2016-12-22 | 2019-08-02 | 株式会社村田制作所 | 声表面波谐振器、声表面波滤波器以及双工器 |
| CN110892640A (zh) * | 2017-07-20 | 2020-03-17 | 株式会社村田制作所 | 多工器、高频前端电路以及通信装置 |
-
2023
- 2023-02-02 CN CN202310052615.8A patent/CN115987246A/zh not_active Withdrawn
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1204891A (zh) * | 1997-07-07 | 1999-01-13 | 株式会社村田制作所 | 声表面波器件 |
| CN1284787A (zh) * | 1999-08-11 | 2001-02-21 | 株式会社村田制作所 | 声表面波滤波器、双工器和通信设备 |
| CN1340916A (zh) * | 2000-07-25 | 2002-03-20 | 株式会社村田制作所 | 纵向连接谐振器型的声表面波滤波器 |
| CN1842961A (zh) * | 2004-07-23 | 2006-10-04 | 株式会社村田制作所 | 声表面波器件 |
| CN105284048A (zh) * | 2013-06-13 | 2016-01-27 | 株式会社村田制作所 | 声表面波滤波器、声表面波滤波器装置以及双工器 |
| CN105745840A (zh) * | 2013-11-29 | 2016-07-06 | 京瓷株式会社 | 弹性波元件、分波器以及通信装置 |
| CN107547064A (zh) * | 2016-06-24 | 2018-01-05 | 株式会社村田制作所 | 声表面波滤波器、双工器及多工器 |
| CN109417380A (zh) * | 2016-06-29 | 2019-03-01 | 株式会社村田制作所 | 多工器、高频前端电路及通信装置 |
| CN110089029A (zh) * | 2016-12-22 | 2019-08-02 | 株式会社村田制作所 | 声表面波谐振器、声表面波滤波器以及双工器 |
| CN110892640A (zh) * | 2017-07-20 | 2020-03-17 | 株式会社村田制作所 | 多工器、高频前端电路以及通信装置 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 江城;倪世宏;常迁榛;: "声表面波传感器中单端谐振器的匹配电路仿真", 压电与声光, no. 01, pages 168 - 173 * |
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