TWI548717B - An adhesive tape for semiconductor wafer processing - Google Patents

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Description

半導體晶圓加工用黏著帶
本發明係關於一種將半導體晶圓切割分離成小片之切片(dicing)步驟所使用之半導體晶圓加工用黏著帶。
近年來，由於行動機器之發展，而對半導體裝置期望進一步之薄型化。因此，有必要使半導體晶片變薄至厚度為50~100μm或其以下。一般而言，於背面研磨時會對半導體晶圓之電路面貼附表面保護片材，保護電路面並固定晶圓而進行背面研磨。其後，經過切片、拾取、黏晶、樹脂密封等各種步驟，製造半導體裝置。
於對半導體晶圓進行切片而將其晶片化時，半導體晶圓之背面(研磨面)貼附切片膠帶，一面將晶圓保持於切片膠帶上一面進行晶圓之單片化(切片)。作為切片膠帶，市售有各種切片膠帶，尤佳地使用被稱為UV膠帶之紫外線硬化型黏著帶。UV膠帶具有藉由紫外線照射而黏著劑層發生硬化從而接著力消失或銳減的性質。因此，於晶圓之切片時，可以充分之接著力固定晶圓，於切片結束後，可藉由使黏著劑層發生紫外線硬化而容易地拾取晶片。
於半導體晶圓之切片時，有時產生被稱為崩裂(chipping)之晶片之缺損、開裂，其大小會達到100μm。於薄膜化不斷進展之半導體裝置中，即便為數十微米之崩裂，亦有時會導致電路面產生崩裂，此關係到良率之降低。
該崩裂起因於：切片時晶片因旋轉刀而振動，而晶片與旋轉 刀、或晶片彼此發生接觸。為了解決崩裂之問題，專利文獻1中揭示有一種用以更牢固地保持晶片之黏著劑構成物。另一方面，未提及基材片，而未達成足夠之崩裂抑制。
專利文獻2中揭示有對崩裂抑制有效果之基材片之拉伸強度。然而，切片時，由旋轉刀帶來之壓入之應力較大地施加於基材片，針對壓入之反彈力之指標之研究並不足夠。又，關於拉伸強度之上限，係著眼於延伸性進行設定，而未提及拾取步驟，尚未能滿足作為適於拾取步驟之基材片。
[專利文獻1]日本特開2011-233718號公報
[專利文獻2]日本特開2001-207140號公報
本發明之目的在於提供一種半導體晶圓加工用黏著帶，其貫通薄膜化不斷進展之半導體晶圓之切片步驟與拾取步驟而滿足要求性能，減少崩裂，且使拾取變得容易、確實。
本發明者等人為了達成上述目的而反覆進行努力研究，結果發現：將對構成黏著帶之基材片賦予壓入應力時之緩和應力之時間變化利用其與時間之關係進行控制，藉此可減少崩裂，且使拾取變得容易。本發明係基於該見解而成者。
即，上述課題係藉由以下手段而達成。
(1)一種半導體晶圓加工用黏著帶，其係於基材片上積層有黏著劑層者，其特徵在於：該基材片於對厚度方向以1mm/min壓入前端形狀R=5.0±0.1mm(即R=4.9~5.1mm)之壓頭而保持來自該基材片之反彈 力成為50N之位移時，自該狀態起之應力緩和之時間變化中，0~5秒之反彈力之時間變化(A)為0.23~0.28N/s，且與超過5秒至10秒為止之反彈力之時間變化(B)的比(B)/(A)為0.40~0.45。
(2)如(1)之半導體晶圓加工用黏著帶，其特徵在於：上述黏著劑層厚度為5~10μm。
(3)如(1)或(2)之半導體晶圓加工用黏著帶，其特徵在於：於上述黏著劑層相對於黏著劑樹脂成分100質量份而含有鄰苯二甲酸二酯0.1~30質量份。
(4)如(1)至(3)中任一項之半導體晶圓加工用黏著帶，其特徵在於：上述基材片為聚氯乙烯樹脂。
(5)如(1)至(4)中任一項之半導體晶圓加工用黏著帶，其特徵在於：上述半導體晶圓加工用黏著帶係用於半導體裝置之切片步驟。
於本發明之半導體晶圓加工用黏著帶中，藉由將對基材片賦予壓入力時之緩和應力之時間變化(應力緩和性)利用其與自由壓入應力賦予位移起之經過時間的關係控制於特定範圍，可同時謀求崩裂之減少與易拾取性。尤其是可用作薄膜化半導體晶圓之加工用黏著帶。
本發明之上述及其他特徵與優點應適當參照隨附圖式並根據下述記載而更明瞭。
1‧‧‧基材片
2‧‧‧黏著劑層
10‧‧‧半導體晶圓加工用黏著帶
21‧‧‧壓縮試驗之載物台
22‧‧‧壓縮試驗之壓頭
圖1係示意性地表示本發明之半導體晶圓加工用黏著帶之一實施形態之剖面圖。
圖2係實施例中進行之反彈力測定中之壓縮試驗之測定模式圖。
以下，詳細地說明本發明之較佳實施形態。
<<半導體晶圓加工用黏著帶>>
圖1係表示本發明之半導體晶圓加工用黏著帶之較佳實施態樣的概略剖面圖，形成有基材片1及基材片1上之黏著劑層2。
本發明之半導體晶圓加工用黏著帶係基材片於對厚度方向以1mm/min壓入前端形狀R=5.0±0.1mm之壓頭而保持來自基材片之反彈力成為50N之位移時，自該狀態起之應力緩和之時間變化中，0~5秒之應力緩和之時間變化(A)為0.23~0.28N/s，且與5~10秒之應力緩和之時間變化(B)的比(B/A)為0.40~0.45。
於利用切片刀片之切削中，因旋轉刀之高速旋轉而削去被黏接體及黏著帶之一部分。旋轉刀之旋轉方向相對於黏著帶面為垂直，故而於切片時黏著帶產生向旋轉刀之垂直下方向、即自黏著帶來看為壓入方向之壓縮力。
一般而言，切片時，於切削被黏接體之同時切入至黏著帶之一部分。成為崩裂之要因的切片時之振動起因於由被黏接體產生之切削時阻力及由黏著帶產生之阻力。若著眼於黏著帶於切削時之阻力，則一般而言黏著劑層因切片而被完全分斷，故基材片針對壓入力之反彈力占主導地位。因此，若基材片被壓入時之應力緩和之時間變化較大，則可抑制晶片之振動，可減少崩裂。
又，此時所產生之反彈力係以接近一定值之方式進行時間變化，若該時間較短，則於切削鄰接線時保持穩定之狀態，因此難以受到其影響，可減少由晶片彼此之接觸引起之崩裂。
於本發明中，於基材片之對厚度方向以1mm/min壓入前端形狀R=5.0±0.1mm(R為曲率半徑)之壓頭而保持來自基材片之反彈力成為50N之位移時，其自該狀態起之應力緩和之時間變化中，0~5秒之應力 緩和之時間變化(A)為0.23~0.28N/s，且與超過5秒至10秒為止之應力緩和之時間變化(B)的比(B/A)為0.40~0.45。藉由將上述(A)及比(B/A)之值設定為上述範圍，可抑制切片步驟中產生崩裂，而防止拾取步驟之晶片拾取不良。於(A)未達0.23N/s之情形時，相對於壓入力之應力緩和速度並不足夠，晶片發生振動，產生崩裂。又，若超過0.28N/s，則應力緩和速度過快而緩和拾取時頂出銷造成之壓入力，有發生拾取不良之可能性。並且，於(B/A)未達0.40之情形時，基材片之反彈力停留於較高之狀態，因此存在於拾取時銷之頂出力過度傳達至晶片而使晶片產生裂痕的情況。又，於大於0.45之情形時，基材片之反彈力達到一定值需要時間，因此有即便移至接下來之鄰接晶片切削階段後反彈力仍在變化之可能性，有因鄰接晶片彼此之接觸而引起崩裂之虞。再者，一般而言反彈力隨著時間經過而減小，因此(B/A)為1以下。
上述應力緩和之時間變化之測定可利用後述實施例中所示之方法進行測定。
此處，應力緩和之關係為於基材片之厚度為80μm、黏著劑層之厚度為100μm之狀態下所得之值，表示半導體晶圓加工用黏著帶之特性。因此，並非對本發明中之半導體晶圓加工用黏著帶之基材片與黏著劑層之厚度進行規定。
0~5秒之應力緩和之時間變化(A)較佳為0.23~0.25N/s。又，(B/A)較佳為0.41~0.44。
為了將應力緩和之關係如此調整，可利用基材片之樹脂成分、樹脂中之添加物、片材之厚度等的變更進行調整，又，於基材片為複合膜之情形時，除上述以外，亦可利用組合膜之樹脂成分或複合膜之厚度進行調整。又，亦可藉由黏著劑層之種類或厚度進行調整。
作為構成基材片之樹脂，只要為上述應力緩和之時間變化之 範圍內，則並無特別限制，亦可併用其他樹脂或橡膠等可成形為片狀者。
例如，可使用如下等：聚丙烯、高密度聚乙烯(HDPE)、低密度聚乙烯(LDPE)、直鏈低密度聚乙烯(LLDPE)、乙烯-丙烯共聚物、丙烯共聚物、乙烯-丙烯-二烯共聚物硫化橡膠、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸丁酯共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚胺酯、聚醯胺、離子聚合物、腈橡膠、丁基橡膠、苯乙烯-異戊二烯橡膠、苯乙烯-丁二烯橡膠、天然橡膠及其氫化物或改質物、各種離子聚合物樹脂等。
再者，離子聚合物樹脂係使用聚乙烯、直鏈狀低密度聚乙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物等。所使用之金屬離子可有K、Na、Ca、Zn等各種選擇。其中，較佳為利用金屬離子使乙烯與(甲基)丙烯酸共聚物中之羧基之至少一部分中和交聯而成的二元共聚物系離子聚合物樹脂，或者利用金屬離子使乙烯與(甲基)丙烯酸及α,β-不飽和羧酸酯之三元共聚物中之羧基之至少一部分中和而成的三元共聚物系離子聚合物樹脂。
作為上述金屬離子，可列舉例如Na離子、K離子或Li離子等鹼金屬離子，Ca離子、Mg離子、Zn離子等二價金屬離子，例如Al離子或Nd離子等三價金屬離子，及該等之混合物；就耐久性等而言，可較佳地使用Na離子、Zn離子或Li離子等。
若以商品名例示上述二元共聚物系離子聚合物樹脂之具體例，則可列舉：由DuPont-Mitsui Polychemicals股份有限公司市售之Himilan 1605(Na)、Himilan 1706(Zn)、Himilan 1707(Na)、Himilan AM7318(Na)、Himilan AM7315(Zn)、Himilan AM7317(Zn)、Himilan AM7311(Mg)或Himilan MK7320(K)等。進而，作為由Dupont公司市售之離子聚合物樹脂， 可列舉：Surlyn 8920(Na)、Surlyn 8940(Na)、Surlyn AD8512(Na)、Surlyn 9910(Zn)、Surlyn AD8511(Zn)、Surlyn 7930(Li)或Surlyn 7940(Li)等。又，作為由Exxon Chemical公司市售之離子聚合物樹脂，可列舉：Iotek 7010(Zn)或Iotek 8000(Na)等。
若以商品名例示上述三元共聚物系離子聚合物樹脂之具體例，則可列舉：由DuPont-Mitsui Polychemicals股份有限公司市售之Himilan 1856(Na)、Himilan 1855(Zn)、Himilan AM7316(Zn)等，由Dupont公司市售之Surlyn AD8265(Na)、Surlyn AD8269(Na)等。再者，上述離子聚合物樹脂之商品名後之括弧內記載之Na、Zn、K、Li、Mg等表示該等之中和金屬離子之金屬種類。
該等樹脂之中，較佳為聚氯乙烯樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、或除乙烯及(甲基)丙烯酸以外亦包含(甲基)丙烯酸酯等其他共聚合成分之三元以上之共聚物、以及離子聚合物樹脂。
其中，乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物中，(甲基)丙烯酸之含量較佳為1~20質量%，更佳為1~15質量%。
又，離子聚合物樹脂較佳為乙烯-(甲基)丙烯酸系之二元或三元(除上述以外以及(甲基)丙烯酸酯之三元)以上。
又，上述較佳之共聚物或樹脂之中，尤佳為聚氯乙烯樹脂。
於使用聚氯乙烯之情形時，可適當使用穩定劑、塑化劑。
該等構成基材片之樹脂可設為單層或多層構成，於本發明中較佳為多層構成。
於設為多層構成之情形時，黏著劑層側之樹脂較佳為聚氯乙烯、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物，與設置黏著劑層之側相反側之膜之樹脂較佳為聚氯乙烯、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸酯共聚物或離子聚合物樹脂。
基材片之厚度並無特別限定，就易操作性而言，較佳為50~200μm，更佳為70~110μm。
為了進一步提高密接性，亦可對基材片之與黏著劑層接觸之面實施電暈處理、底塗等處理。
作為構成黏著劑層之黏著劑，較佳為放射線硬化型，例如較佳地使用日本特公平1-56112號公報、日本特開平7-135189號公報等中記載者，但並不限定於該等。只要具有藉由放射線而硬化並三維網狀化之性質即可，例如可使用對通常之橡膠系或(甲基)丙烯酸系壓敏性基礎樹脂(聚合物)調配分子中具有至少2個光聚合性碳-碳雙鍵之低分子量化合物(以下稱為光聚合性化合物)及光聚合起始劑而成者。
此處，所謂放射線，意指如紫外線之光線、或如電子束之游離放射線。所謂「(甲基)丙烯酸」，意指「丙烯酸」或「甲基丙烯酸」之任一者或兩者。
上述橡膠系或丙烯酸系之基礎樹脂可使用：天然橡膠、各種合成橡膠等橡膠系聚合物，或聚(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸烷基酯與可與其共聚合之其他不飽和單體的共聚合物等(甲基)丙烯酸系聚合物。
(甲基)丙烯酸系聚合物並無特別限制，可設為質量平均分子量為10萬~100萬、玻璃轉移溫度(Tg)為-50~0℃之範圍。
又，藉由在上述黏著劑中混合異氰酸酯系硬化劑，可將初始之接著力設定為任意值。作為上述硬化劑，具體而言為多元異氰酸酯化合物，例如可使用：2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-苯二甲基二異氰酸酯、1,4-二甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷-4,4'-二異氰酸酯、二苯基甲烷-2,4'-二異氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、二環己基甲烷-4,4'-二異氰酸酯、二環己基甲烷-2,4'-二異氰酸酯、離胺酸二異氰酸酯等。
硬化劑之含量只要根據所需之黏著力而進行調整即可，相對於黏著劑之上述基礎樹脂共聚物100質量份，較佳為0.01~10質量份，更佳為0.1~5質量份。
放射線硬化型黏著劑藉由在黏著劑中混入光聚合起始劑，而可顯現藉由放射線照射而聚合硬化之反應。
作為上述光聚合起始劑，具體而言，可列舉：安息香、安息香甲醚、安息香***、安息香異丙醚、苄基二苯硫醚、一硫化四甲基秋蘭姆、偶氮二異丁腈、二苯偶醯、雙乙醯、β-氯蒽醌等。
黏著劑層之厚度較佳為5~10μm。若薄於5μm，則難以獲得穩定製造性，又，若厚於10μm，則切片時之晶片振動之影響變大。
又，藉由使如上述之黏著劑層中包含光聚合性化合物及光聚合起始劑，可藉由照射放射線而進行硬化，使黏著劑之黏著力降低，而自被黏接體容易地剝離接著劑層。
黏著劑層之形成可與通常之切片膠帶相同地於基材片上塗佈黏著劑而製造。
於本發明中，較佳為黏著劑層含有塑化劑。藉由使用塑化劑，可使黏著劑之柔軟性提高，緩和切片時之旋轉刀之應力。塑化劑之量、種類並無特別限制，可使用一般之塑化劑。
作為上述塑化劑，可列舉：芳香族酯、脂肪族酯、磷酸酯、醯胺化合物、脂肪族醇、石蠟類。其中，較佳為芳香族酯、磷酸酯，更佳為芳香族酯。作為芳香族酯，其中較佳為鄰苯二甲酸二酯，更佳為醇部之碳數為6~12者，最佳為鄰苯二甲酸二辛酯。
作為芳香族酯，例如可列舉：鄰苯二甲酸二辛酯、鄰苯二甲酸二己酯、鄰苯二甲酸二(十二烷基)酯、鄰苯二甲酸或者對苯二甲酸之二(2-乙基己基)酯、間苯二甲酸二丁酯、偏苯三甲酸三異丙酯等，作為磷酸酯， 可列舉：磷酸三甲酚酯、磷酸三(2-乙基己基)酯等。
塑化劑之添加量係相對於黏著劑樹脂成分100質量份較佳為0.1~30質量份，更佳為0.1~25質量份，進而較佳為0.1~10質量份。若添加量少於0.1質量份，則不顯現上述應力緩和。又，若添加量多於30質量份，則黏著劑層變得過於柔軟，崩裂惡化。
於使用本發明之半導體晶圓加工用黏著帶時，可依據通常之方法使用，例如，將半導體晶圓加工用黏著帶貼附於半導體晶圓而固定後，利用旋轉刀將半導體晶圓切割成晶片。其後，自上述黏著帶之基材側照射紫外線或電子束，繼而使用專用治具將上述黏著帶呈放射狀進行擴大而使晶片間空開一定間隔(擴展)後，利用頂針等將晶片頂出，並且藉由利用真空夾頭、真空鑷子等進行吸附之方法等進行拾取，與此同時進行安裝即可。
又，應用本發明之半導體晶圓之厚度較佳為200~75μm，更佳為100~75μm，於其厚度較薄之情形時效果較為顯著。
[實施例]
以下，基於實施例更詳細地說明本發明，但本發明並不限定於該等實施例。
以下，基於實施例進一步說明本發明，但本發明並不限定於該等。
<構成黏著劑層之樹脂組成物>
作為構成黏著劑層之樹脂組成物，使用以下之樹脂組成物A~E。
(構成黏著劑層之樹脂組成物A)
相對於丙烯酸系基礎聚合物(由丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸酯甲酯、丙烯酸2-羥基乙酯所構成之共聚物，質量平均分子量30萬，玻璃轉移溫度-35℃)100質量份，添加聚異氰酸酯化合物(Nippon Polyurethane公司製造， 商品名Coronate L)2質量份、作為具有光聚合性碳-碳雙鍵之化合物的四羥甲基甲烷四丙烯酸酯50質量份、作為光聚合起始劑之日本Ciba-Geigy公司製造之Irgacure-184(商品名)0.5質量份及鄰苯二甲酸二辛酯0.1質量份並進行混合，而製備放射線硬化性之黏著劑樹脂組成物A。
(構成黏著劑層之樹脂組成物B)
將鄰苯二甲酸二辛酯設為25質量份，除此以外，以與黏著劑樹脂組成物A相同之方式製備構成黏著劑層之樹脂組成物B。
(構成黏著劑層之樹脂組成物C)
將鄰苯二甲酸二辛酯設為30質量份，除此以外，以與黏著劑樹脂組成物A相同之方式進行製備。
(構成黏著劑之樹脂組成物D)
使由丙烯酸丁酯(79質量%)、甲基丙烯酸(1質量%)、丙烯酸2-羥基乙酯(20質量%)所構成之丙烯酸系共聚物100質量份與作為具有光聚合性碳-碳雙鍵及官能基之化合物的2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯(昭和電工公司製造，商品名Karenz MOI)0.2質量份發生反應，而獲得對主鏈之重複單位鍵結有殘基之聚合物，上述殘基具有丙烯酸系單體部，上述丙烯酸系單體部具有含放射線硬化性碳-碳雙鍵之基。該聚合物之質量平均分子量為60萬。此處，質量平均分子量係藉由凝膠滲透層析儀(Waters公司製造，商品名150-C ALC/GPC)對溶解於四氫呋喃中所得之1%溶液進行測定，並對所得之值進行聚苯乙烯換算而算出。相對於上述聚合物100質量份而添加聚異氰酸酯化合物(Nippon Polyurethane公司製造，商品名Coronate L)0.5質量份、作為光聚合起始劑之日本Ciba-Geigy公司製造之Irgacure-184(商品名)0.5質量份及鄰苯二甲酸二辛酯0.08質量份並進行混合，而製備放射線硬化性之黏著劑樹脂組成物D。
(構成黏著劑層之樹脂組成物E)
將鄰苯二甲酸二辛酯設為0.2質量份，除此以外，以與黏著劑樹脂組成物D相同之方式進行製備。
<構成基材片之樹脂組成物>
作為構成基材片之樹脂組成物，使用以下之樹脂F~I。又，作為基材片，使用片材J。
(樹脂F)聚丙烯Prime Polymer公司製造「F724NP」
(樹脂G)乙烯-甲基丙烯酸共聚物DuPont-Mitsui Polychemicals公司製造製品名「N0908C」(甲基丙烯酸含量：9質量%)
(樹脂H)乙烯-乙酸乙烯酯共聚物Nippon Unicar公司製造「NUC-3758」
(樹脂I)乙烯-甲基丙烯酸-(丙烯酸2-甲基-丙酯)-Zn2+離子聚合物樹脂DuPont-Mitsui Polychemicals公司製造「Himilan AM7316」
(片材J)氯乙烯片材 厚度80μm
將樹脂F~樹脂I調整為下述表1、2所示之構成，利用雙軸混練機於約200℃進行膜擠出成形，而以厚度為表1、2所示者來製造作為各基材樹脂膜之基材片。繼而，如表1、2所示，於各基材片之與黏著劑層接觸之層以乾燥後之厚度成為下述表1、2之構成之方式塗佈上述黏著劑，形成黏著劑層，而製造如圖1之構造之實施例1~9、比較例1、2之半導體晶圓加工用黏著帶。
(反彈力之時間變化評價)
將所製作之基材片採取為25mm×40mm，利用與黏著帶製作時相同之方法以成為100μm之方式塗佈各黏著帶之黏著劑，而製作測定用樣品。其後，使用Instron拉伸試驗機(雙柱(twin columns)桌上型5567)，於以下之條件下進行測定。
(反彈力測定條件)
裝置：Instron拉伸試驗機(雙柱桌上型5567)
壓縮速度：1.0mm/min
試驗溫度：23℃
壓頭：彎曲試驗(JIS K 7171)之壓頭
壓頭前端形狀：R=5.0±0.1mm
壓入方向：自基材片側壓縮
(試驗方法)
一)如圖2般於壓縮平行板上以黏著劑層朝下之方式試驗設置樣品
二)使彎曲壓頭接觸黏著帶
三)將位移及反彈力設置為0
四)以速度1.0mm/min進行壓縮直至負載反彈力50N為止
五)將反彈力成為50N時作為開始時刻，於維持壓頭位置之狀態下每隔1.0秒採集反彈力值
六)將自開始時刻起經過0~5秒之反彈力之時間變化設為(A)(單位：N/s)
七)將自開始時刻起經過5秒~10秒之反彈力之時間變化設為(B)(單位：N/s)
八)算出(A)與(B)之比(B/A)
於實施例1~9及比較例1、2之半導體晶圓加工用黏著片材上貼合直徑6英吋、厚度100μm之附虛設電路面之矽晶圓，使用切片裝置(DISCO公司製造，DAD-340)以晶片尺寸成為10mm見方之方式進行切片步驟。
(切片條件)
切片機：DISCO公司製造，DAD-340
旋轉刀轉速：40000rpm
切削速度：100mm/s
切削水流量：20mL
旋轉刀切割矽晶圓後，切入黏著片材之深度：10μm
(拾取)
將矽晶圓貼合於半導體晶圓加工用黏著片材之黏著劑層後，對矽晶圓進行切片，將半導體晶圓加工用黏著片材呈放射狀進行擴大而使晶片間空開一定間隔(擴展)，自切片膠帶之基材片側照射紫外線500mJ/mm2而使黏著劑層硬化後，使用Dice Picker裝置(Canon Machinery公司製造之CAP-300II)拾取已單片化之半導體晶片。於下述拾取條件下拾取任意50個晶片，計數成功拾取之晶片數，將成功拾取全部50個半導體晶片之情形設為◎，成功拾取47~49個半導體晶片之情形設為○，成功拾取44~46個半導體晶片之情形設為△，此外之情形設為×，評價拾取性。
(拾取條件)
Dice Picker裝置：Canon Machinery公司製造之「CAP-300II」
銷數：4根
銷之間隔：7.8×7.8mm
銷前端曲率：0.25mm
銷頂出量：0.40mm
(崩裂)
利用光學顯微鏡對拾取後之任意50個晶片之崩裂進行測定。將自端部起之崩裂高度均為10μm以下之情形設為◎，均為15μm以下之情形設為○，均為25μm以下之情形設為△，大於此之情形設為×。
如表1、2所示，實施例1~9之半導體晶圓加工用黏著帶與比較例1~6之半導體晶圓加工用黏著帶相比，可同時實現崩裂之減少與拾取性。
已將本發明與其實施態樣一起進行了說明，可認為，只要我等未特別指定，則不欲將我等之發明限定於說明之任一細節，應不違反隨附之申請專利範圍所揭示之發明之精神與範圍而廣義地加以解釋。
本案係主張基於2013年3月5日於日本提出專利申請之日本特願2013-43566之優先權者，此處以其為參照並將其內容作為本說明書之記載之一部分而組入。
1‧‧‧基材片
2‧‧‧黏著劑層
10‧‧‧半導體晶圓加工用黏著帶

Claims (7)

  1. 一種半導體晶圓加工用黏著帶，其係於基材片上積層有黏著劑層者，其特徵在於：該基材片於對厚度方向以1mm/min壓入前端形狀R=5.0±0.1mm之壓頭而保持來自該基材片之反彈力成為50N之位移時，自該狀態起之應力緩和之時間變化中，0~5秒之反彈力之時間變化(A)為0.23~0.28N/s，且與超過5秒至10秒為止之反彈力之時間變化(B)的比(B)/(A)為0.40~0.45。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓加工用黏著帶，其中上述黏著劑層厚度為5~10μm。
  3. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓加工用黏著帶，其中於上述黏著劑層中相對於黏著劑樹脂成分100質量份而含有鄰苯二甲酸二酯0.1~30質量份。
  4. 如申請專利範圍第2項之半導體晶圓加工用黏著帶，其中於上述黏著劑層中相對於黏著劑樹脂成分100質量份而含有鄰苯二甲酸二酯0.1~30質量份。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之半導體晶圓加工用黏著帶，其中上述基材片為聚氯乙烯樹脂。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之半導體晶圓加工用黏著帶，其中上述半導體晶圓加工用黏著帶係用於半導體裝置之切片步驟。
  7. 如申請專利範圍第5項之半導體晶圓加工用黏著帶，其中上述半導體晶圓加工用黏著帶係用於半導體裝置之切片步驟。
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