JP6591043B2 - 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - Google Patents
基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6591043B2 JP6591043B2 JP2018505250A JP2018505250A JP6591043B2 JP 6591043 B2 JP6591043 B2 JP 6591043B2 JP 2018505250 A JP2018505250 A JP 2018505250A JP 2018505250 A JP2018505250 A JP 2018505250A JP 6591043 B2 JP6591043 B2 JP 6591043B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- substrate
- processed
- unit
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 264
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 24
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 411
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 143
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 82
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 73
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 45
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 45
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 45
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 45
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 15
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 15
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 13
- -1 polyethylene Polymers 0.000 claims description 13
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 13
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 8
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 143
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 26
- 230000006870 function Effects 0.000 description 13
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 12
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 241001481789 Rupicapra Species 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
- B24B37/013—Devices or means for detecting lapping completion
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/12—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
- H01L21/0276—Photolithographic processes using an anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31058—After-treatment of organic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
- H01L21/67219—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one polishing chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
- H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
Description
図1に示されるように、基板処理システム1(基板処理装置)は、塗布現像装置2(基板処理装置)と、露光装置3と、コントローラ10(制御部)とを備える。露光装置3は、ウエハW(基板)の表面Wa(図5等参照)に形成された感光性レジスト膜の露光処理(パターン露光)を行う。具体的には、液浸露光等の方法により感光性レジスト膜(感光性被膜)の露光対象部分に選択的にエネルギー線を照射する。エネルギー線としては、例えばArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザー、g線、i線、又は極端紫外線(EUV:Extreme Ultraviolet)が挙げられる。
続いて、図5を参照して、液処理ユニットU1についてさらに詳しく説明する。液処理ユニットU1は、回転保持部20と、液供給部30(膜形成部、塗布液供給部)と、液供給部40(溶剤供給部)を備える。
続いて、図6を参照して、検査ユニットU3についてさらに詳しく説明する。検査ユニットU3は、筐体50と、筐体50内に配置された保持駆動部51及び撮像部52(状態取得部)とを有する。
続いて、図7を参照して、研磨ユニットU4についてさらに詳しく説明する。研磨ユニットU4は、筐体60と、筐体60内に配置された回転保持部70、カップ80、液供給部90(添加液供給部)及び研磨部100を備える。
コントローラ10は、図8に示されるように、機能モジュールとして、読取部M1と、記憶部M2と、処理部M3と、指示部M4とを有する。これらの機能モジュールは、コントローラ10の機能を便宜上複数のモジュールに区切ったものに過ぎず、コントローラ10を構成するハードウェアがこのようなモジュールに分かれていることを必ずしも意味するものではない。各機能モジュールは、プログラムの実行により実現されるものに限られず、専用の電気回路(例えば論理回路)、又は、これを集積した集積回路(ASIC:Application Specific Integrated Circuit)により実現されるものであってもよい。
続いて、図10を参照して、ウエハWの処理方法(基板処理方法)について説明する。以下では、処理モジュール15において、凹凸パターンPを有するウエハWの表面WaにSOC膜を形成する場合の処理について説明するが、他の膜の場合にもウエハWを同様に処理してもよい。他の膜としては、例えば、SOG(Spin On Glass)膜、レジスト膜、自己組織的リソグラフィー技術に用いられるブロック共重合体の塗布膜などが挙げられる。
(1)研磨部材101がウエハWの被処理面を押圧する圧力、
(2)研磨部材101の回転数、
(3)ウエハWの回転数、
(4)研磨部材101によるウエハWの被処理面の研磨時間、
(5)研磨部材101の硬度、
(6)添加液L3の流量
などが挙げられる。研磨条件1に関して、圧力が高いほど研磨部材101によるウエハWの被処理面の研磨が促進される。研磨条件2,3に関して、回転数が高いほど研磨部材101によるウエハWの被処理面の研磨が促進される。研磨条件4に関して、研磨時間が長いほどウエハWの被処理面の研磨が促進される。研磨条件5に関して、研磨部材101の硬度が高いほどウエハWの被処理面の研磨が促進される。研磨条件6に関して、流量が多いほど研磨部材101の保水量が高まるのでウエハWの被処理面の研磨が促進される。なお、初期研磨条件は、わずかに研磨不足となるような条件に設定しておくと、再度の半固化膜Rの形成処理(詳しくは後述する)が不要となるので好ましい。
以上のような本実施形態では、塗布膜(未固化膜)に含まれる溶剤が揮発して塗布膜が半固化膜Rとなった後に、ステップS13において、回転中のウエハWの被処理面に対して添加液L3を供給し、研磨部材101及び当該被処理面が添加液L3によって濡れた状態としつつ、研磨部材101がウエハWの被処理面と接触した状態で、初期研磨条件に基づいて研磨部材101によってウエハWの被処理面を研磨している。そのため、研磨部材101による半固化膜Rの研磨時において、研磨部材101及びウエハWの被処理面が添加液L3によって濡れた状態となっているので、ウエハWの被処理面及び凹凸パターンPに損傷が生じ難い。従って、研磨液を多量に用いながら硬化膜を研磨する化学機械研磨処理を行わずに、ウエハWの被処理面が研磨される。その結果、ウエハWの被処理面を低コストで平坦化することが可能となる。
以上、本開示に係る実施形態について詳細に説明したが、本発明の要旨の範囲内で種々の変形を上記の実施形態に加えてもよい。例えば、ウエハWの被処理面の研磨完了を、カメラ52aによって取得された撮像画像データに代えて、センサ103によって取得された物理量のデータに基づいて判断してもよい。具体的には、図14に示されるような手順でウエハWを処理してもよい。
Claims (21)
- 基板の被処理面に膜を形成するように構成された膜形成部と、
前記基板の前記被処理面の状態を取得するように構成された状態取得部と、
前記基板の前記被処理面と接触して前記被処理面を研磨するように構成された研磨部材と、
前記研磨部材を駆動するように構成された駆動部と、
基板を保持して回転させるように構成された回転保持部と、
前記基板の前記被処理面に添加液を供給するように構成された添加液供給部と、
制御部とを備え、
前記膜形成部は、前記基板の前記被処理面に塗布液を供給するように構成されており、
前記制御部は、
前記状態取得部を制御して、前記基板の前記被処理面の初期状態を取得する第1の処理と、
前記第1の処理の後に前記回転保持部及び前記膜形成部を制御して、前記基板を回転させつつ前記基板の前記被処理面上に塗布液を供給させて、前記基板上に塗布膜を形成する第2の処理と、
前記第2の処理の後で且つ前記塗布膜に含まれる溶剤が揮発して前記塗布膜が半固化膜となった後に前記回転保持部、前記駆動部及び前記添加液供給部を制御して、回転中の前記基板の前記被処理面に添加液を供給させて前記研磨部材及び前記基板の被処理面が添加液によって濡れた状態としつつ、初期研磨条件に基づいて前記研磨部材により前記基板の前記被処理面を研磨する第3の処理と、
前記第3の処理の後に前記状態取得部を制御して、前記基板の前記被処理面の処理状態を取得する第4の処理と、
前記初期状態及び前記処理状態に基づいて研磨終了、研磨不足又は研磨過剰を判定する第5の処理を実行する、基板処理装置。 - 前記基板の表面には凹凸パターンが形成されており、
前記被処理面は、前記基板のうち凹凸面側の最外面である、請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記研磨部材はポリビニルアルコール製又はポリエチレン製である、請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記研磨部材は多孔質体である、請求項3に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記第5の処理での判定の結果、前記基板の前記被処理面が研磨不足であるときに、前記駆動部を制御して、前記初期研磨条件とは異なる追加研磨条件に基づいて前記研磨部材により前記基板の前記被処理面を研磨する第6の処理を更に実行する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、
前記第5の処理での判定の結果、前記基板の前記被処理面が研磨過剰であるときに、前記膜形成部を制御して、前記研磨部材により前記第3の処理で処理された前記基板と同じ基板の前記被処理面に他の膜を形成する第7の処理と、
前記第7の処理の後に前記駆動部を制御して、前記初期研磨条件とは異なる再研磨条件に基づいて前記研磨部材により前記基板の前記被処理面を研磨する第8の処理とを更に実行する、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、前記第5の処理での判定の結果、前記基板の前記被処理面が研磨不足又は研磨過剰であるときに、後続の他の基板に対して前記第1〜第5の処理を実行するにあたり、前記第3の処理において前記初期研磨条件とは異なる新初期研磨条件に基づいて前記他の基板の前記被処理面を前記研磨部材により研磨する、請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記状態取得部は、前記基板の前記被処理面を撮像して当該被処理面の撮像画像を取得可能に構成されたカメラであり、
前記制御部は、前記第5の処理において、前記第1及び第4の処理で前記状態取得部によってそれぞれ取得された前記撮像画像を対比することにより、研磨終了、研磨不足又は研磨過剰を判定する、請求項1〜7のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、
前記第2の処理の後で且つ前記第3の処理の前に前記状態取得部を制御して、前記基板の前記被処理面の中間状態を取得する第9の処理をさらに実行し、
前記第5の処理において、前記初期状態、前記中間状態及び前記処理状態に基づいて研磨終了、研磨不足又は研磨過剰を判定する、請求項1〜7のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記状態取得部は、前記基板の前記被処理面の研磨の進行に伴って変化する物理量を取得するように構成されたセンサであり、
前記制御部は、前記第5の処理において、前記第1、第4及び第9の処理で前記状態取得部によってそれぞれ取得された前記物理量を対比することにより、研磨終了、研磨不足又は研磨過剰を判定する、請求項9に記載の基板処理装置。 - 基板の被処理面の初期状態を取得する第1の工程と、
第1の工程の後に、前記基板を回転させつつ前記基板の前記被処理面に塗布液を供給して、前記基板上に塗布膜を形成する第2の工程と、
前記第2の工程の後で且つ前記塗布膜に含まれる溶剤が揮発して前記塗布膜が半固化膜となった後に、回転中の前記基板の前記被処理面に添加液を供給して、研磨部材と前記基板の前記被処理面とが添加液によって濡れた状態としつつ、前記研磨部材が前記基板の前記被処理面と接触した状態で、初期研磨条件に基づいて前記研磨部材により前記基板の前記被処理面を研磨する第3の工程と、
前記第3の工程の後に、前記基板の前記被処理面の処理状態を取得する第4の工程と、
前記初期状態及び前記処理状態に基づいて研磨終了、研磨不足又は研磨過剰を判定する第5の工程とを含む、基板処理方法。 - 前記基板の表面には凹凸パターンが形成されており、
前記被処理面は、前記基板のうち凹凸面側の最外面である、請求項11に記載の基板処理方法。 - 前記研磨部材はポリビニルアルコール製又はポリエチレン製である、請求項12に記載の基板処理方法。
- 前記研磨部材は多孔質体である、請求項13に記載の基板処理方法。
- 前記第5の工程での判定の結果、前記基板の前記被処理面が研磨不足であるときに、前記初期研磨条件とは異なる追加研磨条件に基づいて前記研磨部材により前記基板の前記被処理面を研磨する第6の工程を更に含む、請求項11〜14のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記第5の工程での判定の結果、前記基板の前記被処理面が研磨過剰であるときに、前記研磨部材により前記第3の工程で処理された前記基板と同じ基板の前記被処理面に他の膜を形成する第7の工程と、
前記第7の工程の後に、前記初期研磨条件とは異なる再研磨条件に基づいて前記研磨部材により前記基板の前記被処理面を研磨する第8の工程とを更に含む、請求項11〜15のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 前記第5の工程での判定の結果、前記基板の前記被処理面が研磨不足又は研磨過剰であるときに、後続の他の基板を前記第1〜第5の工程で処理するにあたり、前記第3の工程では前記初期研磨条件とは異なる新初期研磨条件に基づいて前記他の基板の前記被処理面を前記研磨部材により研磨する、請求項11〜16のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記第1の工程では、前記基板の前記被処理面を撮像して当該被処理面の撮像画像を前記初期状態として取得し、
前記第4の工程では、前記基板の前記被処理面を撮像して当該被処理面の撮像画像を前記処理状態として取得し、
前記第5の工程では、前記第1及び第4の工程でそれぞれ取得した撮像画像を対比することにより、研磨終了、研磨不足又は研磨過剰を判定する、請求項11〜17のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 前記第2の工程の後で且つ前記第3の工程の前に、前記基板の前記被処理面の中間状態を取得する第9の工程を更に含み、
前記第5の工程では、前記初期状態、前記中間状態及び前記処理状態に基づいて研磨終了、研磨不足又は研磨過剰を判定する、請求項11〜17のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 前記第1、第9及び第4の工程では、前記基板の前記被処理面の研磨の進行に伴って変化する物理量をそれぞれ前記初期状態、前記中間状態及び前記処理状態として取得し、
前記第5の工程では、前記第1、第4及び第9の処理でそれぞれ取得された前記物理量を対比することにより、研磨終了、研磨不足又は研磨過剰を判定する、請求項19に記載の基板処理方法。 - 請求項11〜20のいずれか一項に記載の基板処理方法を基板処理装置に実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016049447 | 2016-03-14 | ||
JP2016049447 | 2016-03-14 | ||
PCT/JP2016/086257 WO2017158955A1 (ja) | 2016-03-14 | 2016-12-06 | 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2017158955A1 JPWO2017158955A1 (ja) | 2018-12-27 |
JP6591043B2 true JP6591043B2 (ja) | 2019-10-16 |
Family
ID=59850671
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018505250A Active JP6591043B2 (ja) | 2016-03-14 | 2016-12-06 | 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11524383B2 (ja) |
JP (1) | JP6591043B2 (ja) |
KR (1) | KR102584066B1 (ja) |
TW (1) | TWI683723B (ja) |
WO (1) | WO2017158955A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7012538B2 (ja) * | 2018-01-11 | 2022-01-28 | 株式会社ディスコ | ウエーハの評価方法 |
US11604415B2 (en) * | 2018-05-29 | 2023-03-14 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method, substrate processing apparatus, and computer readable recording medium |
CN114055328B (zh) * | 2022-01-18 | 2022-04-26 | 江苏九为新材料有限公司 | 铝合金板材抛光装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3321894B2 (ja) | 1993-05-07 | 2002-09-09 | 日本電信電話株式会社 | 研磨終点検出装置 |
JP3466374B2 (ja) | 1995-04-26 | 2003-11-10 | 富士通株式会社 | 研磨装置及び研磨方法 |
JP3672685B2 (ja) * | 1996-11-29 | 2005-07-20 | 松下電器産業株式会社 | 研磨方法及び研磨装置 |
JPH10163139A (ja) * | 1996-12-05 | 1998-06-19 | Hitachi Ltd | 形状加工方法及びその装置 |
US7751609B1 (en) * | 2000-04-20 | 2010-07-06 | Lsi Logic Corporation | Determination of film thickness during chemical mechanical polishing |
TWI313059B (ja) * | 2000-12-08 | 2009-08-01 | Sony Corporatio | |
JP4071541B2 (ja) * | 2002-05-21 | 2008-04-02 | 株式会社日立製作所 | 金属膜加工残り検査方法および金属膜加工残り検査装置 |
JP2004022622A (ja) * | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP4010903B2 (ja) * | 2002-08-02 | 2007-11-21 | Necエレクトロニクス株式会社 | 化学的機械的研磨用スラリー |
US7764377B2 (en) * | 2005-08-22 | 2010-07-27 | Applied Materials, Inc. | Spectrum based endpointing for chemical mechanical polishing |
JP5980476B2 (ja) * | 2010-12-27 | 2016-08-31 | 株式会社荏原製作所 | ポリッシング装置およびポリッシング方法 |
JP3186533U (ja) * | 2012-09-25 | 2013-10-10 | 三菱製紙株式会社 | レジスト層の薄膜化装置 |
JP6357260B2 (ja) * | 2016-09-30 | 2018-07-11 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置、及び研磨方法 |
-
2016
- 2016-12-06 KR KR1020187026663A patent/KR102584066B1/ko active IP Right Grant
- 2016-12-06 JP JP2018505250A patent/JP6591043B2/ja active Active
- 2016-12-06 WO PCT/JP2016/086257 patent/WO2017158955A1/ja active Application Filing
- 2016-12-06 US US16/084,690 patent/US11524383B2/en active Active
- 2016-12-14 TW TW105141296A patent/TWI683723B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI683723B (zh) | 2020-02-01 |
US20190084118A1 (en) | 2019-03-21 |
WO2017158955A1 (ja) | 2017-09-21 |
US11524383B2 (en) | 2022-12-13 |
KR20180123675A (ko) | 2018-11-19 |
TW201800180A (zh) | 2018-01-01 |
JPWO2017158955A1 (ja) | 2018-12-27 |
KR102584066B1 (ko) | 2023-09-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6591043B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP6468147B2 (ja) | 研磨装置、塗布膜形成装置、塗布膜形成方法及び記憶媒体 | |
JP4654120B2 (ja) | 塗布、現像装置及び塗布、現像方法並びにコンピュータプログラム | |
JP2017150849A (ja) | 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP6352230B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置及び記録媒体 | |
US10807027B2 (en) | Treatment solution supply apparatus and substrate treatment system | |
JP2010219168A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 | |
US10921713B2 (en) | Developing method, computer-readable storage medium and developing apparatus | |
JP4912180B2 (ja) | 露光・現像処理方法 | |
JP6970759B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP2008098520A (ja) | 周辺露光装置、塗布、現像装置、周辺露光方法及び塗布、現像方法並びに記憶媒体 | |
KR101347983B1 (ko) | 도포 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체 | |
JP2020051859A (ja) | 基板検査方法、基板検査装置および記録媒体 | |
US10359702B2 (en) | Development processing apparatus, development processing method, and storage medium | |
JP4678740B2 (ja) | 塗布処理方法及び塗布処理装置 | |
TWI391991B (zh) | A developing method and a developing processing device | |
WO2016125408A1 (ja) | 研磨装置、塗布膜形成装置、塗布膜形成方法、記憶媒体、パターン形成方法及びパターン形成装置 | |
JP4807749B2 (ja) | 露光・現像処理方法 | |
JP6608507B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP6788089B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP7312645B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置、及び記憶媒体 | |
JP6412845B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体 | |
CN115315782A (zh) | 基片处理方法、基片处理装置和存储介质 | |
JPWO2017145840A1 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP2009290108A (ja) | 基板処理装置及びその洗浄方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180831 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190625 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190802 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190820 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190917 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6591043 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |