JP6468147B2 - 研磨装置、塗布膜形成装置、塗布膜形成方法及び記憶媒体 - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 330
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 244
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims description 242
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 63
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 105
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 75
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 64
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 64
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 45
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 30
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 16
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 16
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 15
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 15
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 13
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 9
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 7
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 5
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 268
- 239000010408 film Substances 0.000 description 267
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 59
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 58
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 46
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 39
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 33
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 32
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 27
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 26
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 25
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 25
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 25
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 20
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 18
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 18
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 17
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 15
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 15
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 14
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 11
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 8
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 7
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 7
- 238000011161 development Methods 0.000 description 6
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 4
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 4
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 4
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 4
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 description 4
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 description 4
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 4
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 4
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 241001481789 Rupicapra Species 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- 241000282994 Cervidae Species 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000010985 leather Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
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Description
前記基板を保持する基板保持部と、
前記基板の表面の塗布膜を研磨するためのポリビニールアルコールからなる研磨部材と、
前記研磨部材を前記基板保持部に保持された基板の表面に沿って相対的に移動させる駆動部と、
前記研磨部材と基板の表面とを濡れた状態とするために添加液を供給する添加液供給部と、を備え、
前記駆動部は、前記基板保持部を回転する回転機構を備え、
前記添加液供給部は、基板の回転方向において基板と研磨部材との接触部位から離れた位置に添加液を供給するように設けられ、
前記基板の回転方向において、添加液供給部による添加液の供給位置と前記接触部位との間に、研磨部材に向かって流れる添加液の液量を規制する規制部を設けたことを特徴とする。
前記塗布膜の前駆物質を含む薬液を前記基板の表面に塗布する塗布部と、
上述の研磨装置と、
前記研磨装置により研磨された基板上の塗布膜を加熱処理して架橋反応により硬化させる加熱処理部と、を備えたことを特徴とする。
前記塗布膜の前駆物質を含む薬液を前記基板の表面に塗布する工程と、
この工程により前記基板の表面に形成された塗布膜に対して硬化前に、ポリビニールアルコールからなる研磨部材により、当該研磨部材と基板の表面とを濡れた状態とするために添加液を供給しながら、当該塗布膜を研磨して平坦化する工程と、
次いで、前記塗布膜を架橋反応により硬化させる工程と、を含み、
前記塗布膜を研磨して平坦化する工程は、前記基板を回転させながら前記基板の表面に添加液供給部から添加液を供給する工程と、この添加液が流れる部位に研磨部材を接触させる工程と、を含み、
基板の周方向において前記添加液供給部による添加液の供給位置と研磨部材との間に、研磨部材に向かって流れる添加液の液量を規制する工程を更に含むことを特徴とする。
前記コンピュータプログラムは、上述の塗布膜形成方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする。
次いで前記基板上に、互いに種類が異なる第1のポリマー及び第2のポリマーを含むブロック共重合体を溶剤に溶解した塗布液を塗布して当該ブロック共重合体の塗布膜を形成する工程と、
その後、前記塗布膜を研磨部材により研磨して平坦化する研磨工程と、
次に、前記塗布膜を加熱して前記第1のポリマー及び第2のポリマーを互いに分離する工程と、
しかる後、溶剤を前記塗布膜に供給して、前記第1のポリマー及び第2のポリマーのうちの一方を溶解して除去する工程と、を含むことを特徴とする。
前記コンピュータプログラムは、本発明のいずれか一項に記載されたパターン形成方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする。
前記ガイド用のパターンが形成された基板の上に、互いに種類が異なる第1のポリマー及び第2のポリマーを含むブロック共重合体を溶剤に溶解した塗布液を塗布して当該ブロック共重合体の塗布膜を形成するためのモジュールと、
前記塗布膜中の溶剤を揮発させるために基板を第1の温度で加熱するためのモジュールと、
前記第1の温度で加熱された塗布膜を研磨部材により研磨して平坦化するためのモジュールと、
前記第1のポリマー及び第2のポリマーを互いに分離するために前記基板を前記第1の温度よりも高い第2の温度で加熱するためのモジュールと、
前記第1のポリマー及び第2のポリマーのうちの一方を溶解して除去するための溶剤を前記塗布膜に供給するためのモジュールと、
前記モジュールの間で基板を搬送するための基板搬送機構と、を備えたことを特徴とする。
他の発明は、自己組織的リソグラフィー技術に用いられるブロック共重合体の塗布膜について、ガイド用のパターンに起因して塗布膜の膜厚差が生じても、研磨部材により研磨してブロック共重合体膜(塗布膜)を平坦化しているため、その後の相分離を良好に行うことができ、この結果良好なパターンを形成することができる。また別の観点からみれば、ブロック共重合体膜を平坦化することで、膜厚差が生じることを見込んでブロック共重合体膜を形成する場合に比べて、ブロック共重合体膜の膜厚の設定などのプロセスマージンが大きくなる。
本発明の第1の実施の形態について説明する。図1、図2はウエハWに塗布膜であるSOC膜の原料を塗布し、表面を平坦化するSOC膜形成装置を示す。SOC膜形成装置は、ウエハWを複数枚含む搬送容器であるキャリアCから装置内に搬入出するためのキャリアステーション110と、ウエハWの表面に塗布膜であるSOC膜を形成する処理ステーション120と、を接続した構成となっている。キャリアステーション110は、ウエハWを複数枚含む搬送容器であるキャリアCから装置内に搬入出する役割を有し、キャリアCの載置ステージ111と、キャリアCからウエハWを搬送するためのガイドレール112に沿って移動する第1の搬送アーム113と、を備えている。
この例では、研磨ユニット103において、1回目のSOC膜の原料の有機材料の塗布と、表面の研磨及び洗浄を行い、その後塗布ユニット2にて、2回目のSOC膜の原料の塗布を行う。
本発明の第2の実施形態は、表面にガイド用のパターンが形成された基板上に、互いに種類が異なる第1のポリマー及び第2のポリマーを含むブロック共重合体を溶剤に溶解した塗布液を塗布して塗布膜を形成し、研磨する工程、相分離する工程を経て、ガイド用のパターン内にポリマーからなるパターンを形成する技術である。
まず本発明に至った経緯について説明する。図18(a)は、基板であるウエハ上に下地膜201が形成され、その下地膜201にガイド用のパターンであるレジストパターン202が形成された状態を示している。200はレジスト膜であり、図では下地膜201より下方部分は省略している。
続いて少なくとも2種類のポリマーを含むブロック共重合体、例えばPSとPMMAとを含むブロック共重合体を溶剤に溶解した塗布液をウエハ上に供給する。塗布液の供給手法の一例としては、ウエハを回転させながら回転中心に塗布液を供給するスピンコーティング法が挙げられる。レジストパターンは、ホール203の配列密度が大きい領域と小さい領域とが隣接しているため、既述の理由により図19(c)に示すように、膜厚の大きい領域と膜厚の小さい領域とが並ぶブロック共重合体膜204が形成される。なお、塗布液をウエハ上に供給した直後においては液膜の状態であるが、スピン中に溶剤が揮発するので、図19(c)の段階においてもブロック共重合体膜として説明している。
続いて、後工程の研磨処理に用いられる研磨パッドとの親和性を良好にするため、図20(e)に示すようにウエハの表面全体に紫外線を照射する。
このようにブロック共重合体膜204の表面が平坦化されていて、ホール203の上の膜厚が一定化されているので、各ホール203内にて相分離が起こり、図18(c)に示したような不具合が発生しない。
この例では、中段のブロックは、レジスト膜を形成するためのモジュールが設けられている。上段のブロックはレジストパターン形成後におけるBCP(ブロック共重合体)膜の塗布、ポリマーによるパターンの縮径化に関連する処理を行うためのモジュールが設けられている。下段のブロックは、露光後のレジスト膜を現像するためのモジュールが設けられている。また処理ブロックT2とインターフェイスブロックT3との間のウエハWの搬送は、シャトル搬送モジュール380により行われる。
図23中、400は制御部を示し、塗布、現像装置を制御するためのプログラムを格納したメモリを備えている。プログラムは、コンパクトディスク、光磁気ディスク(MO)、メモリカードなどの記憶媒体にからメモリに格納される。
ウエハWを収納したカセットCが、キャリアブロックT1に搬入されたら、受渡しアーム323によりウエハWを順次取り出し、中段のブロックに対応する棚ユニットU3内の受け渡しモジュール353に搬送する。次いでウエハWはメインアーム370によりアドヒージョンモジュール342に搬送され、アドヒージョン処理される。その後ウエハWは、レジスト塗布モジュール332に搬送され、レジスト液が塗布されて、レジスト膜が形成される。次いでウエハWは、熱処理モジュール340に搬送されて、プリベーク処理された後、周辺露光モジュール343に搬送され、周辺露光処理される。こうして中段ブロックにおける処理が終了し、棚ユニットU3の受け渡しモジュール354に搬送される。
図23〜25に示すモジュール群の配置、及びモジュールの処理種別毎の数は、説明の便宜上のものであり、実際には各モジュールの処理時間を考慮して設定される。
(実施例1)
第1の実施の形態に示した研磨ユニット3により研磨した例を実施例1とした。
(実施例2)
研磨ユニット3の研磨部材40を高密度ポリエチレンを材質とする研磨部材40に代えたことを除いて実施例1と同様に研磨した例を実施例2とした。
(比較例1)
研磨を行う際に添加液ノズル51から水を供給せず、また窒素ガスノズル52からがガスを吐出せずにウエハWの研磨を行ったことを除いて実施例1と同様に研磨した例を比較例1とした。
(比較例2)
研磨ユニット3の研磨部材40をポリウレタンを材質とする研磨部材40に代えたことを除いて実施例1と同様に研磨した例を比較例2とした。
(比較例3)
研磨ユニット3の研磨部材40をテフロン(登録商標)を材質とする研磨部材40に代えたことを除いて実施例1と同様に研磨した例を比較例2とした。
(比較例4)
研磨ユニット3の研磨部材40をダイヤモンドを材質とする研磨部材40に代えたことを除いて実施例1と同様に研磨した例を比較例4とした。
(比較例5)
研磨ユニット3の研磨部材40をセーム皮(鹿のなめし皮)を材質とする研磨部材40に代えたことを除いて実施例1と同様に研磨した例を比較例5とした。
(比較例6)
市販のフェルトにより構成された研磨部材40によりウエハWの表面のバフ研磨を行った例を比較例6とした。
(検証結果)
実施例1及び実施例2の例では、ウエハWの表面の塗布膜9を十分に除去することができた。また実施例2においては、研磨部材40に供給される純水の液量が多い場合にも研磨後のウエハWの表面は平坦になっていた。従って研磨部材40として高密度ポリエチレンを用いた方が得策であるといえる。
3 研磨ユニット
4 研磨部
5 加熱ユニット
6 洗浄用ブラシ
8 制御部
9 塗布膜
30 カップ体
11 スピンチャック
21〜23 第1〜第3のアーム
40 研磨部材
51 添加液ノズル
52 窒素ガスノズル
44 待機部
43 CCDカメラ
92 パターン
93 窪み部
A ブランケット領域
B ラインアンドスペース領域
C 凹部領域
W ウエハ
202 レジストパターン
201 凹部であるホール
204 ブロック共重合体膜
205 ポリスチレン(PS)
206 ポリメチルメタクリレート(PMMA)
Claims (10)
- 表面に段差を有する基板の上に形成され、炭素を主成分とする有機膜であって、架橋反応より硬化される塗布膜を、硬化させる前に研磨して平坦化する研磨装置であって、
前記基板を保持する基板保持部と、
前記基板の表面の塗布膜を研磨するためのポリビニールアルコールからなる研磨部材と、
前記研磨部材を前記基板保持部に保持された基板の表面に沿って相対的に移動させる駆動部と、
前記研磨部材と基板の表面とを濡れた状態とするために添加液を供給する添加液供給部と、を備え、
前記駆動部は、前記基板保持部を回転する回転機構を備え、
前記添加液供給部は、基板の回転方向において基板と研磨部材との接触部位から離れた位置に添加液を供給するように設けられ、
前記基板の回転方向において、添加液供給部による添加液の供給位置と前記接触部位との間に、研磨部材に向かって流れる添加液の液量を規制する規制部を設けたことを特徴とする研磨装置。 - 塗布膜の表面の高さを測定するための測定部と、
前記測定部により測定された測定結果に基づいて塗布膜の表面の高さ分布を求め、求めた高さ分布に基づいて、研磨量を調整する調整因子を研磨位置に応じて制御するための制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする請求項1に記載の研磨装置。 - 前記塗布膜の全面を研磨するために当該全面を走査する走査回数は複数回設定され、
前記制御部は、n(nは1以上の自然数)回目の走査により研磨された塗布膜の表面の高さ分布に基づいて(n+1)回目の走査において前記調整因子を制御することを特徴とする請求項2記載の研磨装置。 - 前記研磨部材は多孔質体により構成されることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の研磨装置。
- 塗布膜の高さ分布を測定する膜厚測定部を備え、
前記膜厚測定部により測定された塗布膜の高さ分布に応じて、塗布膜の研磨量を調整しながら前記研磨部材を前記基板保持部に保持された基板の表面に沿って相対的に移動させて研磨することを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一項に記載の研磨装置。 - 表面に段差を有する基板の上に塗布膜を形成する装置において、
前記塗布膜の前駆物質を含む薬液を前記基板の表面に塗布する塗布部と、
請求項1ないし5のいずれか一項に記載された研磨装置と、
前記研磨装置により研磨された基板上の塗布膜を加熱処理して架橋反応により硬化させる加熱処理部と、を備えたことを特徴とする塗布膜形成装置。 - 表面に段差を有する基板の上に炭素を主成分とする有機膜であって、架橋反応より硬化される塗布膜を形成する方法において、
前記塗布膜の前駆物質を含む薬液を前記基板の表面に塗布する工程と、
この工程により前記基板の表面に形成された塗布膜に対して硬化前に、ポリビニールアルコールからなる研磨部材により、当該研磨部材と基板の表面とを濡れた状態とするために添加液を供給しながら、当該塗布膜を研磨して平坦化する工程と、
次いで、前記塗布膜を架橋反応により硬化させる工程と、を含み、
前記塗布膜を研磨して平坦化する工程は、前記基板を回転させながら前記基板の表面に添加液供給部から添加液を供給する工程と、この添加液が流れる部位に研磨部材を接触させる工程と、を含み、
基板の周方向において前記添加液供給部による添加液の供給位置と研磨部材との間に、研磨部材に向かって流れる添加液の液量を規制する工程を更に含むことを特徴とする塗布膜形成方法。 - 前記研磨部材は多孔質体により構成されることを特徴とする請求項7に記載の塗布膜形成方法。
- 膜厚測定部により塗布膜の高さ分布を測定する工程を含み、
塗布膜を研磨して平坦化する工程は、前記膜厚測定部により測定された塗布膜の高さ分布に応じて、前記研磨部材を基板の表面に沿って相対的に移動させながら塗布膜の研磨量を調整して研磨することを特徴とする請求項7または8に記載の塗布膜形成方法。 - 表面に段差を有する基板の上に炭素を主成分とする有機膜であって、架橋反応より硬化される塗布膜を形成する装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶する記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項7ないし9のいずれか一項に記載された塗布膜形成方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2015/085746 WO2016125408A1 (ja) | 2015-02-05 | 2015-12-22 | 研磨装置、塗布膜形成装置、塗布膜形成方法、記憶媒体、パターン形成方法及びパターン形成装置 |
TW105102231A TW201641218A (zh) | 2015-02-05 | 2016-01-25 | 研磨裝置、塗佈膜形成裝置、塗佈膜形成方法、記憶媒體、圖案形成方法及圖案形成裝置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015021518 | 2015-02-05 | ||
JP2015021518 | 2015-02-05 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016149525A JP2016149525A (ja) | 2016-08-18 |
JP6468147B2 true JP6468147B2 (ja) | 2019-02-13 |
Family
ID=56691748
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015185717A Active JP6468147B2 (ja) | 2015-02-05 | 2015-09-18 | 研磨装置、塗布膜形成装置、塗布膜形成方法及び記憶媒体 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6468147B2 (ja) |
TW (1) | TW201641218A (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9910355B2 (en) * | 2016-07-29 | 2018-03-06 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Method of negative tone development using a copolymer multilayer electrolyte and articles made therefrom |
JP6994828B2 (ja) * | 2016-11-22 | 2022-02-04 | 東京エレクトロン株式会社 | パターン形成方法 |
TWI786116B (zh) * | 2017-06-05 | 2022-12-11 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板處理系統之處理條件設定方法、基板處理系統及記憶媒體 |
JP6951152B2 (ja) * | 2017-08-22 | 2021-10-20 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
JP7119617B2 (ja) * | 2018-06-15 | 2022-08-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置 |
US11697183B2 (en) | 2018-07-26 | 2023-07-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Fabrication of a polishing pad for chemical mechanical polishing |
JP7403961B2 (ja) | 2019-03-19 | 2023-12-25 | キオクシア株式会社 | インプリント方法および半導体装置の製造方法 |
CN113126450B (zh) * | 2021-03-29 | 2023-06-13 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 一种改善光刻过程中不同区域光阻高度差的方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1050640A (ja) * | 1996-05-10 | 1998-02-20 | Canon Inc | 精密研磨装置およびこれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
US6153525A (en) * | 1997-03-13 | 2000-11-28 | Alliedsignal Inc. | Methods for chemical mechanical polish of organic polymer dielectric films |
US6887132B2 (en) * | 2001-09-10 | 2005-05-03 | Multi Planar Technologies Incorporated | Slurry distributor for chemical mechanical polishing apparatus and method of using the same |
JP2003266300A (ja) * | 2002-03-20 | 2003-09-24 | Nikon Corp | 研磨装置及び半導体デバイスの製造方法 |
JP2004165434A (ja) * | 2002-11-13 | 2004-06-10 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP4675803B2 (ja) * | 2006-03-10 | 2011-04-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 平坦化装置 |
JP2009252891A (ja) * | 2008-04-03 | 2009-10-29 | Jsr Corp | 化学機械研磨パッドおよび化学機械研磨方法 |
-
2015
- 2015-09-18 JP JP2015185717A patent/JP6468147B2/ja active Active
-
2016
- 2016-01-25 TW TW105102231A patent/TW201641218A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201641218A (zh) | 2016-12-01 |
JP2016149525A (ja) | 2016-08-18 |
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