JP5805113B2 - 粘着テープ、及び粘着テープを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
基材フィルム2としては、特に制限されるものでなく、公知のプラスチックなどの樹脂を用いることができる。一般に基材フィルム2としては熱可塑性のプラスチックフィルムが用いられている。使用する基材フィルム2としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、およびポリブテンのようなポリオレフィン、スチレン−水添イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレン共重合体、スチレン−水添ブタジエン−スチレン共重合体およびスチレン−水添イソプレン/ブタジエン−スチレン共重合体のような熱可塑性エラストマー、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸エステル共重合体、およびエチレン−(メタ)アクリル酸金属塩系アイオノマーのようなエチレン共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル等のエンジニアリングプラスチック、軟質ポリ塩化ビニル、半硬質ポリ塩化ビニル、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、天然ゴムならびに合成ゴム等の高分子材料が好ましい。また、これらの群から選ばれる2種以上が混合されたものもしくは複層化されたものでもよく、粘着剤層3との接着性によって任意に選択することができる。
セパレータ4は、粘着剤層3を保護する目的のため、粘着テープ1を所定の形状に切断するラベル加工を容易に行う目的のため、また粘着剤を平滑にする目的のために、必要に応じて設けられる。セパレータ4の構成材料としては、紙、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルム等が挙げられる。セパレータ4の表面には粘着剤層3からの剥離性を高めるため、必要に応じてシリコーン処理、長鎖アルキル処理、フッ素処理等の剥離処理が施されていても良い。また、必要に応じて、粘着シートが環境紫外線によって反応してしまわないように、紫外線防止処理が施されていてもよい。セパレータ4の厚さは、通常10〜100μm、好ましくは25〜50μm程度である。
次に、本発明の粘着テープ1の使用方法について説明する。
(a)ウェハ5の表面に表面保護テープ6を貼付し、ウェハ5内部に集光点を合わせてレーザーを照射することにより、ウェハ5内部に前記改質領域7を形成する工程と、(b)改質領域7または改質領域7付近に到達するまでウェハ5の裏面を研削する工程と、(c)ウェハ5の裏面に粘着テープ1を貼付すると共に、粘着テープ1を保持するためのリングフレーム9に粘着テープ1を固定する工程と、(d)ウェハ5の表面に貼付した表面保護テープ6を剥離する工程と、(e)粘着テープ1をエキスパンドし、改質領域7で分割したチップ11をピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法。
(a)ウェハ5の表面に表面保護テープ6を貼付し、ウェハ5内部に集光点を合わせてレーザーを照射することにより、ウェハ5内部に改質領域7を形成する工程と、(b)改質領域7または改質領域7付近に到達するまでウェハ5裏面を研削する工程と、(c)ウェハ5の裏面に粘着テープ1を貼付すると共に、粘着テープ1を保持するためのリングフレーム9に粘着テープ1を固定する工程と、(d)ウェハ5およびリングフレーム9を保持台に保持し、粘着テープ1を介し、ウェハ5裏面側から外部応力を加えることにより、ウェハ5を改質領域7に沿ってチップ11単位に分割する工程と、(e)ウェハ5の表面に貼付した表面保護テープ6を剥離する工程と、(f)粘着テープ1をエキスパンドし、チップ11をピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法。
次に本発明を実施例に基づき更に詳細に説明する。以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
基材フィルムとして、エチレン−メタクリル酸−(アクリル酸2−メチル−プロピル)3元共重合体−Zn++−アイオノマー樹脂である、ハイミランAM−7316(商品名、三井デュポンケミカル社製)を使用し、厚さ80μmのフィルムを作成した。このフィルムの片面にはコロナ処理を施し、基材フィルムAを得た。
アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、またはアクリル酸2−エチルヘキシルから導かれる構成単位と、2−ヒドロキシプロピルアクリレートから導かれる構成単位を原料として、下記の表1に示した配合比(重量部)で所定の水酸基価となるよう重合を行い、アクリル系重合体を含有するベースポリマーA〜Hを得た。
ベースポリマーB100質量部に対して、ポリプロピレンオキシドとして分子量3000であるポリプロピレングリコール(商品名:ポリプロピレングリコール3000、純正化学株式会社製)2質量部、架橋剤としてコロネートL(日本ポリウレタン社製)を6質量部の配合比で混合し、粘着剤組成物を得た。
得られた粘着組成物を、基材フィルムAのコロナ処理面に厚さ10μmとなるように塗工し、実施例1に係る粘着テープを作成した。
ポリプロピレンオキシドとして分子量4000であるポリプロピレングリコール(商品名:ポリプロピレングリコール4000、純正化学株式会社製)を用いた以外は実施例1と同様にして、実施例2に係る粘着テープを作成した。
ポリプロピレンオキシドとして分子量10000であるポリプロピレンオキシド(商品名:プレミノールS4011、旭硝子株式会社製)を用い、添加部数を1.0質量部とした以外は実施例1と同様にして、実施例3に係る粘着テープを作成した。
ベースポリマーC100質量部に対して、ポリプロピレンオキシドとして分子量4000であるポリプロピレングリコール(商品名:ポリプロピレングリコール4000、純正化学株式会社製)2質量部、架橋剤としてコロネートL(日本ポリウレタン社製)を6質量部含む粘着剤を用いた以外は実施例1と同様にして、実施例4に係る粘着テープを作成した。
ベースポリマーF100質量部に対して、ポリプロピレンオキシドとして分子量4000であるポリプロピレングリコール(商品名:ポリプロピレングリコール4000、純正化学株式会社製)2質量部、架橋剤としてコロネートL(日本ポリウレタン社製)を6質量部含む粘着剤を用いた以外は実施例1と同様にして、実施例5に係る粘着テープを作成した。
ポリプロピレンオキシドとして分子量10000であるポリプロピレンオキシド(商品名:プレミノールS4011、旭硝子株式会社製)を用い、添加部数を1.0質量部とした以外は実施例5と同様にして、実施例6に係る粘着テープを作成した。
ベースポリマーG100質量部に対して、ポリプロピレンオキシドとして分子量4000であるポリプロピレングリコール(商品名:ポリプロピレングリコール4000、純正化学株式会社製)2質量部、架橋剤としてコロネートL(日本ポリウレタン社製)を6質量部含む粘着剤を用いた以外は実施例1と同様にして、実施例7に係る粘着テープを作成した。
ベースポリマーA100質量部に対して、架橋剤としてコロネートL(日本ポリウレタン社製)を6質量部の配合比で混合し、粘着剤組成物を得た。
得られた粘着組成物を、基材フィルムAのコロナ処理面に厚さ10μmとなるように塗工し、ダイシング用粘着テープを作成した。
ポリプロピレンオキシドとして分子量4000であるポリプロピレングリコール(商品名:ポリプロピレングリコール4000、純正化学株式会社製)を用いた以外は比較例1と同様にして、比較例2に係る粘着テープを作成した。
ベースポリマーB100質量部に対して、ポリプロピレンオキシドとして分子量2000であるポリプロピレングリコール(商品名:ポリプロピレングリコール2000、純正化学株式会社製)2質量部、架橋剤としてコロネートL(日本ポリウレタン社製)を6質量部含む粘着剤を用いた以外は比較例1と同様にして、比較例3に係る粘着テープを作成した。
ポリプロピレンオキシドとして分子量2000であるポリプロピレングリコール(商品名:ポリプロピレングリコール2000、純正化学株式会社製)を用い、添加部数を5.0質量部とした以外は比較例3と同様にして、比較例4に係る粘着テープを作成した。
ベースポリマーD100質量部に対して、ポリプロピレンオキシドとして分子量4000であるポリプロピレングリコール(商品名:ポリプロピレングリコール4000、純正化学株式会社製)2質量部、架橋剤としてコロネートL(日本ポリウレタン社製)を6質量部含む粘着剤を用いた以外は比較例1と同様にして、比較例5に係る粘着テープを作成した。
ベースポリマーE100質量部に対して、ポリプロピレンオキシドとして分子量10000であるポリプロピレングリコール(商品名:プレミノールS4011、旭硝子株式会社製)1.0質量部、架橋剤としてコロネートL(日本ポリウレタン社製)を6質量部含む粘着剤を用いた以外は比較例1と同様にして、比較例6に係る粘着テープを作成した。
ベースポリマーF100質量部に対して、架橋剤としてコロネートL(日本ポリウレタン社製)を6質量部含む粘着剤を用いた以外は比較例1と同様にして、比較例7に係る粘着テープを作成した。
ベースポリマーF100質量部に対して、ポリプロピレンオキシドとして分子量2000であるポリプロピレングリコール(商品名:ポリプロピレングリコール2000、純正化学株式会社製)2質量部、架橋剤としてコロネートL(日本ポリウレタン社製)を6質量部含む粘着剤を用いた以外は比較例1と同様にして、比較例8に係る粘着テープを作成した。
ポリプロピレンオキシドとして分子量10000であるポリプロピレンオキシド(商品名:プレミノールS4011、旭硝子株式会社製)を用い、添加部数を6.0質量部とした以外は比較例8と同様にして、比較例9に係る粘着テープを作成した。
ベースポリマーH100質量部に対して、架橋剤としてコロネートL(日本ポリウレタン社製)を6質量部含む粘着剤を用いた以外は比較例1と同様にして、比較例10に係る粘着テープを作成した。
ポリプロピレンオキシドとして分子量4000であるポリプロピレングリコール(商品名:ポリプロピレングリコール4000、純正化学株式会社製)を用いた以外は比較例10と同様にして、比較例11に係る粘着テープを作成した。
各実施例、比較例に係る粘着テープから幅25mm×長さ300mmの試験片を3点採取し、それらをシリコンミラーウェハに貼着した後、2kgのゴムローラを3往復かけて圧着し、1時間放置後、測定値がその容量の15〜85%の範囲に入るJIS B 7721に適合する引張試験機を用いて粘着力を測定した。測定は、180°引き剥がし法によるものとし、この時の引張速さは300mm/minとした。測定温度は23℃、測定湿度は50%であった。
各実施例、比較例に係る粘着テープから幅25mm×長さ300mmの試験片を3点採取し、それらをJIS R 6253に規定する280番の耐水研磨紙で仕上げたJIS G 4305に規定する厚さ1.5mm〜2.0mmのSUS304鋼板上に貼着した後、2kgのゴムローラを3往復かけて圧着し、1時間放置後、測定値がその容量の15〜85%の範囲に入るJIS B 7721に適合する引張試験機を用いて粘着力を測定した。測定は、180°引き剥がし法によるものとし、この時の引張速さは300mm/minとした。測定温度は23℃、測定湿度は50%であった。
厚さ725μm、直径300mmのシリコンウェハに表面保護テープを貼合した後、レーザーダイシング装置(東京精密社製、商品名:ML300)を使用し、ウェハ内部に改質領域を形成し、前記改質領域が形成されたウェハを、グラインダ装置(東京精密社製、商品名:PG3000RM)を使用し、改質領域に到達するまで研削を行うことで厚さ100μm、チップサイズ10mm×10mmにウェハをチップ状に個片化した。
さらに、実施例および比較例に係る粘着テープを前記ウェハの研削面側に貼付すると共にリングフレームに固定した後、表面保護テープを剥離し、ダイスピッカー装置(キャノンマシナリー社製、商品名:CAP−300II)によるピックアップ試験を行った。
突き上げピン形状:半径0.7mm、先端曲率半径R=0.25mm、先端θ=15
ピン突き上げ高さ:600μm
ピン突き上げスピード:50mm/sec
コレット形状:吸着穴0.89mmφ
エキスパンド拡張量:10mm
リングフレーム:DISCO社製 型式DTF−2−6−1(SUS420J2製)
上記評価1にてピックアップ性評価をした後の実施例および比較例に係る粘着テープについて、リングフレームからの剥離の有無を確認した。リングフレームから粘着テープの剥離がなかったものを「○」、粘着テープにおいてリングフレームに貼合されている部分の1/4未満が剥離したものを「△」、粘着テープにおいてリングフレームに貼合されている部分の1/4以上が剥離したものを「×」と評価した。
試験3にてピックアップ性評価を行った際、ピックアップ箇所周辺のチップばらけの有無を目視にて確認した。ピックアップ箇所周辺のチップ配列の乱れ、飛散が認められないものを「○」、チップ配列の乱れが生じたものやチップが粘着テープ外に飛散したものを「×」と評価した。
2:基材フィルム
3:粘着剤層
4:セパレータ
5:ウェハ
6:表面保護テープ
7:改質領域
8:砥石
9:リングフレーム
11:チップ
Claims (7)
- 表面に回路パターンが形成されたウェハ内部に集光点を合わせてレーザーを照射することにより、ウェハ内部に改質領域を形成した後、前記改質領域でチップに分割したチップをピックアップするために用いる粘着テープであって、
放射線の照射により硬化しない放射線非硬化型であり、
23℃、50%RHの条件下、剥離角度180度、剥離速度300mm/minにおける、シリコンミラー面との剥離力が、0.1〜0.4N/25mmであり、
23℃、50%RHの条件下、剥離角度180度、剥離速度300mm/minにおける、SUS304面との剥離力が、0.4〜0.8N/25mmであることを特徴とする粘着テープ。 - 基材フィルム上に粘着剤層が形成されており、
前記粘着剤層が、アルキル基の炭素数が4以上の(メタ)アクリル酸アルキルエステルモノマーが70〜90質量%と、2−ヒドロキシプロピルアクリレートが10〜30質量%とにより構成される水酸基価が45〜100のアクリル系共重合体と、数平均分子量が3000〜10000であるポリプロピレンオキシドとを含み、イソシアネート系架橋剤を用いて架橋されてなることを特徴とする請求項1に記載の粘着テープ。 - (a)前記ウェハの表面に表面保護テープを貼付し、前記ウェハ内部に集光点を合わせてレーザーを照射することにより、前記ウェハ内部に前記改質領域を形成する工程と、(b)前記改質領域または前記改質領域付近に到達するまで前記ウェハの裏面を研削する工程と、(c)前記ウェハの裏面に前記粘着テープを貼付すると共に、前記粘着テープを保持するためのリングフレームに前記粘着テープを固定する工程と、(d)前記ウェハの表面に貼付した前記表面保護テープを剥離する工程と、(e)前記粘着テープをエキスパンドし、前記改質領域で分割したチップをピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法に用いることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の粘着テープ。
- (a)前記ウェハの表面に表面保護テープを貼付し、前記ウェハ内部に集光点を合わせてレーザーを照射することにより、前記ウェハ内部に前記改質領域を形成する工程と、(b)前記改質領域または前記改質領域付近に到達するまでウェハ裏面を研削する工程と、(c)前記ウェハの裏面に前記粘着テープを貼付すると共に、前記粘着テープを保持するためのリングフレームに前記粘着テープを固定する工程と、(d)前記ウェハおよび前記リングフレームを保持台に保持し、前記粘着テープを介し、前記ウェハ裏面側から外部応力を加えることにより、前記ウェハを前記改質領域に沿ってチップ単位に分割する工程と、(e)前記ウェハの表面に貼付した前記表面保護テープを剥離する工程と、(f)前記粘着テープをエキスパンドし、前記チップをピックアップする工程とを含む半導体装置の
製造方法に用いることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の粘着テープ。 - (a)ウェハの表面に表面保護テープを貼付し、前記ウェハ内部に集光点を合わせてレーザーを照射することにより、前記ウェハ内部に改質領域を形成する工程と、(b)前記改質領域または前記改質領域付近に到達するまで前記ウェハの裏面を研削する工程と、(c)前記ウェハの裏面に粘着テープを貼付すると共に、前記粘着テープを保持するためのリングフレームに前記粘着テープを固定する工程と、(d)前記ウェハの表面に貼付した前記表面保護テープを剥離する工程と、(e)前記粘着テープをエキスパンドし、前記改質領域で分割したチップをピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法であって、
前記粘着テープは、放射線の照射により硬化しない放射線非硬化型であり、23℃、50%RHの条件下、剥離角度180度、剥離速度300mm/minにおける、シリコンミラー面との剥離力が、0.1〜0.4N/25mmであり、23℃、50%RHの条件下、剥離角度180度、剥離速度300mm/minにおける、SUS304面との剥離力が、0.4〜0.8N/25mmであることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - (a)ウェハの表面に表面保護テープを貼付し、前記ウェハ内部に集光点を合わせてレーザーを照射することにより、前記ウェハ内部に改質領域を形成する工程と、(b)前記改質領域または前記改質領域付近に到達するまでウェハ裏面を研削する工程と、(c)前記ウェハの裏面に粘着テープを貼付すると共に、前記粘着テープを保持するためのリングフレームに前記粘着テープを固定する工程と、(d)前記ウェハおよび前記リングフレームを保持台に保持し、前記粘着テープを介し、前記ウェハ裏面側から外部応力を加えることにより、前記ウェハを前記改質領域に沿ってチップ単位に分割する工程と、(e)前記ウェハの表面に貼付した前記表面保護テープを剥離する工程と、(f)前記粘着テープをエキスパンドし、前記チップをピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法であって、
前記粘着テープは、放射線の照射により硬化しない放射線非硬化型であり、23℃、50%RHの条件下、剥離角度180度、剥離速度300mm/minにおける、シリコンミラー面との剥離力が、0.1〜0.4N/25mmであり、23℃、50%RHの条件下、剥離角度180度、剥離速度300mm/minにおける、SUS304面との剥離力が、0.4〜0.8N/25mmであることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記粘着テープは、基材フィルム上に粘着剤層が形成されており、前記粘着剤層が、アルキル基の炭素数が4以上の(メタ)アクリル酸アルキルエステルモノマーが70〜90質量%と、2−ヒドロキシプロピルアクリレートが10〜30質量%とにより構成される水酸基価が45〜100のアクリル系共重合体と、数平均分子量が3000〜10000であるポリプロピレンオキシドとを含み、イソシアネート系架橋剤を用いて架橋されてなることを特徴とする請求項5または請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
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