JP6544318B2 - トランジスタ駆動回路 - Google Patents
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Description
図1に示すように、RC−IGBT1のコレクタ及びエミッタと、SiC−MOSFET2のドレイン及びソースとは、それぞれ共通に接続されている。IGBT1のコレクタ及びFET2のドレインは、例えば同様に並列接続された素子で構成されている図示しない上アーム側の素子に接続されており、同エミッタ及びソースはグランドに接続されている。
以下、第1実施形態と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、異なる部分について説明する。図3に示すように、第2実施形態の駆動IC31は、駆動IC6より立上り検出回路9,ゲート立上り期間検出回路10,チャージ期間検出回路11,立下り検出回路12,ANDゲート18を削除した構成である。また、ゲート電圧差分検出回路13についても、コンパレータ17以外の構成を削除している。
バイポーラ型トランジスタは、RC−IGBTに限ることはない。また、MOSFETもSiC−MOSFETに限ることはない。
本開示は、実施例に準拠して記述されたが、本開示は当該実施例や構造に限定されるものではないと理解される。本開示は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらに一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範疇や思想範囲に入るものである。
Claims (4)
- バイポーラ型トランジスタ(1)とMOSFET(2)とを並列に接続したものを駆動対象とし、
前記バイポーラ型トランジスタをターンオンさせる際に、当該トランジスタの駆動電圧がミラー電圧に達した後、ミラー期間が終了した以降に前記MOSFETのターンオンを開始させるため、
入力信号の立下りタイミングを遅延させた信号を出力するターンオフディレイ回路(7)と、
このターンオフディレイ回路の出力信号の変化に応じて、前記バイポーラ型トランジスタのゲートにターンオンレベル電圧とターンオフレベル電圧とを付与するバイポーラ型トランジスタ駆動回路(8)と、
前記入力信号の立上りを検出する立上り検出回路(9)と、
前記入力信号の立下りを検出する立下り検出回路(22)と、
前記バイポーラ型トランジスタの駆動電圧がターンオンレベルに立上るまでの立上り期間を検出するゲート立上り期間検出回路(10)と、
前記立上り期間内において、前記バイポーラ型トランジスタの駆動電圧の変化時間よりも短い周期のクロック信号に同期して動作し、前記駆動電圧の現在値とその一周期前の値との差分を求め、前記差分が閾値電圧よりも大きくなると差分検出信号を出力するゲート電圧差分検出回路(13)と、
前記立上り期間内において、前記差分検出信号の1回目の出力が停止した時点から、2回目の出力が停止する時点までの前記バイポーラ型トランジスタの容量充電期間に充電期間検出信号を出力するチャージ期間検出回路(11)と、
前記差分検出信号,前記充電期間検出信号及び前記クロック信号の論理積をとるANDゲート(18)と、
このANDゲートの出力信号の立上りを検出する立上り検出回路(20)と、
前記立上り検出回路が前記ANDゲートの出力信号の立上りを検出すると前記MOSFETのゲートにターンオンレベル電圧を付与し、前記立下り検出回路が前記入力信号の立下りを検出すると前記MOSFETのゲートにターンオフレベル電圧を付与するMOS駆動回路(21)と、
前記充電期間検出信号の立下りを検出する立下り検出回路(12)とを備え、
前記ゲート立上り期間検出回路は、前記立上り検出回路が前記入力信号の立上りを検出した時点から、前記立下り検出回路が前記充電期間検出信号の立下りを検出する時点までを、前記立上り期間として検出するトランジスタ駆動回路。 - 前記チャージ期間検出回路は、前記ゲート電圧差分検出回路より入力される信号の立下りエッジの検出回数をカウントするカウンタ(19)を備え、
前記カウンタは、前記入力信号の立上りが検出されるとリセットされ、その後、前記ゲート電圧差分検出回路より1回目の立下りエッジが入力されると充電期間検出信号をハイレベルにし、2回目の立下りエッジが入力されると前記信号をローレベルに変化させる請求項1記載のトランジスタ駆動回路。 - 前記ゲート電圧差分検出回路は、今回のバイポーラ型トランジスタの駆動電圧が記憶される現在値記憶部(14)と、
その1クロック周期前の駆動電圧が記憶される前回値記憶部(15)と、
この前回値記憶部と、前記現在値記憶部とに記憶されている駆動電圧の差分を検出する差分検出部(16)と、
前記差分と閾値電圧とを比較し、その比較結果を前記差分検出信号として出力するコンパレータ(17)とを備える請求項1又は2記載のトランジスタ駆動回路。 - バイポーラ型トランジスタ(1)とMOSFET(2)とを並列に接続したものを駆動対象とし、
前記バイポーラ型トランジスタをターンオンさせる際に、当該トランジスタの駆動電圧がミラー電圧に達した後、ミラー期間が終了した以降に前記MOSFETのターンオンを開始させるため、
入力信号の立下りタイミングを遅延させた信号を出力するターンオフディレイ回路(7)と、
このターンオフディレイ回路の出力信号の変化に応じて、前記バイポーラ型トランジスタのゲートにターンオンレベル電圧とターンオフレベル電圧とを付与するバイポーラ型トランジスタ駆動回路(8)と、
前記バイポーラ型トランジスタの駆動電圧と前記ミラー電圧よりも高く設定される閾値電圧とを比較し、その比較結果を出力するコンパレータ(17)と、
このコンパレータの出力信号の立上りを検出する立上り検出回路(20)と、
前記入力信号の立下りを検出する立下り検出回路(22)と、
前記立上り検出回路が前記立上りを検出すると前記MOSFETのゲートにターンオンレベル電圧を付与し、前記立下り検出回路が前記立下りを検出すると前記MOSFETのゲートにターンオフレベル電圧を付与するMOS駆動回路(21)とを備えるトランジスタ駆動回路。
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