JP6535047B2 - 半導体加工用粘着テープ - Google Patents
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Description
本発明は、半導体加工用粘着テープに関する。
さらに詳しくは、半導体ウェハをチップにダイシングする際などにおける半導体ウェハの固定保持に適したダイシング用粘着テープおよび半導体パッケージ加工に使用されるダイシング用粘着テープに関するものである。特に、高密度実装半導体パッケージ加工用として好適なダイシング用粘着テープに関するものである。
さらに詳しくは、半導体ウェハをチップにダイシングする際などにおける半導体ウェハの固定保持に適したダイシング用粘着テープおよび半導体パッケージ加工に使用されるダイシング用粘着テープに関するものである。特に、高密度実装半導体パッケージ加工用として好適なダイシング用粘着テープに関するものである。
ダイシング用粘着テープは、回路パターンの形成された半導体ウェハをチップ状に分離するダイシング工程時に、ウェハを保護・固定するものである。具体的には、半導体ウェハは、粘着テープに固定された後、ダイシングブレードと呼ばれる回転刃により分割（ダイシング）され、チップ状に分離された半導体チップになる。半導体チップは粘着テープにより、ピックアップ工程まで保持される。
その後、複数の半導体チップをパッケージ樹脂で一括モールドし、個別に分離して個々の半導体パッケージを形成する場合は、ダイシングテープに貼り付け固定し、ダイシングブレードによりダイシングを行う。このように樹脂で一括封止されたパッケージのダイシング工程では、切断時の負荷が大きい上、パッケージ樹脂は離型剤を含有するとともにその樹脂表面も微小な凹凸を有する構造を有する。このため、上記ダイシングテープ（以下、「半導体加工用テープ」ともいう。）に使用されている粘着剤には、強固にパッケージを保持でき、ダイシング時にパッケージが保持されず飛散する（以下、「パッケージフライ」という。）などの不具合が生じないように柔軟な粘着剤が使用されている。
一方で、柔軟な粘着剤を使用することにより、ダイシングによるパッケージ側面への粘着剤の付着や、パッケージに捺印されているレーザーマークが剥がれる等の問題が生じている。
一方で、柔軟な粘着剤を使用することにより、ダイシングによるパッケージ側面への粘着剤の付着や、パッケージに捺印されているレーザーマークが剥がれる等の問題が生じている。
パッケージフライの発生を低減するため、従来から検討が行われている。
例えば、粘着剤層に（メタ）アクリル酸アルキルエステルを用いた粘着テープが提案されている（特許文献１参照）。
半導体チップの小型化、薄膜化に伴い、樹脂で一括封止されたパッケージも小型化が進み、精密さも求められている。
この小型化に際し、従来のピン突き上げによるピックアップ方法では、ピックアップの際に隣接するパッケージ同士が擦れることによる欠けを防ぐために、高いピンハイトで突き上げることも行われている。
しかしながら、高いピンハイトで突き上げることより、目的のパッケージに隣接するパッケージも一緒に取れてしまう不具合が生じたり、ピックアップに非常に時間がかかる等の問題が生じてしまう。
そのため、ピンセット等によりテープの背面を擦ることによりテープを撓ませて、パッケージを一気に落とす（以下、「擦り落とし」という。）ことでピックアップを行なったり、スクラッピングと呼ばれる、パッケージ/糊面間をきっかけ用のバー（ナイフ）で剥離し（そぎ落とし）てテープから剥がすような方式でピックアップを行うようになってきた。
例えば、粘着剤層に（メタ）アクリル酸アルキルエステルを用いた粘着テープが提案されている（特許文献１参照）。
半導体チップの小型化、薄膜化に伴い、樹脂で一括封止されたパッケージも小型化が進み、精密さも求められている。
この小型化に際し、従来のピン突き上げによるピックアップ方法では、ピックアップの際に隣接するパッケージ同士が擦れることによる欠けを防ぐために、高いピンハイトで突き上げることも行われている。
しかしながら、高いピンハイトで突き上げることより、目的のパッケージに隣接するパッケージも一緒に取れてしまう不具合が生じたり、ピックアップに非常に時間がかかる等の問題が生じてしまう。
そのため、ピンセット等によりテープの背面を擦ることによりテープを撓ませて、パッケージを一気に落とす（以下、「擦り落とし」という。）ことでピックアップを行なったり、スクラッピングと呼ばれる、パッケージ/糊面間をきっかけ用のバー（ナイフ）で剥離し（そぎ落とし）てテープから剥がすような方式でピックアップを行うようになってきた。
また、近年では、パッケージの小型化によるピックアップ方式の変更やコスト削減による半導体加工メーカーのテープ統一化により、従来の半導体加工用テープでは多種多様のピックアップ方式に対応できないという問題が生じてきた。
例えば、高ピンハイトピックアップ（Picking-up）に求められるテープの性能としては、先の細いピンを用いた高ピンハイトでの突き上げに対しても、破れずに耐え得る柔軟性が挙げられる。また、擦り落としに求められるテープの性能としては、背面からの擦り落としがし易い適度なテープ剛性が挙げられる。さらに、スクラッピングに求められるテープの性能としては、せん断方向の力でパッケージ（Package）が剥離できる易剥離性が挙げられる。
本発明は、上記のような従来技術に伴う問題点を解決しようとするものであり、ダイシング時に発生するパッケージフライの発生を低減しつつ、かつ、ダイシング後には、ピンでの突き上げ、擦り落とし、スクラッピングのいずれのピックアップでもパッケージを半導体加工用粘着テープから剥離できる、半導体加工用粘着テープを提供することを課題とする。
本発明者は、鋭意検討した結果、粘着テープの5%モジュラスの値と、UV照射前後のSiに対するせん断接着力の値とが、それぞれ適切な範囲内に設定されることが重要であることを見出し、本発明に至った。
すなわち、本発明の上記課題は以下の手段によって解決される。
すなわち、本発明の上記課題は以下の手段によって解決される。
〔１〕基材フィルム上に粘着剤層を有する半導体加工用粘着テープであって、
前記半導体加工用粘着テープの5%モジュラスが３．０〜１５．０ＭＰａであり、UV照射前のSiに対するせん断接着力が３０〜４００N/cm2であり、UV照射後のSiに対するせん断接着力が１５０〜７００N/cm2であることを特徴とする半導体加工用粘着テープ。
〔２〕前記粘着剤層に用いられる粘着剤が、アクリル系粘着剤である〔１〕項に記載の半導体加工用粘着テープ。
〔３〕半導体パッケージのダイシングおよびピックアップに用いられる〔１〕または〔２〕項に記載の半導体加工用粘着テープ。
前記半導体加工用粘着テープの5%モジュラスが３．０〜１５．０ＭＰａであり、UV照射前のSiに対するせん断接着力が３０〜４００N/cm2であり、UV照射後のSiに対するせん断接着力が１５０〜７００N/cm2であることを特徴とする半導体加工用粘着テープ。
〔２〕前記粘着剤層に用いられる粘着剤が、アクリル系粘着剤である〔１〕項に記載の半導体加工用粘着テープ。
〔３〕半導体パッケージのダイシングおよびピックアップに用いられる〔１〕または〔２〕項に記載の半導体加工用粘着テープ。
本発明では、アクリル系と称する場合、メタアクリル系も包括するものである。
また、アクリル系をより明確にするため、（メタ）アクリル系のように、「（メタ）」の括弧部分は、これがあってもなくてもよいことを意味し、例えば、（メタ）アクリル系は、アクリル系もしくはメタクリル系またはこれら両方を含む場合のいずれでも構わない。このことは、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリレートについても同様の意味である。
また、アクリル系をより明確にするため、（メタ）アクリル系のように、「（メタ）」の括弧部分は、これがあってもなくてもよいことを意味し、例えば、（メタ）アクリル系は、アクリル系もしくはメタクリル系またはこれら両方を含む場合のいずれでも構わない。このことは、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリレートについても同様の意味である。
本発明の半導体加工用粘着テープは、ダイシング時に発生するパッケージフライの発生を低減しつつ、かつ、ダイシング後には、ピンでの突き上げ、擦り落とし、スクラッピングのいずれのピックアップでも迅速かつ確実にパッケージを粘着テープから剥離することができる。
ここで、半導体加工用粘着テープのモジュラスの値を制御することで、高ピンハイトでのピン突き上げ時に破れず、擦り落としがし易い適切な柔軟性が得られる。また、半導体加工用粘着テープのせん断接着力の値を制御することで、パッケージフライの発生低減とスクラッピングによるピックアップのし易さが両立できる。
ここで、半導体加工用粘着テープのモジュラスの値を制御することで、高ピンハイトでのピン突き上げ時に破れず、擦り落としがし易い適切な柔軟性が得られる。また、半導体加工用粘着テープのせん断接着力の値を制御することで、パッケージフライの発生低減とスクラッピングによるピックアップのし易さが両立できる。
以下に、本発明の半導体加工用粘着テープを詳細に説明する。
＜＜半導体加工用粘着テープ＞＞
本発明の半導体加工用粘着テープ１２は、図１で模式的に示す概略断面図のように、基材フィルム１上の少なくとも一方の面に粘着剤層２を有する。
以下、基材フィルム１から順に説明する。
本発明の半導体加工用粘着テープ１２は、図１で模式的に示す概略断面図のように、基材フィルム１上の少なくとも一方の面に粘着剤層２を有する。
以下、基材フィルム１から順に説明する。
＜基材フィルム１＞
本発明では、基材フィルム１は、均一かつ等方的な拡張性を有することが、ピンでのピックアップ時のエキスパンド工程においてパッケージ間の間隔が全方向に偏りなく広がる点で好ましい。また、基材フィルム１の剛性が大きくなりすぎないことが、基材フィルムをエキスパンドするために必要な力が大きくなりすぎず、装置の負荷が大きくならない点で好ましい。さらに、基材フィルム１の材質については特に限定されず、例えば、架橋樹脂及び非架橋樹脂のいずれであってもよい。
本発明では、基材フィルム１は、均一かつ等方的な拡張性を有することが、ピンでのピックアップ時のエキスパンド工程においてパッケージ間の間隔が全方向に偏りなく広がる点で好ましい。また、基材フィルム１の剛性が大きくなりすぎないことが、基材フィルムをエキスパンドするために必要な力が大きくなりすぎず、装置の負荷が大きくならない点で好ましい。さらに、基材フィルム１の材質については特に限定されず、例えば、架橋樹脂及び非架橋樹脂のいずれであってもよい。
一般に、架橋樹脂は、非架橋樹脂と比較して引っ張りに対する復元力が大きく、エキスパンド工程後の引き伸ばされた状態からの復元性に優れる。一方、非架橋樹脂は、架橋樹脂と比較して引っ張りに対する復元力が小さい。したがって、擦り落としによるピックアップ時にテープが変形後から収縮しにくいため、擦り落としによるピックアップがしやすい点で優れる。非架橋樹脂のなかでもオレフィン系の非架橋樹脂がより好ましく使用される。
基材フィルム１は、単層構造であっても、複層構造であってもよい。
基材フィルム１は、単層構造であっても、複層構造であってもよい。
（架橋樹脂）
上記架橋樹脂としてはエチレン−（メタ）アクリル酸二元共重合体またはエチレン−（メタ）アクリル酸−（メタ）アクリル酸アルキルエステルを主な重合体構成成分とした三元共重合体を金属イオンで架橋したアイオノマー樹脂からなることが好ましい。
これらの架橋樹脂は、均一拡張性の面でエキスパンド工程に適し、かつ架橋によって加熱時に強く復元力が働く点で、特に好適である。
上記アイオノマー樹脂に含まれる金属イオンは特に限定されず、亜鉛、ナトリウム等のイオンが挙げられる。溶出性が低く低汚染性の点から亜鉛イオンが好ましい。
また、上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、メタアクリル酸メチル、メタアクリル酸エチル、メタアクリル酸プロピル、メタアクリル酸ブチル、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸ブチル等が挙げられる。
上記架橋樹脂としてはエチレン−（メタ）アクリル酸二元共重合体またはエチレン−（メタ）アクリル酸−（メタ）アクリル酸アルキルエステルを主な重合体構成成分とした三元共重合体を金属イオンで架橋したアイオノマー樹脂からなることが好ましい。
これらの架橋樹脂は、均一拡張性の面でエキスパンド工程に適し、かつ架橋によって加熱時に強く復元力が働く点で、特に好適である。
上記アイオノマー樹脂に含まれる金属イオンは特に限定されず、亜鉛、ナトリウム等のイオンが挙げられる。溶出性が低く低汚染性の点から亜鉛イオンが好ましい。
また、上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、メタアクリル酸メチル、メタアクリル酸エチル、メタアクリル酸プロピル、メタアクリル酸ブチル、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸ブチル等が挙げられる。
また、上記架橋樹脂としては、上記のアイオノマー樹脂の他に、比重０．９１０以上０．９３０未満の低密度ポリエチレン、比重０．９１０未満の超低密度ポリエチレン等のポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体から選ばれる樹脂に対して、電子線等のエネルギー線を照射することで架橋させた樹脂も好適に用いられる。
これらの架橋樹脂は、架橋部位と非架橋部位が樹脂中に共存していることから、一定の均一拡張性を有する。また、復元力が働くことから、エキスパンド工程で生じたテープの弛みを除去する上でも好適であり、分子鎖の構成中に塩素をほとんど含まないため、使用後に不要となったテープを焼却処分しても、ダイオキシンやその類縁体等の塩素化芳香族炭化水素が発生しない為、環境負荷も小さい。上記ポリエチレンやエチレン−酢酸ビニル共重合体に対して照射するエネルギー線の量を適宜に調整することで、十分な均一拡張性を有する樹脂を得ることができる。
これらの架橋樹脂は、架橋部位と非架橋部位が樹脂中に共存していることから、一定の均一拡張性を有する。また、復元力が働くことから、エキスパンド工程で生じたテープの弛みを除去する上でも好適であり、分子鎖の構成中に塩素をほとんど含まないため、使用後に不要となったテープを焼却処分しても、ダイオキシンやその類縁体等の塩素化芳香族炭化水素が発生しない為、環境負荷も小さい。上記ポリエチレンやエチレン−酢酸ビニル共重合体に対して照射するエネルギー線の量を適宜に調整することで、十分な均一拡張性を有する樹脂を得ることができる。
（非架橋樹脂）
また、上記非架橋樹脂としては、例えば、ポリプロピレンとスチレン−オレフィン共重合体との混合樹脂組成物が挙げられる。
ポリプロピレンとしては、例えばプロピレンの単独重合体、又は、ブロック型若しくはランダム型プロピレン−エチレン共重合体を用いることができる。ランダム型のプロピレン−エチレン共重合体は剛性が小さく好ましい。
プロピレン−エチレン共重合体中のエチレン構成単位の含有率が０．１質量％以上であることが、テープが適度な剛性を有し、混合樹脂組成物中の樹脂同士の相溶性が高い点から好ましい。テープが適度な剛性を有すると擦り落としによるピックアップ性が向上し、樹脂同士の相溶性が高い場合は押出し吐出量が安定化しやすい。上記エチレン構成単位の含有率は、より好ましくは１質量％以上である。また、プロピレン−エチレン共重合体中のエチレン構成単位の含有率が７質量％以下であることが、ポリプロピレンが安定して重合しやすくなる点から好ましく、より好ましくは５質量％以下である。
また、上記非架橋樹脂としては、例えば、ポリプロピレンとスチレン−オレフィン共重合体との混合樹脂組成物が挙げられる。
ポリプロピレンとしては、例えばプロピレンの単独重合体、又は、ブロック型若しくはランダム型プロピレン−エチレン共重合体を用いることができる。ランダム型のプロピレン−エチレン共重合体は剛性が小さく好ましい。
プロピレン−エチレン共重合体中のエチレン構成単位の含有率が０．１質量％以上であることが、テープが適度な剛性を有し、混合樹脂組成物中の樹脂同士の相溶性が高い点から好ましい。テープが適度な剛性を有すると擦り落としによるピックアップ性が向上し、樹脂同士の相溶性が高い場合は押出し吐出量が安定化しやすい。上記エチレン構成単位の含有率は、より好ましくは１質量％以上である。また、プロピレン−エチレン共重合体中のエチレン構成単位の含有率が７質量％以下であることが、ポリプロピレンが安定して重合しやすくなる点から好ましく、より好ましくは５質量％以下である。
スチレン−オレフィン共重合体中のオレフィン構成単位としては、エチレン、プロピレン、ブタジエン、イソプレン等が挙げられ、ブタジエン、イソプレンが好ましい。
スチレン−オレフィン共重合体としては水素添加したものを用いてもよい。スチレン−オレフィン共重合体が水素添加されると、プロピレンとの相溶性が良くかつオレフィン中の二重結合に起因する酸化劣化による、脆化、変色を防止することができる。
また、スチレン−オレフィン共重合体中のスチレン構成単位の含有率が５質量％以上であることが、スチレン−オレフィン共重合体を安定して重合しやすい点で好ましい。また、上記スチレン構成単位の含有率は４０質量％以下であることが、柔軟で拡張性に優れる点から好ましく、より好ましくは２５質量％以下であり、さらに好ましくは１５質量％以下である。
スチレン−オレフィン共重合体としては、ブロック型共重合体及びランダム型共重合体のいずれを用いてもよい。ランダム型共重合体は、スチレン相が均一に分散し、より偏在の少ない拡張性や柔軟性を得られる点から好ましい。構成各成分の特徴を出しやすい点からは、ブロック共重合体が好ましく、スチレン−オレフィン−スチレンブロック共重合体がより好ましく、スチレン−水添オレフィン−スチレンブロック共重合体がさらに好ましい。
スチレン−オレフィン共重合体としては水素添加したものを用いてもよい。スチレン−オレフィン共重合体が水素添加されると、プロピレンとの相溶性が良くかつオレフィン中の二重結合に起因する酸化劣化による、脆化、変色を防止することができる。
また、スチレン−オレフィン共重合体中のスチレン構成単位の含有率が５質量％以上であることが、スチレン−オレフィン共重合体を安定して重合しやすい点で好ましい。また、上記スチレン構成単位の含有率は４０質量％以下であることが、柔軟で拡張性に優れる点から好ましく、より好ましくは２５質量％以下であり、さらに好ましくは１５質量％以下である。
スチレン−オレフィン共重合体としては、ブロック型共重合体及びランダム型共重合体のいずれを用いてもよい。ランダム型共重合体は、スチレン相が均一に分散し、より偏在の少ない拡張性や柔軟性を得られる点から好ましい。構成各成分の特徴を出しやすい点からは、ブロック共重合体が好ましく、スチレン−オレフィン−スチレンブロック共重合体がより好ましく、スチレン−水添オレフィン−スチレンブロック共重合体がさらに好ましい。
上記混合樹脂組成物中におけるポリプロピレンの含有率が３０質量％以上であることが、基材フィルム１の厚さムラを抑制できる点で好ましい。厚さが均一であると、拡張性が等方化しやすい。上記ポリプロピレンの含有率は、より好ましくは５０質量％以上である。また、上記ポリプロピレンの含有率が９０質量％以下であると、基材フィルム１の剛性を調整しやすい。基材フィルム１の剛性が大きくなりすぎると、基材フィルム１を拡張するために必要な力が大きくなるため、装置の負荷が大きくなり、十分にエキスパンドができなくなる場合やピンでのピックアップ時に破れが発生する場合があるので、適度な剛性に調整することは重要である。
上記混合樹脂組成物中のスチレン−オレフィン共重合体の含有率の下限は１０質量％以上であることが、装置に適した基材フィルム１の剛性に調整しやすい点で好ましい。また、上限は厚さムラを抑制できる点から、７０質量％以下が好ましく、５０質量％以下がより好ましい。
上記混合樹脂組成物中のスチレン−オレフィン共重合体の含有率の下限は１０質量％以上であることが、装置に適した基材フィルム１の剛性に調整しやすい点で好ましい。また、上限は厚さムラを抑制できる点から、７０質量％以下が好ましく、５０質量％以下がより好ましい。
本発明の半導体加工用粘着テープとしての性能を満たすものであれば、基材フィルム１の材質は上記の樹脂に限定されない。基材フィルム１は、１種の樹脂で構成されていても、２種以上の樹脂で構成されていてもよい。ただし、２種以上の樹脂で構成される際には、２種以上の樹脂は架橋性か非架橋性かで統一されている場合には各々の特性がより増強されて発現する観点で好ましく、架橋性と非架橋性の樹脂を組合わせて積層した場合には各々の欠点が補われる点で好ましい。
基材フィルム１の厚みは特に限定されないが、半導体加工用粘着テープ１２のエキスパンド工程において引き伸ばし易く、かつピックアップ時に破断等しないだけの十分な強度を有していればよい。具体的には、例えば、５０〜２００μｍが好ましく、１００〜１５０μｍがより好ましい。
基材フィルム１の厚みは特に限定されないが、半導体加工用粘着テープ１２のエキスパンド工程において引き伸ばし易く、かつピックアップ時に破断等しないだけの十分な強度を有していればよい。具体的には、例えば、５０〜２００μｍが好ましく、１００〜１５０μｍがより好ましい。
複層構造の基材フィルム１の製造方法としては、従来公知の押出法、ラミネート法などを用いることができる。ラミネート法を用いる場合は、層間に接着剤を介在させてもよい。接着剤としては従来の任意の接着剤を用いることができる。
＜粘着剤層２＞
粘着剤層２は、従来の任意の種々の粘着剤により形成され得る。このような粘着剤としては、何ら限定されるものではないが、例えばゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル系等をベースポリマーとした粘着剤が用いられる。
粘着剤中、ベースポリマーの含有率は、２０〜１００質量％が好ましく、３０〜９０質量％がより好ましい。
本発明では、被着体である半導体パッケージへの糊残りの少なさからアクリル系粘着剤が好ましい。
粘着剤層２は、従来の任意の種々の粘着剤により形成され得る。このような粘着剤としては、何ら限定されるものではないが、例えばゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル系等をベースポリマーとした粘着剤が用いられる。
粘着剤中、ベースポリマーの含有率は、２０〜１００質量％が好ましく、３０〜９０質量％がより好ましい。
本発明では、被着体である半導体パッケージへの糊残りの少なさからアクリル系粘着剤が好ましい。
粘着剤には、上記ベースポリマーに凝集力を付加し、初期の接着力を任意の値に設定する点から、架橋剤を配合することができる。
架橋剤としては、各種ベースポリマーに応じて適宜選択されるが、例えばイソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、金属キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン樹脂のものが挙げられる。
架橋剤としては、各種ベースポリマーに応じて適宜選択されるが、例えばイソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、金属キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン樹脂のものが挙げられる。
イソシアネート系架橋剤は、ヒドロキシ基、アミノ基等を有するベースポリマー（例えば、後述するヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートを構成単位とするポリマー）に対して使用することができる。
イソシアネート系架橋剤としては、多価イソシアネート化合物が用いられ、例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシリレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−２，４’−ジイソシアネート、３−メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−２，４’−ジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネートが挙げられ、市販品では、日本ポリウレタン社製のコロネートＬ（商品名）が挙げられる。
粘着剤中、イソシアネート系架橋剤は、ベースポリマー１００質量部に対し、０．１〜１０質量部が好ましく、０．１〜５質量部がより好ましい。
イソシアネート系架橋剤としては、多価イソシアネート化合物が用いられ、例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシリレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−２，４’−ジイソシアネート、３−メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−２，４’−ジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネートが挙げられ、市販品では、日本ポリウレタン社製のコロネートＬ（商品名）が挙げられる。
粘着剤中、イソシアネート系架橋剤は、ベースポリマー１００質量部に対し、０．１〜１０質量部が好ましく、０．１〜５質量部がより好ましい。
粘着剤には、上記のベースポリマー、架橋剤の他にも、本発明の効果が損なわれない範囲で、所望により、各種添加成分を含有させることができる。
また、放射線硬化型や加熱発泡型の粘着剤も用いることができる。
放射線硬化型の粘着剤としては、紫外線、電子線等で硬化されることで、剥離時に剥離しやすくなる粘着剤を使用することができる。一方、加熱発泡型の粘着剤としては、加熱による発泡や膨張により剥離しやすくなる粘着剤を使用することができる。さらに、粘着剤としてはダイシング・ダイボンディング兼用可能な接着剤を用いることもできる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば、特公平１−５６１１２号公報、特開平７−１３５１８９号公報等に記載のものが好ましく使用されるが、これらに限定されることはない。
本発明においては、紫外線硬化型粘着剤を用いることが好ましい。紫外線硬化型粘着剤としては、放射線（紫外線）により硬化し三次元網状化する性質を有していればよい。例えば通常のゴム系あるいはアクリル系の感圧性ベース樹脂（ベースポリマー）に対して、分子中に少なくとも２個の光重合性炭素−炭素二重結合を有する低分子量化合物（以下、光重合性化合物という）および光重合開始剤が配合されてなる、紫外線硬化型粘着剤が挙げられる。
放射線硬化型の粘着剤としては、紫外線、電子線等で硬化されることで、剥離時に剥離しやすくなる粘着剤を使用することができる。一方、加熱発泡型の粘着剤としては、加熱による発泡や膨張により剥離しやすくなる粘着剤を使用することができる。さらに、粘着剤としてはダイシング・ダイボンディング兼用可能な接着剤を用いることもできる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば、特公平１−５６１１２号公報、特開平７−１３５１８９号公報等に記載のものが好ましく使用されるが、これらに限定されることはない。
本発明においては、紫外線硬化型粘着剤を用いることが好ましい。紫外線硬化型粘着剤としては、放射線（紫外線）により硬化し三次元網状化する性質を有していればよい。例えば通常のゴム系あるいはアクリル系の感圧性ベース樹脂（ベースポリマー）に対して、分子中に少なくとも２個の光重合性炭素−炭素二重結合を有する低分子量化合物（以下、光重合性化合物という）および光重合開始剤が配合されてなる、紫外線硬化型粘着剤が挙げられる。
上記のゴム系あるいはアクリル系のベース樹脂は、天然ゴム、各種の合成ゴムなどのゴム系ポリマー、あるいはポリ（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸アルキルエステルとこれと共重合可能な他の不飽和単量体（以下、「他の不飽和単量体」という。）との共重合体などのアクリル系ポリマーが使用される。
上記（メタ）アクリル酸アルキルエステル構成単位としては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
上記、他の不飽和単量体からなる構成単位としては、ヒドキシアルキル（メタ）アクリレート（例えば、２−ヒドロキシエチルアクリレート）等が挙げられる。
上記（メタ）アクリル酸アルキルエステル構成単位としては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
上記、他の不飽和単量体からなる構成単位としては、ヒドキシアルキル（メタ）アクリレート（例えば、２−ヒドロキシエチルアクリレート）等が挙げられる。
上記光重合性化合物としては、紫外線や電子線を照射することにより、硬化反応が起こる限り制限なく用いることができる。このような光重合性化合物としては、例えば、テトラメチロールメタンテトラアクリレートが挙げられる。
粘着剤中、粘着性能と可とう性を制御する点から、ベースポリマー１００質量部に対し、光重合性化合物は１０〜１８０質量部が好ましく、２０〜１７０質量部がより好ましい。
粘着剤中、粘着性能と可とう性を制御する点から、ベースポリマー１００質量部に対し、光重合性化合物は１０〜１８０質量部が好ましく、２０〜１７０質量部がより好ましい。
紫外線硬化型粘着剤の場合には、粘着剤中に光重合開始剤を配合することにより、紫外線照射による重合硬化時間ならびに紫外線照射量を低減することができる。
このような光重合開始剤としては、具体的には、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどが挙げられる。
紫外線硬化型粘着剤中、光重合開始剤は、ベースポリマー１００質量部に対し、０．１〜１０質量部が好ましく、０．１〜５質量部がより好ましい。
このような光重合開始剤としては、具体的には、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどが挙げられる。
紫外線硬化型粘着剤中、光重合開始剤は、ベースポリマー１００質量部に対し、０．１〜１０質量部が好ましく、０．１〜５質量部がより好ましい。
アクリル系粘着剤のベースポリマーの質量平均分子量は、１０万〜２００万が好ましく、３０万〜１５０万がより好ましい。
また、アクリル系粘着剤のベースポリマーのガラス転移温度は、−７０℃〜１５℃が好ましく、−６６℃〜０℃がより好ましい。
質量平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により、標準ポリスチレン換算して得られたものである。
ガラス転移温度は、示差走査熱量分析（ＤＳＣ）により、例えば、昇温速度５℃／ｍｉｎの条件で測定して得られた値である。
また、アクリル系粘着剤のベースポリマーのガラス転移温度は、−７０℃〜１５℃が好ましく、−６６℃〜０℃がより好ましい。
質量平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により、標準ポリスチレン換算して得られたものである。
ガラス転移温度は、示差走査熱量分析（ＤＳＣ）により、例えば、昇温速度５℃／ｍｉｎの条件で測定して得られた値である。
粘着剤層２の厚さは特に制限されないが、好ましくは４〜４０μｍ、特に好ましくは５〜３０μｍである。
＜半導体加工用粘着テープの５％モジュラス＞
本発明では、半導体加工用粘着テープの５％モジュラスは、３．０〜１５．０ＭＰａである。
半導体加工用粘着テープの５％モジュラスは、６．０〜１３．０ＭＰａが好ましく、７．０〜１２．０ＭＰａがさらに好ましい。
本発明では、半導体加工用粘着テープの５％モジュラスは、３．０〜１５．０ＭＰａである。
半導体加工用粘着テープの５％モジュラスは、６．０〜１３．０ＭＰａが好ましく、７．０〜１２．０ＭＰａがさらに好ましい。
半導体加工用粘着テープの５％モジュラスが３．０ＭＰａ未満であると、半導体加工用粘着テープが柔軟であるため、パッケージの擦り落とし時に力が伝わらず、パッケージが半導体加工用粘着テープ上に残ってしまうことがある。一方、半導体加工用粘着テープの５％モジュラスが１５．０ＭＰａを超えると、半導体加工用粘着テープ１２が剛直すぎるため、半導体パッケージへの貼り付き性が悪化し、ダイシング時にパッケージフライが発生することがある。
５％モジュラスは、ＪＩＳ Ｋ ７１２７／２／３００に従い、５％歪み時の応力を測定することにより得られる。
本発明では、ＭＤ方向とＴＤ方向を各５回測定し、これらの測定値の全てを平均した値を５％モジュラスの値とする。
本発明では、ＭＤ方向とＴＤ方向を各５回測定し、これらの測定値の全てを平均した値を５％モジュラスの値とする。
基材フィルム１を構成する樹脂の種類及び配合量、並びに粘着剤層２を構成する粘着剤の種類及び配合量等を、それぞれ適宜調整することで、５％モジュラスを上記範囲に調整できる。
＜半導体加工用粘着テープのせん断接着力＞
本発明では、半導体加工用粘着テープのせん断接着力は、Siに対してUV照射前で３０〜４００N/cm2であり、Siに対してUV照射後で１５０〜７００N/cm2である。
半導体加工用粘着テープのせん断接着力は、Siに対してUV照射前で５０〜３５０N/cm2が好ましく、７０〜３００N/cm2がさらに好ましい。また、Siに対してUV照射後で１８０〜６５０N/cm2が好ましく、２００〜６００N/cm2がさらに好ましい。
本発明では、半導体加工用粘着テープのせん断接着力は、Siに対してUV照射前で３０〜４００N/cm2であり、Siに対してUV照射後で１５０〜７００N/cm2である。
半導体加工用粘着テープのせん断接着力は、Siに対してUV照射前で５０〜３５０N/cm2が好ましく、７０〜３００N/cm2がさらに好ましい。また、Siに対してUV照射後で１８０〜６５０N/cm2が好ましく、２００〜６００N/cm2がさらに好ましい。
半導体加工用粘着テープのせん断接着力がSiに対してUV照射前で３０N/cm2未満であると、半導体加工用粘着テープのチップ（パッケージ）保持力が弱くなるため、ダイシング時にパッケージフライが発生してしまうことがある。一方、半導体加工用粘着テープのせん断接着力がSiに対してUV照射前で４００N/cm2を超えると、保持力が強すぎるために、ピックアップ性の悪化や糊残りの発生につながることがある。また、半導体加工用粘着テープのせん断接着力がSiに対してUV照射後で１５０N/cm2未満であると、半導体加工用粘着テープのチップ（パッケージ）保持力が弱くなるため、ピンでのピックアップ時に、ピックアップした隣接パッケージが飛んでしまうことがある。一方、半導体加工用粘着テープのせん断接着力がSiに対してUV照射後で７００N/cm2を超えると、保持力が強すぎるために、スクラッピングでのピックアップ性の悪化につながることがある。
半導体加工用粘着テープの前記せん断接着力は、ダイシェア強度により得られる。１０個のサンプルについて測定したダイシェア強度の平均をせん断接着力とする。詳細は、実施例の項で記載する。
本発明の半導体加工用粘着テープ１２は、半導体ウェハ（パッケージ）１３に貼合し、常法により、図２〜５に示すような半導体ウェハのダイシングおよびピックアップに使用することができる。本発明の半導体加工用粘着テープ１２を用いた半導体ウェハ１３の加工方法においては、基材フィルム１まで切り込みを行わないことが、ダイシングブレードの切削抵抗を低減し、半導体ウェハ１３の切削をスムーズにし、チッピングを低減する点から好ましい。切り込みが基材フィルム１まで達しないためには、例えば、用いるダイシング装置の切り込み深さの設定を、マニュアルに従い適宜変更すればよい。
本発明の半導体加工用粘着テープ１２は、特に、パッケージ樹脂で一括モールドされた半導体チップを、ダイシングブレードによりダイシングを行い、個別に分離して個々の半導体パッケージを形成し、ピックアップする際に好ましく用いることができる。この場合、ピックアップ工程は、図４及び図５で示す、半導体加工用粘着テープをエキスパンドする通常の方法に限られず、ピンでの突き上げ、擦り落とし、スクラッピングのいずれによるピックアップ方法でも、個々の半導体パッケージをパッケージフライの発生を抑制しつつ行うことができる。このため、個々の半導体パッケージを、高い製造効率（高い生産速度、高ピックアップ効率）で製造することができる。
なお、半導体チップ（パッケージ）１４のパッケージ樹脂による一括モールドは常法により行うことができ、パッケージ樹脂も通常用いられるパッケージ樹脂を用いることができる。
本発明の半導体加工用粘着テープ１２は、パッケージ樹脂で一括モールドされた半導体チップのダイシングおよびピックアップに使用することができるが、半導体ウェハ１３のダイシングからパッケージ樹脂で一括モールドされた半導体チップのダイシング、ピックアップまでの一連の工程において使用することもできる。
なお、半導体チップ（パッケージ）１４のパッケージ樹脂による一括モールドは常法により行うことができ、パッケージ樹脂も通常用いられるパッケージ樹脂を用いることができる。
本発明の半導体加工用粘着テープ１２は、パッケージ樹脂で一括モールドされた半導体チップのダイシングおよびピックアップに使用することができるが、半導体ウェハ１３のダイシングからパッケージ樹脂で一括モールドされた半導体チップのダイシング、ピックアップまでの一連の工程において使用することもできる。
本発明に用いられるベアウェハは、特に限定されるものではなく、従来用いられている任意のベアウェハから適宜選択して用いることができる。
以下、実施例に基づき本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものでない。
＜基材フィルム１の製造＞
１）基材フィルムＡ
スチレン−水添イソプレン−スチレンブロック共重合体（ＳＥＰＳ）〔商品名：セプトンＫＦ−２１０４、（株）クラレ社製〕とホモプロピレン（ＰＰ）〔商品名：Ｊ−１０５Ｇ、宇部興産（株）社製〕とを下記表１に示す配合比で、２軸混練機を用いて、約２００℃で混合した後、約２００℃でフィルム押出成形にて加工し、厚さ１５０μｍの基材フィルムＡを製造した。
１）基材フィルムＡ
スチレン−水添イソプレン−スチレンブロック共重合体（ＳＥＰＳ）〔商品名：セプトンＫＦ−２１０４、（株）クラレ社製〕とホモプロピレン（ＰＰ）〔商品名：Ｊ−１０５Ｇ、宇部興産（株）社製〕とを下記表１に示す配合比で、２軸混練機を用いて、約２００℃で混合した後、約２００℃でフィルム押出成形にて加工し、厚さ１５０μｍの基材フィルムＡを製造した。
２）基材フィルムＢ〜Ｅ
下記表１に示す配合比の樹脂を用いた以外は、基材フィルムＡの製造と同様にして、厚さ１５０μｍの基材フィルムＢ〜Ｅを各々製造した。
下記表１に示す配合比の樹脂を用いた以外は、基材フィルムＡの製造と同様にして、厚さ１５０μｍの基材フィルムＢ〜Ｅを各々製造した。
３）基材フィルムＦ
スチレン−水添ブタジエン−スチレン共重合体（ＳＥＢＳ）〔商品名：ダイナロン８６００P、（株）JSR社製〕とホモプロピレン（ＰＰ）〔商品名：Ｊ−１０５Ｇ、宇部興産（株）社製〕とを、下記表１に示す配合比で、２軸混練機を用いて、約２００℃で混合した後、約２３０℃でフィルム押出成形にて加工し、厚さ１５０μｍの基材フィルムＦを製造した。
スチレン−水添ブタジエン−スチレン共重合体（ＳＥＢＳ）〔商品名：ダイナロン８６００P、（株）JSR社製〕とホモプロピレン（ＰＰ）〔商品名：Ｊ−１０５Ｇ、宇部興産（株）社製〕とを、下記表１に示す配合比で、２軸混練機を用いて、約２００℃で混合した後、約２３０℃でフィルム押出成形にて加工し、厚さ１５０μｍの基材フィルムＦを製造した。
各基材フィルムの配合を下記表１にまとめて示す。
なお、表中、ブランクは、使用していないことを意味する。
なお、表中、ブランクは、使用していないことを意味する。
＜粘着剤の調製＞
１）粘着剤ａ
アクリル系ベースポリマーａ（エチルアクリレート、ブチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレートからなる共重合体、質量平均分子量７０万、ガラス転移温度：−３０℃）１００質量部にポリイソシアネート化合物〔商品名：コロネートＬ、日本ポリウレタン工業（株）社製〕１質量部、光重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物としてテトラメチロールメタンテトラアクリレート５０質量部、光重合開始剤としてα−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン１質量部を添加し、混合して粘着剤ａを得た。
１）粘着剤ａ
アクリル系ベースポリマーａ（エチルアクリレート、ブチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレートからなる共重合体、質量平均分子量７０万、ガラス転移温度：−３０℃）１００質量部にポリイソシアネート化合物〔商品名：コロネートＬ、日本ポリウレタン工業（株）社製〕１質量部、光重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物としてテトラメチロールメタンテトラアクリレート５０質量部、光重合開始剤としてα−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン１質量部を添加し、混合して粘着剤ａを得た。
２）粘着剤ｂ〜ｅ
粘着剤ａと同様に、下記表２に示す配合比で混合し、粘着剤ｂ〜ｅを各々得た。
粘着剤ａと同様に、下記表２に示す配合比で混合し、粘着剤ｂ〜ｅを各々得た。
３）粘着剤ｆ
アクリル系ベースポリマーｂ（２−エチルヘキシルアクリレート、メチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレートからなる共重合体、質量平均分子量８０万、ガラス転移温度：−６０℃）１００質量部にポリイソシアネート化合物〔商品名：コロネートＬ、日本ポリウレタン工業（株）社製〕１質量部、光重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物としてテトラメチロールメタンテトラアクリレート５０質量部、光重合開始剤としてα−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン１質量部を添加し、混合して粘着剤ｆを得た。
アクリル系ベースポリマーｂ（２−エチルヘキシルアクリレート、メチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレートからなる共重合体、質量平均分子量８０万、ガラス転移温度：−６０℃）１００質量部にポリイソシアネート化合物〔商品名：コロネートＬ、日本ポリウレタン工業（株）社製〕１質量部、光重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物としてテトラメチロールメタンテトラアクリレート５０質量部、光重合開始剤としてα−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン１質量部を添加し、混合して粘着剤ｆを得た。
４）粘着剤ｇ
粘着剤ｆと同様に、下記表２に示す配合比で混合し、粘着剤ｇを得た。
粘着剤ｆと同様に、下記表２に示す配合比で混合し、粘着剤ｇを得た。
各粘着剤の配合を下記表２にまとめて示す。
なお、表中、ブランクは、使用していないことを意味する。
なお、表中、ブランクは、使用していないことを意味する。
実施例１
上記基材フィルムＡの一方の表面に、上記の粘着剤ａを厚さ２０μｍに塗工して、粘着剤層２を形成し、実施例１の半導体加工用粘着テープ１２を製造した。
上記基材フィルムＡの一方の表面に、上記の粘着剤ａを厚さ２０μｍに塗工して、粘着剤層２を形成し、実施例１の半導体加工用粘着テープ１２を製造した。
実施例２〜４
上記粘着剤ｂ、ｃ及びｆを用いた以外は実施例１と同様にして各半導体加工用粘着テープ１２を各々製造した。
上記粘着剤ｂ、ｃ及びｆを用いた以外は実施例１と同様にして各半導体加工用粘着テープ１２を各々製造した。
実施例５
上記基材フィルムＢを用いた以外は実施例１と同様にして半導体加工用粘着テープ１２を製造した。
上記基材フィルムＢを用いた以外は実施例１と同様にして半導体加工用粘着テープ１２を製造した。
実施例６
上記基材フィルムＣを用いた以外は実施例１と同様にして半導体加工用粘着テープ１２を製造した。
上記基材フィルムＣを用いた以外は実施例１と同様にして半導体加工用粘着テープ１２を製造した。
実施例７
上記基材フィルムＤを用いた以外は実施例３と同様にして半導体加工用粘着テープ１２を製造した。
上記基材フィルムＤを用いた以外は実施例３と同様にして半導体加工用粘着テープ１２を製造した。
実施例８
上記基材フィルムＦを用いた以外は実施例１と同様にして半導体加工用粘着テープ１２を製造した。
上記基材フィルムＦを用いた以外は実施例１と同様にして半導体加工用粘着テープ１２を製造した。
比較例１
上記粘着剤ｇを用いた以外は実施例６と同様にして半導体加工用粘着テープを製造した。
上記粘着剤ｇを用いた以外は実施例６と同様にして半導体加工用粘着テープを製造した。
比較例２、３
上記粘着剤ｄ、ｅを用いた以外は実施例７と同様にして各半導体加工用粘着テープを各々製造した。
上記粘着剤ｄ、ｅを用いた以外は実施例７と同様にして各半導体加工用粘着テープを各々製造した。
比較例４
上記粘基材フィルムEを用いた以外は実施例１と同様にして半導体加工用粘着テープを製造した。
上記粘基材フィルムEを用いた以外は実施例１と同様にして半導体加工用粘着テープを製造した。
これらの各半導体加工用粘着テープに対して、以下のようにして、５％モジュラス、せん断接着力、パッケージフライおよびピックアップ成功率の評価を行った。
（５％モジュラス）
各半導体加工用粘着テープを用いて、ＪＩＳ Ｋ７１２７／２／３００に従い、試験片を作製し、５％モジュラスを測定した。各試験片に対して、ＭＤ方向とＴＤ方向を各５回測定し、これらの測定値の全てを平均した値を試験結果とした。
各半導体加工用粘着テープを用いて、ＪＩＳ Ｋ７１２７／２／３００に従い、試験片を作製し、５％モジュラスを測定した。各試験片に対して、ＭＤ方向とＴＤ方向を各５回測定し、これらの測定値の全てを平均した値を試験結果とした。
（せん断接着力）
半導体加工用粘着テープのせん断接着力は、以下の方法により評価した。
１０００Ｎのロードセルを装着した万能型ボンドテスター（商品名、４０００シリーズ、ＤＡＧＥ社製）を用い、測定スピード５０μｍ／ｓ、測定高さ３５０μｍ、測定温度２３℃でベアウェハを水平方向に押し、半導体加工用粘着テープのダイシェア強度を測定した。１０個のサンプルについて測定したダイシェア強度の平均をせん断接着力とした。
半導体加工用粘着テープのせん断接着力は、以下の方法により評価した。
１０００Ｎのロードセルを装着した万能型ボンドテスター（商品名、４０００シリーズ、ＤＡＧＥ社製）を用い、測定スピード５０μｍ／ｓ、測定高さ３５０μｍ、測定温度２３℃でベアウェハを水平方向に押し、半導体加工用粘着テープのダイシェア強度を測定した。１０個のサンプルについて測定したダイシェア強度の平均をせん断接着力とした。
（パッケージフライ）
各半導体加工用粘着テープにＱＦＮパッケージ（Quad Flat Non lead package、６０ｍｍ×１５０ｍｍ、厚さ０．９５ｍｍ）を貼合した。ダイサー〔（株）ＤＩＳＣＯ社製 商品名、ＤＦＤ６３４０〕にて、ブレード回転数２００００ｒｐｍ、切削速度３０ｍｍ／ｍｉｎ、粘着テープへの切り込み量７０μｍの条件で、サイズ１ｍｍ×１ｍｍとなるようダイシングした。
ダイシング後の個々のパッケージを観察し、以下の評価基準で評価した。
各半導体加工用粘着テープにＱＦＮパッケージ（Quad Flat Non lead package、６０ｍｍ×１５０ｍｍ、厚さ０．９５ｍｍ）を貼合した。ダイサー〔（株）ＤＩＳＣＯ社製 商品名、ＤＦＤ６３４０〕にて、ブレード回転数２００００ｒｐｍ、切削速度３０ｍｍ／ｍｉｎ、粘着テープへの切り込み量７０μｍの条件で、サイズ１ｍｍ×１ｍｍとなるようダイシングした。
ダイシング後の個々のパッケージを観察し、以下の評価基準で評価した。
評価基準
○：パッケージ（チップ）が全て半導体加工用粘着テープ上に残っている。
×：パッケージが１つ以上飛散している。
○：パッケージ（チップ）が全て半導体加工用粘着テープ上に残っている。
×：パッケージが１つ以上飛散している。
（ピックアップ成功率）
各半導体加工用粘着テープとＱＦＮパッケージ（Quad Flat Non lead package、６０ｍｍ×１５０ｍｍ、厚さ０．９５ｍｍ）とを貼り合せ、ダイサー〔（株）ＤＩＳＣＯ社製 商品名、ＤＦＤ６３４０〕にて、ブレード回転数２００００ｒｐｍ、切削速度３０ｍｍ／ｍｉｎ、粘着テープへの切り込み量７０μｍの条件で、サイズ１ｍｍ×１ｍｍの条件でダイシングした。ダイシング後、半導体加工用粘着テープ側から紫外線を照射し（メタルハライドランプ、ＵＶ強度３０ｍＷ／ｃｍ２、積算光量２００ｍＪ／ｃｍ２）、粘着テープの粘着力を低下させた。
上記で得られた、紫外線照射後の半導体加工用粘着テープ付きパッケージをサンプルとして、以下３種の方法でピックアップの評価を行った。
（１）ピンでのピックアップによる評価
上記で作製したサンプルについて、キャノンマシナリ社製CAP-300II（商品名）を用いてピンハイト300μmでのピックアップ成功率と、ピンハイト1000μmでピックアップを行い、隣接チップのパッケージフライの有無を確認した。
下記の表中、「フライ有」と書いたものは、ピンハイト300μmではピックアップ成功率１００％であるが、ピンハイト１０００μmのときにパッケージフライが発生したため、劣（ＮＧ）の結果となったことを意味する。
（２）擦り落としによる評価
上記で作製したサンプルについて、半導体加工用粘着テープの背面をピンセットで擦り、パッケージを落とした。
下記の表中、「１００％」以外は、全て「ＮＧ」である。
（３）スクラッピングによる評価
上記で作製したサンプルについて、ポリカーボネート製のバーを、半導体加工用粘着テープの粘着剤層と被着体であるパッケージ面の境に当て、パッケージをそぎ落とした。
下記の表中、「１００％」以外は、全て「ＮＧ」である。
各半導体加工用粘着テープとＱＦＮパッケージ（Quad Flat Non lead package、６０ｍｍ×１５０ｍｍ、厚さ０．９５ｍｍ）とを貼り合せ、ダイサー〔（株）ＤＩＳＣＯ社製 商品名、ＤＦＤ６３４０〕にて、ブレード回転数２００００ｒｐｍ、切削速度３０ｍｍ／ｍｉｎ、粘着テープへの切り込み量７０μｍの条件で、サイズ１ｍｍ×１ｍｍの条件でダイシングした。ダイシング後、半導体加工用粘着テープ側から紫外線を照射し（メタルハライドランプ、ＵＶ強度３０ｍＷ／ｃｍ２、積算光量２００ｍＪ／ｃｍ２）、粘着テープの粘着力を低下させた。
上記で得られた、紫外線照射後の半導体加工用粘着テープ付きパッケージをサンプルとして、以下３種の方法でピックアップの評価を行った。
（１）ピンでのピックアップによる評価
上記で作製したサンプルについて、キャノンマシナリ社製CAP-300II（商品名）を用いてピンハイト300μmでのピックアップ成功率と、ピンハイト1000μmでピックアップを行い、隣接チップのパッケージフライの有無を確認した。
下記の表中、「フライ有」と書いたものは、ピンハイト300μmではピックアップ成功率１００％であるが、ピンハイト１０００μmのときにパッケージフライが発生したため、劣（ＮＧ）の結果となったことを意味する。
（２）擦り落としによる評価
上記で作製したサンプルについて、半導体加工用粘着テープの背面をピンセットで擦り、パッケージを落とした。
下記の表中、「１００％」以外は、全て「ＮＧ」である。
（３）スクラッピングによる評価
上記で作製したサンプルについて、ポリカーボネート製のバーを、半導体加工用粘着テープの粘着剤層と被着体であるパッケージ面の境に当て、パッケージをそぎ落とした。
下記の表中、「１００％」以外は、全て「ＮＧ」である。
得られた結果を、下記表３−１、表３−２にまとめて示す。
なお、表中、ブランクは、試験せず（ＮＤ）であったことを意味する。
なお、表中、ブランクは、試験せず（ＮＤ）であったことを意味する。
上記表３−１から、実施例１〜８の半導体加工用粘着テープは、いずれも５％モジュラスの値が３．０〜１５．０ＭＰａの範囲内であり、かつ、UV照射前のSiに対するせん断接着力が３０〜４００N/cm2、UV照射後のSiに対するせん断接着力が１５０〜７００N/cm2であって、ダイシング時にパッケージフライが発生せず、しかも、（i）ピンでのピックアップ、（ii）擦り落としによるピックアップ、および（iii）スクラッピング（バーによるそぎ落とし）によるピックアップが、いずれも良好にできた。
これに対して、上記表３−２から以下のことが分かる。
まず、比較例１の半導体加工用粘着テープは、粘着剤中のオリゴマー成分が多く、５％モジュラスの値が小さすぎて、かつ、UV照射後のSiに対する半導体加工用粘着テープのせん断接着力の値が大きすぎた結果、スクラッピングでのピックアップが困難であった。
次いで、比較例２の半導体加工用粘着テープは、基材のエラストマー成分が少なく、また、粘着剤中のオリゴマー成分が少なく、５％モジュラスの値が大きすぎて、かつ、UV照射前のSiに対する半導体加工用粘着テープのせん断接着力の値が小さすぎた結果、半導体パッケージへの貼り付き性が悪化し、パッケージフライが発生してしまった。このため、その後の試験・評価は中止した。
また、比較例３の半導体加工用粘着テープは、基材のエラストマー成分が少なく、また、粘着剤中のオリゴマー成分が多く、UV照射後のSiに対する半導体加工用粘着テープのせん断接着力が小さすぎた結果、ピンでのピックアップ時に隣接パッケージのパッケージフライが発生してしまった。
さらに、比較例４の半導体加工用粘着テープは、基材のエラストマー成分が多く、５％モジュラスの値が小さすぎた結果、擦り落としによるピックアップで半導体加工用粘着テープ上にパッケージが残ってしまった。
これに対して、上記表３−２から以下のことが分かる。
まず、比較例１の半導体加工用粘着テープは、粘着剤中のオリゴマー成分が多く、５％モジュラスの値が小さすぎて、かつ、UV照射後のSiに対する半導体加工用粘着テープのせん断接着力の値が大きすぎた結果、スクラッピングでのピックアップが困難であった。
次いで、比較例２の半導体加工用粘着テープは、基材のエラストマー成分が少なく、また、粘着剤中のオリゴマー成分が少なく、５％モジュラスの値が大きすぎて、かつ、UV照射前のSiに対する半導体加工用粘着テープのせん断接着力の値が小さすぎた結果、半導体パッケージへの貼り付き性が悪化し、パッケージフライが発生してしまった。このため、その後の試験・評価は中止した。
また、比較例３の半導体加工用粘着テープは、基材のエラストマー成分が少なく、また、粘着剤中のオリゴマー成分が多く、UV照射後のSiに対する半導体加工用粘着テープのせん断接着力が小さすぎた結果、ピンでのピックアップ時に隣接パッケージのパッケージフライが発生してしまった。
さらに、比較例４の半導体加工用粘着テープは、基材のエラストマー成分が多く、５％モジュラスの値が小さすぎた結果、擦り落としによるピックアップで半導体加工用粘着テープ上にパッケージが残ってしまった。
１ 基材フィルム
２ 粘着剤層
１１ ホルダー
１２ 半導体加工用粘着テープ
１３ 半導体ウェハ
１４ 半導体チップ
１５ 実線矢印方向
１６ エキスパンダー
１７ 点線矢印方向
２ 粘着剤層
１１ ホルダー
１２ 半導体加工用粘着テープ
１３ 半導体ウェハ
１４ 半導体チップ
１５ 実線矢印方向
１６ エキスパンダー
１７ 点線矢印方向
Claims (3)
- 基材フィルム上に粘着剤層を有する半導体加工用粘着テープであって、
前記半導体加工用粘着テープの５％モジュラスが３．０〜１５．０ＭＰａであり、UV照射前のSiに対するせん断接着力が３０〜４００N/cm2であり、UV照射後のSiに対するせん断接着力が１５０〜７００N/cm2であることを特徴とする半導体加工用粘着テープ。 - 前記粘着剤層に用いられる粘着剤が、アクリル系粘着剤である請求項１に記載の半導体加工用粘着テープ。
- 半導体パッケージのダイシングおよびピックアップに用いられる請求項１または２に記載の半導体加工用粘着テープ。
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