JP6592048B2 - 自発光装置 - Google Patents
自発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6592048B2 JP6592048B2 JP2017163645A JP2017163645A JP6592048B2 JP 6592048 B2 JP6592048 B2 JP 6592048B2 JP 2017163645 A JP2017163645 A JP 2017163645A JP 2017163645 A JP2017163645 A JP 2017163645A JP 6592048 B2 JP6592048 B2 JP 6592048B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- electrode
- insulating film
- layer
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 64
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 47
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 description 265
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 180
- 239000000463 material Substances 0.000 description 99
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 83
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 56
- 238000000034 method Methods 0.000 description 42
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 28
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 27
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 26
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 23
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 23
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 20
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 19
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 19
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 17
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 13
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 11
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 10
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 7
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 7
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 6
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 6
- -1 polyparaphenylene vinylene Polymers 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 5
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- CFAKWWQIUFSQFU-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-3-methylcyclopent-2-en-1-one Chemical compound CC1=C(O)C(=O)CC1 CFAKWWQIUFSQFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 2
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 2
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020286 SiOxNy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- LBVWYGNGGJURHQ-UHFFFAOYSA-N dicarbon Chemical compound [C-]#[C+] LBVWYGNGGJURHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000003230 hygroscopic agent Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
- H01L29/78618—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure
- H01L29/78621—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure with LDD structure or an extension or an offset region or characterised by the doping profile
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
- H01L29/78618—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure
- H01L29/78621—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure with LDD structure or an extension or an offset region or characterised by the doping profile
- H01L29/78627—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure with LDD structure or an extension or an offset region or characterised by the doping profile with a significant overlap between the lightly doped drain and the gate electrode, e.g. GOLDD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78645—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with multiple gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/341—Short-circuit prevention
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/114—Poly-phenylenevinylene; Derivatives thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/141—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
- H10K85/146—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE poly N-vinylcarbazol; Derivatives thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
- H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
の間にEL(Electro Luminescence)が得られる発光性有機材料(以下、有機EL材料と
いう)を挟んだ構造からなるEL素子を絶縁体上に形成した自発光装置及びその自発光装
置を表示部(表示ディスプレイまたは表示モニター)
として有する電気器具の作製方法に関する。
置(EL表示装置)の開発が進んでいる。EL表示装置は自発光型であるため、液晶表示
装置のようなバックライトが不要であり、さらに視野角が広いことから電気器具の表示部
として有望視されている。
クス型)の二種類があり、どちらも盛んに開発が行われている。特に現在はアクティブマ
トリクス型EL表示装置が注目されている。また、EL素子の中心とも言えるEL層とな
る有機EL材料は、低分子系有機EL材料と高分子系(ポリマー系)有機EL材料とが研
究されており、低分子系有機EL材料は蒸着法等で形成され、高分子系有機EL材料は、
スピナーを用いた塗布方式により形成されている。
も成膜する面が平坦化されていないとEL材料を均一な膜厚に成膜することができないと
いう問題が生じる。
は、陰極、EL層、陽極からなるEL素子を形成した際に、陰極と陽極間が電気的に短絡
してしまう。
い、EL層を介する電流がほとんど流れなくなる。これにより、EL層が発光しなくなる
。
表示装置を作製する方法を提供することを課題とする。さらに、このようなEL表示装置
を表示部として有する電気器具を提供することを課題とする。
成膜面の凹凸部を平坦化するように絶縁体を埋め込みEL素子における陰極と陽極間の短
絡を防ぐ構造にする。ここで本発明におけるEL表示装置の画素部の断面構造を図1に示
す。
体的には、薄膜トランジスタ(TFT:thin film transistor))であり、本明細書中で
は、電流制御用TFTと呼ぶ。電流制御用TFTは、基板11上に下地膜12が形成され
た後、ソース領域31、ドレイン領域32及びチャネル形成領域34を含む活性層、ゲー
ト絶縁膜18、ゲート電極35、第1層間絶縁膜20、ソース配線36並びにドレイン配
線37を有して形成される。なお、ゲート電極35はシングルゲート構造となっているが
、マルチゲート構造であっても良い。
00〜500nm)とすれば良い。材料としては、珪素を含む絶縁膜(特に窒化酸化珪素
膜又は窒化珪素膜が好ましい)を用いることができる。
坦化膜と言っても良い)39を形成し、TFTによってできる段差の平坦化を行う。第2
層間絶縁膜39としては、有機樹脂膜が好ましく、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹
脂及びシロキサンの高分子化合物を含む樹脂といった材料を用いると良い。勿論、十分な
平坦化が可能であれば、無機膜を用いても良い。
後に形成されるEL層は非常に薄いため、段差が存在することによって発光不良を起こす
場合がある。従って、EL層をできるだけ平坦面に形成しうるように画素電極を形成する
前に平坦化しておくことが望ましい。
層間絶縁膜39及び第1パッシベーション膜38にコンタクトホール(開孔)を開けた後
、形成された開孔部において電流制御用TFTのドレイン配線37に接続されるように形
成される。
いる。また、これに少量のガリウムを添加しても良い。さらに酸化インジウムと酸化亜鉛
との化合物や酸化亜鉛と酸化ガリウムの化合物を用いることもできる。
極ホールと呼ぶことにする。画素電極を形成したら、EL層を形成するためにEL材料が
成膜されるが、このとき電極ホール46において図1(B)に示すように薄膜領域47の
EL層の膜厚が薄くなる。膜厚が薄くなる程度は、電極ホールのテーパー角にもよるが、
成膜面のうち成膜方向に対して垂直でない部分は、成膜されにくく膜厚が薄くなる傾向が
ある。
、EL素子中の陰極と陽極が短絡して、この短絡部分に電流が集中して流れてしまう。こ
れによりEL層に電流が流れなくなってしまうのでEL素子が発光しなくなる。
分に埋めこむように有機樹脂膜を成膜し、これをパターニングすることで保護部41bを
形成させる。つまり、保護部41bは電極ホールを埋め込むように形成される。なお、画
素電極間の隙間にも有機樹脂膜を用いてこれを埋め込むように保護部(図示せず)を形成
させても良い。
ッチングを行うことにより図1(C)に示すような保護部41bを形成させる。
)のDaに示す部分)の厚さが0.1〜1μm、好ましくは0.1〜0.5μm、さらに
好ましくは0.1〜0.3μmとなるのがよい。
脂およびシロキサンの高分子化合物を含む樹脂といった材料を用いると良い。さらに、こ
れらの有機樹脂を用いる際には、粘度を10-3Pa・s〜10-1Pa・sとするとよい。
陰極43が形成される。なお、EL層42を形成するEL材料としては、低分子系有機E
L材料であっても高分子系有機EL材料であっても良い。
で、EL層42が切断された際に生じる画素電極40と陰極43間での短絡の問題を解決
することができる。
改善することができる。また、本発明においては、様々な方法及び形状で電極ホールを保
護部で埋め込む方法を示しているので、条件や用途に応じて成膜する事が可能であり、陰
極と陽極の間の短絡によるEL層の発光不良を防ぐことができる。
であるEL表示装置の画素部の断面図であり、図3(A)はその上面図、図3(B)はそ
の回路構成である。実際には画素がマトリクス状に複数配列されて画素部(画像表示部)
が形成される。なお、図3(A)をA−A’で切断した断面図が図2に相当する。従って
図2及び図3で共通の符号を用いているので、適宜両図面を参照すると良い。また、図3
の上面図では二つの画素を図示しているが、どちらも同じ構造である。
である。基板11としてはガラス、ガラスセラミックス、石英、シリコン、セラミックス
、金属若しくはプラスチックからなる基板を用いることができる。
効であるが、石英基板には設けなくても構わない。下地膜12としては、珪素(シリコン
)を含む絶縁膜を用いれば良い。なお、本明細書において「珪素を含む絶縁膜」とは、具
体的には酸化珪素膜、窒化珪素膜若しくは窒化酸化珪素膜(SiOxNyで示される)な
ど珪素、酸素若しくは窒素を所定の割合で含む絶縁膜を指す。
FTの劣化又はEL素子の劣化を防ぐためにも有効である。放熱効果を持たせるには公知
のあらゆる材料を用いることができる。
、nチャネル型TFTで形成され、202は電流制御用TFTであり、pチャネル型TF
Tで形成されている。
FTをpチャネル型TFTに限定する必要はなく、スイッチング用TFTをpチャネル型
TFT、電流制御用TFTをnチャネル型TFTにしたり、両方ともnチャネル型又pチ
ャネル型TFTを用いることも可能である。
a〜15d、高濃度不純物領域16及びチャネル形成領域17a、17bを含む活性層、ゲー
ト絶縁膜18、ゲート電極19a、19b、第1層間絶縁膜20、ソース配線21並びにド
レイン配線22を有して形成される。
9bよりも低抵抗な材料)で形成されたゲート配線211によって電気的に接続されたダ
ブルゲート構造となっている。勿論、ダブルゲート構造だけでなく、シングルゲートもし
くはトリプルゲート構造といったいわゆるマルチゲート構造(直列に接続された二つ以上
のチャネル形成領域を有する活性層を含む構造)であっても良い。マルチゲート構造はオ
フ電流値を低減する上で極めて有効であり、本発明では画素のスイッチング素子201を
マルチゲート構造とすることによりオフ電流値の低いスイッチング素子を実現している。
し、多結晶半導体膜や微結晶半導体膜でも良い。また、ゲート絶縁膜18は珪素を含む絶
縁膜で形成すれば良い。また、ゲート電極、ソース配線若しくはドレイン配線としてはあ
らゆる導電膜を用いることができる。
絶縁膜18を挟んでゲート電極19a、19bと重ならないように設ける。このような構造
はオフ電流値を低減する上で非常に効果的である。
一組成の半導体層からなり、ゲート電圧が印加されない領域)を設けることはオフ電流値
を下げる上でさらに好ましい。また、二つ以上のゲート電極を有するマルチゲート構造の
場合、チャネル形成領域の間に設けられた高濃度不純物領域がオフ電流値の低減に効果的
である。
成領域34を含む活性層、ゲート絶縁膜18、ゲート電極35、第1層間絶縁膜20、ソ
ース配線36並びにドレイン配線37を有して形成される。なお、ゲート電極35はシン
グルゲート構造となっているが、マルチゲート構造であっても良い。
トに接続されている。具体的には電流制御用TFT202のゲート電極35はスイッチン
グ用TFT201のドレイン領域14とドレイン配線(接続配線とも言える)22を介し
て電気的に接続されている。また、ソース配線36は電源供給線212に接続される。
あるが、EL素子の劣化を考慮するとあまり多くの電流を流すことは好ましくない。その
ため、電流制御用TFT202に過剰な電流が流れないように、チャネル長(L)は長め
に設計することが好ましい。望ましくは一画素あたり0.5〜2μA(好ましくは1〜1
.5μA)となるようにする。
.5μm、代表的には2.0〜2.5μmとすれば良い。
0で示される領域でゲート絶縁膜を介して活性層と同時に形成された半導体膜51と重な
る。このとき50で示される領域ではコンデンサが形成され、電流制御用TFT202の
ゲート電極35にかかる電圧を保持するための保持容量50として機能する。さらに保持
容量50はゲート電極となる配線36、第一層間絶縁膜(図示せず)及び電源供給線21
2で形成される容量も形成している。なお、電流制御用TFTのドレインは、電源供給線
212に接続され、常に一定の電圧が加えられている。
性層(特にチャネル形成領域)の膜厚を厚くする(好ましくは50〜100nm、さらに
好ましくは60〜80nm)ことも有効である。逆に、スイッチング用TFT201の場
合はオフ電流値を小さくするという観点から見れば、活性層(特にチャネル形成領域)の
膜厚を薄くする(好ましくは20〜50nm、さらに好ましくは25〜40nm)ことも
有効である。
00〜500nm)とすれば良い。材料としては、珪素を含む絶縁膜(特に窒化酸化珪素
膜又は窒化珪素膜が好ましい)を用いることができる。
坦化膜と言っても良い)39を形成し、TFTによってできる段差の平坦化を行う。第2
層間絶縁膜39としては、有機樹脂を材料とする有機樹脂膜が好ましく、アクリル樹脂、
ポリイミド、ポリアミドおよびシロキサンの高分子化合物を含む樹脂といった材料を用い
ると良い。勿論、十分な平坦化が可能であれば、無機材料からなる膜を用いても良い。
後に形成されるEL層は非常に薄いため、段差が存在することによって発光不良を起こす
場合がある。従って、EL層をできるだけ平坦面に形成しうるように画素電極を形成する
前に平坦化しておくことが望ましい。
層間絶縁膜39及び第1パッシベーション膜38にコンタクトホール(開孔)を開けた後
、形成された開孔部において電流制御用TFT202のドレイン配線37に接続されるよ
うに形成される。
用いる。また、これに少量のガリウムを添加しても良い。さらに酸化インジウムと酸化亜
鉛との化合物を用いることもできる。
る有機樹脂膜をスピンコート法で成膜する。なお、ここでは、有機樹脂膜としては、アク
リル樹脂を用いている。
りうる絶縁体を用いても良い。なお、絶縁体としては、酸化珪素や窒化酸化珪素及び窒化
珪素といった珪素を含む無機材料を用いても良い。
ことにより図2に示す保護部41a、41bを形成する。
をさす。また、保護部41aは、画素電極の隙間に設けられている。画素電極の隙間とは
、複数の画素電極が形成されている画素部において、画素電極が形成されていない部分、
例えば、画素電極と画素電極の間の部分等をさす。これは、保護部を形成するためにエッ
チングを行う際に、画素電極間において、第二層間絶縁膜を形成する材料が保護部を形成
する材料であると第二層間絶縁膜も同時にエッチングされてしまう可能性があるためであ
る。
分の厚さが0.1〜1μm、好ましくは0.1〜0.5μm、さらに好ましくは0.1〜
0.3μmとなるのがよい。
たが、ポリイミド、ポリアミド、およびシクロテンのようにシロキサンの高分子化合物を
含む樹脂を材料として用いても良い。さらに、これらの有機樹脂を用いる際には、粘度を
10-3Pa・s〜10-1Pa・sとするとよい。
L層42が切断された際に生じる画素電極40(陽極)と陰極43間での短絡の問題を解
決することができる。
図4(A)は、画素電極40上に有機樹脂膜を成膜した後パターニングにより保護部41
bを形成させたものである。Daは、有機樹脂膜の膜厚であるが、この膜厚が薄くなると
図4(A)の保護部41bのように上部に窪みが生じる。
機樹脂膜の膜厚が極端に薄くなると電極ホールを完全に埋め込むことができなくなり、保
護部としての役割が果たせなくなることも考えられる。
る方法として、図4(B)に示すように有機樹脂膜をDbの膜厚で成膜した後、パターニ
ングによって保護部41bを形成させ、さらに全面をエッチングして膜厚をDaとする。
これにより、図4(C)に示すように上部が平坦化され、かつ適度な膜厚の保護部41b
を形成させることができる。
グの際に表面に露出している画素電極もエッチングの環境に曝されてしまう。そこで、こ
の点を考慮した作製方法を図5を用いて示す。
れを全面エッチングにより膜厚Daとする。さらにこれをパターニングすることにより保
護部41bを形成させる。
グして形成させても良いし、図4(B)に示すようにパターニング後に全面エッチングを
行い形成させても良い。さらに、図5(A)に示すように全面エッチングを行ってからパ
ターニングを行い形成させても良い。
b>Raなる関係にある。なお、図4または図5を用いて説明した保護部41bは、図5
(C)で示す構造になる。つまり、図5(C)の41bの実線は、保護部41bの外形に
一致し、図5(C)の41bの破線は、電極ホール46の内径に一致している。
のをスピンコート法により成膜し、EL層を形成する方法を示す。なお、ここではEL層
を形成する有機EL材料として、高分子系有機EL材料を用いる場合を例にとって説明す
るが、低分子系有機EL材料を用いることも可能である。
ポリビニルカルバゾール(PVK)系、ポリフルオレン系などが挙げられる。
子式が発表されている。
(「H. Shenk,H.Becker,O.Gelsen,E.Kluge,W.Kreuder,and H.Spreitzer,“Polymers for
Light Emitting Diodes”,Euro Display,Proceedings,1999,p.33-37」)
ることもできる。分子式は以下のようになる。
ノマーの状態で溶媒に溶かして塗布した後に重合することもできる。モノマーの状態で塗
布した場合、まずポリマー前駆体が形成され、真空中で加熱することにより重合してポリ
マーになる。
緑色に発光するEL層にはポリフェニレンビニレン、青色に発光するEL層にはポリフェ
ニレンビニレン若しくはポリアルキルフェニレンを用いれば良い。膜厚は30〜150n
m(好ましくは40〜100nm)とすれば良い。
て、これに限定する必要はない。
ンゼン、ジクロロベンゼン、アニソール、クロロフォルム、ジクロロメタン、γブチルラ
クトン、ブチルセルソルブ、シクロヘキサン、NMP(N−メチル−2−ピロリドン)、
シクロヘキサノン、ジオキサンまたは、THF(テトラヒドロフラン)といった溶媒が挙
げられる。
しまうため、処理雰囲気は水分や酸素の少ない雰囲気とし、窒素やアルゴンといった不活
性ガス中で行うことが望ましい。さらに処理雰囲気としては、EL材料を溶解させた溶媒
の蒸発速度を制御できることから、用いた溶媒雰囲気にするのも良い。なお、これらを実
施するためには、図1の薄膜形成装置を、不活性ガスを充填したクリーンブースに設置し
、その雰囲気中で発光層の成膜工程を行うことが望ましい。
クジェット法等を用いても良い。
ことも可能である。なお、低分子系有機EL材料としては、公知の材料を用いることがで
きる。
電極44及び第2パッシベーション膜45が形成される。本実施形態では陰極43として
、MgAgからなる導電膜を用い、保護電極44としてアルミニウムからなる導電膜を用
いる。また、第2パッシベーション膜45としては、10nm〜1μm(好ましくは20
0〜500nm)の厚さの窒化珪素膜を用いる。
はなるべく低温(好ましくは室温から120℃までの温度範囲)で成膜するのが望ましい
。従って、プラズマCVD法、真空蒸着法又は溶液塗布法(スピンコート法)が望ましい
成膜方法と言える。
に対向して、対向基板(図示せず)が設けられる。本実施形態では対向基板としてガラス
基板を用いる。なお、対向基板としては、プラスチックやセラミックスからなる基板を用
いても良い。
、密閉空間(図示せず)が形成される。本実施形態では、密閉空間をアルゴンガスで充填
している。勿論、この密閉空間内に酸化バリウムといった乾燥剤を配置したり、酸化防止
剤を配置することも可能である。
すい金属や、吸湿性の金属を成膜しておくと酸素を捕捉する機能や吸湿機能を設けること
ができる。なお、対向基板上に感光性アクリル樹脂のような有機樹脂で凹凸を付けた後に
これらの金属を成膜すると、表面積を大きくすることができるので、より効果的である。
製する方法について図6〜図8を用いて説明する。但し、説明を簡単にするために、駆動
回路に関しては基本回路であるCMOS回路を図示することとする。
さに形成する。本実施例では下地膜301として100nm厚の窒化酸化珪素膜と200
nmの窒化酸化珪素膜とを積層して用いる。この時、ガラス基板300に接する方の窒素
濃度を10〜25wt%としておくと良い。もちろん下地膜を設けずに石英基板上に直接
素子を形成しても良い。
で形成する。なお、非晶質珪素膜に限定する必要はなく、非晶質構造を含む半導体膜(微
結晶半導体膜を含む)であれば良い。さらに非晶質シリコンゲルマニウム膜などの非晶質
構造を含む化合物半導体膜でも良い。また、膜厚は20〜100nmの厚さであれば良い
。
若しくはポリシリコン膜ともいう)302を形成する。公知の結晶化方法としては、電熱
炉を使用した熱結晶化方法、レーザー光を用いたレーザーアニール結晶化法、赤外光を用
いたランプアニール結晶化法がある。本実施例では、XeClガスを用いたエキシマレー
ザー光を用いて結晶化する。
形であっても良いし、連続発振型のアルゴンレーザー光や連続発振型のエキシマレーザー
光を用いることもできる。
とも可能である。また、オフ電流を低減する必要のあるスイッチング用TFTの活性層を
非晶質珪素膜で形成し、電流制御用TFTの活性層を結晶質珪素膜で形成することも可能
である。非晶質珪素膜はキャリア移動度が低いため電流を流しにくくオフ電流が流れにく
い。即ち、電流を流しにくい非晶質珪素膜と電流を流しやすい結晶質珪素膜の両者の利点
を生かすことができる。
03を130nmの厚さに形成する。この厚さは100〜200nm(好ましくは130
〜170nm)の範囲で選べば良い。また、珪素を含む絶縁膜であれば他の膜でも良い。
この保護膜303は不純物を添加する際に結晶質珪素膜が直接プラズマに曝されないよう
にするためと、微妙な濃度制御を可能にするために設ける。
型を付与する不純物元素(以下、n型不純物元素という)を添加する。
なお、n型不純物元素としては、代表的には15族に属する元素、典型的にはリン又は砒
素を用いることができる。なお、本実施例ではホスフィン(PH3)を質量分離しないで
プラズマ励起したプラズマ(イオン)ドーピング法を用い、リンを1×1018atoms/cm3
の濃度で添加する。勿論、質量分離を行うイオンインプランテーション法を用いても良い
。
5×1019atoms/cm3(代表的には5×1017〜5×1018atoms/cm3)
の濃度で含まれるようにドーズ量を調節する。
去し、添加した15族に属する元素の活性化を行う。活性化手段は公知の技術を用いれば
良いが、本実施例ではエキシマレーザー光の照射により活性化する。勿論、パルス発振型
でも連続発振型でも良いし、エキシマレーザー光に限定する必要はない。但し、添加され
た不純物元素の活性化が目的であるので、結晶質珪素膜が溶融しない程度のエネルギーで
照射することが好ましい。なお、保護膜303をつけたままレーザー光を照射しても良い
。
しても構わない。熱処理による活性化を行う場合は、基板の耐熱性を考慮して450〜5
50℃程度の熱処理を行えば良い。
存在するn型不純物元素を添加していない領域との境界部(接合部)が明確になる。この
ことは、後にTFTが完成した時点において、LDD領域とチャネル形成領域とが非常に
良好な接合部を形成しうることを意味する。
膜(以下、活性層という)306〜309を形成する。
形成する。ゲート絶縁膜310としては、10〜200nm、好ましくは50〜150n
mの厚さの珪素を含む絶縁膜を用いれば良い。これは単層構造でも積層構造でも良い。本
実施例では110nm厚の窒化酸化珪素膜を用いる。
315を形成する。このゲート電極311〜315の端部をテーパー状にすることもでき
る。なお、本実施例ではゲート電極と、ゲート電極に電気的に接続された引き回しのため
の配線(以下、ゲート配線という)とを別の材料で形成する。具体的にはゲート電極より
も低抵抗な材料をゲート配線として用いる。
これは、ゲート電極としては微細加工が可能な材料を用い、ゲート配線には微細加工はで
きなくとも配線抵抗が小さい材料を用いるためである。勿論、ゲート電極とゲート配線と
を同一材料で形成しても構わない。
た積層膜とすることが好ましい。ゲート電極の材料としては公知のあらゆる導電膜を用い
ることができる。ただし、上述のように微細加工が可能、具体的には2μm以下の線幅に
パターニング可能な材料が好ましい。
(W)、クロム(Cr)、シリコン(Si)から選ばれた元素からなる膜、または前記元
素の窒化物膜(代表的には窒化タンタル膜、窒化タングステン膜、窒化チタン膜)、また
は前記元素を組み合わせた合金膜(代表的にはMo−W合金、Mo−Ta合金)、または
前記元素のシリサイド膜(代表的にはタングステンシリサイド膜、チタンシリサイド膜)
を用いることができる。勿論、単層で用いても積層して用いても良い。
Ta)膜とからなる積層膜を用いる。これはスパッタ法で形成すれば良い。また、スパッ
タガスとしてXe、Ne等の不活性ガスを添加すると応力による膜はがれを防止すること
ができる。
挟んで重なるように形成する。この重なった部分が後にゲート電極と重なったLDD領域
となる。なお、ゲート電極313,314は、断面では、二つに見えるが実際には電気的
に接続されている。
にn型不純物元素(本実施例ではリン)を添加する。こうして形成される不純物領域31
6〜323にはn型不純物領域305の1/2〜1/10(代表的には1/3〜1/4)
の濃度でリンが添加されるように調節する。具体的には、1×1016〜5×1018atoms/
cm3(典型的には3×1017〜3×1018atoms/cm3)の濃度が好ましい。
24dを形成し、n型不純物元素(本実施例ではリン)を添加して高濃度にリンを含む不
純物領域325〜329を形成する。ここでもホスフィン(PH3)を用いたイオンドー
プ法で行い、この領域のリンの濃度は1×1020〜1×1021atoms/cm3(代表的には2
×1020〜5×1021atoms/cm3)となるように調節する。
スイッチング用TFTでは、図7(A)の工程で形成したn型不純物領域319〜321
の一部を残す。この残された領域が、図2におけるスイッチング用TFT201のLDD
領域15a〜15dに対応する。
レジストマスク332を形成する。そして、p型不純物元素(本実施例ではボロン)を添
加し、高濃度にボロンを含む不純物領域333〜336を形成する。ここではジボラン(
B2H6)を用いたイオンドープ法により3×1020〜3×1021atoms/cm3(代表的には
5×1020〜1×1021atoms/cm3ノ)濃度となるようにボロンを添加する。
リンが添加されているが、ここで添加されるボロンはその少なくとも3倍以上の濃度で添
加される。そのため、予め形成されていたn型の不純物領域は完全にp型に反転し、p型
の不純物領域として機能する。
型不純物元素を活性化する。活性化手段としては、ファーネスアニール法、レーザーアニ
ール法、及びランプアニール法で行うことができる。本実施例では電熱炉において窒素雰
囲気中、550℃、4時間の熱処理を行う。
存在していると露呈したゲート電極の表面が酸化され、抵抗の増加を招くと共に後にオー
ミックコンタクトを取りにくくなるからである。従って、上記活性化工程における処理雰
囲気中の酸素濃度は1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下とすることが望ましい。
7を形成する。ゲート配線337の材料としては、アルミニウム(Al)又は銅(Cu)
を主成分(組成として50〜100%を占める。)とする金属を用いれば良い。配置とし
ては図3のようにゲート配線211とスイッチング用TFTのゲート電極19a、19b(
図6(E)の313、314)が電気的に接続するように形成する。
め、面積の大きい画像表示領域(画素部)を形成することができる。即ち、画面の大きさ
が対角10インチ以上(さらには30インチ以上)のEL表示装置を実現する上で、本実
施例の画素構造は極めて有効である。
38としては、珪素を含む絶縁膜を単層で用いるか、2種類以上の珪素を含む絶縁膜を組
み合わせた積層膜を用いれば良い。また、膜厚は400nm〜1.5μmとすれば良い。
本実施例では、200nm厚の窒化酸化珪素膜の上に800nm厚の酸化珪素膜を積層し
た構造とする。
処理を行い、水素化処理をする。この工程は熱的に励起された水素により半導体膜の不対
結合手を水素終端する工程である。水素化の他の手段として、プラズマ水素化(プラズマ
化して生成された水素を用いる)を行っても良い。
nm厚の窒化酸化珪素膜を形成した後で上記のように水素化処理を行い、その後で残り8
00nm厚の酸化珪素膜を形成してもよい。
し、ソース配線339〜342と、ドレイン配線343〜345を形成する。なお、本実
施例ではこれらの電極を、Ti膜を100nm、Tiを含むアルミニウム膜を300nm
、Ti膜150nmをスパッタ法で連続形成した3層構造の積層膜とする。勿論、他の導
電膜でも良い。
ョン膜346を形成する。本実施例では第1パッシベーション膜346として300nm
厚の窒化酸化珪素膜を用いる。これは窒化珪素膜で代用しても良い。
処理を行うことは有効である。この前処理により励起された水素が第1層間絶縁膜338
に供給され、熱処理を行うことで、第1パッシベーション膜346の膜質が改善される。
それと同時に、第1層間絶縁膜338に添加された水素が下層側に拡散するため、効果的
に活性層を水素化することができる。
機樹脂としてはポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂、シロキサンの高分子化合物を材
料として使用することができる。特に、第2層間絶縁膜347は平坦化の意味合いが強い
ので、平坦性に優れたアクリル樹脂が好ましい。本実施例ではTFTによって形成される
段差を十分に平坦化しうる膜厚でアクリル樹脂膜を形成する。好ましくは1〜5μm(さ
らに好ましくは2〜4μm)とすれば良い。
ールを形成し、ドレイン配線345と電気的に接続される画素電極348を形成する。本
実施例では酸化インジウム・スズ(ITO)膜を110nmの厚さに形成し、パターニン
グを行って画素電極とする。また、酸化インジウムに2〜20%の酸化亜鉛(ZnO)を
混合した透明導電膜を用いても良い。この画素電極がEL素子の陽極となる。
する。保護部349a及び349bは1〜2μm厚のアクリル樹脂膜やポリイミド膜とい
った樹脂膜をパターニングして形成すれば良い。この保護部349a及び349bは図3
に示したように、画素電極と画素電極との隙間及び電極ホールに形成される。
ロフォルム、ジクロロメタン、キシレン、トルエン、テトラヒドロフラン、N−メチルピ
ロリドンといった溶媒に溶かしてスピンコーティング法で塗布し、その後、熱処理を行う
ことにより溶媒を揮発させる。こうして有機EL材料からなる被膜(EL層)が形成され
る。
ートで1〜5分の熱処理を行って揮発させる。
電圧を考慮すると有機材料を用いるのが好ましい。なお、本実施例ではEL層350は単
層構造とするが、必要に応じて電子注入層、電子輸送層、正孔輸送層、正孔注入層、電子
阻止層もしくは正孔素子層を設けて積層構造としても良い。また、本実施例ではEL素子
の陰極351としてMgAg電極を用いた例を示すが、公知の他の材料であっても良い。
お、EL層350の膜厚は80〜200nm(典型的には100〜120nm)、陰極3
51の厚さは180〜300nm(典型的には200〜250nm)とすれば良い。
ニウムを主成分とする導電膜を用いれば良い。保護電極352は、マスクを用いて真空蒸
着法で形成すれば良い。
する。実際には保護電極352がEL層を水分等から保護する役割を果たすが、さらに第
2パッシベーション膜353を形成しておくことで、EL素子の信頼性をさらに高めるこ
とができる。
域355、ドレイン領域356、LDD領域357及びチャネル形成領域358を含み、
LDD領域357はゲート絶縁膜310を挟んでゲート電極312と重なっている。
慮である。また、このnチャネル型TFT205はオフ電流値をあまり気にする必要はな
く、それよりも動作速度を重視した方が良い。従って、LDD領域357は完全にゲート
電極に重ねてしまい、極力抵抗成分を少なくすることが望ましい。即ち、いわゆるオフセ
ットはなくした方がよい。
最適な構造のTFTを配置することにより、非常に高い信頼性を示し、動作特性も向上し
うる。
TFTを、駆動回路部を形成するCMOS回路のnチャネル型TFT205として用いる
。なお、ここでいう駆動回路としては、シフトレジスタ、バッファ、レベルシフタ、サン
プリング回路(サンプル及びホールド回路)などが含まれる。デジタル駆動を行う場合に
は、D/Aコンバータなどの信号変換回路も含まれうる。
ル形成領域を双方向に大電流が流れる。即ち、ソース領域とドレイン領域の役割が入れ替
わるのである。さらに、オフ電流値を極力低く抑える必要があり、そういった意味でスイ
ッチング用TFTと電流制御用TFTの中間程度の機能を有するTFTを配置することが
望ましい。
TFTを配置することが望ましい。図9に示すように、LDD領域901a、901bの一
部がゲート絶縁膜902を介してゲート電極903と重なる。
この効果は電流を流した際に生じるホットキャリア注入に対する劣化対策であり、サンプ
リング回路の場合はチャネル形成領域904を挟む形で両側に設ける点が異なる。
いガラス、石英、プラスチックといったカバー材でパッケージング(封入)することが好
ましい。その際、カバー材の内部に内部に酸化バリウムといった吸湿剤や酸化防止剤を配
置するとよい。
回路から引き回された端子と外部信号端子とを接続するためのコネクター(フレキシブル
プリントサーキット:FPC)を取り付けて製品として完成する。このような出荷できる
状態にまでした状態を本明細書中ではEL表示装置(またはELモジュール)という。
て説明する。本実施例のアクティブマトリクス型EL表示装置は、ガラス基板601上に
形成された、画素部602と、ゲート側駆動回路603と、ソース側駆動回路604を含
む。画素部のスイッチング用TFT605はnチャネル型TFTであり、ゲート側駆動回
路603に接続されたゲート配線606、ソース側駆動回路604に接続されたソース配
線607の交点に配置されている。
また、スイッチング用TFT605のドレインは電流制御用TFT608のゲートに接続
されている。
例のような構造では、電源供給線609には接地電位(アース電位)が与えられている。
また、電流制御用TFT608のドレインにはEL素子610が接続されている。また、
このEL素子610の陽極には所定の電圧(3〜12V、好ましくは3〜5V)が加えら
れる。
接続配線612、613、及び電源供給線609に接続された接続配線614が設けられ
ている。
表示装置は、ソース側駆動回路801、ゲート側駆動回路(A)807、ゲート側駆動回
路(B)811、画素部806を有している。なお、本明細書中において、駆動回路部と
はソース側駆動回路およびゲート側駆動回路を含めた総称である。
04、サンプリング回路(サンプル及びホールド回路)805を備えている。また、ゲー
ト側駆動回路(A)807は、シフトレジスタ808、レベルシフタ809、バッファ8
10を備えている。ゲート側駆動回路(B)811も同様な構成である。
あり、回路を形成するCMOS回路に使われるnチャネル型TFTは図8(C)の205
で示される構造が適している。
に、図8(C)のnチャネル型TFT205を含むCMOS回路が適している。なお、ゲ
ート配線をダブルゲート構造、トリプルゲート構造といったマルチゲート構造とすること
は、各回路の信頼性を向上させる上で有効である。
を低減する必要があるので、図9のnチャネル型TFT208を含むCMOS回路が適し
ている。
容易に実現することができる。また、本実施例では画素部と駆動回路部の構成のみ示して
いるが、本実施例の作製工程に従えば、その他にも信号分割回路、D/Aコンバータ回路
、オペアンプ回路、γ補正回路など駆動回路以外の論理回路を同一基板上に形成すること
が可能であり、さらにはメモリ部やマイクロプロセッサ等を形成しうると考えている。
、(B)を用いて説明する。なお、必要に応じて図10、図11で用いた符号を引用する
ことにする。
る。点線で示された602は画素部、603はゲート側駆動回路、604はソース側駆動
回路である。本発明のシーリング構造は、図10の状態に対して充填材(図示せず)、カ
バー材1101、シール材(図示せず)及びフレーム材1102を設けた構造である。
2(A)、(B)では同一の部位に同一の符号を用いている。
が形成されており、画素部602は電流制御用TFT202とそれに電気的に接続された
画素電極348を含む複数の画素により形成される。また、ゲート側駆動回路603はn
チャネル型TFT205とpチャネル型TFT206とを相補的に組み合わせたCMOS
回路を用いて形成される。
護膜349aが形成され、保護膜349aの上にEL層350、陰極351が形成される
。また、その上には保護電極352、第2パッシベーション膜353が形成される。勿論
、上述したようにEL素子の構造を反対とし、画素電極を陰極としても構わない。
2を経由してFPC611に電気的に接続されている。さらに、画素部602及びゲート
側駆動回路603に含まれる素子は全て第2パッシベーション膜353で覆われている。
この第2パッシベーション膜353は省略することも可能であるが、各素子を外部と遮断
する上で設けた方が好ましい。
ー材1101を接着するための接着剤としても機能する。充填材1103としては、PV
C(ポリビニルクロライド)、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、PVB(ポリビニルブチラ
ル)またはEVA(エチレンビニルアセテート)を用いることができる。この充填材11
03の内部に乾燥剤(図示せず)を設けておくと、吸湿効果を保ち続けられるので好まし
い。このとき、乾燥剤は充填材に添加されたものであっても良いし、充填材に封入された
ものであっても良い。
ックスからなる材料を用いることができる。なお、充填材1103の内部に予め酸化バリ
ウム等の乾燥剤を添加しておくことは有効である。
(露呈面)を覆うようにフレーム材1102を取り付ける。フレーム材1102はシール
材(接着剤として機能する)1104によって接着される。このとき、シール材1104
としては、光硬化性樹脂を用いるのが好ましいが、EL層の耐熱性が許せば熱硬化性樹脂
を用いても良い。なお、シール材1104はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であ
ることが望ましい。また、シール材1104の内部に乾燥剤を添加してあっても良い。
を外部から完全に遮断することができ、外部から水分や酸素等のEL層の酸化による劣化
を促す物質が侵入することを防ぐことができる。従って、信頼性の高いEL表示装置を作
製することができる。
ニングを行い、電極ホールおよび画素電極間の隙間に有機樹脂で埋め込んだ保護部を形成
した後、EL層を形成する作製方法を示したが、露光工程が入るためにスループットが悪
いので本実施例では、画素電極上に有機樹脂を全面塗布した後、パターニングを行わずに
エッチバック法を用いて平坦化を行い、電極ホール及び画素電極間の隙間に埋め込まれた
有機樹脂以外をエッチングする方法を示す。
される電流制御用TFTである。電流制御用TFTは、基板1011上に下地膜1012
が形成された後、ソース領域1031、ドレイン領域1032及びチャネル形成領域10
34を含む活性層、ゲート絶縁膜1018、ゲート電極1035、第1層間絶縁膜102
0、ソース配線1036並びにドレイン配線1037を有して形成される。なお、ゲート
電極1035はシングルゲート構造となっているが、マルチゲート構造であっても良い。
は200〜500nm)とすれば良い。材料としては、珪素を含む絶縁膜(特に窒化酸化
珪素膜又は窒化珪素膜が好ましい)を用いることができる。
(平坦化膜と言っても良い)1039を形成し、TFTによってできる段差の平坦化を行
う。第2層間絶縁膜1039としては、有機樹脂膜が好ましく、ポリイミド、ポリアミド
、アクリル樹脂、シロキサンの高分子化合物を含む樹脂を材料として用いると良い。勿論
、十分な平坦化が可能であれば、無機膜を用いても良い。
る。後に形成されるEL層は非常に薄いため、段差が存在することによって発光不良を起
こす場合がある。従って、EL層をできるだけ平坦面に形成しうるように画素電極を形成
する前に平坦化しておくことが望ましい。
であり、第2層間絶縁膜1039及び第1パッシベーション膜1038にコンタクトホー
ル(開孔)を開けた後、形成された開孔部において電流制御用TFTのドレイン配線10
37に接続されるように形成される。
用いる。また、これに少量のガリウムを添加しても良い。さらに酸化インジウムと酸化亜
鉛との化合物を用いることもできる。
しては、ポリアミド、ポリイミド、アクリル樹脂およびシロキサンの高分子化合物を含む
樹脂といった材料があり、これらを使っても良いが、ここでは、アクリル樹脂であるアク
リル酸エステル樹脂、アクリル酸樹脂、メタクリル酸エステル樹脂、メタクリル酸樹脂と
いった樹脂を用いている。
なお、シロキサンの高分子化合物を含む樹脂としては、シクロテンがある。
縁膜となりうる絶縁体を用いても良い。
いると良い。
は0.2〜0.6μmとするのがよい。
となるところでエッチングを終了させると、電極ホールに埋め込まれたアクリル樹脂が残
り、保護部1041bが形成される。
にエッチングすべき有機樹脂材料に合わせたエッチングガスを導入した後、電極に高周波
電圧を印加してプラズマを発生させ、プラズマ雰囲気でエッチングガスを分解させる。
荷電粒子と中性活性種がバラバラの状態で存在している。なお、これらのエッチング種が
、被エッチング材料に吸着されると表面化学反応が生じてエッチング生成物が生成し、こ
のエッチング生成物が除去されると、エッチングがなされる。
ガスとして酸素を主成分とするガスを用いることが望ましい。
フッ化炭素(CF4)からなるエッチングガスを用いている。また、その他の材料として
、六フッ化二炭素(C2F6)といったフッ化炭素系のガスを用いても良い。
になることが望ましい。
これを全面エッチングして、図13(B)に示すように電極ホール1046に保護部10
41bが形成されるように矢印の方向にエッチングさせる。なお、ここで形成された保護
部1041bの露呈面及び画素電極1040の露呈面は、図13(B)に示すように同一
面内にある。
1bを除く画素電極1040上の有機樹脂膜がちょうど除去されたところでエッチングが
終了するようにする。これにより、画素電極1040の上面と保護部1041bの上面が
同一の平坦面になる。
るとよい。
ためにEL材料を溶媒に溶解させたものがスピンコート法により成膜される。
る。
、EL層1042が切断された際に生じる画素電極1040と陰極1043間での短絡の
問題を解決することができる。
046と同一の形状である場合の上面図を図13(D)に示す。
ついて説明したが、エッチバック法では、保護膜の膜の種類によっては適さないことや平
坦化できる領域が数μmから数10μmであるといった制限があるので、化学的機械研磨
(CMP:Chemical Mechanical Polishing)を用いて保護部を形成することも可能である
。そこで、本実施例も図13を用いて説明する。
c(>0)の膜厚に成膜した後、有機樹脂膜1041に対して対向する定盤上に張られた
研磨パッドに一定圧力で押しつけ、基板及び定盤をそれぞれ回転させながら研磨材(スラ
リー)を流し、Dc=0になるまで研磨する、いわゆるCMPを用いて保護部1041b
を形成させる。
に分散させたものであり、被研磨膜により異なるスラリーを用いるとよい。
iO2)やセリア系スラリー(CeO2)およびフュームドシリカ系スラリー(SiCl4
)といったスラリーを用いるのが好ましい。しかし、スラリーとしては、このほかにもア
ルミナ系スラリー(Al2O3)やゼオライト系スラリーがありこれらを用いても良い。
に影響するのでpH値を最適化することで調整する必要がある。
ぎた場合には、画素電極まで研磨してしまうことになる。そこで、加工速度が極端に遅い
膜を形成してCMPのストッパーとしたり、予め実験によって、加工時間と加工速度の関
係を明らかにしておき、ある一定の加工時間がきたところで、CMPを終了する手法を取
ることで必要以上の研磨を防ぐことができる。
41bを形成させることができる。
る。
ついて図14を用いて説明する。図14において、1301はプラスチックからなる基板
、1306は透明導電膜からなる陽極である。なお、基板1301は、ガラス、石英とい
った材料でできていても良い。
形成する。なお、図14では図示されていないが、複数本の陽極が紙面に垂直な方向へス
トライプ状に配列されている。
03が形成される。保護部1303は陽極1302に沿って紙面に垂直な方向に形成され
ている。なお、本実施例における保護部1303の形成には、実施例1〜3に示した方法
により同様の材料を用いて形成すればよい。
料は実施例1と同様のものを用いれば良い。これらのEL層は保護膜1302によって形
成された溝に沿って形成されるため、紙面に垂直な方向にストライプ状に配列される。
向が長手方向となり、且つ、陽極1302と直交するようにストライプ状に配列されてい
る。なお、本実施例では、陰極1305は、MgAgからなり、保護電極1306はアル
ミニウム合金膜からなり、それぞれ蒸着法により形成される。また、図示されないが保護
電極1306は所定の電圧が加えられるように、後にFPCが取り付けられる部分まで配
線が引き出されている。
として窒化珪素膜を設けても良い。
極が透光性の陽極となっているため、EL層1304a〜1304cで発生した光は下面(
基板1301)に放射される。しかしながら、EL素子の構造を反対にし、下側の電極を
遮光性の陰極とすることもできる。その場合、EL層で発生した光は上面(基板1301
とは反対側)に放射されることになる。
性で良いのでセラミックス基板を用いたが、勿論、前述のようにEL素子の構造を反対に
した場合、カバー材は透光性のほうが良いので、プラスチックやガラスからなる基板を用
いるとよい。
加した充填材1308によりカバー材1307を貼り合わせる。その後、紫外線硬化樹脂
からなるシール材1309を用いてフレーム材1310を取り付ける。本実施例ではフレ
ーム材1310としてステンレス材を用いる。最後に異方導電性フィルム1311を介し
てFPC1312を取り付けてパッシブ型のEL表示装置が完成する。
実施することが可能である。
シリコン基板(シリコンウェハー)を用いることは有効である。基板としてシリコン基板
を用いた場合、画素部に形成するスイッチング素子や電流制御用素子または駆動回路部に
形成する駆動用素子を、従来のICやLSIなどに用いられているMOSFETの作製技
術を用いて作製することができる。
ることが可能であり、特に電流値で階調表現を行うアナログ駆動のアクティブマトリクス
型EL表示装置には有効である。
るような構造とする必要がある。本実施例のEL表示装置は構造的には図12と似ている
が、画素部602、駆動回路部603を形成するTFTの代わりにMOSFETを用いる
点で異なる。
実施することが可能である。
て明るい場所での視認性に優れ、しかも視野角が広い。従って、様々な電気器具の表示部
として用いることができる。例えば、TV放送等を大画面で鑑賞するには対角30インチ
以上(典型的には40インチ以上)のELディスプレイ(EL表示装置を筐体に組み込ん
だディスプレイ)の表示部として本発明のEL表示装置を用いるとよい。
、広告表示用ディスプレイ等の全ての情報表示用ディスプレイが含まれる。また、その他
にも様々な電気器具の表示部として本発明のEL表示装置を用いることができる。
スプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カ
ーオーディオ、オーディオコンポ等)、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、
携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等)、
記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはデジタルビデオディスク(DVD)等の記録
媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置)などが挙げられる。特
に、斜め方向から見ることの多い携帯情報端末は視野角の広さが重要視されるため、EL
表示装置を用いることが望ましい。それら電気器具の具体例を図15、図16に示す。
03等を含む。本発明は表示部2003に用いることができる。ELディスプレイは自発
光型であるためバックライトが必要なく、液晶ディスプレイよりも薄い表示部とすること
ができる。
03、操作スイッチ2104、バッテリー2105、受像部2106等を含む。本発明の
EL表示装置は表示部2102に用いることができる。
01、信号ケーブル2202、頭部固定バンド2203、表示部2204、光学系220
5、EL表示装置2206等を含む。本発明はEL表示装置2206に用いることができ
る。
であり、本体2301、記録媒体(DVD等)2302、操作スイッチ2303、表示部
(a)2304、表示部(b)2305等を含む。表示部(a)は主として画像情報を表
示し、表示部(b)は主として文字情報を表示するが、本発明のEL表示装置はこれら表
示部(a)、(b)に用いることができる。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家
庭用ゲーム機器なども含まれる。
02、受像部2403、操作スイッチ2404、表示部2405等を含む。本発明のEL
表示装置は表示部2405に用いることができる。
2503、キーボード2504等を含む。本発明のEL表示装置は表示部2503に用い
ることができる。
等で拡大投影してフロント型若しくはリア型のプロジェクターに用いることも可能となる
。
線を通じて配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情報を表示する機会が増
してきている。EL材料の応答速度は非常に高いため、EL表示装置は動画表示に好まし
いが、画素間の輪郭がぼやけてしまっては動画全体もぼけてしまう。従って、画素間の輪
郭を明瞭にするという本発明のEL表示装置を電子装置の表示部として用いることは極め
て有効である。
なるように情報を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特に携帯電話や音響
再生装置のような文字情報を主とする表示部にEL表示装置を用いる場合には、非発光部
分を背景として文字情報を発光部分で形成するように駆動することが望ましい。
部2603、表示部2604、操作スイッチ2605、アンテナ2606を含む。本発明
のEL表示装置は表示部2604に用いることができる。なお、表示部2604は黒色の
背景に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を抑えることができる。
、表示部2702、操作スイッチ2703、2704を含む。本発明のEL表示装置は表
示部2702に用いることができる。また、本実施例では車載用オーディオを示すが、携
帯型や家庭用の音響再生装置に用いても良い。なお、表示部2704は黒色の背景に白色
の文字を表示することで消費電力を抑えられる。これは携帯型の音響再生装置において特
に有効である。
可能である。また、本実施例の電気器具は実施例1〜5に示したいずれの構成のEL表示
装置を用いても良い。
るEL材料を用いることも可能である。燐光を発光に利用できるEL材料を用いた発光装
置は、外部発光量子効率を飛躍的に向上させることができる。
これにより、EL素子の低消費電力化、長寿命化、および軽量化が可能になる。
(T.Tsutsui, C.Adachi, S.Saito, Photochemical Processes in Organized Molecular S
ystems, ed.K.Honda, (Elsevier Sci.Pub., Tokyo,1991) p.437.)
est, Nature 395 (1998) p.151.)
t.,75 (1999) p.4.) (T.Tsutsui, M.-J.Yang, M.Yahiro, K.Nakamura, T.Watanabe, T.ts
uji, Y.Fukuda, T.Wakimoto, S.Mayaguchi, Jpn.Appl.Phys., 38 (12B) (1999) L1502.)
の蛍光発光を用いる場合より3〜4倍の高い外部発光量子効率の実現が可能となる。
実施することが可能である。
Claims (2)
- 第1の基板上方のチャネル形成領域を有する半導体層と、
前記チャネル形成領域と重なるゲート電極と、
前記半導体層上方及び前記ゲート電極上方の第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上方の配線と、
前記配線上方に設けられ、コンタクトホールを有する第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上方及び前記コンタクトホール内に設けられ、且つ前記配線と電気的に接続された第1の電極と、
前記第1の電極上方及び前記コンタクトホール内に設けられた第3の絶縁膜と、
前記第1の電極上方及び前記第3の絶縁膜上方のEL層と、
前記EL層上方の第2の電極と、
前記第2の電極上方の第2の基板と、を有し、
前記第1の電極は、前記配線を介して前記半導体層と電気的に接続され、
前記コンタクトホールは、前記第1の電極及び前記第3の絶縁膜によって埋められており、
前記第3の絶縁膜の上面は、前記第1の電極の上面よりも高い領域を有し、
前記第2の絶縁膜及び前記第3の絶縁膜の各々は、有機樹脂を有し、
前記第1の電極は、前記半導体層の前記チャネル形成領域と重なっている第1の部分を有し、
前記第1の電極の第1の部分は、前記第3の絶縁膜と重なっていない、自発光装置。 - 請求項1において、
前記第1の電極は、透光性を有することを特徴とする自発光装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000045256 | 2000-02-22 | ||
JP2000045256 | 2000-02-22 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015192973A Division JP2016021413A (ja) | 2000-02-22 | 2015-09-30 | 自発光装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019132602A Division JP2019175874A (ja) | 2000-02-22 | 2019-07-18 | 自発光装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018006347A JP2018006347A (ja) | 2018-01-11 |
JP2018006347A5 JP2018006347A5 (ja) | 2018-10-25 |
JP6592048B2 true JP6592048B2 (ja) | 2019-10-16 |
Family
ID=18567870
Family Applications (13)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011101384A Expired - Fee Related JP4987140B2 (ja) | 2000-02-22 | 2011-04-28 | 自発光装置の作製方法 |
JP2011223530A Expired - Fee Related JP5121992B2 (ja) | 2000-02-22 | 2011-10-10 | 自発光装置 |
JP2012090940A Expired - Fee Related JP5122008B2 (ja) | 2000-02-22 | 2012-04-12 | 自発光装置 |
JP2012106564A Expired - Lifetime JP5031123B2 (ja) | 2000-02-22 | 2012-05-08 | El表示装置 |
JP2012171018A Expired - Lifetime JP5552508B2 (ja) | 2000-02-22 | 2012-08-01 | 自発光装置の作製方法 |
JP2012176645A Expired - Lifetime JP5272102B2 (ja) | 2000-02-22 | 2012-08-09 | 自発光装置の作製方法 |
JP2013191240A Expired - Lifetime JP5844326B2 (ja) | 2000-02-22 | 2013-09-16 | 自発光装置 |
JP2013262304A Expired - Fee Related JP5478771B1 (ja) | 2000-02-22 | 2013-12-19 | El表示装置及び電気器具 |
JP2014000078A Expired - Fee Related JP5478786B1 (ja) | 2000-02-22 | 2014-01-06 | El表示装置及び電気器具 |
JP2015039896A Expired - Lifetime JP5849165B2 (ja) | 2000-02-22 | 2015-03-02 | 自発光装置 |
JP2015192973A Withdrawn JP2016021413A (ja) | 2000-02-22 | 2015-09-30 | 自発光装置 |
JP2017163645A Expired - Lifetime JP6592048B2 (ja) | 2000-02-22 | 2017-08-28 | 自発光装置 |
JP2019132602A Withdrawn JP2019175874A (ja) | 2000-02-22 | 2019-07-18 | 自発光装置 |
Family Applications Before (11)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011101384A Expired - Fee Related JP4987140B2 (ja) | 2000-02-22 | 2011-04-28 | 自発光装置の作製方法 |
JP2011223530A Expired - Fee Related JP5121992B2 (ja) | 2000-02-22 | 2011-10-10 | 自発光装置 |
JP2012090940A Expired - Fee Related JP5122008B2 (ja) | 2000-02-22 | 2012-04-12 | 自発光装置 |
JP2012106564A Expired - Lifetime JP5031123B2 (ja) | 2000-02-22 | 2012-05-08 | El表示装置 |
JP2012171018A Expired - Lifetime JP5552508B2 (ja) | 2000-02-22 | 2012-08-01 | 自発光装置の作製方法 |
JP2012176645A Expired - Lifetime JP5272102B2 (ja) | 2000-02-22 | 2012-08-09 | 自発光装置の作製方法 |
JP2013191240A Expired - Lifetime JP5844326B2 (ja) | 2000-02-22 | 2013-09-16 | 自発光装置 |
JP2013262304A Expired - Fee Related JP5478771B1 (ja) | 2000-02-22 | 2013-12-19 | El表示装置及び電気器具 |
JP2014000078A Expired - Fee Related JP5478786B1 (ja) | 2000-02-22 | 2014-01-06 | El表示装置及び電気器具 |
JP2015039896A Expired - Lifetime JP5849165B2 (ja) | 2000-02-22 | 2015-03-02 | 自発光装置 |
JP2015192973A Withdrawn JP2016021413A (ja) | 2000-02-22 | 2015-09-30 | 自発光装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019132602A Withdrawn JP2019175874A (ja) | 2000-02-22 | 2019-07-18 | 自発光装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (7) | US6833560B2 (ja) |
EP (2) | EP1128436B1 (ja) |
JP (13) | JP4987140B2 (ja) |
KR (1) | KR100793043B1 (ja) |
CN (3) | CN100470830C (ja) |
DE (2) | DE60100816T2 (ja) |
TW (1) | TW525305B (ja) |
Families Citing this family (103)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6524877B1 (en) * | 1999-10-26 | 2003-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and method of fabricating the same |
TW525305B (en) * | 2000-02-22 | 2003-03-21 | Semiconductor Energy Lab | Self-light-emitting device and method of manufacturing the same |
JP2001318627A (ja) | 2000-02-29 | 2001-11-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
US6753654B2 (en) | 2001-02-21 | 2004-06-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic appliance |
US6706163B2 (en) * | 2001-03-21 | 2004-03-16 | Michael Seul | On-chip analysis of particles and fractionation of particle mixtures using light-controlled electrokinetic assembly of particles near surfaces |
TW588570B (en) * | 2001-06-18 | 2004-05-21 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of fabricating the same |
US7211828B2 (en) | 2001-06-20 | 2007-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic apparatus |
TW548860B (en) | 2001-06-20 | 2003-08-21 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US6952023B2 (en) * | 2001-07-17 | 2005-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US6656611B2 (en) * | 2001-07-20 | 2003-12-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Structure-defining material for OLEDs |
US6852997B2 (en) * | 2001-10-30 | 2005-02-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US7042024B2 (en) * | 2001-11-09 | 2006-05-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method for manufacturing the same |
KR100940342B1 (ko) | 2001-11-13 | 2010-02-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 및 그 구동방법 |
US7483001B2 (en) | 2001-11-21 | 2009-01-27 | Seiko Epson Corporation | Active matrix substrate, electro-optical device, and electronic device |
KR100491143B1 (ko) * | 2001-12-26 | 2005-05-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 블랙매트릭스를 구비한 평판표시장치 및 그 제조방법 |
US6815723B2 (en) | 2001-12-28 | 2004-11-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus therefor |
KR100796491B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2008-01-21 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 커넥터 고정부를 구비한 액정모듈 |
US7098069B2 (en) * | 2002-01-24 | 2006-08-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of preparing the same and device for fabricating the same |
US20030214042A1 (en) * | 2002-02-01 | 2003-11-20 | Seiko Epson Corporation | Circuit substrate, electro-optical device and electronic appliances |
US7045861B2 (en) | 2002-03-26 | 2006-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, liquid-crystal display device and method for manufacturing same |
US7038239B2 (en) | 2002-04-09 | 2006-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor element and display device using the same |
JP3989761B2 (ja) | 2002-04-09 | 2007-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体表示装置 |
US7411215B2 (en) | 2002-04-15 | 2008-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of fabricating the same |
JP3989763B2 (ja) | 2002-04-15 | 2007-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体表示装置 |
TWI269248B (en) | 2002-05-13 | 2006-12-21 | Semiconductor Energy Lab | Display device |
TWI288443B (en) | 2002-05-17 | 2007-10-11 | Semiconductor Energy Lab | SiN film, semiconductor device, and the manufacturing method thereof |
US7256421B2 (en) | 2002-05-17 | 2007-08-14 | Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. | Display device having a structure for preventing the deterioration of a light emitting device |
US7109650B2 (en) * | 2002-07-08 | 2006-09-19 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Active matrix organic electroluminescent display device and method of fabricating the same |
JP4179866B2 (ja) * | 2002-12-24 | 2008-11-12 | 株式会社沖データ | 半導体複合装置及びledヘッド |
KR100904523B1 (ko) * | 2002-12-26 | 2009-06-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액티브 매트릭스형 유기전계발광 소자용 박막트랜지스터 |
SG142140A1 (en) | 2003-06-27 | 2008-05-28 | Semiconductor Energy Lab | Display device and method of manufacturing thereof |
US20050104072A1 (en) * | 2003-08-14 | 2005-05-19 | Slater David B.Jr. | Localized annealing of metal-silicon carbide ohmic contacts and devices so formed |
JP4741177B2 (ja) * | 2003-08-29 | 2011-08-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
US7928654B2 (en) | 2003-08-29 | 2011-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
KR101172466B1 (ko) | 2003-08-29 | 2012-08-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 그 제작방법 |
US7291967B2 (en) * | 2003-08-29 | 2007-11-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element including a barrier layer and a manufacturing method thereof |
JP4355796B2 (ja) * | 2003-08-29 | 2009-11-04 | 国立大学法人京都大学 | 有機半導体装置およびその製造方法 |
US7816863B2 (en) * | 2003-09-12 | 2010-10-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method for manufacturing the same |
KR100552975B1 (ko) * | 2003-11-22 | 2006-02-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 능동 매트릭스 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 |
US7893438B2 (en) * | 2003-10-16 | 2011-02-22 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device including a planarization pattern and method for manufacturing the same |
US7205716B2 (en) * | 2003-10-20 | 2007-04-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
US7902747B2 (en) * | 2003-10-21 | 2011-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device having a thin insulating film made of nitrogen and silicon and an electrode made of conductive transparent oxide and silicon dioxide |
NL1025136C2 (nl) * | 2003-12-24 | 2005-09-12 | Lg Philips Lcd Co | Elektroluminescerende beeldweergevende inrichting met actieve organische matrix en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. |
US7619258B2 (en) * | 2004-03-16 | 2009-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US20050238816A1 (en) * | 2004-04-23 | 2005-10-27 | Li Hou | Method and apparatus of depositing low temperature inorganic films on plastic substrates |
JP2006004907A (ja) | 2004-05-18 | 2006-01-05 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器 |
KR100600873B1 (ko) * | 2004-05-28 | 2006-07-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법 |
US8217396B2 (en) | 2004-07-30 | 2012-07-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device comprising electrode layer contacting wiring in the connection region and extending to pixel region |
US8350466B2 (en) | 2004-09-17 | 2013-01-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
KR100699997B1 (ko) * | 2004-09-21 | 2007-03-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 다수개의 구동 트랜지스터와 다수개의 애노드 또는캐소드전극을 갖는 유기 전계 발광 표시장치 |
TWI279159B (en) * | 2004-09-27 | 2007-04-11 | Toshiba Matsushita Display Tec | Organic EL display |
US7439111B2 (en) * | 2004-09-29 | 2008-10-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7875506B2 (en) * | 2004-10-13 | 2011-01-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Etching method and manufacturing method of semiconductor device |
US20060125385A1 (en) * | 2004-12-14 | 2006-06-15 | Chun-Chung Lu | Active matrix organic electro-luminescence device array and fabricating process thereof |
WO2006092943A1 (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-08 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
KR100683766B1 (ko) | 2005-03-30 | 2007-02-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
KR101369864B1 (ko) * | 2005-08-12 | 2014-03-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
KR100774950B1 (ko) * | 2006-01-19 | 2007-11-09 | 엘지전자 주식회사 | 전계발광소자 |
KR100747491B1 (ko) * | 2006-02-20 | 2007-08-08 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이장치 |
KR101230308B1 (ko) | 2006-02-22 | 2013-02-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR100782458B1 (ko) * | 2006-03-27 | 2007-12-05 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
KR100839750B1 (ko) * | 2007-01-15 | 2008-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 |
US8283724B2 (en) * | 2007-02-26 | 2012-10-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory element and semiconductor device, and method for manufacturing the same |
KR100846984B1 (ko) * | 2007-02-27 | 2008-07-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그의 제조방법 |
US7851343B2 (en) * | 2007-06-14 | 2010-12-14 | Cree, Inc. | Methods of forming ohmic layers through ablation capping layers |
JP4501987B2 (ja) * | 2007-10-30 | 2010-07-14 | セイコーエプソン株式会社 | 膜形成方法 |
WO2011048838A1 (ja) * | 2009-10-20 | 2011-04-28 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板及び有機el表示装置 |
KR101777863B1 (ko) * | 2009-12-30 | 2017-09-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이의 제조방법 |
CN102116981B (zh) * | 2009-12-30 | 2014-08-06 | 乐金显示有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 |
JP5839819B2 (ja) * | 2010-04-16 | 2016-01-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置、表示モジュール及び電子機器 |
EP2579351A4 (en) * | 2010-05-07 | 2014-03-12 | Panasonic Corp | ORGANIC EL DISPLAY BOARD AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
KR101156444B1 (ko) * | 2010-05-11 | 2012-06-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR101889748B1 (ko) * | 2011-01-10 | 2018-08-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
WO2012160609A1 (ja) | 2011-05-26 | 2012-11-29 | パナソニック株式会社 | 表示パネルおよびその製造方法 |
WO2012160610A1 (ja) * | 2011-05-26 | 2012-11-29 | パナソニック株式会社 | 表示パネルおよびその製造方法 |
EP2740122B1 (en) * | 2011-06-27 | 2016-08-31 | Thin Film Electronics ASA | Short circuit reduction in an electronic component comprising a stack of layers arranged on a flexible substrate |
KR20130007006A (ko) * | 2011-06-28 | 2013-01-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR101810048B1 (ko) * | 2011-09-22 | 2017-12-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
WO2013076948A1 (ja) * | 2011-11-24 | 2013-05-30 | パナソニック株式会社 | El表示装置およびその製造方法 |
KR101924078B1 (ko) * | 2012-03-30 | 2018-12-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법 |
US9299956B2 (en) * | 2012-06-13 | 2016-03-29 | Aixtron, Inc. | Method for deposition of high-performance coatings and encapsulated electronic devices |
KR101975000B1 (ko) * | 2012-09-13 | 2019-05-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
TWI612689B (zh) | 2013-04-15 | 2018-01-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 發光裝置 |
KR102059167B1 (ko) | 2013-07-30 | 2020-02-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기전계 발광소자 및 그 제조 방법 |
JP6104099B2 (ja) | 2013-08-21 | 2017-03-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置 |
JP6160499B2 (ja) * | 2014-02-06 | 2017-07-12 | ソニー株式会社 | 表示装置および表示装置の製造方法、並びに電子機器 |
KR20160046072A (ko) * | 2014-10-17 | 2016-04-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JP2016100314A (ja) * | 2014-11-26 | 2016-05-30 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
CN104485428A (zh) * | 2014-12-29 | 2015-04-01 | 信利半导体有限公司 | 一种oled及其制作方法 |
US10164202B2 (en) | 2015-04-16 | 2018-12-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescence device including an organic electroluminescence element above a contact hole |
JP6560530B2 (ja) | 2015-04-30 | 2019-08-14 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
WO2017043529A1 (ja) | 2015-09-08 | 2017-03-16 | シャープ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、照明装置および表示装置 |
KR102525124B1 (ko) * | 2016-04-05 | 2023-04-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
WO2018003129A1 (ja) * | 2016-06-30 | 2018-01-04 | 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 | 有機el表示装置およびその製造方法 |
CN106057825A (zh) * | 2016-08-03 | 2016-10-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled显示装置的阵列基板及其制造方法 |
DE102016120350A1 (de) | 2016-10-25 | 2018-04-26 | Carl Zeiss Vision International Gmbh | System zur Bestimmung der Refraktion des Auges |
KR102248875B1 (ko) * | 2017-06-30 | 2021-05-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광표시장치 |
US20200106735A1 (en) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | Salvatore Guerrieri | Systems and Methods for Communications & Commerce Between System Users and Non-System Users |
US10991778B2 (en) * | 2018-03-28 | 2021-04-27 | Sakai Display Products Corporation | Organic EL display apparatus and manufacturing method therefor |
KR20200046196A (ko) * | 2018-10-23 | 2020-05-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN109638049B (zh) * | 2018-12-13 | 2021-06-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
US11670588B2 (en) * | 2019-01-09 | 2023-06-06 | Intel Corporation | Selectable vias for back end of line interconnects |
CN114203750A (zh) * | 2021-12-07 | 2022-03-18 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
Family Cites Families (77)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6353892A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-08 | クラリオン株式会社 | 電場発光素子 |
DE3730499A1 (de) | 1987-02-10 | 1988-08-18 | Bayer Ag | Aminomethyltetrahydrofurane |
EP0327336B1 (en) | 1988-02-01 | 1997-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic devices incorporating carbon films |
GB8909011D0 (en) | 1989-04-20 | 1989-06-07 | Friend Richard H | Electroluminescent devices |
JP2799875B2 (ja) | 1989-05-20 | 1998-09-21 | 株式会社リコー | 液晶表示装置 |
JP2757207B2 (ja) | 1989-05-24 | 1998-05-25 | 株式会社リコー | 液晶表示装置 |
US5240801A (en) | 1989-11-20 | 1993-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Image-forming member for electrophotography and manufacturing method for the same |
US5849601A (en) | 1990-12-25 | 1998-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method for manufacturing the same |
US5946561A (en) | 1991-03-18 | 1999-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for forming the same |
CN1052568C (zh) | 1992-07-06 | 2000-05-17 | 株式会社半导体能源研究所 | 形成半导体器件的方法 |
DE69327028T2 (de) | 1992-09-25 | 2000-05-31 | Sony Corp., Tokio/Tokyo | Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung |
JP2812851B2 (ja) | 1993-03-24 | 1998-10-22 | シャープ株式会社 | 反射型液晶表示装置 |
JP2860226B2 (ja) | 1993-06-07 | 1999-02-24 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
KR970010685B1 (ko) | 1993-10-30 | 1997-06-30 | 삼성전자 주식회사 | 누설전류가 감소된 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP3543351B2 (ja) | 1994-02-14 | 2004-07-14 | 株式会社日立製作所 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
JP3810100B2 (ja) | 1994-03-18 | 2006-08-16 | 宇部興産株式会社 | ポリイミドシロキサン |
AU3460095A (en) | 1994-06-30 | 1996-01-25 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Material for forming silica-base coated insulation film, process for producing the material, silica-base insulation film, semiconductor device, and process for producing the device |
JP2795191B2 (ja) * | 1994-10-04 | 1998-09-10 | 株式会社デンソー | El表示装置の駆動装置 |
US5550066A (en) | 1994-12-14 | 1996-08-27 | Eastman Kodak Company | Method of fabricating a TFT-EL pixel |
DE69535970D1 (de) | 1994-12-14 | 2009-08-06 | Eastman Kodak Co | Elektrolumineszente Vorrichtung mit einer organischen elektrolumineszenten Schicht |
US5684365A (en) * | 1994-12-14 | 1997-11-04 | Eastman Kodak Company | TFT-el display panel using organic electroluminescent media |
JP2864464B2 (ja) | 1994-12-22 | 1999-03-03 | 日本ビクター株式会社 | 反射型アクティブ・マトリクス・ディスプレイ・パネル及びその製造方法 |
JP2694126B2 (ja) | 1995-02-06 | 1997-12-24 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 液晶表示装置及びその製造方法 |
US5706064A (en) * | 1995-03-31 | 1998-01-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | LCD having an organic-inorganic hybrid glass functional layer |
JP3349332B2 (ja) | 1995-04-28 | 2002-11-25 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 反射式空間光変調素子配列及びその形成方法 |
JP3108861B2 (ja) | 1995-06-30 | 2000-11-13 | キヤノン株式会社 | アクティブマトリクス基板、該基板を用いた表示装置、及びこれらの製造方法 |
JP3368726B2 (ja) * | 1995-08-07 | 2003-01-20 | ヤマハ株式会社 | 半導体記憶装置とその製造方法 |
JPH09191111A (ja) | 1995-11-07 | 1997-07-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP3332773B2 (ja) | 1996-03-15 | 2002-10-07 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板およびアクティブマトリクス基板の製造方法 |
JP3297591B2 (ja) | 1996-04-17 | 2002-07-02 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板の製造方法並びに液晶表示装置 |
JP3317387B2 (ja) | 1996-06-03 | 2002-08-26 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
US5710097A (en) * | 1996-06-27 | 1998-01-20 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Process and materials for imagewise placement of uniform spacers in flat panel displays |
US6049132A (en) | 1996-07-12 | 2000-04-11 | Kawasaki Steel Corporation | Multiple metallization structure for a reflection type liquid crystal display |
US6057038A (en) * | 1996-08-02 | 2000-05-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrate for use in display element, method of manufacturing the same, and apparatus for manufacturing the same |
EP1365276B1 (en) * | 1996-09-19 | 2005-12-28 | Seiko Epson Corporation | Manufacturing method of matrix type display device |
US20020075422A1 (en) * | 1996-09-19 | 2002-06-20 | Seiko Epson Corporation | Matrix type display device and manufacturing method thereof |
US5895228A (en) * | 1996-11-14 | 1999-04-20 | International Business Machines Corporation | Encapsulation of organic light emitting devices using Siloxane or Siloxane derivatives |
JP3457819B2 (ja) | 1996-11-28 | 2003-10-20 | カシオ計算機株式会社 | 表示装置 |
US6072450A (en) * | 1996-11-28 | 2000-06-06 | Casio Computer Co., Ltd. | Display apparatus |
JP3392672B2 (ja) | 1996-11-29 | 2003-03-31 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
JP3530362B2 (ja) * | 1996-12-19 | 2004-05-24 | 三洋電機株式会社 | 自発光型画像表示装置 |
JP3463971B2 (ja) | 1996-12-26 | 2003-11-05 | 出光興産株式会社 | 有機アクティブel発光装置 |
US5757541A (en) * | 1997-01-15 | 1998-05-26 | Litton Systems, Inc. | Method and apparatus for an optical fiber amplifier |
US5990629A (en) | 1997-01-28 | 1999-11-23 | Casio Computer Co., Ltd. | Electroluminescent display device and a driving method thereof |
JPH10319909A (ja) * | 1997-05-22 | 1998-12-04 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置及びその駆動方法 |
JP3496431B2 (ja) * | 1997-02-03 | 2004-02-09 | カシオ計算機株式会社 | 表示装置及びその駆動方法 |
EP0860462A3 (en) * | 1997-02-24 | 1999-04-21 | Dow Corning Toray Silicone Company Limited | Composition and method for the formation of silica thin films |
JP3711683B2 (ja) * | 1997-03-12 | 2005-11-02 | セイコーエプソン株式会社 | 発光ディスプレイ |
EP0881668A3 (en) | 1997-05-28 | 2000-11-15 | Dow Corning Toray Silicone Company, Ltd. | Deposition of an electrically insulating thin film with a low dielectric constant |
JP3520396B2 (ja) | 1997-07-02 | 2004-04-19 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス基板と表示装置 |
JP3390633B2 (ja) | 1997-07-14 | 2003-03-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
TW558561B (en) | 1997-07-22 | 2003-10-21 | Sumitomo Chemical Co | Hole transporting polymer and organic electroluminescence device using the same |
JP3580092B2 (ja) | 1997-08-21 | 2004-10-20 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置 |
EP0899987A1 (en) | 1997-08-29 | 1999-03-03 | TDK Corporation | Organic electroluminescent device |
JP3830238B2 (ja) * | 1997-08-29 | 2006-10-04 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス型装置 |
JP3429440B2 (ja) | 1997-10-24 | 2003-07-22 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US7202497B2 (en) * | 1997-11-27 | 2007-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US5998805A (en) * | 1997-12-11 | 1999-12-07 | Motorola, Inc. | Active matrix OED array with improved OED cathode |
JPH11212115A (ja) * | 1998-01-26 | 1999-08-06 | Sharp Corp | アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法 |
JPH11212118A (ja) * | 1998-01-27 | 1999-08-06 | Sharp Corp | アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法 |
JPH11251059A (ja) | 1998-02-27 | 1999-09-17 | Sanyo Electric Co Ltd | カラー表示装置 |
JP3980159B2 (ja) | 1998-03-05 | 2007-09-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP3230664B2 (ja) * | 1998-04-23 | 2001-11-19 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置とその製造方法 |
JP2000111945A (ja) * | 1998-10-01 | 2000-04-21 | Sony Corp | 電気光学装置、電気光学装置用の駆動基板、及びこれらの製造方法 |
TW439387B (en) | 1998-12-01 | 2001-06-07 | Sanyo Electric Co | Display device |
US6008876A (en) | 1998-12-03 | 1999-12-28 | National Semiconductor Corporation | Polished self-aligned pixel for a liquid crystal silicon light valve |
US7288420B1 (en) | 1999-06-04 | 2007-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing an electro-optical device |
TW527735B (en) | 1999-06-04 | 2003-04-11 | Semiconductor Energy Lab | Electro-optical device |
JP5210473B2 (ja) | 1999-06-21 | 2013-06-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
TW459275B (en) | 1999-07-06 | 2001-10-11 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and method of fabricating the same |
CN1195243C (zh) * | 1999-09-30 | 2005-03-30 | 三星电子株式会社 | 用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列屏板及其制造方法 |
EP1096568A3 (en) * | 1999-10-28 | 2007-10-24 | Sony Corporation | Display apparatus and method for fabricating the same |
JP2001160486A (ja) | 1999-12-03 | 2001-06-12 | Sony Corp | 有機elディスプレイの製造方法及び有機elディスプレイ |
TWM244584U (en) | 2000-01-17 | 2004-09-21 | Semiconductor Energy Lab | Display system and electrical appliance |
JP4831873B2 (ja) * | 2000-02-22 | 2011-12-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 自発光装置及びその作製方法 |
TW525305B (en) * | 2000-02-22 | 2003-03-21 | Semiconductor Energy Lab | Self-light-emitting device and method of manufacturing the same |
US6460279B1 (en) | 2000-06-30 | 2002-10-08 | Kay L. Stanley | Custom display and storage system |
-
2001
- 2001-02-01 TW TW090102069A patent/TW525305B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-02-13 US US09/782,239 patent/US6833560B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-02-21 KR KR1020010008607A patent/KR100793043B1/ko active IP Right Grant
- 2001-02-22 EP EP01104296A patent/EP1128436B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-02-22 DE DE60100816T patent/DE60100816T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-02-22 CN CNB2006101016093A patent/CN100470830C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-22 DE DE60134276T patent/DE60134276D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-02-22 EP EP03020964A patent/EP1376713B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-02-22 CN CN011047488A patent/CN1218408C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-02-22 CN CN2005100848153A patent/CN1722922B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-08-30 US US10/929,896 patent/US7132693B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-11-03 US US11/592,575 patent/US7732824B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-04-23 US US12/766,094 patent/US8158992B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-04-28 JP JP2011101384A patent/JP4987140B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-10-10 JP JP2011223530A patent/JP5121992B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-04-12 JP JP2012090940A patent/JP5122008B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-04-14 US US13/447,180 patent/US8735898B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-05-08 JP JP2012106564A patent/JP5031123B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2012-08-01 JP JP2012171018A patent/JP5552508B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2012-08-09 JP JP2012176645A patent/JP5272102B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2013
- 2013-09-16 JP JP2013191240A patent/JP5844326B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2013-12-19 JP JP2013262304A patent/JP5478771B1/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-01-06 JP JP2014000078A patent/JP5478786B1/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-05-22 US US14/284,872 patent/US9293513B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-03-02 JP JP2015039896A patent/JP5849165B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2015-09-30 JP JP2015192973A patent/JP2016021413A/ja not_active Withdrawn
-
2016
- 2016-03-21 US US15/075,436 patent/US9793328B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-08-28 JP JP2017163645A patent/JP6592048B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2019
- 2019-07-18 JP JP2019132602A patent/JP2019175874A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6592048B2 (ja) | 自発光装置 | |
JP4831873B2 (ja) | 自発光装置及びその作製方法 | |
JP6644186B1 (ja) | El表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170926 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180605 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180911 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181002 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190319 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20190520 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190718 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190903 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190919 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6592048 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |