JP6634417B2 - 偏光板の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、偏光板の製造方法に関する。
偏光板は、液晶テレビ、有機ELテレビ又はスマートフォン等の画像表示装置を構成する光学部品の一つである。偏光板は、フィルム状の偏光子と、偏光子に重なる光学フィルム(例えば、保護フィルム)と、を備える。画像表示装置の設計上の理由から、偏光板の端部に切欠き部(cut‐out portion)が形成されることがある。例えば、下記特許文献1には、液晶の注入口として、切欠き部が偏光板の端部に形成されることが記載されている。
特開2000−155325号公報
本発明者らによる研究の結果、打ち抜き加工によって切欠き部を偏光板に形成する際に、切欠き部の内側に位置する隅部(corner)にクラック(crack)が形成され易いことが判明した。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、偏光板の切欠き部におけるクラックを抑制することができる偏光板の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の一側面に係る偏光板の製造方法は、フィルム状の偏光子と偏光子に重なる少なくとも一つの光学フィルムとを含む第一積層体を作製する工程と、第一積層体の打ち抜きにより、凹状の切欠き部が形成された第二積層体を作製する工程と、切欠き部の内側に位置する隅部を研磨して、隅部の曲率半径を減少させる工程と、を備える。
本発明の一側面においては、隅部が研磨される前では、第二積層体の積層方向からみた隅部が略曲線状であってよく、且つ隅部の曲率半径がRであってよく、隅部が研磨された後では、第二積層体の積層方向からみた隅部の曲率半径がRであってよく、RがRsよりも大きくてよい。
本発明の一側面においては、隅部をエンドミル(endmill)により研磨してよい。
本発明の一側面においては、第二積層体が、偏光子の吸収軸線Aに直交しない第一端部を有してよく、切欠き部が第一端部に形成されてよい。換言すると、第二積層体を作製する工程において、第一端部が偏光子の吸収軸線Aとなす角度θを、0°以上90°未満に調整してよい。さらに第二積層体が、第一端部の反対側に位置する第二端部を有してよく、切欠き部が、第一端部から第二端部へ向かって延びていてよく、切欠き部が延びる方向Eが、吸収軸線Aと平行でなくてよい。換言すると、第二積層体を作製する工程において、切欠き部が延びる方向Eが偏光子の吸収軸線Aとなす角度αを、0°よりも大きく90°以下に調整してよい。
本発明の一側面においては、第二積層体が、第一端部と、第一端部の反対側に位置する第二端部と、を有してよく、切欠き部が第一端部に形成されてよく、切欠き部が、第一端部から第二端部へ向かって延びていてよく、切欠き部が延びる方向Eが、偏光子の吸収軸線Aと平行でなくてよい。換言すると、第二積層体を作製する工程において、切欠き部が延びる方向Eが偏光子の吸収軸線Aとなす角度αを、0°よりも大きく90°以下に調整してよい。
本発明によれば、偏光板の切欠き部におけるクラックを抑制することができる偏光板の製造方法が提供される。
図1は、本発明の一実施形態に係る第一積層体の模式的斜視図である。 図2中の(a)は、研磨される前の第二積層体の上面図であり、図2中の(b)は、図2中の(a)に示された第二積層体の変形例である。 図3は、図2中の(a)の拡大図である。 図4は、図2中の(a)及び図3に示された第二積層体の拡大図であり、研磨される前の切欠き部を示す。 図5は、第二積層体(偏光板)の拡大図であり、研磨された後の切欠き部を示す。 図6は、図5に示された第二積層体(偏光板)の模式的斜視図である。 図7は、本発明の他の実施形態に係る第二積層体の拡大図であり、研磨される前の切欠き部を示す。 図8は、本発明の他の実施形態に係る第二積層体(偏光板)の拡大図であり、研磨された後の切欠き部を示す。
以下、図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について説明する。図面において、同等の構成要素には同等の符号を付す。本発明は下記実施形態に限定されるものではない。各図に示すX,Y及びZは、互いに直交する3つの座標軸を意味する。各座標軸が示す方向は、全図に共通する。
本実施形態に係る偏光板の製造方法は、フィルム状の偏光子と偏光子に重なる少なくとも一つの光学フィルムとを含む第一積層体を作製する工程と、第一積層体の打ち抜きにより、凹状の切欠き部が形成された第二積層体を作製する工程(打ち抜き加工)と、切欠き部の内側を切削・研磨工具で研磨して、切欠き部の内側に位置する隅部の曲率半径を減少させる工程(研磨加工)と、を備える。打ち抜き加工(punching)は、blankingと言い換えてよい。打ち抜き加工とは、例えば、第一積層体を雄型(punch)と雌型(die)と間に挟み、雄型を雌型へ押し込むことにより、第二積層体を第一積層体から抜き出す方法であってよい。打ち抜き加工とは、例えば、第一積層体を抜型(cutting die)と面板(face plate)と間に挟み、第一積層体を抜型と面板とで加圧することにより、第二積層体を第一積層体から抜き出す方法であってもよい。打ち抜き加工と、刃物又はレーザーを用いた切断加工を組み合わせて、第一積層体から第二積層体を作製してもよい。以下では、各工程(特に、打ち抜き加工及び研磨加工)を詳しく説明する。切欠き部の内側の研磨加工に用いる切削・研磨工具は、例えば、ヤスリ(file)、タップ(tap)、グラインダー(grinder)、リュータ(leutor)、及びフライス(milling cutter)からなる群より選ばれる少なくとも一種の工具であってよい。複数種の切削・研磨工具を研磨加工に用いてよい。
第一積層体は、フィルム状の偏光子と、少なくとも一つの光学フィルムと、を重ね合わせて、且つこれらを貼合することによって作製される。光学フィルムとは、偏光板を構成するフィルム状の部材(偏光子自体を除く。)を意味する。光学フィルムは、層、又は光学層と言い換えてよい。光学フィルムは、例えば、保護フィルム及び離型フィルムであってよい。偏光子及び光学フィルムそれぞれは、長尺な帯状であってよく、第一積層体も長尺な帯状であってよい。第一積層体が有する光学フィルムの種類、数及び組成は限定されない。第一積層体の積層構造も限定されない。
例えば、図1に示されるように、第一積層体107は、フィルム状の偏光子8と、偏光子8に重なる複数の光学フィルム(3,5,9,13)と、を備える。偏光子8及び複数の光学フィルム(3,5,9,13)のいずれも、四角形である。複数の光学フィルム(3,5,9,13)とは、第一保護フィルム5、第二保護フィルム9、第三保護フィルム3、及び離型フィルム13(セパレータ)である。つまり、第一積層体107は、偏光子8、第一保護フィルム5、第二保護フィルム9、第三保護フィルム3、及び離型フィルム13を備える。第一積層体107は、第二保護フィルム9と離型フィルム13との間に位置する粘着層11も備える。偏光子8の一方の表面には第一保護フィルム5が重なっており、偏光子8の他方の表面には第二保護フィルム9が重なっている。つまり、偏光子8の両表面に保護フィルムが密着している。第三保護フィルム3は、第一保護フィルム5に重なっている。つまり、第一保護フィルム5は、偏光子8と第三保護フィルム3との間に位置する。離型フィルム13は、粘着層11を介して、第二保護フィルム9に重なっている。換言すると、第二保護フィルム9は、偏光子8と粘着層11との間に位置する。
第一積層体107の打ち抜き加工により、図2又は図3に示されるような第二積層体7’を作製する。第一積層体107から複数の第二積層体7’が作製されてよい。
第二積層体7’の端部(第一端部7e)には、凹状の切欠き部7C’(concave cut‐out portion)が形成されている。この切欠き部7C’は、第二積層体7’の積層方向(Z軸方向)において、偏光子8及び光学フィルム(3,5,9,13)及び粘着層11の全てを貫通している。つまり、第二積層体7’の端面には、偏光子8、光学フィルム(3,5,9,13)及び粘着層11の全てに共通する凹状の切欠き部7C’が形成されている。積層方向(Z軸方向)から見た偏光子8の切欠き部の形状は、積層方向から見た第二積層体7’の切欠き部7C’の形状と同じ又は相似であってよい。積層方向から見た第二積層体7’の切欠き部7C’の形状を、積層方向から見た偏光子8の切欠き部の形状とみなしてよい。切欠き部7C’は、長方形である。ただし、切欠き部7C’の形状は長方形に限定されない。
図4に示されるように、第二積層体7’の積層方向(Z軸方向)から見た切欠き部7C’の内側には隅部7Cが位置する。隅部7Cは、略曲線状である。換言すると、隅部7Cが切削・研磨工具で研磨される前では、第二積層体7’の積層方向からみた隅部7Cは、略曲線状である。三次元空間では、第二積層体7’の切欠き部7C’の内側に位置する隅部7Cは、略曲面状である。切削・研磨工具で研磨される前の隅部7Cを第二積層体7’の積層方向からみた場合、隅部7Cの曲率半径はRである。つまり、第二積層体7’の積層方向からみた隅部7Cが大円Cの弧で近似される場合、隅部7Cの曲率半径Rは大円Cの半径に等しい。
打ち抜き加工に続いて、第二積層体7’の切欠き部7C’の内側に位置する隅部7Cを切削・研磨工具で研磨する。つまり、打ち抜き加工に続いて、切欠き部7C’の隅部7Cを切削・研磨工具で研磨することにより、隅部7Cの曲率半径Rを減少させる。隅部7Cの研磨に用いる切削・研磨工具としては、フライスの一種であるエンドミル(endmill)が好ましい。エンドミルを用いることにより、研磨の対象物の形状に応じて、対象物を直線状又は曲線状に研磨し易い。エンドミルとは、切削・研磨加工用のフライスの一種である。エンドミルの刃は、エンドミルの回転軸に略平行なエンドミルの側面に位置する。エンドミルの回転により、エンドミルの刃が押し当てられた被加工物(ワーク)の表面が切削・研磨される。切欠き部7C’の隅部7Cをエンドミルで切削・研磨することにより、隅部7Cが平滑に仕上がる。隅部7Cを含む切欠き部7C’の内側全体をエンドミルで研磨してよい。切欠き部7C’の内側(隅部7C)に加えて、切欠き部7C’の外側に位置する第二積層体7’の端部(端面)をエンドミルで研磨してもよい。第二積層体7’の端部(外縁)の一部又は全体をエンドミルで研磨してもよい。
以下では、研磨加工前の第二積層体を、「第二積層体7’」と表記する場合がある。研磨加工後の第二積層体を、「第二積層体7」と表記する場合がある。また、研磨加工前の第二積層体7’の切欠き部を、「切欠き部7C’」と表記する場合がある。研磨加工後の第二積層体7の切欠き部を、「切欠き部7C」と表記する場合がある。
図5に示されるように、切削・研磨工具で研磨された後の隅部7Cを第二積層体7の積層方向からみた場合、隅部7Cの曲率半径はRである。つまり、第二積層体7の積層方向からみた隅部7Cが小円Cの弧で近似される場合、隅部7Cの曲率半径Rは小円Cの半径に等しい。図4及び図5に示めされるように、切削・研磨工具で研磨される前の隅部7Cの曲率半径Rは、切削・研磨工具で研磨された後の隅部7Cの曲率半径Rよりも小さい。
切削・研磨工具による隅部7Cの研磨を経た第二積層体7(図6に示される第二積層体7)は、完成された偏光板であってよい。
本実施形態では、打ち抜き加工と、それに続く研磨加工によって、切欠き部7Cの隅部7Cが面取され、隅部7Cの表面が平滑になる。その結果、切欠き部7C(特に隅部7C)においてクラックが抑制される。研磨された隅部7Cの曲率半径Rが大きい程、完成された偏光板の切欠き部7C(特に隅部7C)においてクラックが抑制され易い。
仮に、一度の打ち抜き加工のみによって、切欠き部7C’の隅部7Cの曲率半径を小さい値(R)に調整する場合、打ち抜き加工の過程で、切欠き部7C’の隅部7Cに応力が集中し易い。その結果、打ち抜き加工に伴って、切欠き部7C’(特に隅部7C)において多数の大きなクラックが形成され易い。打ち抜き加工によって多数の大きなクラックが切欠き部7C’(隅部7C)に形成された後では、切欠き部7C’の内側(隅部7C)を切削・研磨工具で研磨したとしても、クラックが残ってしまう場合がある。
一方、本実施形態では、打ち抜き加工の際に、切欠き部7C’の隅部7Cの曲率半径を比較的大きい値R(Rよりも大きい値)に調整する。そして、打ち抜き加工に続く研磨加工によって、切欠き部7C’の隅部7Cの曲率半径RをRまで減少させる。つまり、打ち抜き加工と研磨加工との2つのステップによって、切欠き部7C’の隅部7Cの曲率半径Rを段階的に(徐々に)減少させる。その結果、一度の打ち抜き加工のみによって隅部7Cの曲率半径を小さい値Rに調整する場合に比べて、打ち抜き加工に伴う切欠き部7C’(特に隅部7C)でのクラックが抑制される。打ち抜き加工において調整される隅部7Cの曲率半径Rが大きい程、打ち抜き加工に伴う切欠き部7C’(特に隅部7C)でのクラックが抑制され易い。打ち抜き加工において調整される隅部7Cの曲率半径Rが大きい程、打ち抜き加工に伴って切欠き部7C’(特に隅部7C)に形成されたクラックを、切削・研磨工具(特にエンドミル)を用いた研磨加工によって除去し易い。
打ち抜き加工によって形成される切欠き部7C’の形状は、打ち抜き加工に用いるパンチ又は抜型の形状に対応する。研磨加工前の隅部7Cの曲率半径Rは、パンチ又は抜型の形状の調整により、自在に制御されてよい。研磨加工後の切欠き部7Cの隅部7Cの曲率半径Rは、切削・研磨工具の移動経路の調整により、自在に制御されてよい。切削・研磨工具としてエンドミルを用いる場合、研磨加工後の隅部7Cの曲率半径Rは、エンドミルの太さの調整により、自在に制御されてもよい。例えば、曲率半径Rの下限値は、エンドミルの太さ(直径)の1/2程度であってよい。研磨加工後の隅部7Cの曲率半径Rは、エンドミルの刃の寸法の調整により、自在に制御されてもよい。
切削・研磨工具で研磨される前の隅部7Cの曲率半径Rは、例えば、2.3〜20mmであってよい。切削・研磨工具で研磨された後の隅部7Cの曲率半径Rは、例えば、2.0〜10mmであってよい。R/Rは、例えば、1.2〜2.0であってよい。R,R及びR/Rそれぞれが上記の範囲内である場合、切削・研磨工具による研磨を経た切欠き部7C(特に隅部7C)におけるクラックが抑制され易い。
打ち抜き加工に伴って切欠き部7C’(特に隅部7C)に形成され得るクラックの長さは、例えば、300〜600μm程度であってよい。切削・研磨工具によって第二積層体7’の隅部7Cから削り取られる部分の幅は、例えば、300〜500μmであってよい。
第一積層体107の打ち抜きにより、偏光子8の吸収軸線Aに直交しない第一端部7eを有する第二積層体7’を作製してよく、切欠き部7C’を第一端部7eに形成してよい。図2中の(a)、図2中の(b)又は図3に示されるように、基準線Lが、切欠き部7C’の両端に位置する一対の角部7C1及び7C2を結ぶ直線と定義されるとき、基準線Lが偏光子8の吸収軸線Aと直交しなくてよい。換言すると、切欠き部7C’の基準線Lが偏光子8の吸収軸線Aとなす角度θは、0°以上90°未満であってよい。基準線Lは、第二積層体7’の積層方向(Z軸方向)に垂直な方向において一対の角部7C1及び7C2を結ぶ直線と言い換えてよい。
吸収軸線Aとは、例えば、偏光子8におけるポリビニルアルコール(PVA)分子の配向方向に略平行な直線と言い換えてよい。吸収軸線Aとは、例えば、偏光子8においてポリビニルアルコールに吸着する色素分子(例えばポリヨウ素又は有機染料)の配向方向に略平行な直線と言い換えてもよい。一つのPVA分子を構成する多数の炭素原子は、吸収軸線Aに沿った共有結合(C‐C結合)によって互いに結合している、といえる。一方、吸収軸線Aに略垂直な方向では、PVA分子同士が、架橋剤(例えばホウ酸)を介した架橋結合によって結合している。換言すれば、吸収軸線Aに略垂直な方向では、各PVA分子が有するヒドロキシ基が、PVA分子間に位置するホウ酸と水素結合又は酸素・ホウ素間結合(O‐B結合)を形成することによって、PVA分子同士が架橋されている。吸収軸線Aに沿って形成されているC‐C結合は、吸収軸線Aに略垂直な方向に沿って形成されている架橋結合よりも強固である。したがって、吸収軸線Aに略平行な方向における偏光子8の機械的強度は、吸収軸線Aに略垂直な方向における偏光子8の機械的強度よりも高い。換言すると、吸収軸線Aに略平行な方向における偏光子8の熱収縮は、吸収軸線Aに略垂直な方向における偏光子8の熱収縮に比べて、クラックを引き起こし難い。
仮に基準線Lが吸収軸線Aと直交する場合(角度θが90°である場合)、基準線Lに平行な方向では、PVA分子内のC‐C結合に比べて弱い架橋結合が形成されている。したがって、基準線Lが吸収軸線Aと直交する場合、切欠き部7C’の深部7Cd(奥部)が、基準線Lに略平行な方向において収縮すると、切欠き部7C’の深部においてクラックが形成され易い。
一方、基準線Lが、偏光子8の吸収軸線Aと直交しない場合(つまり、角度θが0°以上90°未満である場合)、PVA分子間の架橋結合に比べて強固なPVA分子内のC‐C結合が、基準線Lに平行な方向における偏光子8の機械的強度を高める。その結果、切欠き部7C’の深部7Cdが、基準線Lに略平行な方向において収縮したとしても、切欠き部7C’においてクラックが形成され難い。特に、基準線Lが吸収軸線Aと平行である場合(角度θが0°である場合)、偏光子8を構成する殆どのPVA分子内のC‐C結合が、吸収軸線Aに沿って形成されている。したがって、基準線Lが吸収軸線Aと平行である場合、基準線Lに平行な方向における偏光子8の機械的強度が顕著に高く、切欠き部7C’におけるクラックの形成が顕著に抑制される。ただし、基準線Lが、偏光子8の吸収軸線Aと直交する場合であっても、本発明の効果は奏される。
基準線Lが吸収軸線Aとなす角度θが小さいほど、切欠き部7C’においてクラックが形成され難い。角度θは、0°以上75°以下、又は0°以上60°以下であってよい。
図2中の(a)、図2中の(b)又は図3に示されるように、打ち抜き加工によって得られる第二積層体7’は、切欠き部7C’が形成された第一端部7eと、第一端部7eの反対側に位置する第二端部17eと、を有してよい。打ち抜き加工では、切欠き部7C’を、第一端部7eから第二端部17eへ向かって延ばしてよい。そして、切欠き部7C’が延びる方向Eを、偏光子8の吸収軸線Aと平行でない方向に調整してよい。換言すると、切欠き部7C’が延びる方向Eが吸収軸線Aとなす角度αが、0°よりも大きく90°以下であってよい。第切欠き部7C’が延びる方向Eは、切欠き部7C’の長手方向に等しくてよい。つまり、切欠き部7C’の長手方向は、切欠き部7C’が延びる方向Eに沿っていてよい。第一端部7e及び第二端部17eのいずれも直線状であってよく、第一端部7eは第二端部17eと平行であってよい。
切欠き部7C’が延びる方向Eが、偏光子8の吸収軸線Aと平行でない場合、PVA分子間の架橋結合に比べて強固なPVA分子内のC‐C結合が、方向Eに垂直な方向における偏光子8の機械的強度を高める。その結果、切欠き部7C’の深部7Cdが、方向Eに略垂直な方向において収縮したとしても、切欠き部7C’においてクラックが形成され難い。方向Eが吸収軸線Aとなす角度αが大きいほど、切欠き部7C’においてクラックが形成され難い。特に、方向Eが吸収軸線Aと垂直である場合(角度αが90°である場合)、偏光子8を構成する殆どのPVA分子内のC‐C結合が、方向Eに対して垂直に形成されている。したがって、方向Eが吸収軸線Aと垂直である場合、方向Eに垂直な方向における偏光子8の機械的強度が顕著に高く、切欠き部7C’におけるクラックの形成が顕著に抑制される。ただし、切欠き部7C’が延びる方向Eが偏光子8の吸収軸線Aと平行である場合であっても、本発明の効果は奏される。
基準線Lに平行な方向における切欠き部7Cの幅Wcは、例えば、2mm以上600mm未満、又は5mm以上30mm以下であってよい。幅Wcは、第二積層体7の端部(第一端部7e)に平行な方向における切欠き部7Cの幅と言い換えてよい。切削・研磨工具による研磨加工に伴って、切欠き部7C’の幅W’cが拡がってもよい。つまり、研磨加工後の切欠き部7Cの幅Wcは、研磨加工前の切欠き部7C’の幅W’cよりも大きくてよい。基準線Lに平行な方向における第二積層体7全体の幅Wは、例えば、30mm以上600mm以下であってよい。第二積層体7全体の幅Wは、基準線Lに平行な方向における第二積層体7全体の幅と言い換えてよい。切削・研磨工具による研磨加工に伴って、第二積層体7全体の幅Wが狭まってもよい。第二積層体7全体の幅Wは、偏光板全体(研磨加工後の第二積層体7全体)の幅と言い換えてよい。切欠き部7Cの幅Wcは、第二積層体7全体の幅W未満であればよい。切欠き部7Cの幅Wcが5mm以上30mm以下である場合、第二積層体7全体の幅W(偏光板全体の幅)は、20mmより大きく160mm以下、好ましくは25mmより大きく130mm以下、より好ましくは30mmより大きく100mm以下、さらに好ましくは30mmより大きく70mm以下であってよい(但し、Wc<W)。切欠き部7Cの幅Wcと第二積層体7全体の幅Wとの比Wc/Wは、0.05以上1.0未満、0.08以上1.0未満、0.10以上1.0未満、又は0.13以上1.0未満、好ましくは0.15以上1.0未満、又は0.17以上1.0未満、より好ましくは0.20以上1.0未満、又は0.22以上1.0未満、さらに好ましくは0.30以上1.0未満、0.33以上1.0未満、又は0.40以上1.0未満であってよい。比Wc/Wは、0.05以上0.90以下、0.05以上0.80以下、0.05以上0.78以下、0.05以上0.45以下、又は0.40以上0.80以下であってもよい。Wc/Wは、切欠き部7Cの幅Wcと第一端部7e全体の幅Wとの比と言い換えてよい。Wc/Wが上記の範囲にある場合、切欠き部7Cにおけるクラックが抑制され易い。その理由は、次の通りである。切欠き部7Cの幅Wcが第二積層体7全体の幅Wよりも小さいほど、温度変化に伴う第二積層体7全体の収縮に因り、切欠き部7Cの幅Wcを拡げる力が生じ易く、切欠き部7Cにクラックが生じ易い。つまりWc/Wが小さいほど、切欠き部7Cにクラックが生じ易い。一方、Wc/Wが大きいほど(第二積層体7全体の幅Wが小さいほど)、温度変化に伴う第二積層体7全体の収縮量が低減される。つまり、第二積層体7全体の幅Wが小さいほど、第二積層体7の全体の幅Wの変化量の絶対値が低減される。温度変化に伴う第二積層体7全体の収縮量が低減されることに因り、切欠き部7Cの幅Wcを拡げる力が生じ難く、切欠き部7Cにおけるクラックが抑制され易い。ただし、Wc/Wが上記の数値範囲外である場合であっても、切欠き部7Cにおけるクラックを抑制することは可能である。
基準線Lに垂直な方向における切欠き部7Cの長さ(深さ)Dcは、例えば、1mm以上30mm以下であってよい。長さDcは、基準線Lに垂直な方向における切欠き部7Cの深さと言い換えてよい。切削・研磨工具による研磨加工に伴って、切欠き部7C’の長さD’cが延長されてよい。つまり、研磨加工後の切欠き部7Cの長さDcは、研磨加工後の切欠き部7C’の長さD’cよりも長くてよい。基準線Lに垂直な方向における第二積層体7全体の長さDは、例えば、30mm以上600mm以下であってよい。切削・研磨工具による研磨加工に伴って、第二積層体7全体の長さDが狭まってもよい。第二積層体7全体の長さDは、基準線Lに垂直な方向における偏光板全体(研磨加工後の第二積層体7全体)の長さと言い換えてよい。第二積層体7の厚みは、例えば、10μm以上1200μm以下、10μm以上500μm以下、10μm以上300μm以下、又は10μm以上200μm以下であってよい。第二積層体7の厚みは、偏光板全体(研磨加工後の第二積層体7全体)の厚みとおなじであってよい。切欠き部7Cの幅Wcは、切欠き部7Cの長さDcよりも大きくてよい。切欠き部7Cの幅Wcは、切欠き部7Cの長さDcよりも小さくてもよい。切欠き部7Cの幅Wcは、切欠き部7Cの長さDcと等しくてもよい。
打ち抜き加工前の第一積層体の作製方法の詳細は、以下の通りであってよい。
長尺な帯状の偏光子フィルムと、長尺な帯状の複数の光学フィルムと、を貼合して、積層体(第一積層体)を作製してよい。長尺な帯状の偏光子フィルムとは、加工・成形前の偏光子8である。偏光子フィルムの吸収軸線は、加工・成形後の偏光子8の吸収軸線Aと同じであってよい。長尺な帯状の複数の光学フィルムとは、加工・成形前の光学フィルム(3,5,9,13)である。
第二積層体7’に含まれる偏光子8の吸収軸線Aの方向は、打ち抜き加工よりも前の時点で既に把握されている。したがって、第一積層体107の打ち抜きの方向を調整することにより、角度θを0°以上90°未満に調整してよい。また、切欠き部7C’を第二積層体7’の第一端部7eに形成する際に、切欠き部7C’の向きを調整することにより、角度αを、0°より大きく90°以下である範囲に制御してよい。偏光子フィルム(偏光子8)における吸収軸線Aの方向自体は、打ち抜き加工よりも前に行うPVAフィルムの延伸の方向及び延伸倍率によって調整・制御されてよい。
偏光子8は、延伸、染色及び架橋等の工程によって作製されたフィルム状のポリビニルアルコール系樹脂(PVAフィルム)であってよい。偏光子8の詳細は以下の通りである。
例えば、まず、PVAフィルムを、一軸方向又は二軸方向に延伸する。一軸方向に延伸された偏光子8の二色比は高い傾向がある。延伸に続いて、染色液を用いて、PVAフィルムをヨウ素、二色性色素(ポリヨウ素)又は有機染料によって染色する。染色液は、ホウ酸、硫酸亜鉛、又は塩化亜鉛を含んでいてもよい。染色前にPVAフィルムを水洗してもよい。水洗により、PVAフィルムの表面から、汚れ及びブロッキング防止剤が除去される。また水洗によってPVAフィルムが膨潤する結果、染色の斑(不均一な染色)が抑制され易い。染色後のPVAフィルムを、架橋のために、架橋剤の溶液(例えば、ホウ酸の水溶液)で処理する。架橋剤による処理後、PVAフィルムを水洗し、続いて乾燥する。以上の手順を経て、偏光子8が得られる。ポリビニルアルコール系樹脂は、ポリ酢酸ビニル系樹脂をケン化することにより得られる。ポリ酢酸ビニル系樹脂は、例えば、酢酸ビニルの単独重合体であるポリ酢酸ビニル、又は、酢酸ビニルと他の単量体との共重合体(例えば、エチレン−酢酸ビニル共重合体)であってよい。酢酸ビニルと共重合する他の単量体は、エチレンの他に、不飽和カルボン酸類、オレフィン類、ビニルエーテル類、不飽和スルホン酸類、又はアンモニウム基を有するアクリルアミド類であってよい。ポリビニルアルコール系樹脂は、アルデヒド類で変性されていてもよい。変性されたポリビニルアルコール系樹脂は、例えば、部分ホルマール化ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、又はポリビニルブチラールであってよい。ポリビニルアルコール系樹脂は、ポリビニルアルコールの脱水処理物、又はポリ塩化ビニルの脱塩酸処理物等のポリエン系配向フィルムであってよい。延伸前に染色を行ってもよく、染色液中で延伸を行ってもよい。延伸された偏光子8の長さは、例えば、延伸前の長さの3〜7倍であってよい。
偏光子8の厚みは、例えば、1μm以上50μm以下、1μm以上10μm以下、1μm以上8μm以下、1μm以上7μm以下、又は4μm以上30μm以下であってよい。偏光子8が薄いほど、温度変化に伴う偏光子8自体の収縮が抑制され、偏光子8自体の寸法の変化が抑制される。その結果、応力が偏光子8に作用し難く、偏光子8におけるクラックが抑制され易い。
第一保護フィルム5及び第二保護フィルム9は、透光性を有する熱可塑性樹脂であればよく、光学的に透明な熱可塑性樹脂であってもよい。第一保護フィルム5及び第二保護フィルム9を構成する樹脂は、例えば、鎖状ポリオレフィン系樹脂、環状オレフィンポリマー系樹脂(COP系樹脂)、セルロースエステル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、(メタ)アクリル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、又はこれらの混合物若しくは共重合体であってよい。第一保護フィルム5の組成は、第二保護フィルム9の組成と全く同じであってよい。第一保護フィルム5の組成は、第二保護フィルム9の組成と異なっていてもよい。
鎖状ポリオレフィン系樹脂は、例えば、ポリエチレン樹脂又はポリプロピレン樹脂のような鎖状オレフィンの単独重合体であってよい。鎖状ポリオレフィン系樹脂は、二種以上の鎖状オレフィンからなる共重合体であってもよい。
環状オレフィンポリマー系樹脂(環状ポリオレフィン系樹脂)は、例えば、環状オレフィンの開環(共)重合体、又は環状オレフィンの付加重合体であってよい。環状オレフィンポリマー系樹脂は、例えば、環状オレフィンと鎖状オレフィンとの共重合体(例えば、ランダム共重合体)であってよい。共重合体を構成する鎖状オレフィンは、例えば、エチレン又はプロピレンであってよい。環状オレフィンポリマー系樹脂は、上記の重合体を不飽和カルボン酸若しくはその誘導体で変性したグラフト重合体、又はそれらの水素化物であってもよい。環状オレフィンポリマー系樹脂は、例えば、ノルボルネン又は多環ノルボルネン系モノマー等のノルボルネン系モノマーを用いたノルボルネン系樹脂であってよい。
セルロースエステル系樹脂は、例えば、セルローストリアセテート(トリアセチルセルロース(TAC))、セルロースジアセテート、セルローストリプロピオネート又はセルロースジプロピオネートであってよい。これらの共重合物を用いてもよい。水酸基の一部が他の置換基で修飾されたセルロースエステル系樹脂を用いてもよい。
セルロースエステル系樹脂以外のポリエステル系樹脂を用いてもよい。ポリエステル系樹脂は、例えば、多価カルボン酸又はその誘導体と多価アルコールとの重縮合体であってよい。多価カルボン酸又はその誘導体は、ジカルボン酸又はその誘導体であってよい。多価カルボン酸又はその誘導体は、例えば、テレフタル酸、イソフタル酸、ジメチルテレフタレート、又はナフタレンジカルボン酸ジメチルであってよい。多価アルコールは、例えば、ジオールであってよい。多価アルコールは、例えば、エチレングリコール、プロパンジオール、ブタンジオール、ネオペンチルグリコール、又はシクロヘキサンジメタノールであってよい。
ポリエステル系樹脂は、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンナフタレート、ポリトリメチレンテレフタレート、ポリトリメチレンナフタレート、ポリシクロへキサンジメチルテレフタレート、又はポリシクロヘキサンジメチルナフタレートであってよい。
ポリカーボネート系樹脂は、カルボナート基を介して重合単位(モノマー)が結合された重合体である。ポリカーボネート系樹脂は、修飾されたポリマー骨格を有する変性ポリカーボネートであってよく、共重合ポリカーボネートであってもよい。
(メタ)アクリル系樹脂は、例えば、ポリ(メタ)アクリル酸エステル(例えば、ポリメタクリル酸メチル(PMMA));メタクリル酸メチル−(メタ)アクリル酸共重合体;メタクリル酸メチル−(メタ)アクリル酸エステル共重合体;メタクリル酸メチル−アクリル酸エステル−(メタ)アクリル酸共重合体;(メタ)アクリル酸メチル−スチレン共重合体(例えば、MS樹脂);メタクリル酸メチルと脂環族炭化水素基を有する化合物との共重合体(例えば、メタクリル酸メチル−メタクリル酸シクロヘキシル共重合体、メタクリル酸メチル−(メタ)アクリル酸ノルボルニル共重合体等)であってよい。
偏光子8を挟む一対の光学フィルム(第一保護フィルム5及び第二保護フィルム9)のうち少なくとも一方の光学フィルムが、トリアセチルセルロース(TAC)を含んでよい。偏光子8を挟む一対の光学フィルム(第一保護フィルム5及び第二保護フィルム9)のうち少なくとも一方の光学フィルムが、環状オレフィンポリマー系樹脂(COP系樹脂)を含んでよい。偏光子8を挟む一対の光学フィルム(第一保護フィルム5及び第二保護フィルム9)のうち少なくとも一方の光学フィルムが、ポリメタクリル酸メチル(PMMA)を含んでよい。偏光子8を挟む一対の光学フィルム(第一保護フィルム5及び第二保護フィルム9)の両方が、トリアセチルセルロースを含んでもよい。偏光子8を挟む一対の光学フィルム(第一保護フィルム5及び第二保護フィルム9)のうち一方のフィルムが、トリアセチルセルロースを含み、偏光子8を挟む一対の光学フィルムのうち他方のフィルムが、環状オレフィンポリマーを含んでもよい。偏光子8を挟む一対の光学フィルム(第一保護フィルム5及び第二保護フィルム9)のうち一方のフィルムが、トリアセチルセルロースを含み、偏光子8を挟む一対の光学フィルムのうち他方のフィルムが、ポリメタクリル酸メチルを含んでもよい。偏光子8を挟む一対の光学フィルム(第一保護フィルム5及び第二保護フィルム9)のうち一方のフィルムが、環状オレフィンポリマー系樹脂を含み、偏光子8を挟む一対の光学フィルムのうち他方のフィルムが、ポリメタクリル酸メチルを含んでもよい。偏光子8が一対の光学フィルム(第一保護フィルム5及び第二保護フィルム9)に挟まれている場合、光学フィルム(保護フィルム)が偏光子8に密着して、温度変化に伴う偏光子8の膨張又は収縮を抑制するので、偏光子8におけるクラックが生じ難い。例えば、偏光子8が、TACからなる第一保護フィルム5と、COP系樹脂からなる第二保護フィルム9とで挟まれている場合、偏光子8におけるクラックが生じ難い。
第一保護フィルム5又は第二保護フィルム9は、滑剤、可塑剤、分散剤、熱安定剤、紫外線吸収剤、赤外線吸収剤、帯電防止剤、及び酸化防止剤からな群より選ばれる少なくとも一種の添加剤を含んでよい。
第一保護フィルム5の厚みは、例えば、5μm以上90μm以下、5μm以上80μm以下、又は5μm以上50μm以下であってよい。第二保護フィルム9の厚みも、例えば、5μm以上90μm以下、5μm以上80μm以下、又は5μm以上50μm以下であってよい。
第一保護フィルム5又は第二保護フィルム9は、位相差フィルム又は輝度向上フィルムのように、光学機能を有するフィルムであってよい。例えば、上記熱可塑性樹脂からなるフィルムを延伸したり、該フィルム上に液晶層等を形成したりすることにより、任意の位相差値が付与された位相差フィルムが得られる。
第一保護フィルム5は、接着層を介して、偏光子8に貼合されていてよい。第二保護フィルム9も、接着層を介して、偏光子8に貼合されていてよい。接着層は、ポリビニルアルコール等の水系接着剤を含んでよく、後述する活性エネルギー線硬化性樹脂を含んでもよい。
活性エネルギー線硬化性樹脂は、活性エネルギー線を照射されることにより、硬化する樹脂である。活性エネルギー線は、例えば、紫外線、可視光、電子線、又はX線であってよい。活性エネルギー線硬化性樹脂は、紫外線硬化性樹脂であってよい。
活性エネルギー線硬化性樹脂は、一種の樹脂であってよく、複数種の樹脂を含んでもよい。例えば、活性エネルギー線硬化性樹脂は、カチオン重合性の硬化性化合物、又はラジカル重合性の硬化性化合物を含んでよい。活性エネルギー線硬化性樹脂は、上記硬化性化合物の硬化反応を開始させるためのカチオン重合開始剤又はラジカル重合開始剤を含んでよい。
カチオン重合性の硬化性化合物は、例えば、エポキシ系化合物(分子内に少なくとも一つのエポキシ基を有する化合物)、又はオキセタン系化合物(分子内に少なくとも一つのオキセタン環を有する化合物)であってよい。ラジカル重合性の硬化性化合物は、例えば、(メタ)アクリル系化合物(分子内に少なくとも一つの(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物)であってよい。ラジカル重合性の硬化性化合物は、ラジカル重合性の二重結合を有するビニル系化合物であってもよい。
活性エネルギー線硬化性樹脂は、必要に応じて、カチオン重合促進剤、イオントラップ剤、酸化防止剤、連鎖移動剤、粘着付与剤、熱可塑性樹脂、充填剤、流動調整剤、可塑剤、消泡剤、帯電防止剤、レベリング剤、又は溶剤等を含んでよい。
粘着層11は、例えば、アクリル系感圧型接着剤、ゴム系感圧型接着剤、シリコーン系感圧型接着剤、又はウレタン系感圧型接着剤などの感圧型接着剤を含んでよい。粘着層11の厚みは、例えば、2μm以上500μm以下、2μm以上200μm以下、又は2μm以上50μm以下であってよい。
第三保護フィルム3を構成する樹脂は、第一保護フィルム5又は第二保護フィルム9を構成する樹脂として列挙された上記の樹脂と同じであってよい。第三保護フィルム3の厚みは、例えば、5μm以上200μm以下であってよい。
離型フィルム13を構成する樹脂は、第一保護フィルム5又は第二保護フィルム9を構成する樹脂として列挙された上記の樹脂と同じであってよい。離型フィルム13の厚みは、例えば、5μm以上200μm以下であってよい。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。
例えば、第一積層体の打ち抜き加工により、複数の切欠き部を第二積層体に形成していてよい。複数の切欠き部のうち一部の切欠き部の内側に位置する隅部の曲率半径Rを、研磨加工によって減少させてよい。複数の切欠き部のうち全ての切欠き部の内側に位置する隅部の曲率半径Rを研磨加工によって減少させてよい。一つの切欠き部の内側に一つの隅部があってよい。一つの切欠き部の内側に複数の隅部があってもよい。複数の隅部のうち一部の隅部の曲率半径Rを、研磨加工によって減少させてよい。複数の隅部全ての曲率半径Rを、研磨加工によって減少させてもよい。
偏光板及び切欠き部其々の形状は、用途に応じた様々な形であってよい。例えば、図7に示されるように、研磨加工前の切欠き部7C’の形状は、略三角形であってもよい。図8に示されるように、研磨加工後の切欠き部7Cの形状も、略三角形であってもよい。切欠き部(7C’,7C)全体の形状は、半円状又は円弧状であってもよい。切欠き部(7C’,7C)の形状は、四角形又は三角形に限定されず、他の多角形であってもよい。切欠き部(7C’,7C)の深部が複数に枝分かれしていてもよい。
第二積層体(7’,7)の外縁全体は、四角形以外の多角形であってよい。第二積層体(7’,7)の外縁全体は閉曲線であってもよい。例えば、第二積層体(7’,7)の外縁全体が、円形又は楕円形であってもよい。第二積層体(7’,7)の外縁の一部が直線状であってよく、第二積層体(7’,7)の外縁の残部が曲線状であってもよい。完成された偏光板の外縁の形状は、第二積層体(7’,7)の外縁の形状と略同じであってよい。
切欠き部7C’が形成される第一端部7eは、第二端部17eと平行でなくてもよい。第一端部7eが第二端部17eと平行でなく、且つ切欠き部7Cの深部7Cd(底部)が直線状である場合、「切欠き部7C’の延びる方向E」とは、一対の角部7C1,7C2を結ぶ線分を二等分し、且つ切欠き部7C’の深部7Cdを二等分する直線に平行であってよい。第一端部7eが第二端部17eと平行でなく、且つ切欠き部7Cの深部7Cdが曲線状である場合、「切欠き部7Cの延びる方向E」は、切欠き部7Cの深部7Cd(最深部)と、角部7C1,7C2を結ぶ線分の中点と、を結ぶ直線に平であってよい。
第二積層体(7’,7)又は偏光板を構成する光学フィルムの種類、数及び積層の順序は、限定されない。光学フィルムは、反射型偏光フィルム、防眩機能付フィルム、表面反射防止機能付フィルム、反射フィルム、半透過反射フィルム、視野角補償フィルム、光学補償層、タッチセンサー層、帯電防止層又は防汚層であってもよい。第二積層体(7’,7)又は偏光板が、ハードコート層をさらに備えてもよい。
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
(実施例1)
偏光子フィルム(切断前の偏光子8)と4枚の光学フィルム(3,5,9,13)と感圧型の粘着層11とから構成される長方形状の第一積層体107を作製した。第一積層体107は、離型フィルム13と、離型フィルム13に重なる粘着層11と、粘着層11に重なる第二保護フィルム9と、第二保護フィルム9に重なる偏光子フィルム(7)と、偏光子フィルム(7)に重なる第一保護フィルム5と、第一保護フィルム5に重なる第三保護フィルム3と、を備えていた。偏光子フィルム(7)としては、延伸され、且つ染色されたフィルム状のポリビニルアルコールを用いた。第一保護フィルム5としては、トリアセチルセルロース(TAC)フィルムを用いた。第二保護フィルム9としては、環状オレフィンポリマー系樹脂(COP系樹脂)から構成されるフィルムを用いた。第三保護フィルム3としては、PETプロテクトフィルムを用いた。離型フィルム13としては、PETセパレーターを用いた。離型フィルム13の厚みは、38μmであった。粘着層11の厚みは、20μmであった。第二保護フィルム9の厚みは、13μmであった。偏光子8の厚みは、7μmであった。第一保護フィルム5の厚みは、25μmであった。第三保護フィルム3の厚みは、58μmであった。
第一積層体107の打ち抜き加工により、切欠き部7C’が形成された第二積層体7’を作製した。第二積層体7’全体の形状(外縁)は、略長方形であった。打ち抜き加工では、第二積層体7’の横辺(切欠き部7C’が形成された第一端部7e)の幅Wを、150mmに調整した。第二積層体7’の縦辺の幅(第二積層体7’全体の長さD)を、80mmに調整した。
打ち抜き加工では、凹状の切欠き部7C’を、第二積層体7’の第一端部7eの略中央部に形成した。図4に示されるように、切欠き部7C’の形状は、略長方形であった。第二積層体7’の積層方向からみた切欠き部7C’の隅部7Cの曲率半径Rは、3.0mmに調整した。つまり、研磨加工前の隅部7Cの曲率半径Rは3.0mmであった。切欠き部7C’の幅W’cは、20mmに調整した。切欠き部7C’の長さD’cは、10mmに調整した。
研磨加工前の切欠き部7C’の全体を光学顕微鏡で観察した。観察の結果、少数のクラックが切欠き部7C’に形成されていることが確認された。各クラックの長さを測定した。クラックの長さとしては、クラックの一方の端部とクラックの他方の端部との間の距離を測定した。クラックの長さの最大値は、300μmであった。
打ち抜き加工に続いて、隅部7Cを含む切欠き部7C’の内側全体をエンドミルで均一に研磨した。つまり、研磨加工により、隅部7Cの曲率半径Rを減少させた。エンドミルによって第二積層体7’の隅部7Cから削り取られた部分の幅は、300μmに調整した。図5に示されるように、第二積層体7の積層方向からみた研磨加工後の切欠き部7Cの隅部7Cの曲率半径Rは、2.0mmに調整した。
以上の工程により、実施例1の偏光板(第二積層体7)を完成させた。偏光板に形成された凹状の切欠き部の全体を光学顕微鏡で観察した。実施例1の欠き部7C(研磨加工後の切欠き部7C)にはクラックが形成されていなかった。
(実施例2)
実施例2の打ち抜き加工では、切欠き部7C’の隅部7Cの曲率半径Rを、2.5mmに調整した。曲率半径Rの値を除いて実施例1と同様の方法で、実施例2の第二積層体7’(研磨加工前の第二積層体7’)を作製した。実施例2の第二積層体7’に形成された切欠き部7C’の全体を光学顕微鏡で観察した。観察の結果、少数のクラックが切欠き部7C’に形成されていることが確認された。クラックの長さの最大値は、350μmであった。
研磨加工前の曲率半径Rの値を除いて実施例1と同様の方法で、実施例2の偏光板(第二積層体7)を完成させた。実施例2の偏光板に形成された切欠き部7Cの全体を光学顕微鏡で観察した。実施例2の欠き部7C(研磨加工後の切欠き部7C)にはクラックが形成されていなかった。
(実施例3)
実施例3の打ち抜き加工では、切欠き部7C’の隅部7Cの曲率半径Rを、2.3mmに調整した。曲率半径Rの値を除いて実施例1と同様の方法で、実施例3の第二積層体7’(研磨加工前の第二積層体7’)を作製した。実施例3の第二積層体7’に形成された切欠き部7C’の全体を光学顕微鏡で観察した。観察の結果、少数のクラックが切欠き部7C’に形成されていることが確認された。クラックの長さの最大値は、350μmであった。
研磨加工前の曲率半径Rの値を除いて実施例1と同様の方法で、実施例3の偏光板(第二積層体7)を完成させた。実施例3の偏光板に形成された切欠き部7Cの全体を光学顕微鏡で観察した。実施例3の欠き部7C(研磨加工後の切欠き部7C)にはクラックが形成されていなかった。
(実施例4)
実施例4の打ち抜き加工では、切欠き部7C’の隅部7Cの曲率半径Rを、2.1mmに調整した。曲率半径Rの値を除いて実施例1と同様の方法で、実施例4の第二積層体7’(研磨加工前の第二積層体7’)を作製した。実施例4の第二積層体7’に形成された切欠き部7C’の全体を光学顕微鏡で観察した。観察の結果、少数のクラックが切欠き部7C’に形成されていることが確認された。クラックの長さの最大値は、400μmであった。
研磨加工前の曲率半径Rの値を除いて実施例1と同様の方法で、実施例4の偏光板(第二積層体7)を完成させた。実施例4の偏光板に形成された切欠き部7Cの全体を光学顕微鏡で観察した。実施例4の欠き部7C(研磨加工後の切欠き部7C)には、少数のクラックが残っていた。しかし、研磨加工後の切欠き部7Cに残っていたクラックの数は、研磨加工前の切欠き部7C’に形成されていたクラックの数よりも少なかった。研磨加工後の切欠き部7Cに残っていたクラックの長さの最大値は、研磨加工前の切欠き部7C’に形成されていたクラックの長さの最大値よりも小さかった。
(比較例1)
比較例1の打ち抜き加工では、切欠き部7C’の隅部7Cの曲率半径Rを、2.0mmに調整した。また比較例1では、研磨加工を実施しなかった。つまり、比較例1では、抜き加工と研磨加工との2つのステップを経ずに、一度の打ち抜き加工のみによって、実施例1〜4の同様の形状及び寸法を有する偏光板を作製した。
比較例1の偏光板に形成された切欠き部の全体を光学顕微鏡で観察した。比較例1の欠き部には、多数のクラックが形成されていた。比較例1の切欠き部に形成されたクラックの数は、実施例1〜4の研磨加工後の切欠き部7Cに形成されていたクラックの数よりも多かった。比較例1の切欠き部に形成されたクラックの長さの最大値は、実施例1〜4の研磨加工後の切欠き部7Cに形成されていたクラックの長さの最大値よりも大きかった。
本発明に係る偏光板は、例えば、液晶セル又は有機ELデバイス等に貼着され、液晶テレビ、有機ELテレビ又はスマートフォン等の画像表示装置を構成する光学部品として適用される。
7…研磨加工後の第二積層体(偏光板)、7’…研磨加工前の第二積層体、3…第三保護フィルム、5…第一保護フィルム、8…フィルム状の偏光子、7C…研磨加工後の凹状の切欠き部、7C’…研磨加工前の凹状の切欠き部、7C1,7C2…切欠き部7C’の両端に位置する一対の角部、7C…研磨加工前の切欠き部7C’の隅部、7C…研磨加工後の切欠き部7Cの隅部、7e…第二積層体7’の第一端部、9…第二保護フィルム、7Cd…切欠き部7C’の深部、11…粘着層、13…離型フィルム、17e…第二積層体7’の第二端部、107…第一積層体、R…研磨加工前の隅部7Cの曲率半径、R…研磨加工後の隅部7Cの曲率半径、L…基準線、A…吸収軸線、E…切欠き部7C’が延びる方向、θ…基準線Lが吸収軸線Aとなす角度、α…切欠き部7C’の延びる方向Eが偏光子8の吸収軸線Aとがなす角度。

Claims (6)

  1. フィルム状の偏光子と前記偏光子に重なる少なくとも一つの光学フィルムとを含む第一積層体を作製する工程と、
    前記第一積層体の打ち抜きにより、凹状の切欠き部が形成された第二積層体を作製する工程と、
    前記切欠き部の内側に位置する隅部を研磨して、前記隅部の曲率半径を減少させる工程と、
    を備え
    前記隅部が研磨される前では、前記第二積層体の積層方向からみた前記隅部が略曲線状であり、且つ前記隅部の曲率半径がR であり、
    前記隅部が研磨された後では、前記第二積層体の積層方向からみた前記隅部の曲率半径がR であり、
    前記R が前記Rsよりも大きい、
    偏光板の製造方法。
  2. 前記隅部をエンドミルにより研磨する、
    請求項1に記載の偏光板の製造方法。
  3. 前記第二積層体が、前記偏光子の吸収軸線Aに直交しない第一端部を有し、
    前記切欠き部が前記第一端部に形成される、
    請求項1又は2に記載の偏光板の製造方法。
  4. 前記第二積層体が、前記第一端部の反対側に位置する第二端部を有し、
    前記切欠き部が前記第一端部に形成され、
    前記切欠き部が、前記第一端部から前記第二端部へ向かって延びており、
    前記切欠き部が延びる方向Eが、前記吸収軸線Aと平行でない、
    請求項に記載の偏光板の製造方法。
  5. 前記第二積層体が、第一端部と、前記第一端部の反対側に位置する第二端部と、を有し、
    前記切欠き部が前記第一端部に形成され、
    前記切欠き部が、前記第一端部から前記第二端部へ向かって延びており、
    前記切欠き部が延びる方向Eが、前記偏光子の吸収軸線Aと平行でない、
    請求項1又は2に記載の偏光板の製造方法。
  6. 前記第二積層体の積層方向からみた前記第一端部が、直線状である、
    請求項3〜5のいずれか一項に記載の偏光板の製造方法。
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