TWI391991B - A developing method and a developing processing device - Google Patents

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TWI391991B
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Description

顯像處理方法及顯像處理裝置
本發明是有關例如半導體晶圓或液晶玻璃基板(FPD基板)等的顯像處理方法及顯像處理裝置。
一般在半導體裝置的製造中，為了例如在半導體晶圓或FPD基板等(以下稱為晶圓等)塗佈阻劑液，將遮罩圖案予以曝光處理，形成電路圖案，而利用光蝕刻微影(Photolithography)技術。在此光蝕刻微影技術中，是藉由旋轉塗佈法來對晶圓等塗佈阻劑液，使藉此形成的阻劑膜按照所定的電路圖案來曝光，將此曝光圖案予以顯像處理，而於阻劑膜形成電路圖案。
在如此的光蝕刻微影工程中，隨著近年來裝置圖案的微細化、薄膜化，而裝置圖案的瘦身技術或提高曝光的解析度的要求日益變高。提高曝光的解析度的方法之一，有對盛於晶圓表面的顯像液的表面噴上被溫度調整的氣體，而使顯像液的溫度形成最適溫度的方法為人所知(例如參照專利文獻1)。
並且，就以往的顯像處理裝置而言，有一邊使水平保持晶圓的基板保持部繞著鉛直軸旋轉，一邊使顯像液供給噴嘴移動於從晶圓的外周緣側往中心部的半徑方向，藉此在晶圓的表面螺旋狀地盛上顯像液，實施顯像處理者為人所知(例如參照專利文獻2)。
[先行技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]特開平2-46465號公報(申請專利範圍，第1圖)
[專利文獻2]特開2005-210059號公報(申請專利範圍，圖6)
然而，在專利文獻1記載的技術中，是在晶圓等的表面盛上顯像液之後，藉由氣體吹出噴嘴在顯像液的表面噴上被溫度調整的氣體之技術，因此在顯像液的供給與氣體的噴出之間產生時間差，會有顯像液的溫度調整之解析性未能充分取得的問題。
並且，在專利文獻2記載的技術中，是一邊使顯像液供給噴嘴移動於從晶圓的外周緣側往中心部的半徑方向，一邊盛上顯像液，因此被盛於晶圓表面的顯像液會在噴嘴移動方向的後方側產生盛液的下襬部，在該下襬部中因為接觸於晶圓表面的電路圖案的顯像液的量少，所以會有解析性未能夠充分取得的擔憂。特別是在EUV(Extreme Ultra Violet)阻劑中，因為利用波長為13～14nm極短的軟X線，所以解析性未能充分取得。
本發明是有鑑於上述情事而研發者，其目的是在於提供一種促使被供給至基板的表面而盛上之顯像液的盛液的下襬部活化，得以謀求解析性的提升及顯像處理效率的提升之顯像處理方法及顯像處理裝置。
為了解決上述課題，本發明的顯像處理方法，係於表面塗佈阻劑，對被曝光後的基板表面供給顯像液而進行顯像之顯像處理方法，其特徵為：一邊使水平保持基板的基板保持部繞著鉛直軸旋轉，一邊從基板的中心部上方由顯像液供給噴嘴來供給顯像液而盛上的同時，由氣體供給噴嘴來朝所被供給之顯像液的盛液的下襬部供給比處理時的基板溫度還要高溫的氣體，使上述顯像液供給噴嘴及氣體供給噴嘴從基板的中心部往基板的外周緣，於徑方向同時且使氣體供給噴嘴追隨顯像液供給噴嘴移動而進行顯像處理。(請求項1)。
本發明的顯像處理裝置是使請求項1記載的顯像處理方法具體化者，以在表面塗佈阻劑，對被曝光後的基板表面供給顯像液而進行顯像之顯像處理裝置為前提，其特徵係具備：基板保持部，其係水平保持基板；旋轉驅動機構，其係使上述基板保持部繞著鉛直軸旋轉；顯像液供給噴嘴，其係對被保持於上述基板保持部的基板表面供給顯像液；氣體供給噴嘴，其係朝被供給至上述基板的表面之顯像液的盛液的下襬部供給氣體；溫度調整部，其係將從氣體供給源供給至上述氣體供給噴嘴的氣體溫度調整成比處理時的基板溫度還要高溫；移動機構，其係使上述顯像液供給噴嘴及氣體供給噴嘴從基板的中心往外周緣側移動；可調整氣體流量的閥機構，其係設於連接上述氣體供給源與氣體供給噴嘴的氣體供給管路；及控制手段，其係控制上述旋轉驅動機構、溫度調整部、移動機構及閥機構，並且，根據來自上述控制手段的控制信號，從繞著鉛直軸旋轉的基板的中心部上方由顯像液供給噴嘴來供給顯像液而盛上的同時，一邊由氣體供給噴嘴來朝該顯像液的盛液的下襬部供給比處理時的基板溫度還要高溫的氣體，一邊使上述顯像液供給噴嘴及氣體供給噴嘴從基板的中心部往基板的外周緣，於徑方向使氣體供給噴嘴追隨顯像液供給噴嘴移動而進行顯像處理。(請求項4)。
在此發明中，上述氣體可使用非活性氣體例如氮(N2 )氣體(請求項2，5)。
又，請求項3記載的發明是在請求項1或2記載的顯像處理方法中，按照進行顯像處理的基板上的阻劑種類來控制藉由上述基板保持部所保持的基板的旋轉數、顯像液供給噴嘴及氣體供給噴嘴的移動速度、氣體的吐出量及氣體的溫度。
又，請求項6記載的顯像處理裝置是在請求項4或5記載的顯像處理裝置中，上述控制手段係記憶對應於進行顯像處理的基板上的阻劑種類之顯像液的溶解溫度，根據依照該被記憶的資料之控制信號來控制藉由上述基板保持部所保持的基板的旋轉數、顯像液供給噴嘴及氣體供給噴嘴的移動速度、氣體的吐出量及氣體的溫度。
(1)若根據請求項1，2，4，5記載的發明，則可從繞著鉛直軸旋轉的基板的中心部上方由顯像液供給噴嘴來供給顯像液而盛液的同時，一邊由氣體供給噴嘴來朝該顯像液的盛液的下襬部供給比處理時的基板溫度還要高溫的氣體，一邊使顯像液供給噴嘴及氣體供給噴嘴從基板的中心部往基板的外周緣，於徑方向使氣體供給噴嘴追隨顯像液供給噴嘴移動，藉此比基板的溫度還要高溫的氣體會被供給至所被盛上之顯像液的下襬部，因此顯像液會溶解而均一地接觸於基板表面的電路圖案，實施顯像處理。
(2)若根據請求項3，6記載的發明，則可按照進行顯像處理的基板上的阻劑種類來控制藉由基板保持部所保持的基板的旋轉數、顯像液供給噴嘴及氣體供給噴嘴的移動速度、氣體的吐出量及氣體的溫度，藉此除了上述(1)以外，可使顯像液更均一地接觸於基板表面的電路圖案來實施顯像處理。
若根據此發明，則因為如上述般構成，所以可取得以下那樣的效果。
(1)若根據請求項1，2，4，5記載的發明，則在對被盛上的顯像液的下襬部供給比基板的溫度還要高溫的氣體之下，因為顯像液會溶解而均一地接觸於基板表面的電路圖案來實施顯像處理，所以盛液的下襬部的顯像液會活化而能夠謀求顯像處理效率的提升。
(2)若根據請求項3，6記載的發明，則可按照進行顯像處理的基板上的阻劑種類來控制藉由基板保持部所保持的基板的旋轉數、顯像液供給噴嘴及氣體供給噴嘴的移動速度、氣體的吐出量及氣體的溫度，藉此可使顯像液更均一地接觸於基板表面的電路圖案來實施顯像處理，因此除了上述(1)以外可更謀求顯像處理效率的提升。
以下，根據圖面來說明有關本發明的最佳形態。在此，說明有關將本發明的顯像處理裝置適用於塗佈‧顯像處理裝置的情況。
如圖1及圖2所示，上述處理系統具備：載體站1，其係用以搬出入密閉收納複數片例如25片被處理基板的半導體晶圓W(以下稱為晶圓W)的載體10；處理部2，其係用以對從此載體站1取出的晶圓W施以阻劑塗佈，顯像處理等；曝光部4，其係在晶圓W的表面形成透過光的液層之狀態下將晶圓W的表面浸液曝光；及介面部3，其係連接於處理部2與曝光部4之間，進行晶圓W的交接。
載體站1是設有：可排列載置複數個載體10的載置部11、及由此載置部11來看設於前方壁面的開閉部12、及用以經由開閉部12來從載體10取出晶圓W的交接手段A1。
介面部3是以前後設於處理部2與曝光部4之間的第1搬送室3A及第2搬送室3B所構成，分別設有第1晶圓搬送部30A及第2晶圓搬送部30B。
並且，在載體站1的裡側連接以框體20來包圍周圍的處理部2，在此處理部2從前側依序交替配列設置有使加熱‧冷卻系的單元多段化的棚架單元U1，U2，U3及進行液處理單元U4，U5的各單元間的晶圓W的交接之主搬送手段A2，A3。並且，主搬送手段A2，A3是被配置於藉由區劃壁21所包圍的空間內，該區劃壁21是以從載體站1來看配置於前後方向的棚架單元U1，U2，U3側的一面部、及後述之例如右側的液處理單元U4，U5側的一面部、及成左側的一面的背面部所構成。而且，在載體站1與處理部2之間，處理部2與介面部3之間配置有溫溼度調節單元22，該溫溼度調節單元22係具備使用於各單元的處理液的溫度調節裝置或溫溼度調節用的管路等。
棚架單元U1，U2，U3是將用以進行在液處理單元U4，U5所進行的處理的前處理及後處理的各種單元層疊成複數段例如10段的構成，其組合是含有加熱(烘烤)晶圓W的加熱單元(HP)、冷卻晶圓W的冷卻單元(CPL)等。又，液處理單元U4，U5是例如圖2所示，將在阻劑或顯像液等的藥液收納部之上塗佈反射防止膜的底部反射防止膜塗佈單元(BCT)23，塗佈單元(COT)24、對晶圓W供給顯像液而進行顯像處理的顯像單元(DEV)25等層疊成複數段例如5段所構成。本發明的顯像處理裝置50是設於顯像單元(DEV)25。
上述顯像處理裝置50是如圖3及圖4所示，在具有晶圓W的搬出入口51a的外箱51內具備構成基板保持部的旋轉夾頭40，其係吸引吸附晶圓W的背面側中央部而保持於水平。另外，在搬出入口51a可開閉地配設有遮門51b。
上述旋轉夾頭40是經由軸部41來連結至例如伺服馬達等的旋轉驅動機構42，藉由此旋轉驅動機構42在保持晶圓W的狀態下構成可旋轉。另外，旋轉驅動機構42是電性連接至控制手段的控制器60，可根據來自控制器60的控制信號來控制旋轉夾頭40的旋轉數。
並且，以能夠包圍被保持於旋轉夾頭40的晶圓W的側方之方式設有杯43。此杯43是由圓筒狀的外杯43a、及上部側往內側傾斜的筒狀的內杯43b所構成，藉由被連接至外杯43a的下端部之例如汽缸等的昇降機構44來使外杯43a昇降，且內杯43是構成可被形成於外杯43a的下端側內周面的階部所推起而昇降。另外，昇降機構44是被電性連接至控制器60，構成可根據來自控制器60的控制信號來使外杯43a昇降。
而且，在旋轉夾頭40的下方側設有圓形板45，在此圓形板45的外側，剖面為形成凹部狀的液收部46會沿著全周設置。在液收部46的底面形成有排水管排出口47，從晶圓W灑落或甩開而積存於液收部46的顯像液或清洗液會經由此排水管排出口47來排出至裝置的外部。並且，在圓形板45的外側設有剖面山形的環構件48。另外，雖圖示省略，但實際設有貫通圓形板45例如3根的基板支撐銷的昇降銷，藉由此昇降銷與未圖示的基板搬送手段的互相作用，可使晶圓W交接於旋轉夾頭40。
另一方面，在被保持於旋轉夾頭40的晶圓W的上方側，以能夠隔著間隙來與晶圓W的表面的中央部形成對向的方式設有可昇降及水平移動的顯像液供給噴嘴52(以下稱為顯像噴嘴52)、及與此顯像噴嘴52的晶圓中心側並行鄰接之成為氣體供給噴嘴的氮(N2 )氣體供給噴嘴53(以下稱為N2 噴嘴53)。
此情況，顯像噴嘴52是具有帶狀地供給(吐出)顯像液的狹縫狀的吐出口(未圖示)。此吐出口是例如配置成其長度方向會從晶圓W的中心部往外周部。另外，吐出口不只是沿著從晶圓W的中心部往外周部的直線(半徑)來延伸時，亦可對此直線使稍微地具有角度來使交叉。並且，N2 噴嘴53是具有朝由顯像噴嘴52來供給(吐出)至晶圓W上的顯像液D的盛液D1的下襬部D2供給(噴射)N2 氣體的狹縫狀的吐出口(未圖示)(參照圖5(a))。此N2 噴嘴53的吐出口是例如配置其長度方向會從晶圓W的中心部往外周部。另外，N2 噴嘴53的吐出口不只是沿著從晶圓W的中心部往外周部的直線(半徑)來延伸時，亦可與顯像噴嘴52皆對此直線使稍微地具有角度來使交叉。另外，顯像噴嘴52的吐出口並非一定是狹縫狀，亦可為圓形狀的吐出口。
如上述般在彼此鄰接的狀態下被一體化的顯像噴嘴52與N2 噴嘴53是被噴嘴臂54A的一端側所支持，此噴嘴臂54A的另一端側是與具備未圖示的昇降機構的移動基台55A連結，且移動基台55A是構成可例如以滾珠螺桿或時規皮帶(Timing Belt)等的噴嘴移動機構56A來沿著延伸於X方向的引導構件57A移動於橫方向。藉由如此構成來驅動噴嘴移動機構56A，藉此顯像噴嘴52與N2 噴嘴53可沿著從晶圓W的中心部往外周部的直線(半徑)移動。
另外，在杯43的一方的外方側設有顯像噴嘴52的待機部59A，在此待機部59A進行顯像噴嘴52的噴嘴前端部的洗淨等。
並且，在被保持於旋轉夾頭40的晶圓W的上方側，以能夠隔著間隙來與晶圓W的表面的中央部成對向的方式，可昇降及水平移動地設有供給(吐出)洗淨液的清洗液例如純水的清洗噴嘴58。
此清洗噴嘴58是在噴嘴臂54B的一端側被保持於彼此平行狀態，此噴嘴臂54B的另一端側是與具備未圖示的昇降機構的移動基台55B連結，且移動基台55B是構成可例如以滾珠螺桿或時規皮帶等的噴嘴移動機構56B來沿著延伸於X方向的引導構件57B移動於橫方向，亦即可從晶圓W的中心部往基板的外周緣移動於徑方向。另外，在杯43的一方的外方側設有清洗噴嘴58的待機部59B。
又，顯像噴嘴52是經由設有開閉閥V1的顯像液供給管70來連接至顯像液供給源71。此情況，在顯像液供給管70的顯像噴嘴52側設有由二重管72a及熱交換器72b所構成的溫度調整部72，以顯像液能夠形成所定溫度之方式進行溫度調整。另一方面，N2 噴嘴53是經由設有可流量調整的控制閥V0的N2 氣體供給管73來連接至N2 氣體供給源74。此情況，在N2 氣體供給管73設有N2 氣體溫度調整部75，以使N2 氣體能夠比所定溫度亦即處理時的晶圓W的溫度還要高溫例如30～50℃的方式進行溫度調整。
又，清洗噴嘴58是在連接清洗噴嘴58與洗淨液供給源亦即純水供給源77之純水供給管76設有開閉閥V2。
另外，上述噴嘴移動機構56A，56B、開閉閥V1，V2、控制閥V0、溫度調整部72及N2 氣體溫度調整部75是分別被電性連接至上述控制器60，構成可根據預先被記憶於控制器60的控制信號來進行顯像噴嘴52的水平移動、清洗噴嘴58的水平移動、開閉閥V1，V2，控制閥V0的開閉驅動、顯像液及N2 氣體的溫度調整。此情況，顯像液的溫度及N2 氣體的溫度是按照阻劑的種類來設定於所定溫度。亦即，顯像液及N2 氣體的溫度是按照每種阻劑對顯像液的溶解特性來控制顯像液的溫度。
在此，舉一例有關對應於阻劑的種類之顯像液的溫度設定值，例如KrF光源用的阻劑，對顯像液溶解性低的阻劑種類時，是將顯像液的溫度設定值設定成高例如40～60℃。又，例如ArF光源用的阻劑，對顯像液溶解性高的阻劑種類時，是將顯像液的溫度設定值設定成低例如20～40℃。又，如I線，G線等的光源用阻劑那樣，在低溫下溶解性會被促進的阻劑時，是將溫度設定值設定成例如10～20℃。又，將EUV阻劑時的顯像液的溫度設定值設定成10～30℃。另一方面，N2 氣體的溫度是與上述顯像液的溫度同樣，設定成比處理時的晶圓W的溫度還要高溫。
其次，說明有關上述那樣構成的顯像處理裝置50的動作形態。首先，驅動噴嘴移動機構56A來將顯像噴嘴52及N2 噴嘴53移動至晶圓表面的中心部上方位置，如圖5及圖6所示，藉由顯像噴嘴52來對利用旋轉驅動機構42的驅動而以低速例如50rpm旋轉的晶圓W的表面供給(吐出)顯像液的同時，朝顯像液的盛液D1的下襬部D2供給(噴射)比被設定於所定溫度的晶圓W的溫度還要高溫的N2 氣體之狀態下，使顯像噴嘴52及N2 噴嘴53沿著從晶圓W的中心部往外周緣部的直線(半徑)移動而進行顯像處理。藉由如此使N2 噴嘴53追隨顯像噴嘴52而進行顯像，如圖5(a)所示，因為在由顯像噴嘴52來供給(吐出)至晶圓W的表面之顯像液D的盛液D1的晶圓中心側的下襬部D2，由N2 噴嘴53來供給(噴射)比晶圓W還要高溫的N2 氣體，所以如圖5(b)所示，下襬部D2的少量的顯像液會被溶解而均一地接觸於晶圓W的表面所形成的電路圖案P，實施顯像處理。
此顯像處理後，驅動噴嘴移動機構56B來將清洗噴嘴58移動至晶圓表面的中心部上方位置，由清洗噴嘴58來供給(吐出)清洗液亦即純水至旋轉的晶圓W的表面。藉此利用由清洗噴嘴58所供給(吐出)的純水DIW來沖洗晶圓表面之含阻劑溶解成分的顯像液。然後，藉由旋轉驅動機構42的驅動來進行旋轉乾燥處理，亦即使晶圓W高速旋轉，例如將旋轉數設為2000rpm來甩掉晶圓表面的液體。
其次，一邊參照圖1及圖2一邊簡單說明有關利用上述塗佈‧顯像裝置來處理晶圓W的程序。在此，是說明有關在晶圓W的表面形成底部反射防止膜(BARC)，且在其上層塗佈無上方塗層阻劑的情況。首先，一旦例如收納25片的晶圓W之載體10被載置於載置部11，則載體10的蓋體會與開閉部12一起解開，藉由交接手段A1來取出晶圓W。然後，晶圓W會經由構成棚架單元U1的一段之交接單元(未圖示)來交接至主搬送手段A2，作為塗佈處理的前處理例如在單元(BCT)23於其表面形成底部反射防止膜(BARC)。然後，藉由主搬送手段A2來搬送至構成棚架單元U1～U3之一的棚架的加熱處理部，進行預烘烤(CLHP)，更在冷卻後，藉由主搬送手段A2來將晶圓W搬入塗佈單元(COT)24內，在晶圓W的表面全體薄膜狀地塗佈無上方塗層阻劑。然後，藉由主搬送手段A2來搬送至構成棚架單元U1～U3之一的棚架的加熱處理部，進行預烘烤(CLHP)，更在冷卻後，經由棚架單元U3的交接單元來搬送至介面部3。在此介面部3，藉由第1搬送室3A及第2搬送室3B的第1晶圓搬送部30A及第2晶圓搬送部30B來搬送至曝光部4，以能夠和晶圓W的表面成對向的方式配置曝光手段(未圖示)來進行曝光。完成曝光的晶圓W是以相反的路徑來搬送至主搬送手段A3，搬入顯像單元(DEV)25。被搬入顯像單元(DEV)25的晶圓W是藉由顯像處理裝置50，如上述般，在晶圓W的表面由顯像噴嘴52來供給(吐出)顯像液的同時，朝顯像液之盛液D1的下襬部D2供給(噴射)比被設定於所定溫度的晶圓W的溫度還要高溫的N2 氣體之狀態下，使N2 噴嘴53追隨顯像噴嘴52沿著從晶圓W的中心部往外周緣部的直線(半徑)移動，進行顯像處理後，將清洗噴嘴58移動至晶圓表面的中心部上方位置，由清洗噴嘴58來供給(吐出)純水於旋轉的晶圓W表面，實施洗淨處理，然後使晶圓W高速旋轉而乾燥。
然後，晶圓W會藉由主搬送手段A3來從顯像單元(DEV)25搬出，經由主搬送手段A2、交接手段A1來回到載置部11上的原來的載體10，完成一連串的塗佈‧顯像處理。
另外，上述實施形態是說明有關在晶圓W的表面形成底部反射防止膜(BARC)，且在其表面形成阻劑層時，但即使在無底部反射防止膜(BARC)時也可取得與上述實施形態同樣的效果。此情況的處理程序是依阻劑塗佈工程→預烘烤工程→浸液曝光工程→後曝光烘烤工程→顯像工程(顯像處理→洗淨‧乾燥處理)的順序來處理。
W．．．半導體晶圓(基板)
40．．．旋轉夾頭(基板保持部)
42．．．旋轉驅動機構
50．．．顯像處理裝置
52．．．顯像噴嘴(顯像液供給噴嘴)
53．．．N2 噴嘴(氣體供給噴嘴)
56A．．．噴嘴移動機構
60．．．控制器(控制手段)
75．．．N2 氣體溫度調整部
V0．．．控制閥(閥機構)
D．．．顯像液
D1．．．盛液
D2．．．下襬部
圖1是表示在適用本發明的顯像處理裝置的塗佈‧顯像處理裝置連接曝光處理裝置的處理系統的全體概略平面圖。
圖2是上述處理系統的概略立體圖。
圖3是表示本發明的顯像處理裝置的概略剖面圖。
圖4是上述顯像處理裝置的概略平面圖。
圖5是表示本發明的顯像處理的狀態剖面圖(a)及擴大剖面圖(b)。
圖6是表示本發明的顯像處理的狀態概略平面圖。
52．．．顯像噴嘴(顯像液供給噴嘴)
53．．．N2 噴嘴(氣體供給噴嘴)
D．．．顯像液
D1．．．盛液
D2．．．下襬部
N2．．．氮
W．．．半導體晶圓(基板)
P．．．電路圖案

Claims (6)

  1. 一種顯像處理方法，係於表面塗佈阻劑，對被曝光後的基板表面供給顯像液而進行顯像之顯像處理方法，其特徵為：從基板的中心往外周方向的方式，使氣體供給噴嘴在中心側，顯像液供給噴嘴在外周方向側，彼此鄰接的狀態下一體化配置，一邊使水平保持基板的基板保持部繞著鉛直軸旋轉，一邊從基板的中心部上方由上述顯像液供給噴嘴來供給顯像液而盛上的同時，一邊使上述顯像液供給噴嘴及上述氣體供給噴嘴從基板的中心部往基板的外周緣來移動於徑方向，一邊更朝上述顯像液供給噴嘴的移動方向的後方側所產生的顯像液的下襬部，由上述氣體供給噴嘴來供給比處理時的基板的溫度更高溫的氣體而進行顯像處理。
  2. 如申請專利範圍第1項之顯像處理方法，其中，上述氣體為非活性氣體。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之顯像處理方法，其中，按照進行顯像處理的基板上的阻劑種類來控制藉由上述基板保持部所保持的基板的旋轉數、顯像液供給噴嘴及氣體供給噴嘴的移動速度、氣體的吐出量及氣體的溫度。
  4. 一種顯像處理裝置，係於表面塗佈阻劑，對被曝光後的基板表面供給顯像液而進行顯像之顯像處理裝置，其 特徵係具備：基板保持部，其係水平保持基板；旋轉驅動機構，其係使上述基板保持部繞著鉛直軸旋轉；顯像液供給噴嘴，其係對被保持於上述基板保持部的基板表面供給顯像液；氣體供給噴嘴，其係在與上述顯像液供給噴嘴彼此鄰接的狀態下被一體化，朝被供給至上述基板的表面之顯像液的盛液的下襬部供給氣體；溫度調整部，其係將從氣體供給源供給至上述氣體供給噴嘴的氣體溫度調整成比處理時的基板溫度還要高溫；移動機構，其係使上述顯像液供給噴嘴及氣體供給噴嘴從基板的中心往外周緣側移動；可調整氣體流量的閥機構，其係設於連接上述氣體供給源與氣體供給噴嘴的氣體供給管路；及控制手段，其係控制上述旋轉驅動機構、溫度調整部、移動機構及閥機構，並且，根據來自上述控制手段的控制信號，從基板的中心往外周方向的方式，在中心側配置上述氣體供給噴嘴，在外周方向側配置上述顯像液供給噴嘴，而從繞著鉛直軸旋轉的基板的中心部上方由上述顯像液供給噴嘴來供給顯像液而盛上的同時，一邊使上述顯像液供給噴嘴及上述氣體供給噴嘴從基板的中心部往基板的外周緣來移動於徑方向，一邊更朝上述顯像液供給噴嘴的移動方向的後方 側所產生的顯像液的下襬部，由上述氣體供給噴嘴來供給比處理時的基板的溫度更高溫的氣體而進行顯像處理。
  5. 如申請專利範圍第4項之顯像處理裝置，其中，上述氣體為非活性氣體。
  6. 如申請專利範圍第4或5項之顯像處理裝置，其中，上述控制手段係記憶對應於進行顯像處理的基板上的阻劑種類之顯像液的溶解溫度，根據依照該被記憶的資料之控制信號來控制藉由上述基板保持部所保持的基板的旋轉數、顯像液供給噴嘴及氣體供給噴嘴的移動速度、氣體的吐出量及氣體的溫度。
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