JP6489421B2 - 光強度設定方法、検査方法および検査装置 - Google Patents
光強度設定方法、検査方法および検査装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6489421B2 JP6489421B2 JP2015006862A JP2015006862A JP6489421B2 JP 6489421 B2 JP6489421 B2 JP 6489421B2 JP 2015006862 A JP2015006862 A JP 2015006862A JP 2015006862 A JP2015006862 A JP 2015006862A JP 6489421 B2 JP6489421 B2 JP 6489421B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- time waveform
- light intensity
- light
- vibration
- terahertz wave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
また、第8の態様は、第7の態様に係る検査方法において、(f)前記(c)工程より先に、前記第1時間波形および前記第2時間波形を平滑化する工程、をさらに含み、前記(c−1)工程は、前記工程(f)によって平滑化された前記第1時間波形および前記第2時間波形において前記変曲点の数量をカウントする工程である。
また、第10の態様は、第9の態様に係る検査装置において、前記振動発生検出部は、平滑化された前記第1時間波形および前記第2時間波形において、前記変曲点の数量をカウントする。
<検査装置の構成>
図1は、実施形態に係る検査装置100の概略構成図である。検査装置100は、検査光照射部22、テラヘルツ波検出部23および遅延部24、移動ステージ3、試料台4、カメラ6および制御部7を備えている。
次に、検査装置の動作について説明する。図5は、検査装置100の動作の流れを示す図である。図5に示すフローチャートは、検査装置100において、テラヘルツ波測定に基づいた、半導体試料である太陽電池9の検査を行うものである。
まず、第1の検出方法は、時間波形に含まれる変曲点の増大に基づいて、振動発生を検出する手法である。すなわち、振動の発生を、変曲点の数量を計測するによって直接的に検出するものである。具体的に、図7〜図11を参照しつつ説明する。
第2の検出方法は、周波数解析に基づいて、振動発生を検出する手法である。つまり、取得した第1時間波形および第2時間波形をフーリエ変換することによって、それぞれの周波数スペクトルを得る(テラヘルツ時間分光法)。そして、第1時間波形および第2時間波形の周波数スペクトルを比較することによって、振動発生を検出するものである。
22 検査光照射部
23 テラヘルツ波検出部
24 遅延部
3 移動ステージ
4 試料台
61 表示部
62 操作部
7 制御部
71 CPU
711 光強度設定部
712 時間波形取得部
713 振動発生検出部
74 記憶部
80〜82 時間波形
9 太陽電池
F81〜F84 スペクトル波形
IP1〜IP4 変曲点
LE1 限界光強度
LE2 超過光強度
LE3,LE4 光強度
LP1 パルス光
LP11 検査光
LP12 検出光
LT1 テラヘルツ波
ND1 減光フィルター
P1 限界点
P2 超過点
PM1 パワーメータ
PS1 第1位相区間
PS2 第2位相区間
PS3 第3位相区間
PS4 第4位相区間
Claims (10)
- 半導体試料に照射する光の強度を設定する光強度設定方法であって、
(a) 第1光強度の光の照射に応じて半導体試料から放射されるテラヘルツ波の第1時間波形を取得する第1取得工程と、
(b) 前記第1光強度よりも大きい第2光強度の光の照射に応じて前記半導体試料から放射されるテラヘルツ波の第2時間波形を取得する第2取得工程と、
(c) 前記第1時間波形および前記第2時間波形の比較に基づいて、前記第2時間波形における電界強度の振動の発生を検出する振動発生検出工程と、
(d) 前記(c)工程において、電界強度の振動の発生が検出された場合に、前記半導体試料に照射する前記光の光強度を、前記第2光強度よりも小さい第3光強度に設定する光強度設定工程と、
を含み、
前記(c)工程は、
(c−1)前記第1時間波形および前記第2時間波形に含まれる変曲点をカウントする工程と、
(c−2)前記(c−1)工程によってカウントされた前記第1時間波形および前記第2時間波形に含まれる前記変曲点の数量の変化分が規定の数量を超えたか否かを判定することによって、前記振動の発生を検出する工程と、
を含み、
前記(c−1)工程は、時間的に連続する2つの変曲点における電界強度の変化量が既定の値よりも小さい場合には当該2つの変曲点をカウントから除外する工程である、光強度設定方法。 - 請求項1に記載の光強度設定方法において、
(e) 前記(c)工程より先に、前記第1時間波形および前記第2時間波形を平滑化する工程、
をさらに含み、
前記(c−1)工程は、前記工程(e)によって平滑化された前記第1時間波形および前記第2時間波形において前記変曲点の数量をカウントする工程である、光強度設定方法。 - 請求項1または2に記載の光強度設定方法において、
前記(c)工程は、
前記第1時間波形および前記第2時間波形における、1以上の位相区間に含まれる変曲点の数量の変化に基づいて、前記振動の発生を検出する工程を含み、
前記1以上の位相区間のそれぞれは、前記第1時間波形における変曲点の位相を含む区間である、光強度設定方法。 - 請求項3に記載の光強度設定方法において、
前記(c)工程は、
複数の前記位相区間に含まれる変曲点の数量の変化に基づいて、前記振動の発生を検出する工程を含む、光強度設定方法。 - 半導体試料に照射する光の強度を設定する光強度設定方法であって、
(a) 第1光強度の光の照射に応じて半導体試料から放射されるテラヘルツ波の第1時間波形を取得する第1取得工程と、
(b) 前記第1光強度よりも大きい第2光強度の光の照射に応じて前記半導体試料から放射されるテラヘルツ波の第2時間波形を取得する第2取得工程と、
(c) 前記第1時間波形および前記第2時間波形の比較に基づいて、前記第2時間波形における電界強度の振動の発生を検出する振動発生検出工程と、
(d) 前記(c)工程において、電界強度の振動の発生が検出された場合に、前記半導体試料に照射する前記光の光強度を、前記第2光強度よりも小さい第3光強度に設定する光強度設定工程と、
を含み、
前記(c)工程は、
前記第1時間波形および前記第2時間波形をフーリエ変換することによって得られる周波数スペクトルの強度を平滑化し、平滑化された前記強度の差分値が所定の判定基準を超えるか否かを判定することによって、前記振動の発生を検出する工程を含む、光強度設定方法。 - 請求項5に記載の光強度設定方法において、
前記(c)工程は、
前記周波数スペクトルにおける、0.5THz以上の周波数領域に基づき、前記振動の発生を検出する工程を含む、光強度設定方法。 - 半導体試料を検査する検査方法であって、
(a) 第1光強度の光の照射に応じて半導体試料から放射されるテラヘルツ波の第1時間波形を取得する第1取得工程と、
(b) 前記第1光強度よりも大きい第2光強度の光の照射に応じて前記半導体試料から照射されるテラヘルツ波の第2時間波形を取得する第2取得工程と、
(c) 前記第1時間波形および前記第2時間波形を比較することによって、前記第2時間波形における電界強度の振動の発生を検出する振動発生検出工程と、
(d) 前記(c)工程において、電界強度の振動の発生が検出された場合に、前記半導体試料に照射する前記光の光強度を、前記第2光強度よりも小さい第3光強度に設定する光強度設定工程と、
(e) 前記(d)工程にて設定された第3光強度の光の照射に応じて、前記半導体試料から放射されるテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出工程と、
を含み、
前記(c)工程は、
(c−1)前記第1時間波形および前記第2時間波形に含まれる変曲点をカウントする工程と、
(c−2)前記(c−1)工程によってカウントされた前記第1時間波形および前記第2時間波形に含まれる前記変曲点の数量の変化分が規定の数量を超えたか否かを判定することによって、前記振動の発生を検出する工程と、
を含み、
前記(c−1)工程は、時間的に連続する2つの変曲点における電界強度の変化量が既定の値よりも小さい場合には当該2つの変曲点をカウントから除外する工程である、検査方法。 - 請求項7に記載の検査方法において、
(f) 前記(c)工程より先に、前記第1時間波形および前記第2時間波形を平滑化する工程、
をさらに含み、
前記(c−1)工程は、前記工程(f)によって平滑化された前記第1時間波形および前記第2時間波形において前記変曲点の数量をカウントする工程である、検査方法。 - 半導体試料を検査する検査装置であって、
前記半導体試料に光を照射する照射部と、
前記光の照射に応じて、前記半導体試料から放射されるテラヘルツ波を検出する検出部と、
前記検出部によって検出された前記テラヘルツ波の強度に基づいて、前記テラヘルツ波の時間波形を取得する時間波形取得部と、
前記照射部が前記半導体試料に照射する前記光の強度を設定する光強度設定部と、
を含み、
前記光強度設定部は、
第1光強度の光の照射に応じて前記半導体試料から放射されるテラヘルツ波の第1時間波形、および、前記第1光強度よりも大きい第2光強度の光の照射に応じて前記半導体試料から放射されるテラヘルツ波の第2時間波形を取得する時間波形取得部と、
前記第1時間波形および前記第2時間波形を比較することによって、前記第2時間波形における電界強度の振動の発生を検出する振動発生検出部と、
を備え、
前記振動発生検出部は、前記第1時間波形および前記第2時間波形における変曲点の数量の変化分が既定の数量を越えたか否かを判定することによって、前記振動の発生を検出し、
前記変曲点の数量は、時間的に連続する2つの変曲点間における電界強度の変化量が既定の値よりも小さい場合には当該2つの変曲点をカウントから除外することによって得られる、検査装置。 - 請求項9に記載の検査装置において、
前記振動発生検出部は、平滑化された前記第1時間波形および前記第2時間波形において、前記変曲点の数量をカウントする、検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015006862A JP6489421B2 (ja) | 2015-01-16 | 2015-01-16 | 光強度設定方法、検査方法および検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015006862A JP6489421B2 (ja) | 2015-01-16 | 2015-01-16 | 光強度設定方法、検査方法および検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016133344A JP2016133344A (ja) | 2016-07-25 |
JP6489421B2 true JP6489421B2 (ja) | 2019-03-27 |
Family
ID=56437890
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015006862A Expired - Fee Related JP6489421B2 (ja) | 2015-01-16 | 2015-01-16 | 光強度設定方法、検査方法および検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6489421B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11788885B2 (en) | 2021-02-26 | 2023-10-17 | Advantest Corporation | Test apparatus, test method, and computer-readable storage medium |
US11800619B2 (en) | 2021-01-21 | 2023-10-24 | Advantest Corporation | Test apparatus, test method, and computer-readable storage medium |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106774552B (zh) * | 2016-12-23 | 2018-11-02 | 江西瑞安新能源有限公司 | 光伏组件测试方法及控制方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5835795B2 (ja) * | 2011-09-13 | 2015-12-24 | 株式会社Screenホールディングス | 検査方法および検査装置 |
JP5892597B2 (ja) * | 2012-02-24 | 2016-03-23 | 株式会社Screenホールディングス | 検査装置および検査方法 |
-
2015
- 2015-01-16 JP JP2015006862A patent/JP6489421B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11800619B2 (en) | 2021-01-21 | 2023-10-24 | Advantest Corporation | Test apparatus, test method, and computer-readable storage medium |
US11788885B2 (en) | 2021-02-26 | 2023-10-17 | Advantest Corporation | Test apparatus, test method, and computer-readable storage medium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016133344A (ja) | 2016-07-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5804362B2 (ja) | 検査装置および検査方法 | |
JP6078870B2 (ja) | 検査装置および検査方法 | |
US8872114B2 (en) | Inspection apparatus and inspection method | |
JP5822194B2 (ja) | 半導体検査方法および半導体検査装置 | |
EP2631635B1 (en) | Inspection apparatus and inspection method | |
US20150236642A1 (en) | Inspection apparatus and inspection method | |
JP6418542B2 (ja) | 検査装置および検査方法 | |
JP5835795B2 (ja) | 検査方法および検査装置 | |
JP6395206B2 (ja) | 検査装置および検査方法 | |
JP6342622B2 (ja) | フォトデバイス検査装置およびフォトデバイス検査方法 | |
JP6489421B2 (ja) | 光強度設定方法、検査方法および検査装置 | |
JP2014192444A (ja) | 検査装置および検査方法 | |
JP6078869B2 (ja) | 検査装置および検査方法 | |
JP5929293B2 (ja) | 検査装置および検査方法 | |
JP6436672B2 (ja) | 検査装置および検査方法 | |
JP2021048351A (ja) | 検査方法および検査装置 | |
JP2019058042A (ja) | 検査装置および検査方法 | |
JP6099131B2 (ja) | 検査装置および検査方法 | |
JP2016151536A (ja) | 検査装置および検査方法 | |
JP2017157692A (ja) | 検査装置及び検査方法 | |
JP6161059B2 (ja) | フォトデバイス検査装置およびフォトデバイス検査方法 | |
JP2018141675A (ja) | 検査装置および検査方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171226 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20171226 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180926 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181002 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181203 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190205 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190214 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6489421 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |