JP6476862B2 - 位相差板、円偏光板、及び画像表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、位相差板、円偏光板、及び画像表示装置に関し、特に、逆波長分散特性の制御が容易な位相差板、円偏光板、及び画像表示装置に関する。

位相差板は、液晶表示装置等の表示装置の構成要素として、広く用いられている。表示装置に用いる位相差板は、表示のための全ての波長領域（通常は可視領域）において、１／４λ、１／２λ等の所望の位相差を発現することが好ましい。このような位相差を発現するためには、位相差板は、いわゆる逆波長分散、即ち短波長より長波長の光について高い異方性を示す波長分散を有する必要がある。逆波長分散特性を示す位相差板としては、例えば、特許文献１〜６に記載されるものが知られている。

特開平１０−６８８１６号公報 特開平１０−９０５２１号公報 特開平１１−５２１３１号公報 特開２０００−２８４１２６号公報（対応外国公報：米国特許明細書第６４００４３３Ｂ１号） 特開２００１−４８３７号公報 国際公開第２０００／０２６７０５号（対応外国公報：欧州特許出願公開第ＥＰ１０４５２６１（Ａ１）及び米国特許明細書第６５６５９７４Ｂ１号）

表示装置に用いる位相差板は、表示装置の性能をより高めるため、表示装置の設計に応じて、逆波長分散を、僅かに高める、または僅かに低めるといった調整が必要となる。しかしながら、従来技術においては、位相差板を、光学性能及び機械的性能を損ねることなく、要求通りの逆波長分散特性に調整することは、困難であった。

従って、本発明の目的は、逆波長分散特性を有し、かつその精密な制御が容易に行いうる位相差板を提供することにある。
本発明のさらなる目的は、逆波長分散特性を有しかつその精密な制御が容易に行いうる位相差板を含み、それにより低コストで且つ良好な表示性能を有する表示装置及びその構成要素を提供することにある。

本発明者は前記の課題を解決するべく検討した結果、逆波長分散重合性液晶化合物として、分子中に所定の複数のメソゲンを有するものを用い、これと、重合性モノマーとを組み合わせて配向させ、所定の光学特性を有する光学異方性層を形成することにより、上記課題を解決しうることを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明によれば、以下のものが提供される。

〔１〕 逆波長分散重合性液晶化合物と重合性モノマーとを含有する組成物（Ａ）を硬化させてなる光学異方性層を有する位相差板であって、
前記逆波長分散重合性液晶化合物は、分子中に主鎖メソゲンと前記主鎖メソゲンに結合した側鎖メソゲンとを有し、
前記光学異方性層において、前記逆波長分散重合性液晶化合物の前記主鎖メソゲン及び前記側鎖メソゲンは、異なる方向に配向し、それにより、前記光学異方性層の複屈折Δｎが逆波長分散特性を有し、
前記組成物（Ａ）における前記重合性モノマーを前記逆分散重合性液晶化合物に置換した組成物（Ａ０）を硬化させてなる層の波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍにおけるリタデーションＲｅ０（４５０ｎｍ）、Ｒｅ０（５５０ｎｍ）およびＲｅ０（６５０ｎｍ）と、前記光学異方性層の波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍにおけるリタデーションＲｅ（４５０ｎｍ）、Ｒｅ（５５０ｎｍ）およびＲｅ（６５０ｎｍ）とが、以下の式（ｉ）及び（ｉｉ）の関係を満たす位相差板：
Ｒｅ０（４５０ｎｍ）／Ｒｅ０（５５０ｎｍ）＞Ｒｅ（４５０ｎｍ）／Ｒｅ（５５０ｎｍ） 式（ｉ）
Ｒｅ０（６５０ｎｍ）／Ｒｅ０（５５０ｎｍ）＜Ｒｅ（６５０ｎｍ）／Ｒｅ（５５０ｎｍ） 式（ｉｉ）。
〔２〕 逆波長分散重合性液晶化合物と重合性モノマーとを含有する組成物（Ａ）を硬化させてなる光学異方性層を有する位相差板であって、
前記逆波長分散重合性液晶化合物は、分子中に主鎖メソゲンと前記主鎖メソゲンに結合した側鎖メソゲンとを有し、
前記光学異方性層において、前記逆波長分散重合性液晶化合物の前記主鎖メソゲン及び前記側鎖メソゲンは、異なる方向に配向し、それにより、前記光学異方性層の複屈折Δｎが逆波長分散特性を有し、
前記組成物（Ａ）における前記重合性モノマーを前記逆分散重合性液晶化合物に置換した組成物（Ａ０）を硬化させてなる層の波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍにおけるリタデーションＲｅ０（４５０ｎｍ）、Ｒｅ０（５５０ｎｍ）およびＲｅ０（６５０ｎｍ）と、前記光学異方性層の波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍにおけるリタデーションＲｅ（４５０ｎｍ）、Ｒｅ（５５０ｎｍ）およびＲｅ（６５０ｎｍ）とが、以下の式（ｉｉｉ）及び（ｉｖ）の関係を満たす位相差板：
Ｒｅ０（４５０ｎｍ）／Ｒｅ０（５５０ｎｍ）＜Ｒｅ（４５０ｎｍ）／Ｒｅ（５５０ｎｍ） 式（ｉｉｉ）
Ｒｅ０（６５０ｎｍ）／Ｒｅ０（５５０ｎｍ）＞Ｒｅ（６５０ｎｍ）／Ｒｅ（５５０ｎｍ） 式（ｉｖ）。
〔３〕 前記逆波長分散重合性液晶化合物が、下記式（Ｉ）：

〔式中、Ｙ^１〜Ｙ^６はそれぞれ独立して、化学的な単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−Ｏ−ＮＲ^１−、又は、−ＮＲ^１−Ｏ−を表す。ここで、Ｒ^１は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｇ^１、Ｇ^２はそれぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の２価の脂肪族基を表す〔該脂肪族基には、１つの脂肪族基あたり１以上の−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^２−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２−、−ＮＲ^２−、又は、−Ｃ（＝Ｏ）−が介在していてもよい。ただし、−Ｏ−又は−Ｓ−がそれぞれ２以上隣接して介在する場合を除く。ここで、Ｒ^２は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。〕。
Ｚ^１、Ｚ^２はそれぞれ独立して、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２〜１０のアルケニル基を表す。
Ａ^ｘは芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表し、Ａ^ｙは水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜１２のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜１２のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^３、−ＳＯ_２−Ｒ^６、又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。前記Ａ^ｘ及びＡ^ｙが有する芳香環は置換基を有していてもよい。また、前記Ａ^ｘとＡ^ｙは一緒になって、環を形成していてもよい。ここで、Ｒ^３は、置換基を有していてもよい炭素数１〜１２のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜１２のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基を表し、Ｒ^６は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表す。
Ａ^１は、置換基を有していてもよい三価の芳香族基を表す。
Ａ^２、Ａ^３はそれぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数６〜３０の二価の芳香族基を表す。
Ｑ^１は、水素原子、又は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。〕
で示される化合物である、〔１〕又は〔２〕に記載の位相差板。
〔４〕前記逆波長分散重合性液晶化合物が、下記式（Ｖ）：

〔式中、Ｙ^１ｗ〜Ｙ^８ｗはそれぞれ独立して、化学的な単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−Ｏ−ＮＲ^１−、又は、−ＮＲ^１−Ｏ−を表す。ここで、Ｒ^１は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｇ^１ｗ、Ｇ^２ｗはそれぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の二価の鎖状脂肪族基を表す。また、前記鎖状脂肪族基には、１つの脂肪族基あたり１以上の−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^２ｗ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２ｗ−、−ＮＲ^２ｗ−、又は、−Ｃ（＝Ｏ）−が介在していてもよい。ただし、−Ｏ−又は−Ｓ−がそれぞれ２以上隣接して介在する場合を除く。ここで、Ｒ^２ｗは、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｚ^１ｗ、Ｚ^２ｗはそれぞれ独立して、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２〜１０のアルケニル基を表す。
Ａ^ｘｗは、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。
Ａ^ｙｗは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^３ｗ、−ＳＯ_２−Ｒ^４ｗ、−Ｃ（＝Ｓ）ＮＨ−Ｒ^９ｗ、又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。ここで、Ｒ^３ｗは、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、炭素数５〜１２の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ^４ｗは、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表し、Ｒ^９ｗは置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数５〜２０の芳香族基を表す。前記Ａ^ｘｗ及びＡ^ｙｗが有する芳香環は置換基を有していてもよい。また、前記Ａ^ｘｗとＡ^ｙｗは一緒になって、環を形成していてもよい。
Ａ^１ｗは置換基を有していてもよい三価の芳香族基を表す。
Ａ^２ｗ、Ａ^３ｗはそれぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数３〜３０の二価の脂環式炭化水素基を表し、
Ａ^４ｗ、Ａ^５ｗはそれぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数６〜３０の二価の芳香族基を表す。
Ｑ^１ｗは、水素原子、又は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。〕
で示される化合物である、〔１〕又は〔２〕に記載の位相差板。
〔４．１〕前記Ａ^ｘｗとＡ^ｙｗに含まれるπ電子の総数が４以上２４以下である前記位相差板。
〔４．２〕前記Ａ^１ｗが、置換基を有していてもよい、三価のベンゼン環基又は三価のナフタレン環基である前記位相差板。
〔４．３〕前記Ｙ^１ｗ〜Ｙ^8ｗが、それぞれ独立して、化学的な単結合、−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、又は、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−である前記位相差板。
〔４．４〕前記Ｚ^１ｗ、Ｚ^２ｗが、それぞれ独立して、ＣＨ_２＝ＣＨ−、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）−、又は、ＣＨ_２＝Ｃ（Ｃｌ）−である前記位相差板。
〔４．５〕前記Ｇ^１ｗ、Ｇ^２ｗがそれぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の二価の脂肪族基〔該脂肪族基には、１つの脂肪族基あたり１以上の−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−又は−Ｃ（＝Ｏ）−が介在していてもよい。ただし、−Ｏ−が２以上隣接して介在する場合を除く。〕である前記位相差板。
〔４．６〕前記Ｇ^１ｗ、Ｇ^２ｗがそれぞれ独立して、炭素数１〜１２のアルキレン基である前記位相差板。
〔５〕 前記重合性モノマーが、下記式（ＩＩＩ）：

（式（ＩＩＩ）中、Ｙ^１ｘ〜Ｙ^６ｘ、Ｇ^１ｘ、Ｇ^２ｘ、Ｚ^１ｘ、Ｚ^２ｘ、Ａ^ｘｘ、Ａ^ｙｘ、Ａ^１ｘ〜Ａ^３ｘ、及びＱ^１ｘは、それぞれ、式（Ｉ）のＹ^１〜Ｙ^６、Ｇ^１、Ｇ^２、Ｚ^１、Ｚ^２、Ａ^ｘ、Ａ^ｙ、Ａ^１〜Ａ^３、及びＱ^１と同じ意味を表す。但し、これらのうちの少なくとも１つ以上が、共に用いる化合物（Ｉ）中の対応する基と異なるものである。）
で表される非液晶性の化合物である、〔１〕〜〔３〕のいずれか１項に記載の位相差板。
〔６〕 前記重合性モノマーがメソゲンを有し、前記光学異方性層において、前記重合性モノマーのメソゲンが前記逆波長分散重合性液晶化合物の主鎖メソゲンと平行に配向している〔１〕〜〔５〕のいずれか１項に記載の位相差板。
〔７〕 前記重合性モノマーがメソゲンを有し、前記光学異方性層において、前記重合性モノマーのメソゲンが前記逆波長分散重合性液晶化合物の側鎖メソゲンと平行に配向している〔１〕〜〔５〕のいずれか１項に記載の位相差板。
〔８〕 組成物（Ａ）における、前記逆波長分散重合性液晶化合物１００重量部に対する前記重合性モノマーの配合割合が１〜１００重量部である、〔１〕〜〔７〕のいずれか１項に記載の位相差板。
〔９〕 〔１〕〜〔８〕のいずれか１項に記載の位相差板と直線偏光子とを備える円偏光板。
〔１０〕 前記位相差板の波長５５０ｎｍにおける位相差が１００〜１５０ｎｍであり、前記位相差板の遅相軸と前記直線偏光子の透過軸との間の角度が４５°である〔９〕に記載の円偏光板。
〔１１〕 〔１〕〜〔８〕のいずれか１項に記載の位相差板を備える画像表示装置。

本発明の位相差板は、逆波長分散特性を有し、かつその精密な制御が容易に行いうる。したがって、本発明の位相差板を含む、本発明の円偏光板及び本発明の画像表示装置は、低コストで且つ良好な表示性能を有する表示装置及びその構成要素を提供しうる。

図１は、比較例１において測定した、位相差板の複屈折Δｎの波長分散特性を示すグラフである。 図２は、比較例１において測定した、位相差板の屈折率の波長分散特性を示すグラフである。 図３は、参考例１において測定した、偏光の方位角と測定された吸収との関係を示すグラフである。 図４は、実施例１において測定した、位相差板の複屈折Δｎの波長分散特性を、比較例１と対比して示すグラフである。 図５は、実施例１において測定した、位相差板の屈折率の波長分散特性を、比較例１と対比して示すグラフである。 図６は、実施例２において測定した、位相差板の複屈折Δｎの波長分散特性を、比較例１と対比して示すグラフである。 図７は、実施例２において測定した、位相差板の屈折率の波長分散特性を、比較例１と対比して示すグラフである。 図８は、実施例３において測定した、位相差板の複屈折Δｎの波長分散特性を、比較例１と対比して示すグラフである。 図９は、実施例３において測定した、位相差板の屈折率の波長分散特性を、比較例１と対比して示すグラフである。 図１０は、実施例４において測定した、位相差板の複屈折Δｎの波長分散特性を、比較例１と対比して示すグラフである。 図１１は、実施例４において測定した、位相差板の屈折率の波長分散特性を、比較例１と対比して示すグラフである。 図１２は、実施例５において測定した、位相差板の複屈折Δｎの波長分散特性を、比較例１と対比して示すグラフである。 図１３は、実施例５において測定した、位相差板の屈折率の波長分散特性を、比較例１と対比して示すグラフである。 図１４は、比較例２において測定した、位相差板の複屈折Δｎの波長分散特性を示すグラフである。 図１５は、比較例２において測定した、位相差板の屈折率の波長分散特性を示すグラフである。 図１６は、実施例６において測定した、位相差板の複屈折Δｎの波長分散特性を、比較例２と対比して示すグラフである。 図１７は、実施例６において測定した、位相差板の屈折率の波長分散特性を、比較例２と対比して示すグラフである。

以下、例示物及び実施形態を挙げて本発明について詳細に説明するが、本発明は以下に挙げる例示物及び実施形態に限定されるものではなく、本発明の請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施してもよい。

本明細書において、位相差板における光学異方性層の「リターデーション」は、別に断らない限り面内方向のリターデーションＲｅであり、リターデーション及び複屈折Δｎは、Ｒｅ＝Δｎ×ｄ（ｄは光学異方性層の厚み）の関係を有する。

〔１．位相差板〕
本発明の位相差板は、光学異方性層を有する。光学異方性層は、逆波長分散重合性液晶化合物と重合性モノマーとを含有する組成物（Ａ）を硬化させてなる層である。

〔１．１．逆波長分散重合性液晶化合物〕
本願において、組成物（Ａ）の成分としての液晶化合物とは、組成物（Ａ）に配合し配向させた際に、液晶相を呈しうる化合物である。重合性液晶化合物とは、かかる液晶相を呈した状態で組成物（Ａ）中で重合し、液晶相における分子の配向を維持したまま重合体となりうる液晶化合物である。さらに、逆波長分散重合性液晶化合物とは、そのように重合体とした場合、得られた重合体が逆波長分散を示す重合性液晶化合物である。
また、本願において、組成物（Ａ）の成分であって、重合性を有する化合物（重合性液晶化合物及びその他の重合性を有する化合物等）を総称して単に「重合性化合物」ということがある。

本発明において、逆波長分散重合性液晶化合物は、その分子中に主鎖メソゲンと、主鎖メソゲンに結合した側鎖メソゲンとを有する。逆波長分散重合性液晶化合物が配向した状態において、側鎖メソゲンは、主鎖メソゲンと異なる方向に配向しうる。したがって、光学異方性層において、主鎖メソゲン及び側鎖メソゲンは異なる方向に配向しうる。そのような配向により、前記光学異方性層の複屈折Δｎが逆波長分散特性を呈しうる。

〔１．２．化合物（Ｉ）〕
逆波長分散重合性液晶化合物の例としては、下記式（Ｉ）で示される化合物（以下において「化合物（Ｉ）」という場合がある。）を挙げることができる。

逆波長分散重合性液晶化合物が化合物（Ｉ）である場合、基−Ｙ^３−Ａ^２−Ｙ^１−Ａ^１−Ｙ^２−Ａ^３−Ｙ^４−が主鎖メソゲンとなり、一方基＞Ａ^１−Ｃ（Ｑ^１）＝Ｎ−Ｎ（Ａ^ｘ）Ａ^ｙが側鎖メソゲンとなり、基Ａ^１は、主鎖メソゲン及び側鎖メソゲンの両方の性質に影響する。

式中、Ｙ^１〜Ｙ^６はそれぞれ独立して、化学的な単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−Ｏ−ＮＲ^１−、又は、−ＮＲ^１−Ｏ−を表す。

ここで、Ｒ^１は水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｒ^１の炭素数１〜６のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−へキシル基等が挙げられる。
Ｒ^１としては、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基が好ましい。

これらの中でも、Ｙ^１〜Ｙ^６は、それぞれ独立して、化学的な単結合、−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、又は、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−であるのが好ましい。

Ｇ^１、Ｇ^２はそれぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の２価の脂肪族基を表す。
炭素数１〜２０の２価の脂肪族基としては、鎖状構造を有する脂肪族基；飽和環状炭化水素（シクロアルカン）構造、不飽和環状炭化水素（シクロアルケン）構造等の脂環式構造を有する脂肪族基；等が挙げられる。

その置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−へキシルオキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；等が挙げられ、フッ素原子、メトキシ基、エトキシ基が好ましい。

また、該脂肪族基には、１つの脂肪族基あたり１以上の−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^２−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２−、−ＮＲ^２−、又は、−Ｃ（＝Ｏ）−が介在していてもよい（ただし、−Ｏ−又は−Ｓ−がそれぞれ２以上隣接して介在する場合を除く。）。
これらの中でも、−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、又は、−Ｃ（＝Ｏ）−が好ましい。

ここで、Ｒ^２は、前記Ｒ^１と同様の、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表し、水素原子又はメチル基であることが好ましい。

これらの基が介在する脂肪族基の具体例としては、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｓ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＮＲ^２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＮＲ^２−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−等が挙げられる。

これらの中でも、本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、Ｇ^１、Ｇ^２は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルキレン基、炭素数２〜２０のアルケニレン基等の鎖状構造を有する脂肪族基が好ましく、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、プロピレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、オクタメチレン基等の、炭素数１〜１２のアルキレン基がより好ましく、テトラメチレン基〔−（ＣＨ_２）_４−〕、及び、ヘキサメチレン基〔−（ＣＨ_２）_６−〕が特に好ましい。

Ｚ^１、Ｚ^２はそれぞれ独立して、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２〜１０のアルケニル基を表す。
該アルケニル基の炭素数としては、２〜６が好ましい。Ｚ^１及びＺ^２のアルケニル基の置換基であるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられ、塩素原子が好ましい。

Ｚ^１及びＺ^２の炭素数２〜１０のアルケニル基の具体例としては、ＣＨ_２＝ＣＨ−、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）−、ＣＨ_２＝ＣＨ−ＣＨ_２−、ＣＨ_３−ＣＨ＝ＣＨ−、ＣＨ_２＝ＣＨ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、（ＣＨ_３）_２Ｃ＝ＣＨ−ＣＨ_２−、（ＣＨ_３）_２Ｃ＝ＣＨ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、ＣＨ_２＝Ｃ（Ｃｌ）−、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）−ＣＨ_２−、ＣＨ_３−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ_２−等が挙げられる。

なかでも、Ｚ^１及びＺ^２としては、本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、それぞれ独立して、ＣＨ_２＝ＣＨ_２−、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）−、ＣＨ_２＝Ｃ（Ｃｌ）−、ＣＨ_２＝ＣＨ−ＣＨ_２−、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）−ＣＨ_２−、又は、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）−ＣＨ_２−ＣＨ_２−であるのが好ましく、ＣＨ_２＝ＣＨ_２−、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）−、又は、ＣＨ_２＝Ｃ（Ｃｌ）−であるのがより好ましく、ＣＨ_２＝ＣＨ_２−であるのが更に好ましい。

Ａ^ｘは、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。
本発明において、「芳香環」は、Ｈｕｃｋｅｌ則に従う広義の芳香族性を有する環状構造、すなわち、π電子を（４ｎ＋２）個有する環状共役構造及びチオフェン、フラン、ベンゾチアゾール等に代表される、硫黄、酸素、窒素等のヘテロ原子の孤立電子対がπ電子系に関与して芳香族性を示すものを意味する。

Ａ^ｘの、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基は、芳香環を複数個有するものであってもよく、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環を有するものであってもよい。

前記芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環等が挙げられる。前記芳香族複素環としては、ピロール環、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環等の単環の芳香族複素環；ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノリン環、フタラジン環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾピラゾール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環等の縮合環の芳香族複素環；等が挙げられる。

Ａ^ｘが有する芳香環は置換基を有していてもよい。かかる置換基としては、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基；ビニル基、アリル基等の炭素数２〜６のアルケニル基；トリフルオロメチル基等の炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基；ジメチルアミノ基等の置換アミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロピル基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等のアリール基；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^４；−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ^４；−ＳＯ_２Ｒ^４；等が挙げられる。ここでＲ^４は、炭素数１〜６のアルキル基、又は炭素数６〜１４のアリール基を表す。

また、Ａ^ｘが有する芳香環は、同一又は相異なる置換基を複数有していてもよく、隣り合った二つの置換基が一緒になって結合して環を形成していてもよい。形成される環は単環であっても、縮合多環であってもよい。
なお、Ａ^ｘの炭素数２〜３０の有機基の「炭素数」は、置換基の炭素原子を含まない有機基全体の総炭素数を意味する（後述するＡ^ｙにて同じである。）。

Ａ^ｘの、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基としては、芳香族炭化水素環基；芳香族複素環基；芳香族炭化水素環基及び芳香族複素環基からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数３〜３０のアルキル基；芳香族炭化水素環基及び芳香族複素環基からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数４〜３０のアルケニル基；芳香族炭化水素環基及び芳香族複素環基からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数４〜３０のアルキニル基；等が挙げられる。

Ａ^ｙは水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜１２のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜１２のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^３、−ＳＯ_２−Ｒ^６、又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。

Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数１〜１２のアルキル基の炭素数１〜１２のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−へキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等が挙げられる。

Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数１〜１２のアルキル基の置換基としては、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；ジメチルアミノ基等の置換アミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロピル基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等のアリール基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数３〜８のシクロアルキル基；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^４；−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ^４；−ＳＯ_２Ｒ^４；等が挙げられる。ここでＲ^４は前記と同じ意味を表す。

Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数２〜１２のアルケニル基の炭素数２〜１２のアルケニル基としては、ビニル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基等が挙げられる。

Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基の炭素数３〜１２のシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基等が挙げられる。

Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数２〜１２のアルケニル基、及び置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基の置換基としては、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；ジメチルアミノ基等の置換アミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロピル基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等のアリール基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数３〜８のシクロアルキル基；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^４；−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ^４；−ＳＯ_２Ｒ^４；等が挙げられる。ここでＲ^４は前記と同じ意味を表す。

Ａ^ｙの、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^３で表される基において、Ｒ^３は、置換基を有していてもよい炭素数１〜１２のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜１２のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基を表す。これらの具体例は、前記Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数１〜１２のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜１２のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基の例として列記したものと同様のものが挙げられる。

Ａ^ｙの、−ＳＯ_２−Ｒ^６で表される基において、Ｒ^６は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表す。
Ｒ^６の、炭素数１〜１２のアルキル基、及び炭素数２〜１２のアルケニル基の具体例は、前記Ａ^ｙの、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基の例として列記したものと同様のものが挙げられる。

前記Ａ^ｘ及びＡ^ｙが有する芳香環は置換基を有していてもよい。また、前記Ａ^ｘとＡ^ｙは一緒になって、環を形成していてもよい。

Ａ^ｙの、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基としては、前記Ａ^ｘで例示したのと同様のものが挙げられる。
また、Ａ^ｙが有する芳香環は、任意の位置に置換基を有していてもよい。かかる置換基としては、前記Ａ^ｘが有する芳香環の置換基として列記したものと同様のものが挙げられる。

Ａ^ｘ、Ａ^ｙが有する芳香環の具体例を以下に示す。但し、本発明においては、Ａ^ｘ、Ａ^ｙが有する芳香環は以下に示すものに限定されるものではない。なお、下記化合物中、［−］は芳香環の結合手を示す（以下にて同じである。）。

上記式中、Ｅは、ＮＲ^５、酸素原子又は硫黄原子を表す。ここで、Ｒ^５は、水素原子；又は、メチル基、エチル基等の炭素数１〜６のアルキル基；を表す。

上記式中、Ｘ、Ｙ、Ｚは、それぞれ独立して、ＮＲ^５、酸素原子、硫黄原子、−ＳＯ−又は、−ＳＯ_２−を表す（ただし、酸素原子、硫黄原子、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−が、それぞれ隣接する場合を除く。）。Ｒ^５は前記と同じ意味を表す。

Ａ^ｘ、Ａ^ｙが有する芳香環は、上記した芳香環の中でも、下記のものが好ましい。

Ａ^ｘ、Ａ^ｙが有する芳香環は、下記のものが特に好ましい。

また、Ａ^ｘとＡ^ｙは一緒になって、環を形成していてもよい。その中でも、置換基を有していてもよい炭素数４〜３０の不飽和複素環、又は、炭素数６〜３０の不飽和炭素環を形成していることが好ましい。
炭素数４〜３０の不飽和複素環、炭素数６〜３０の不飽和炭素環としては、特に制約はなく、芳香族性を有していても有していなくてもよい。例えば、下記に示す環が挙げられる。なお、下記に示す環は、式（Ｉ）中の

として表される部分を示すものである。

式中、Ｘ、Ｙ、Ｚは、前記と同じ意味を表す。
また、これらの環は置換基を有していてもよい。
置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、ニトロ基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^４、−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ^４、−ＳＯ_２Ｒ^４等が挙げられる。ここで、Ｒ^４は前記と同じ意味を表す。

Ａ^ｘとＡ^ｙに含まれるπ電子の総数は、本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、４以上２４以下であるのが好ましく、６以上１８以下であるのがより好ましい。

Ａ^ｘ、Ａ^ｙの好ましい組合わせとしては、Ａ^ｘが炭素数４〜３０の芳香族基で、Ａ^ｙが水素原子又は置換基を有していてもよいアルキル基である組合わせ、及び、Ａ^ｘとＡ^ｙが一緒になって不飽和複素環又は不飽和炭素環を形成しているものが挙げられる。置換基を有していてもよいアルキル基の置換基として好ましいものは、シクロアルキル基、シアノ基、フッ素原子などのハロゲン原子が挙げられる。

更に好ましい組み合わせとしては、Ａ^ｘが下記構造でありＡ^ｙが水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基である組合わせである。

特に好ましい組み合わせとしては、Ａ^ｘが下記構造であり、Ａ^ｙが水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基である。置換基を有していてもよいアルキル基の置換基として好ましいものは、シクロアルキル基、シアノ基、フッ素原子などのハロゲン原子である組み合わせである。式中、Ｘ、Ｙは、前記と同じ意味を表す。

Ａ^１は置換基を有していてもよい三価の芳香族基を表す。三価の芳香族基としては、三価の炭素環式芳香族基であっても、三価の複素環式芳香族基であってもよい。本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、三価の炭素環式芳香族基が好ましく、下記式に示す三価のベンゼン環基又は三価のナフタレン環基がより好ましい。なお、下記式においては、結合状態をより明確にすべく、置換基Ｙ^１、Ｙ^２を便宜上記載している（Ｙ^１、Ｙ^２は、前記と同じ意味を表す。以下にて同じ。）。

なかでも、Ａ^１としては、下記に示す式（Ａ１１）〜（Ａ２２）で表される基がさらに好ましく、式（Ａ１１）で表される基が特に好ましい。

Ａ^１の、三価の芳香族基が有していてもよい置換基としては、前記Ａ^Ｘの芳香族基の置換基として例示したのと同様のものが挙げられる。Ａ^１としては、置換基を有さないものが好ましい。

Ａ^２、Ａ^３はそれぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数６〜３０の二価の芳香族基を表す。
Ａ^２、Ａ^３の芳香族基は単環のものであっても、多環のものであってもよい。
Ａ^２、Ａ^３の具体例としては、下記のものが挙げられる。

上記Ａ^２、Ａ^３の具体例として挙げた有機基は、任意の位置に置換基を有していてもよい。当該置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、ニトロ基、−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ基；等が挙げられる。ここでＲは、炭素数１〜６のアルキル基である。これらの中でも、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基が好ましく、ハロゲン原子としてはフッ素原子が、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基が、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基がより好ましい。

これらの中でも、Ａ^２、Ａ^３としては、本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、下記式（Ａ２３）及び（Ａ２４）で表される基が好ましく、置換基を有していてもよい式（Ａ２３）で表される基がより好ましい。

Ｑ^１は、水素原子、又は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を示す。
置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基としては、前記Ａ^Ｘで例示したのと同様のものが挙げられる。
これらの中でも、Ｑ^１は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基が好ましく、水素原子及びメチル基がより好ましい。

化合物（Ｉ）のより具体的な例としては、下記式（Ｉ）−１〜（Ｉ）−３で表される化合物を挙げることができる。

式（Ｉ）で示される化合物は、その全てが液晶相を呈しうる化合物であるとは限らない。しかしながら、例えば組成物（Ａ）を調製して実際に配向させてみることにより、液晶相を呈しうるか否かを容易に識別することができる。

〔１．３．化合物（Ｉ）の製造方法〕
化合物（Ｉ）は、例えば、下記に示す反応により製造することができる。

（式中、Ｙ^１〜Ｙ^６、Ｇ^１、Ｇ^２、Ｚ^１、Ｚ^２、Ａ^ｘ、Ａ^ｙ、Ａ^１〜Ａ^３、Ｑ^１は、前記と同じ意味を表す。）
すなわち、式（３）で表されるヒドラジン化合物（ヒドラジン化合物（３））を、式（４）で表されるカルボニル化合物（カルボニル化合物（４））と、〔ヒドラジン化合物（３）：カルボニル化合物（４）〕のモル比で、１：２〜２：１、好ましくは１：１．５〜１．５：１の割合で反応させることにより、高選択的かつ高収率で目的とする式（Ｉ）で示される化合物を製造することができる。

この場合、（±）−１０−カンファースルホン酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸；塩酸、硫酸等の無機酸；等の酸触媒を添加して反応を行うことができる。酸触媒を添加することで反応時間が短縮され、収率が向上する場合がある。酸触媒の添加量は、カルボニル化合物（４）１モルに対して、通常０．００１〜１モルである。また、酸触媒はそのまま添加してもよいし、適当な溶液に溶解させた溶液として添加してもよい。

この反応に用いる溶媒としては、反応に不活性なものであれば特に限定されない。例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、イソブチルルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコール、ｎ−ペンチルアルコール、アミルアルコール等のアルコール系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル等のエーテル系溶媒；酢酸エチル、酢酸プロピル、プロピオン酸メチル等のエステル系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン等の脂肪族炭化水素系溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ヘキサメチルリン酸トリアミド等のアミド系溶媒；ジメチルスルホキシド、スルホラン等の含硫黄系溶媒；及びこれらの２種以上からなる混合溶媒；等が挙げられる。
これらの中でも、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、及びアルコール系溶媒とエーテル系溶媒の混合溶媒が好ましい。

溶媒の使用量は、特に限定されず、用いる化合物の種類や反応規模等を考慮して適宜定めることができるが、ヒドラジン化合物（３）１ｇに対し、通常１〜１００ｇである。

反応は、−１０℃から用いる溶媒の沸点までの温度範囲で円滑に進行する。各反応の反応時間は、反応規模にもよるが、通常、数分から数時間である。

ヒドラジン化合物（３）は、次のようにして製造することができる。

（式中、Ａ^ｘ、Ａ^ｙは、前記と同じ意味を表す。Ｘは、ハロゲン原子、メタンスルホニルオキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基等の脱離基を表す。）

すなわち、式（２ａ）で表される化合物とヒドラジン（１）を、適当な溶媒中、（化合物（２ａ）：ヒドラジン（１））のモル比で、１：１〜１：２０、好ましくは１：２〜１：１０で反応させて、対応するヒドラジン化合物（３ａ）を得ることができ、さらに、ヒドラジン化合物（３ａ）と式（２ｂ）で表される化合物を反応させることで、ヒドラジン化合物（３）を得ることができる。

ヒドラジン（１）としては、通常１水和物のものを用いる。ヒドラジン（１）は、市販品をそのまま使用することができる。
この反応に用いる溶媒としては、反応に不活性なものであれば特に限定されない。例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、イソブチルルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコール、ｎ−ペンチルアルコール、アミルアルコール等のアルコール系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル等のエーテル系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン等の脂肪族炭化水素系溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ヘキサメチルリン酸トリアミド等のアミド系溶媒；ジメチルスルホキシド、スルホラン等の含硫黄系溶媒；及びこれらの２種以上からなる混合溶媒；等が挙げられる。
これらの中でも、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、及びアルコール系溶媒とエーテル系溶媒の混合溶媒が好ましい。

溶媒の使用量は、特に限定されず、用いる化合物の種類や反応規模等を考慮して適宜定めることができるが、ヒドラジン１ｇに対し、通常１〜１００ｇである。
反応は、−１０℃から用いる溶媒の沸点までの温度範囲で円滑に進行する。各反応の反応時間は、反応規模にもよるが、通常、数分から数時間である。

また、ヒドラジン化合物（３）は、次のように、従来公知の方法を用いて、ジアゾニウム塩（５）を還元することによっても製造することができる。

式（５）中、Ａ^ｘ、Ａ^ｙは、前記と同じ意味を表す。Ｘ⁻は、ジアゾニウムに対する対イオンである陰イオンを示す。Ｘ⁻としては、例えば、ヘキサフルオロリン酸イオン、ホウフッ化水素酸イオン、塩化物イオン、硫酸イオン等の無機陰イオン；ポリフルオロアルキルカルボン酸イオン、ポリフルオロアルキルスルホン酸イオン、テトラフェニルホウ酸イオン、芳香族カルボン酸イオン、芳香族スルホン酸イオン等の有機陰イオン；等が挙げられる。

上記反応に用いる還元剤としては、例えば、金属塩還元剤が挙げられる。
金属塩還元剤とは一般に低原子価金属を含む化合物、もしくは金属イオンとヒドリド源からなる化合物である（「有機合成実験法ハンドブック」１９９０年社団法人有機合成化学協会編 丸善株式会社発行８１０ページを参照）。
金属塩還元剤としては、例えば、ＮａＡｌＨ_４、ＮａＡｌＨ_ｎ（ＯＲ）_ｍ、ＬｉＡｌＨ_４、ｉＢｕ_２ＡｌＨ、ＬｉＢＨ_４、ＮａＢＨ_４、ＳｎＣｌ_２、ＣｒＣｌ_２、ＴｉＣｌ_３等が挙げられる。

還元反応においては公知の反応条件を採用することができる。例えば、特開２００５−３３６１０３号公報、新実験化学講座 １９７８年 丸善株式会社発行 １４巻、実験化学講座 １９９２年 丸善株式会社発行 ２０巻、等の文献に記載の条件で反応を行うことができる。
また、ジアゾニウム塩（５）は、アニリン等の化合物から常法により製造することができる。

カルボニル化合物（４）は、典型的には、エーテル結合（−Ｏ−）、エステル結合（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−）、カーボネート結合（−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）及びアミド結合（−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）−）の形成反応を任意に組合わせて、所望の構造を有する複数の公知化合物を適宜結合・修飾することにより製造することができる。

エーテル結合の形成は、例えば、以下のようにして行うことができる。
（ｉ）式：Ｄ１−ｈａｌ（ｈａｌはハロゲン原子を表す。以下にて同じ。）で表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＭｅｔ（Ｍｅｔはアルカリ金属（主にナトリウム）を表す。以下にて同じ。）で表される化合物とを混合して縮合させる（ウイリアムソン合成）。なお、式中、Ｄ１及びＤ２は任意の有機基を表す（以下にて同じ。）。
（ｉｉ）式：Ｄ１−ｈａｌで表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＨで表される化合物とを水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の塩基存在下、混合して縮合させる。
（ｉｉｉ）式：Ｄ１−Ｊ（Ｊはエポキシ基を表す。）で表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＨで表される化合物とを水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の塩基存在下、混合して縮合させる。
（ｉｖ）式：Ｄ１−ＯＦＮ（ＯＦＮは不飽和結合を有する基を表す。）で表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＭｅｔで表される化合物を、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の塩基存在下、混合して付加反応させる。
（ｖ）式：Ｄ１−ｈａｌで表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＭｅｔで表される化合物とを、銅あるいは塩化第一銅存在下、混合して縮合させる（ウルマン縮合）。

エステル結合及びアミド結合の形成は、例えば、以下のようにして行うことができる。
（ｖｉ）式：Ｄ１−ＣＯＯＨで表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＨ又はＤ２−ＮＨ_２で表される化合物とを、脱水縮合剤（Ｎ，Ｎ−ジシクロヘキシルカルボジイミド等）の存在下に脱水縮合させる。
（ｖｉｉ）式：Ｄ１−ＣＯＯＨで表される化合物にハロゲン化剤を作用させることにより、式：Ｄ１−ＣＯ−ｈａｌで表される化合物を得、このものと式：Ｄ２−ＯＨ又はＤ２−ＮＨ_２で表される化合物とを、塩基の存在下に反応させる。
（ｖｉｉｉ）式：Ｄ１−ＣＯＯＨで表される化合物に酸無水物を作用させることにより、混合酸無水物を得た後、このものに、式：Ｄ２−ＯＨ又はＤ２−ＮＨ_２で表される化合物を反応させる。
（ｉｘ）式：Ｄ１−ＣＯＯＨで表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＨ又はＤ２−ＮＨ_２で表される化合物とを、酸触媒あるいは塩基触媒の存在下に脱水縮合させる。

より具体的には、例えば、カルボニル化合物（４）のうち、前記式（４）中、式：Ｚ^２−Ｙ^６−Ｇ^２−Ｙ^４−Ａ^３−Ｙ^２−で表される基が、式：Ｚ^１−Ｙ^５−Ｇ^１−Ｙ^３−Ａ^２−Ｙ^１−で表される基と同一であり、Ｙ^１が、Ｙ^１１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−で表される基である化合物（４’）は、以下に示す反応により製造することができる。

（式中、Ｙ^３、Ｙ^５、Ｇ^１、Ｚ^１、Ａ^１、Ａ^２、Ｑ^１は、前記と同じ意味を表す。Ｙ^１１は、Ｙ^１１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−がＹ^１となる基を表す。Ｙ^１は前記と同じ意味を表す。Ｌは、水酸基、ハロゲン原子、メタンスルホニルオキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基等の脱離基を表す。）

上記反応においては、式（６）で表されるジヒドロキシ化合物（化合物（６））と式（７）で表される化合物（化合物（７））とを、（化合物（６）：化合物（７））のモル比で、１：２〜１：４、好ましくは１：２〜１：３の割合で反応させることにより、高選択的かつ高収率で目的とする化合物（４’）を得ることができる。

化合物（７）が、式（７）中、Ｌが水酸基の化合物（カルボン酸）である場合には、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩、ジシクロヘキシルカルボジイミド等の脱水縮合剤の存在下に反応させることにより、目的物を得ることができる。
脱水縮合剤の使用量は、化合物（７）１モルに対し、通常１〜３モルである。

また、化合物（７）が、式（７）中、Ｌがハロゲン原子の化合物（酸ハライド）である場合には、塩基の存在下に反応させることにより、目的物を得ることができる。
用いる塩基としては、トリエチルアミン、ピリジン等の有機塩基；水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム等の無機塩基が挙げられる。
塩基の使用量は、化合物（７）１モルに対し、通常１〜３モルである。
化合物（７）が、式（７）中、Ｌがメタンスルホニルオキシ基、又はｐ−トルエンスルホニルオキシ基の化合物（混合酸無水物）である場合もハロゲン原子の場合と同様である。

上記反応に用いる溶媒としては、例えば、クロロホルム、塩化メチレン等の塩素系溶媒；Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセタミド、ヘキサメチルリン酸トリアミド等のアミド系溶媒；１，４−ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１，３−ジオキソラン等のエーテル類；ジメチルスルホキシド、スルホラン等の含硫黄系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−オクタン等の脂肪族炭化水素系溶媒；シクロペンタン、シクロヘキサン等の脂環式炭化水素系溶媒；及びこれらの溶媒の２種以上からなる混合溶媒；等が挙げられる。
溶媒の使用量は、特に限定されず、用いる化合物の種類や反応規模等を考慮して適宜定めることができるが、ヒドロキシ化合物（６）１ｇに対し、通常１〜５０ｇである。

化合物（７）の多くは公知化合物であり、エーテル結合（−Ｏ−）、エステル結合（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−）、カーボネート結合（−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）及びアミド結合（−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）−）の形成反応を任意に組合わせて、所望の構造を有する複数の公知化合物を適宜結合・修飾することにより製造することができる。

いずれの反応においても、反応終了後は、有機合成化学における通常の後処理操作を行い、所望により、カラムクロマトグラフィー、再結晶法、蒸留法等の公知の分離・精製手段を施すことにより、目的物を単離することができる。

目的とする化合物の構造は、ＮＭＲスペクトル、ＩＲスペクトル、マススペクトル等の測定、元素分析等により、同定することができる。
〔１．４．化合物（Ｖ）〕
逆波長分散重合性液晶化合物の別の例としては、下記式（Ｖ）で示される化合物（以下において「化合物（Ｖ）」という場合がある。）を挙げることができる。

逆波長分散重合性液晶化合物が化合物（Ｖ）である場合、基−Ｙ^５ｗ−Ａ^４ｗ−Ｙ^３ｗ−Ａ^２ｗ−Ｙ^１ｗ−Ａ^１ｗ−Ｙ^２ｗ−Ａ^３ｗ−Ｙ^４ｗ−Ａ^５ｗ−Ｙ^６ｗ−が主鎖メソゲンとなり、一方基＞Ａ^１ｗ−Ｃ（Ｑ^１ｗ）＝Ｎ−Ｎ（Ａ^ｘｗ）Ａ^ｙｗが側鎖メソゲンとなり、基Ａ^１ｗは、主鎖メソゲン及び側鎖メソゲンの両方の性質に影響する。

式中、Ｙ^１ｗ〜Ｙ^８ｗはそれぞれ独立して、化学的な単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−Ｏ−ＮＲ^１−、又は、−ＮＲ^１−Ｏ−を表す。

ここで、Ｒ^１の定義、及びＹ^１ｗ〜Ｙ^８ｗの好ましい例は、式（Ｉ）中のＹ^１〜Ｙ^６について述べたものと同様である。

Ｇ^１ｗ、Ｇ^２ｗはそれぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数１〜２０の二価の脂肪族基を表す。
炭素数１〜２０の二価の脂肪族基としては、炭素数１〜２０のアルキレン基、炭素数２〜２０のアルケニレン基等の鎖状構造を有する二価の脂肪族基；炭素数３〜２０のシクロアルカンジイル基、炭素数４〜２０のシクロアルケンジイル基、炭素数１０〜３０の二価の脂環式縮合環基等の二価の脂肪族基；等が挙げられる。

Ｇ^１ｗ、Ｇ^２ｗの二価の脂肪族基の置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−へキシルオキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；等が挙げられる。なかでも、フッ素原子、メトキシ基、エトキシ基が好ましい。

また、前記脂肪族基には、１つの脂肪族基あたり１以上の−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^２ｗ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２ｗ−、−ＮＲ^２ｗ−、又は、−Ｃ（＝Ｏ）−が介在していてもよい。ただし、−Ｏ−又は−Ｓ−がそれぞれ２以上隣接して介在する場合を除く。ここで、Ｒ^２ｗは、前記Ｒ^１と同様の、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表し、水素原子又はメチル基であることが好ましい。
前記脂肪族基に介在する基としては、−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−が好ましい。

これらの基が介在する脂肪族基の具体例としては、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｓ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＮＲ^２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＮＲ^２−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−等が挙げられる。

これらの中でも、本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、Ｇ^１ｗ、Ｇ^２ｗは、それぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルキレン基、炭素数２〜２０のアルケニレン基等の鎖状構造を有する二価の脂肪族基が好ましく、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、プロピレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、オクタメチレン基、デカメチレン基〔−（ＣＨ_２）_１０−〕等の、炭素数１〜１２のアルキレン基がより好ましく、テトラメチレン基〔−（ＣＨ_２）_４−〕、ヘキサメチレン基〔−（ＣＨ_２）_６−〕、オクタメチレン基〔−（ＣＨ_２）_８−〕、及び、デカメチレン基〔−（ＣＨ_２）_１０−〕が特に好ましい。

Ｚ^１ｗ、Ｚ^２ｗはそれぞれ独立して、無置換又はハロゲン原子で置換された炭素数２〜１０のアルケニル基を表す。
Ｚ^１ｗ、Ｚ^２ｗの好ましい例は、式〔Ｉ〕のＺ^１及びＺ^２について述べたものと同様である。

Ａ^ｘｗは、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。

Ａ^ｘｗの、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基は、芳香環を複数個有するものであってもよく、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環を有するものであってもよい。

前記芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環等が挙げられる。前記芳香族複素環としては、ピロール環、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環等の単環の芳香族複素環；ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノリン環、フタラジン環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾピラゾール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、チアゾロピリジン環、オキサゾロピリジン環、チアゾロピラジン環、オキサゾロピラジン環、チアゾロピリダジン環、オキサゾロピリダジン環、チアゾロピリミジン環、オキサゾロピリミジン環等の縮合環の芳香族複素環；等が挙げられる。

Ａ^ｘｗが有する芳香環は置換基を有していてもよい。かかる置換基としては、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基；ビニル基、アリル基等の炭素数２〜６のアルケニル基；トリフルオロメチル基等の炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基；ジメチルアミノ基等の置換アミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等のアリール基；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^５ｗ；−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ^５ｗ；−ＳＯ_２Ｒ^６ｗ；等が挙げられる。ここで、Ｒ^５ｗは炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、又は、炭素数３〜１２のシクロアルキル基を表し、Ｒ^６ｗは後述するＲ^４ｗと同様の、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表す。

また、Ａ^ｘｗが有する芳香環は、同一又は相異なる置換基を複数有していてもよく、隣り合った二つの置換基が一緒になって結合して環を形成していてもよい。形成される環は単環であっても、縮合多環であってもよく、不飽和環であっても、飽和環であってもよい。
なお、Ａ^ｘｗの炭素数２〜３０の有機基の「炭素数」は、置換基の炭素原子を含まない有機基全体の総炭素数を意味する（後述するＡ^ｙｗにて同じである。）。

Ａ^ｘｗの、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基としては、芳香族炭化水素環基；芳香族複素環基；芳香族炭化水素環基及び芳香族複素環基からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数３〜３０のアルキル基；芳香族炭化水素環基及び芳香族複素環基からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数４〜３０のアルケニル基；芳香族炭化水素環基及び芳香族複素環基からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数４〜３０のアルキニル基；等が挙げられる。

Ａ^ｘｗの好ましい具体例を以下に示す。但し、本発明においては、Ａ^ｘｗは以下に示すものに限定されるものではない。なお、下記式中、「−」は環の任意の位置からのびる結合手を表す（以下にて同じである。）。
（１）芳香族炭化水素環基

（２）芳香族複素環基

上記式中、Ｅ^ｗは、ＮＲ^６ｗ、酸素原子又は硫黄原子を表す。ここで、Ｒ^６ｗは、水素原子；又は、メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基を表す。

上記式中、Ｘ^ｗ、Ｙ^ｗ、Ｚ^ｗは、それぞれ独立して、ＮＲ^７ｗ、酸素原子、硫黄原子、−ＳＯ−、又は、−ＳＯ_２−を表す（ただし、酸素原子、硫黄原子、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−が、それぞれ隣接する場合を除く。）。Ｒ^７ｗは、前記Ｒ^６ｗと同様の、水素原子；又は、メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基を表す。

（上記式中、Ｘ^ｗは前記と同じ意味を表す。）
（３）芳香族炭化水素環基及び芳香族複素環基からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、アルキル基

（４）芳香族炭化水素環基及び芳香族複素環基からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、アルケニル基

（５）芳香族炭化水素環基及び芳香族複素環基からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、アルキニル基

上記したＡ^ｘｗの中でも、炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、又は炭素数４〜３０の芳香族複素環基であることが好ましく、下記に示すいずれかの基であることがより好ましく、

下記に示すいずれかの基であることが更に好ましい。

Ａ^ｘｗが有する環は置換基を有していてもよい。かかる置換基としては、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基；ビニル基、アリル基等の炭素数２〜６のアルケニル基；トリフルオロメチル基等の炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基；ジメチルアミノ基等の置換アミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等のアリール基；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^８ｗ；−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ^８ｗ；−ＳＯ_２Ｒ^６ｗ；等が挙げられる。ここでＲ^８ｗは、メチル基、エチル基等の炭素数１〜６のアルキル基；又は、フェニル基等の炭素数６〜１４のアリール基；を表す。なかでも、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、及び炭素数１〜６のアルコキシ基が好ましい。

また、Ａ^ｘｗが有する環は、同一又は相異なる置換基を複数有していてもよく、隣り合った二つの置換基が一緒になって結合して環を形成していてもよい。形成される環は単環であっても、縮合多環であってもよい。
なお、Ａ^ｘｗの炭素数２〜３０の有機基の「炭素数」は、置換基の炭素原子を含まない有機基全体の総炭素数を意味する（後述するＡ^ｙｗにて同じである。）。

Ａ^ｙｗは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^３ｗ、−ＳＯ_２−Ｒ^４ｗ、−Ｃ（＝Ｓ）ＮＨ−Ｒ^９ｗ又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。ここで、Ｒ^３ｗは、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、炭素数５〜１２の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ^４ｗは、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表し、Ｒ^９ｗは置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数５〜２０の芳香族基を表す。

Ａ^ｙｗの、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基の炭素数１〜２０のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、１−メチルペンチル基、１−エチルペンチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−へキシル基、イソヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−イコシル基等が挙げられる。置換基を有してもよい炭素数１〜２０のアルキル基の炭素数は、１〜１２であることが好ましく、４〜１０であることが更に好ましい。

Ａ^ｙｗの、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基の炭素数２〜２０のアルケニル基としては、ビニル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、イソブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、デセニル基、ウンデセニル基、ドデセニル基、トリデセニル基、テトラデセニル基、ペンタデセニル基、ヘキサデセニル基、ヘプタデセニル基、オクタデセニル基、ノナデセニル基、イコセニル基等が挙げられる。
置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基の炭素数は、２〜１２であることが好ましい。

Ａ^ｙｗの、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基の炭素数３〜１２のシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基等が挙げられる。

Ａ^ｙｗの、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基の炭素数２〜２０のアルキニル基としては、エチニル基、プロピニル基、２−プロピニル基（プロパルギル基）、ブチニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、ペンチニル基、２−ペンチニル基、ヘキシニル基、５−ヘキシニル基、ヘプチニル基、オクチニル基、２−オクチニル基、ノナニル基、デカニル基、７−デカニル基等が挙げられる。

Ａ^ｙｗの、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、及び置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基の置換基としては、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；ジメチルアミノ基等の置換アミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜２０のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基等の、炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等のアリール基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数３〜８のシクロアルキル基；シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素数３〜８のシクロアルキルオキシ基；テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、ジオキソラニル基、ジオキサニル基等の炭素数２〜１２の環状エーテル基；フェノキシ基、ナフトキシ基等の炭素数６〜１４のアリールオキシ基；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、−ＣＨ_２ＣＦ_３等の、少なくとも１個がフッ素原子で置換された炭素数１〜１２のフルオロアルコキシ基；ベンゾフリル基；ベンゾピラニル基；ベンゾジオキソリル基；ベンゾジオキサニル基；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^７ｗ；−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ^７ｗ；−ＳＯ_２Ｒ^８ｗ；−ＳＲ^１０ｗ；−ＳＲ^１０ｗで置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基；水酸基；等が挙げられる。ここで、Ｒ^７ｗ及びＲ^１０ｗはそれぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ^８ｗは前記Ｒ^４ｗと同様の、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表す。

Ａ^ｙｗの、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基の置換基としては、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；ジメチルアミノ基等の置換アミノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等のアリール基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数３〜８のシクロアルキル基；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^７ｗ；−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ^７ｗ；−ＳＯ_２Ｒ^８ｗ；水酸基；等が挙げられる。ここでＲ^７ｗ、Ｒ^８ｗは前記と同じ意味を表す。

Ａ^ｙｗの、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基の置換基としては、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、及び置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基の置換基と同様な置換基が挙げられる。

Ａ^ｙｗの、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^３ｗで表される基において、Ｒ^３ｗは、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、炭素数５〜１２の芳香族炭化水素基を表す。これらの具体例は、前記Ａ^ｙｗの、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基の例として列記したものと同様のものが挙げられる。

Ａ^ｙｗの、−ＳＯ_２−Ｒ^４ｗで表される基において、Ｒ^４ｗは、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表す。
Ｒ^４ｗの、炭素数１〜２０のアルキル基、及び炭素数２〜２０のアルケニル基の具体例は、前記Ａ^ｙｗの、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基の例として列記したものと同様のものが挙げられる。

Ａ^ｙｗの、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基としては、前記Ａ^ｘｗで例示したのと同様のものが挙げられる。

これらの中でも、Ａ^ｙｗとしては、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^３ｗ、−ＳＯ_２−Ｒ^４ｗ、又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基で表される基が好ましく、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、置換基を有してもよい炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数３〜９の芳香族複素環基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^３ｗ、−ＳＯ_２−Ｒ^４ｗで表される基が更に好ましい。ここで、Ｒ^３ｗ、Ｒ^４ｗは前記と同じ意味を表す。

Ａ^ｙｗの、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基の置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基、フェニル基、シクロヘキシル基、炭素数２〜１２の環状エーテル基、炭素数６〜１４のアリールオキシ基、水酸基、ベンゾジオキサニル基、フェニルスルホニル基、４−メチルフェニルスルホニル基、ベンゾイル基、−ＳＲ^１０ｗが好ましい。ここで、Ｒ^１０ｗは前記と同じ意味を表す。
Ａ^ｙｗの、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有してもよい炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数３〜９の芳香族複素環基の置換基としては、フッ素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、シアノ基が好ましい。

また、Ａ^ｘｗとＡ^ｙｗは一緒になって、環を形成していてもよい。かかる環としては、置換基を有していてもよい、炭素数４〜３０の不飽和複素環、炭素数６〜３０の不飽和炭素環が挙げられる。

前記炭素数４〜３０の不飽和複素環、炭素数６〜３０の不飽和炭素環としては、特に制約はなく、芳香族性を有していても有していなくてもよい。例えば、下記に示す環が挙げられる。なお、下記に示す環は、式（Ｉ）中の

として表される部分を示すものである。

（式中、Ｘ^ｗ、Ｙ^ｗ、Ｚ^ｗは、前記と同じ意味を表す。）
また、これらの環は置換基を有していてもよい。かかる置換基としては、Ａ^ｘｗが有する芳香環の置換基として例示したのと同様のものが挙げられる。

Ａ^ｘｗとＡ^ｙｗに含まれるπ電子の総数は、本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、４以上２４以下であるのが好ましく、６以上２０以下であるのがより好ましく、６以上１８以下であるのが更により好ましい。

Ａ^ｘｗとＡ^ｙｗの好ましい組み合わせとしては、
（α）Ａ^ｘｗが炭素数４〜３０の、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基であり、Ａ^ｙｗが水素原子、炭素数３〜８のシクロアルキル基、（ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、若しくは炭素数３〜８のシクロアルキル基）を置換基として有していてもよい炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基、（ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、シアノ基）を置換基として有していてもよい炭素数３〜９の芳香族複素環基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基であり、当該置換基が、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基、フェニル基、シクロヘキシル基、炭素数２〜１２の環状エーテル基、炭素数６〜１４のアリールオキシ基、水酸基、ベンゾジオキサニル基、ベンゼンスルホニル基、ベンゾイル基、−ＳＲ^１０ｗのいずれかである組み合わせ、及び、
（β）Ａ^ｘｗとＡ^ｙｗが一緒になって不飽和複素環又は不飽和炭素環を形成しているもの、
が挙げられる。ここで、Ｒ^１０ｗは前記と同じ意味を表す。

Ａ^ｘｗとＡ^ｙｗのより好ましい組み合わせとしては、
（γ）Ａ^ｘｗが下記構造を有する基のいずれかであり、Ａ^ｙｗが水素原子、炭素数３〜８のシクロアルキル基、（ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、若しくは炭素数３〜８のシクロアルキル基）を置換基として有していてもよい炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基、（ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、シアノ基）を置換基として有していてもよい炭素数３〜９の芳香族複素環基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基であり、当該置換基が、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基、フェニル基、シクロヘキシル基、炭素数２〜１２の環状エーテル基、炭素数６〜１４のアリールオキシ基、水酸基、ベンゾジオキサニル基、ベンゼンスルホニル基、ベンゾイル基、−ＳＲ^１０ｗのいずれかである組み合わせである。ここで、Ｒ^１０ｗは前記と同じ意味を表す。

（式中、Ｘ^ｗ、Ｙ^ｗは、前記と同じ意味を表す。）
Ａ^ｘｗとＡ^ｙｗの特に好ましい組み合わせとしては、
（δ）Ａ^ｘｗが下記構造を有する基のいずれかであり、Ａ^ｙｗが水素原子、炭素数３〜８のシクロアルキル基、（ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、若しくは炭素数３〜８のシクロアルキル基）を置換基として有していてもよい炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基、（ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、シアノ基）を置換基として有していてもよい炭素数３〜９の芳香族複素環基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基であり、当該置換基が、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基、フェニル基、シクロヘキシル基、炭素数２〜１２の環状エーテル基、炭素数６〜１４のアリールオキシ基、水酸基、ベンゾジオキサニル基、ベンゼンスルホニル基、ベンゾイル基、−ＳＲ^１０ｗのいずれかである組合せである。下記式中、Ｘは前記と同じ意味を表す。ここで、Ｒ^１０ｗは前記と同じ意味を表す。

Ａ^１ｗは置換基を有していてもよい三価の芳香族基を表す。三価の芳香族基としては、三価の炭素環式芳香族基であっても、三価の複素環式芳香族基であってもよい。本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、三価の炭素環式芳香族基が好ましく、三価のベンゼン環基又は三価のナフタレン環基がより好ましく、下記式に示す三価のベンゼン環基又は三価のナフタレン環基がさらに好ましい。
なお、下記式においては、結合状態をより明確にすべく、置換基Ｙ^１ｗ、Ｙ^２ｗを便宜上記載している（Ｙ^１ｗ、Ｙ^２ｗは、前記と同じ意味を表す。以下にて同じ。）。

これらの中でも、Ａ^１ｗとしては、下記に示す式（Ａ^ｗ１１）〜（Ａ^ｗ２５）で表される基がより好ましく、式（Ａ^ｗ１１）、（Ａ^ｗ１３）、（Ａ^ｗ１５）、（Ａ^ｗ１９）、（Ａ^ｗ２３）で表される基がさらに好ましく、式（Ａ^ｗ１１）、（Ａ^ｗ２３）で表される基が特に好ましい。

Ａ^１ｗの、三価の芳香族基が有していてもよい置換基としては、前記Ａ^Ｘｗの芳香族基の置換基として例示したのと同様のものが挙げられる。Ａ^１ｗとしては、置換基を有さないものが好ましい。

Ａ^２ｗ、Ａ^３ｗはそれぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数３〜３０の二価の脂環式炭化水素基を表す。
炭素数３〜３０の二価の脂環式炭化水素基としては、炭素数３〜３０のシクロアルカンジイル基、炭素数１０〜３０の二価の脂環式縮合環基等が挙げられる。

炭素数３〜３０のシクロアルカンジイル基としては、シクロプロパンジイル基；シクロブタン−１，２−ジイル基、シクロブタン−１，３−ジイル基等のシクロブタンジイル基；シクロペンタン−１，２−ジイル基、シクロペンタン−１，３−ジイル基等のシクロペンタンジイル基；シクロヘキサン−１，２−ジイル基、シクロヘキサン−１，３−ジイル基、シクロヘキサン−１，４−ジイル基等のシクロへキサンジイル基；シクロヘプタン−１，２−ジイル基、シクロヘプタン−１，３−ジイル基、シクロヘプタン−１，４−ジイル基等のシクロへプタンジイル基；シクロオクタン−１，２−ジイル基、シクロオクタン−１，３−ジイル基、シクロオクタン−１，４−ジイル基、シクロオクタン−１，５−ジイル基等のシクロオクタンジイル基；シクロデカン−１，２−ジイル基、シクロデカン−１，３−ジイル基、シクロデカン−１，４−ジイル基、シクロデカン−１，５−ジイル基等のシクロデカンジイル基；シクロドデカン−１，２−ジイル基、シクロドデカン−１，３−ジイル基、シクロドデカン−１，４−ジイル基、シクロドデカン−１，５−ジイル基等のシクロドデカンジイル基；シクロテトラデカン−１，２−ジイル基、シクロテトラデカン−１，３−ジイル基、シクロテトラデカン−１，４−ジイル基、シクロテトラデカン−１，５−ジイル基、シクロテトラデカン−１，７−ジイル基等のシクロテトラデカンジイル基；シクロエイコサン−１，２−ジイル基、シクロエイコサン−１，１０−ジイル基等のシクロエイコサンジイル基；等が挙げられる。

炭素数１０〜３０の二価の脂環式縮合環基としては、デカリン−２，５−ジイル基、デカリン−２，７-ジイル基等のデカリンジイル基；アダマンタン−１，２−ジイル基、アダマンタン−１，３−ジイル基等のアダマンタンジイル基；ビシクロ［２．２．１］へプタン−２，３−ジイル基、ビシクロ［２．２．１］へプタン−２，５-ジイル基、ビシクロ［２．２．１］へプタン−２，６−ジイル基等のビシクロ［２．２．１］へプタンジイル基；等が挙げられる。

これらの二価の脂環式炭化水素基は、任意の位置に置換基を有していてもよい。置換基としては、前記Ａ^Ｘｗの芳香族基の置換基として例示したのと同様のものが挙げられる。

これらの中でも、Ａ^２ｗ、Ａ^３ｗとしては、炭素数３〜１２の二価の脂環式炭化水素基が好ましく、炭素数３〜１２のシクロアルカンジイル基がより好ましく、下記式（Ａ^ｗ３１）〜（Ａ^ｗ３４）

で表される基がさらに好ましく、前記式（Ａ^ｗ３２）で表される基が特に好ましい。
前記炭素数３〜３０の二価の脂環式炭化水素基は、Ｙ^１ｗ、Ｙ^３ｗ（又はＹ^２ｗ、Ｙ^４ｗ）と結合する炭素原子の立体配置の相違に基づく、シス型、トランス型の立体異性体が存在し得る。例えば、シクロヘキサン−１，４−ジイル基の場合には、下記に示すように、シス型の異性体（Ａ^ｗ３２ａ）とトランス型の異性体（Ａ^ｗ３２ｂ）が存在し得る。

本発明においては、シス型であってもトランス型であっても、あるいはシス型とトランス型の異性体混合物であってもよいが、配向性が良好であることから、トランス型あるいはシス型であるのが好ましく、トランス型がより好ましい。

Ａ^４ｗ、Ａ^５ｗはそれぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数６〜３０の二価の芳香族基を表す。
Ａ^４ｗ、Ａ^５ｗの芳香族基は単環のものであっても、多環のものであってもよい。
Ａ^４ｗ、Ａ^５ｗの好ましい具体例としては、下記のものが挙げられる。

上記Ａ^４ｗ、Ａ^５ｗの二価の芳香族基は、任意の位置に置換基を有していてもよい。当該置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、ニトロ基、−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ^８ｗ基；等が挙げられる。ここでＲ^８ｗは、炭素数１〜６のアルキル基である。なかでも、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、アルコキシ基が好ましい。また、ハロゲン原子としてはフッ素原子が、炭素数１〜６のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基が、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基がより好ましい。

これらの中でも、本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、Ａ^４ｗ、Ａ^５ｗは、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、下記式（Ａ^ｗ４１）、（Ａ^ｗ４２）及び（Ａ^ｗ４３）で表される基がより好ましく、置換基を有していてもよい式（Ａ^ｗ４１）で表される基が特に好ましい。

Ｑ^１ｗは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を示す。
置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基としては、前記Ａ^Ｘｗで例示したのと同様のものが挙げられる。
これらの中でも、Ｑ^１ｗは、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基が好ましく、水素原子及びメチル基がより好ましい。

化合物（Ｖ）は、例えば、下記に示す反応により製造することができる。

（式中、Ｙ^１ｗ〜Ｙ^８ｗ、Ｇ^１ｗ、Ｇ^２ｗ、Ｚ^１ｗ、Ｚ^２ｗ、Ａ^ｘｗ、Ａ^ｙｗ、Ａ^１ｗ〜Ａ^５ｗ、Ｑ^１ｗは、前記と同じ意味を表す。）
すなわち、式（３ｗ）で表されるヒドラジン化合物（ヒドラジン化合物（３ｗ））を、式（４ｗ）で表されるカルボニル化合物（カルボニル化合物（４ｗ））と、〔ヒドラジン化合物（３ｗ）：カルボニル化合物（４ｗ）〕のモル比で、１：２〜２：１、好ましくは１：１．５〜１．５：１の割合で反応させることにより、高選択的かつ高収率で目的とする化合物（Ｖ）を製造することができる。

この場合、（±）−１０−カンファースルホン酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸；塩酸、硫酸等の無機酸；等の酸触媒を添加して反応を行うことができる。酸触媒を添加することで反応時間が短縮され、収率が向上する場合がある。酸触媒の添加量は、カルボニル化合物（４ｗ）１モルに対して、通常０．００１〜１モルである。また、酸触媒はそのまま添加してもよいし、適当な溶液に溶解させた溶液として添加してもよい。

この反応に用いる溶媒としては、反応に不活性なものであれば特に限定されない。例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコール等のアルコール系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル等のエーテル系溶媒；酢酸エチル、酢酸プロピル、プロピオン酸メチル等のエステル系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン等の脂肪族炭化水素系溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ヘキサメチルリン酸トリアミド等のアミド系溶媒；ジメチルスルホキシド、スルホラン等の含硫黄系溶媒；及びこれらの２種以上からなる混合溶媒；等が挙げられる。
これらの中でも、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、及びアルコール系溶媒とエーテル系溶媒の混合溶媒が好ましい。

溶媒の使用量は、特に限定されず、用いる化合物の種類や反応規模等を考慮して適宜定めることができるが、ヒドラジン化合物（３ｗ）１ｇに対し、通常１〜１００ｇである。

反応は、−１０℃から用いる溶媒の沸点までの温度範囲で円滑に進行する。各反応の反応時間は、反応規模にもよるが、通常、数分から数時間である。

ヒドラジン化合物（３ｗ）は、次のようにして製造することができる。

（式中、Ａ^ｘｗ、Ａ^ｙｗは前記と同じ意味を表す。Ｘ^ｗは、ハロゲン原子、メタンスルホニルオキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基等の脱離基を表す。）

すなわち、式（２ｗａ）で表される化合物とヒドラジン（１ｗ）を、適当な溶媒中、（化合物（２ｗａ）：ヒドラジン（１ｗ））のモル比で、１：１〜１：２０、好ましくは１：２〜１：１０で反応させて、対応するヒドラジン化合物（３ｗａ）を得ることができ、さらに、ヒドラジン化合物（３ｗａ）と式（２ｗｂ）で表される化合物を反応させることで、ヒドラジン化合物（３ｗ）を得ることができる。

ヒドラジン（１ｗ）としては、通常１水和物のものを用いる。ヒドラジン（１ｗ）は、市販品をそのまま使用することができる。
この反応に用いる溶媒としては、反応に不活性なものであれば特に限定されない。例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコール等のアルコール系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル等のエーテル系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン等の脂肪族炭化水素系溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ヘキサメチルリン酸トリアミド等のアミド系溶媒；ジメチルスルホキシド、スルホラン等の含硫黄系溶媒；及びこれらの２種以上からなる混合溶媒；等が挙げられる。
これらの中でも、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、及びアルコール系溶媒とエーテル系溶媒の混合溶媒が好ましい。

溶媒の使用量は、特に限定されず、用いる化合物の種類や反応規模等を考慮して適宜定めることができるが、ヒドラジン１ｇに対し、通常１〜１００ｇである。
反応は、−１０℃から用いる溶媒の沸点までの温度範囲で円滑に進行する。各反応の反応時間は、反応規模にもよるが、通常、数分から数時間である。

また、ヒドラジン化合物（３ｗ）は、次のように、従来公知の方法を用いて、ジアゾニウム塩（５ｗ）を還元することによって製造することもできる。

式（５）中、Ａ^ｘｗ、Ａ^ｙｗは、前記と同じ意味を表す。Ｘ^ｗ−は、ジアゾニウムに対する対イオンである陰イオンを示す。Ｘ^ｗ−としては、例えば、ヘキサフルオロリン酸イオン、ホウフッ化水素酸イオン、塩化物イオン、硫酸イオン等の無機陰イオン；ポリフルオロアルキルカルボン酸イオン、ポリフルオロアルキルスルホン酸イオン、テトラフェニルホウ酸イオン、芳香族カルボン酸イオン、芳香族スルホン酸イオン等の有機陰イオン；等が挙げられる。

上記反応に用いる還元剤としては、金属塩還元剤が挙げられる。
金属塩還元剤とは、一般に低原子価金属を含む化合物、もしくは金属イオンとヒドリド源からなる化合物である（「有機合成実験法ハンドブック」１９９０年社団法人有機合成化学協会編 丸善株式会社発行８１０ページを参照）。
金属塩還元剤としては、ＮａＡｌＨ_４、ＮａＡｌＨ_ｐ（Ｏｒ）_ｑ（ｐ、ｑはそれぞれ独立して１〜３の整数を表し、ｐ＋ｑ＝４である。ｒは炭素数１〜６のアルキル基を表す。）、ＬｉＡｌＨ_４、ｉＢｕ_２ＡｌＨ、ＬｉＢＨ_４、ＮａＢＨ_４、ＳｎＣｌ_２、ＣｒＣｌ_２、ＴｉＣｌ_３等が挙げられる。

還元反応においては公知の反応条件を採用することができる。例えば、特開２００５−３３６１０３号公報、新実験化学講座 １９７８年 丸善株式会社発行 １４巻、実験化学講座 １９９２年 丸善株式会社発行 ２０巻、等の文献に記載の条件で反応を行うことができる。
また、ジアゾニウム塩（５^ｗ）は、アニリン等の化合物から常法により製造することができる。

カルボニル化合物（４^ｗ）は、典型的には、エーテル結合（−Ｏ−）、エステル結合（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−）、カーボネート結合（−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）及びアミド結合（−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−）の形成反応を任意に組み合わせて、所望の構造を有する複数の公知化合物を適宜結合・修飾することにより製造することができる。

エーテル結合の形成は、以下のようにして行うことができる。
（ｉ）式：Ｄ１−ｈａｌ（ｈａｌはハロゲン原子を表す。以下にて同じ。）で表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＭｅｔ（Ｍｅｔはアルカリ金属（主にナトリウム）を表す。以下にて同じ。）で表される化合物とを混合して縮合させる（ウイリアムソン合成）。なお、式中、Ｄ１及びＤ２は任意の有機基を表す（以下にて同じ。）。
（ｉｉ）式：Ｄ１−ｈａｌで表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＨで表される化合物とを水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の塩基存在下、混合して縮合させる。
（ｉｉｉ）式：Ｄ１−Ｊ（Ｊはエポキシ基を表す。）で表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＨで表される化合物とを水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の塩基存在下、混合して縮合させる。
（ｉｖ）式：Ｄ１−ＯＦＮ（ＯＦＮは不飽和結合を有する基を表す。）で表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＭｅｔで表される化合物を、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の塩基存在下、混合して付加反応させる。
（ｖ）式：Ｄ１−ｈａｌで表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＭｅｔで表される化合物とを、銅あるいは塩化第一銅存在下、混合して縮合させる（ウルマン縮合）。

エステル結合及びアミド結合の形成は、以下のようにして行うことができる。
（ｖｉ）式：Ｄ１−ＣＯＯＨで表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＨ又はＤ２−ＮＨ_２で表される化合物とを、脱水縮合剤（Ｎ，Ｎ−ジシクロヘキシルカルボジイミド等）の存在下に脱水縮合させる。
（ｖｉｉ）式：Ｄ１−ＣＯＯＨで表される化合物にハロゲン化剤を作用させることにより、式：Ｄ１−ＣＯ−ｈａｌで表される化合物を得、このものと式：Ｄ２−ＯＨ又はＤ２−ＮＨ_２で表される化合物とを、塩基の存在下に反応させる。
（ｖｉｉｉ）式：Ｄ１−ＣＯＯＨで表される化合物に酸無水物を作用させることにより、混合酸無水物を得た後、このものに、式：Ｄ２−ＯＨ又はＤ２−ＮＨ_２で表される化合物を反応させる。
（ｉｘ）式：Ｄ１−ＣＯＯＨで表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＨ又はＤ２−ＮＨ_２で表される化合物とを、酸触媒あるいは塩基触媒の存在下に脱水縮合させる。

本発明のカルボニル化合物（４ｗ）は、より具体的には、下記反応式に示す方法により製造することができる。

（式中、Ｙ^１ｗ〜Ｙ^８ｗ、Ｇ^１ｗ、Ｇ^２ｗ、Ｚ^１ｗ、Ｚ^２ｗ、Ａ^１ｗ〜Ａ^５ｗ、及びＱ^１ｗは、前記と同じ意味を表す。Ｌ^１ｗ、Ｌ^２ｗは、水酸基、ハロゲン原子、メタンスルホニルオキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基等の脱離基を表す。−Ｙ^１ａｗは、−Ｌ^１ｗと反応して、−Ｙ^１ｗ−となる基を表し、−Ｙ^２ａｗは、−Ｌ^２ｗと反応して、−Ｙ^２ｗ−となる基を表す。）

すなわち、従来公知の、エーテル結合（−Ｏ−）、エステル結合（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−）、又は、カーボネート結合（−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）の形成反応を用いることにより、式（６ｗｄ）で表される化合物に、式（７ｗａ）で表される化合物、次いで、式（７ｗｂ）で表される化合物を反応させて、本発明のカルボニル化合物（４ｗ）を製造することができる。

より具体的に、Ｙ^１ｗが、Ｙ^１１ｗ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−で表される基であり、式：Ｚ^２ｗ−Ｙ^８ｗ−Ｇ^２ｗ−Ｙ^６ｗ−Ａ^５ｗ−Ｙ^４ｗ−Ａ^３ｗ−Ｙ^２ｗ−で表される基が、式：Ｚ^１ｗ−Ｙ^７ｗ−Ｇ^１ｗ−Ｙ^５ｗ−Ａ^４ｗ−Ｙ^３ｗ−Ａ^２ｗ−Ｙ^１ｗ−で表される基と同一である、化合物（４ｗ’）の製造方法を以下に示す。

（式中、Ｙ^３ｗ、Ｙ^５ｗ、Ｙ^７ｗ、Ｇ^１ｗ、Ｚ^１ｗ、Ａ^１ｗ、Ａ^２ｗ、Ａ^４ｗ、Ｑ^１ｗ、及びＬ^１ｗは前記と同じ意味を表す。Ｙ^１１ｗは、Ｙ^１１ｗ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−がＹ^１ｗとなる基を表す。Ｙ^１ｗは前記と同じ意味を表す。）

上記反応においては、式（６ｗ）で表されるジヒドロキシ化合物（化合物（６ｗ））と式（７ｗ）で表される化合物（化合物（７ｗ））とを、（化合物（６ｗ）：化合物（７ｗ））のモル比で、１：２〜１：４、好ましくは１：２〜１：３の割合で反応させることにより、高選択的かつ高収率で目的とする化合物（４ｗ’）を得ることができる。

化合物（７ｗ）が、式（７ｗ）中、Ｌ^１ｗが水酸基の化合物（カルボン酸）である場合には、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩、ジシクロヘキシルカルボジイミド等の脱水縮合剤の存在下に反応させることにより、目的物を得ることができる。
脱水縮合剤の使用量は、化合物（７ｗ）１モルに対し、通常１〜３モルである。

また、化合物（７ｗ）が、式（７ｗ）中、Ｌ^１ｗが水酸基の化合物（カルボン酸）である場合には、メタンスルホニルクロリド、ｐ−トルエンスルホニルクロリド等のスルホニルハライド、及びトリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、４−（ジメチルアミノ）ピリジン等の塩基の存在下に反応させることによっても、目的物を得ることができる。

スルホニルハライドの使用量は、化合物（７ｗ）１モルに対し、通常１〜３モルである。
塩基の使用量は、化合物（７ｗ）１モルに対し、通常１〜３モルである。
この場合、前記式（７ｗ）中、Ｌ^１ｗがスルホニルオキシ基の化合物（混合酸無水物）を単離して次の反応を行ってもよい。

さらに、化合物（７ｗ）が、式（７ｗ）中、Ｌ^１ｗがハロゲン原子の化合物（酸ハライド）である場合には、塩基の存在下に反応させることにより、目的物を得ることができる。
用いる塩基としては、トリエチルアミン、ピリジン等の有機塩基；水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム等の無機塩基が挙げられる。
塩基の使用量は、化合物（７ｗ）１モルに対し、通常１〜３モルである。

上記反応に用いる溶媒としては、例えば、クロロホルム、塩化メチレン等の塩素系溶媒；Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルリン酸トリアミド等のアミド系溶媒；１，４−ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１，３−ジオキソラン等のエーテル類；ジメチルスルホキシド、スルホラン等の含硫黄系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−オクタン等の脂肪族炭化水素系溶媒；シクロペンタン、シクロヘキサン等の脂環式炭化水素系溶媒；及びこれらの溶媒の２種以上からなる混合溶媒；等が挙げられる。
溶媒の使用量は、特に限定されず、用いる化合物の種類や反応規模等を考慮して適宜定めることができるが、ヒドロキシ化合物（６）１ｇに対し、通常１〜５０ｇである。

化合物（６ｗ）の多くは公知物質であり、公知の方法により製造することができる。
例えば、下記反応式に示す方法により製造することができる（ＷＯ２００９／０４２５４４号、及び、Ｔｈｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，２０１１，７６，８０８２−８０８７等参照。）。化合物（６ｗ）として市販されているものを、所望により精製して用いることもできる。

（式中、Ａ^１ｗ、Ｑ^１ｗは前記と同じ意味を表し、Ａ^１ａｗは、ホルミル化又はアシル化されることによりＡ^１ｗになる２価の芳香族基を表し、Ｒ^ｗ’は、メチル基、エチル基等の炭素数１〜６のアルキル基、メトキシメチル基等の炭素数２〜６のアルコキシアルキル基等の水酸基の保護基を表す。）
すなわち、式（６ｗａ）で表されるジヒドロキシ化合物（１，４−ジヒドロキシベンゼン、１，４−ジヒドロキシナフタレン等）の水酸基をアルキル化して、式（６ｗｂ）で表される化合物を得た後、ＯＲ^ｗ’基のオルト位を、公知の方法により、ホルミル化又はアシル化することにより、式（６ｗｃ）で表される化合物を得、このものを脱保護（脱アルキル化）することにより、目的とする化合物（６ｗ）を得ることができる。
また、化合物（６ｗ）として、市販されているものをそのまま、又は所望により精製して用いることもできる。

化合物（７ｗ）の多くは公知化合物であり、エーテル結合（−Ｏ−）、エステル結合（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−）、カーボネート結合（−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）及びアミド結合（−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−）の形成反応を任意に組み合わせて、所望の構造を有する複数の公知化合物を適宜結合・修飾することにより製造することができる。

例えば、化合物（７ｗ）が、下記式（７ｗ’）で表される化合物（化合物（７ｗ’））である場合には、式（９ｗ’）で表されるジカルボン酸（化合物（９ｗ’））を用いて、下記のようにして製造することができる。

（式中、Ｙ^５ｗ、Ｙ^７ｗ、Ｇ^１ｗ、Ｚ^１ｗ、Ａ^２ｗ、Ａ^４ｗ、Ｙ^１１ｗは、前記と同じ意味を表す。Ｙ^１２ｗは、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｙ^１２ｗがＹ^３ｗとなる基を表す。Ｒ^ｗは、メチル基、エチル基等のアルキル基；フェニル基、ｐ−メチルフェニル基等の置換基を有していてもよいアリール基；を表す。）
先ず、化合物（９ｗ’）に、式（１０ｗ）で表されるスルホニルクロライドを、トリエチルアミン、４−（ジメチルアミノ）ピリジン等の塩基存在下で反応させる。
次いで、反応混合物に、化合物（８ｗ）と、トリエチルアミン、４−（ジメチルアミノ）ピリジン等の塩基を加えて反応を行う。
スルホニルクロライドの使用量は、化合物（９ｗ’）１当量に対して、通常０．５〜０．７当量である。
化合物（８ｗ）の使用量は、化合物（９ｗ’）１当量に対して、通常０．５〜０．６当量である。
塩基の使用量は、化合物（３ｗ）１当量に対して、通常０．５〜０．７当量である。
反応温度は、２０〜３０℃であり、反応時間は反応規模等にもよるが、数分から数時間である。

上記反応に用いる溶媒としては、前記化合物（４ｗ’）を製造する際に用いることができる溶媒として例示したものが挙げられる。なかでも、エーテル類が好ましい。
溶媒の使用量は、特に限定されず、用いる化合物の種類や反応規模等を考慮して適宜定めることができるが、化合物（９ｗ’）１ｇに対し、通常１〜５０ｇである。

いずれの反応においても、反応終了後は、有機合成化学における通常の後処理操作を行い、所望により、カラムクロマトグラフィー、再結晶法、蒸留法等の公知の分離・精製手段を施すことにより、目的物を単離することができる。

目的とする化合物の構造は、ＮＭＲスペクトル、ＩＲスペクトル、マススペクトル等の測定、元素分析等により、同定することができる。

〔１．５．重合性モノマー〕
組成物（Ａ）は、重合性モノマーを含有する。本願において、「重合性モノマー」とは、重合能を有しモノマーとして働きうる化合物のうち、特に、逆波長分散重合性液晶化合物以外の化合物をいう。
重合性モノマーとしては、例えば、１分子当たり１以上の重合性基を有するものを用いうる。そのような重合性基を有することにより、光学異方性層の形成に際し重合を達成することができる。重合性モノマーが１分子当たり２以上の重合性基を有する架橋性モノマーである場合、架橋的な重合を達成することができる。かかる重合性基の例としては、化合物（Ｉ）中の基Ｚ^１−Ｙ^５−及びＺ^２−Ｙ^６−と同様の基を挙げることができ、より具体的には例えば、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びエポキシ基を挙げることができる。

重合性モノマーは、通常、１分子あたり１以上のメソゲンを有し、且つ、光学異方性層の形成に際して逆波長分散重合性液晶化合物と共に重合しうる。そのような重合の結果形成された光学異方性層において、重合性モノマーのメソゲンは、通常、逆分散重合性液晶化合物のそれとは異なる複屈折Δｎの波長分散特性を有する。

好ましい態様において、重合性モノマーのメソゲンは、逆波長分散重合性液晶化合物の主鎖メソゲン又は側鎖メソゲンのどちらか一方と平行に配向しうるものとしうる。例えば、重合性モノマーは、逆分散波長重合性液晶化合物の主鎖メソゲン及び側鎖メソゲンのうちの一方と近い構造のメソゲンを有するものとしうる。そのようなメソゲンを有することにより、重合性モノマーは、逆分散重合性液晶化合物とは異なる複屈折Δｎの波長分散特性を有し、且つ逆波長分散重合性液晶化合物の主鎖メソゲン又は側鎖メソゲンと平行に配向しうる。

重合性モノマーの例としては、下記式（ＩＩ）で示される化合物及び下記式（ＩＩＩ）で表される化合物（それぞれ、以下において「化合物（ＩＩ）」及び「化合物（ＩＩＩ）」という場合がある。）を挙げることができる。

式（ＩＩ）中、Ｙ^１〜Ｙ^６、Ｇ^１、Ｇ^２、Ｚ^１、Ｚ^２、及びＡ^１〜Ａ^３は、それぞれ、式（Ｉ）の説明で述べたものと同じ意味を表す。また、Ｒ^１０は、水素原子、又はメチル基を表す。化合物（ＩＩ）は、その構造中のＹ^１〜Ｙ^６、Ｇ^１、Ｇ^２、Ｚ^１、Ｚ^２、及びＡ^１〜Ａ^３が、共に用いる化合物（Ｉ）中の対応する基と同じものであってもよく、異なっているものであってもよい。
ただし、化合物（ＩＩ）は、そのメソゲン部分と重合性基の部分が、共に用いる化合物（Ｉ）と同じものを用いることが、良好な配向を得る上で好ましい。より具体的には、Ｙ^１〜Ｙ^６、Ｚ^１、Ｚ^２、及びＡ^１〜Ａ^３が、化合物（Ｉ）と化合物（ＩＩ）とで共通していることが好ましい。

一方、式（ＩＩＩ）中、Ｙ^１ｘ〜Ｙ^６ｘ、Ｇ^１ｘ、Ｇ^２ｘ、Ｚ^１ｘ、Ｚ^２ｘ、Ａ^ｘｘ、Ａ^ｙｘ、Ａ^１ｘ〜Ａ^３ｘ、及びＱ^１ｘは、それぞれ、式（Ｉ）のＹ^１〜Ｙ^６、Ｇ^１、Ｇ^２、Ｚ^１、Ｚ^２、Ａ^ｘ、Ａ^ｙ、Ａ^１〜Ａ^３、及びＱ^１と同じ意味を表す。但し、これらのうちの少なくとも１つ以上が、共に用いる化合物（Ｉ）中の対応する基と異なるものである。

化合物（ＩＩＩ）のより具体的な例として、式（ＩＩＩ）中、Ｙ^１ｘ〜Ｙ^６ｘ、Ｇ^１ｘ、Ｇ^２ｘ、Ｚ^１ｘ、Ｚ^２ｘ、Ａ^ｘｘ、Ａ^ｙｘ、Ａ^２ｘ〜Ａ^３ｘ、及びＱ^１ｘが、それぞれ共に用いる化合物（Ｉ）中のＹ^１〜Ｙ^６、Ｇ^１、Ｇ^２、Ｚ^１、Ｚ^２、Ａ^ｘ、Ａ^ｙ、Ａ^２〜Ａ^３、及びＱ^１と同じものであり、Ａ^１ｘが、共に用いる化合物（Ｉ）中のＡ^１と異なるものを挙げることができる。より具体的な化合物（Ｉ）と化合物（ＩＩＩ）との組み合わせの例としては、化合物（Ｉ）中のＡ^１が下記式（Ａ２５）で表される基であり、一方化合物（ＩＩＩ）中のＡ^１ｘが下記式（Ａ２６）で表される基であり、その他の基は同一であるものの組み合わせを挙げることができる。
下記において、Ａ^１及びＡ^１ｘは、図示の便宜のため、Ｙ^１及びＹ^２と共に示している。

重合性モノマーが化合物（ＩＩ）である場合、基−Ｙ^３−Ａ^２−Ｙ^１−Ａ^１（Ｒ^１０）−Ｙ^２−Ａ^３−Ｙ^４−がメソゲンとなる。重合性モノマーが化合物（ＩＩＩ）である場合、基−Ｙ^３ｘ−Ａ^２ｘ−Ｙ^１ｘ−Ａ^１ｘ−Ｙ^２ｘ−Ａ^３ｘ−Ｙ^４ｘ−及び基＞Ａ^１ｘ−Ｃ（Ｑ^１ｘ）＝Ｎ−Ｎ（Ａ^ｘｘ）Ａ^ｙｘがメソゲンとなる。

化合物（ＩＩ）のより具体的な例としては、下記式（ＩＩ）−１で表される化合物を挙げることができる。

化合物（ＩＩＩ）のより具体的な例としては、下記式（ＩＩＩ）−１〜（ＩＩＩ）−４で表される化合物を挙げることができる。

重合性モノマーのさらなる例としては、下記式（ＩＶ）で示される化合物（以下において「化合物（ＩＶ）」という場合がある。）を挙げることができる。

重合性モノマーは、それ自体が液晶性のものであってもよく、非液晶性のものであってもよい。重合性モノマーは、非液晶性であることが好ましく、特に化合物（ＩＩＩ）であって且つ非液晶性であるものが好ましい。
ここで、それ自体が「非液晶性」であるとは、当該重合性モノマーそのものを、室温から２００℃のいずれの温度に置いた場合にも、配向処理をした基材上で配向を示さないものをいう。配向を示すかどうかは、偏光顕微鏡のクロスニコル透過観察にてラビング方向を面相で回転させた場合に、明暗のコントラストがあるかどうかで判断する。

組成物（Ａ）において、重合性モノマーの配合割合は、逆波長分散重合性液晶化合物１００重量部に対し、通常、１〜１００重量部、好ましくは５〜５０重量部である。当該範囲内で、重合性モノマーの配合割合を、所望の逆波長分散特性を示すように適宜調整することにより、逆波長分散特性の精密な制御が容易となる。
重合性モノマーは、既知の製造方法により製造することができる。または、化合物（Ｉ）と類似の構造を持つものについては、化合物（Ｉ）の製造方法に準じて製造することができる。

〔１．６．組成物（Ａ）のその他の成分〕
組成物（Ａ）は、逆波長分散重合性液晶化合物及び重合性モノマーに加えて、必要に応じて、以下に例示するもの等の任意の成分を含みうる。

組成物（Ａ）は、逆波長分散重合性液晶化合物と共重合しうる任意の単量体を含みうる。

前記任意の単量体の例としては、例えば、４−（２−メタクリロイルオキシエチルオキシ）安息香酸−４’−メトキシフェニル、４−（６−メタクリロイルオキシヘキシルオキシ）安息香酸ビフェニル、４−（２−アクリロイルオキシエチルオキシ）安息香酸−４’−シアノビフェニル、４−（２−メタクリロリルオキシエチルオキシ）安息香酸−４’−シアノビフェニル、４−（２−メタクリロリルオキシエチルオキシ）安息香酸−３’，４’−ジフルオロフェニル、４−（２−メタクリロイルオキシエチルオキシ）安息香酸ナフチル、４−アクリロイルオキシ−４’−デシルビフェニル、４−アクリロイルオキシ−４’−シアノビフェニル、４−（２−アクリロイルオキシエチルオキシ）−４’−シアノビフェニル、４−（２−メタクリロイルオキシエチルオキシ）−４’−メトキシビフェニル、４−（２−メタクリロイルオキシエチルオキシ）−４’−（４”−フルオロベンジルオキシ）−ビフェニル、４−アクリロイルオキシ−４’−プロピルシクロヘキシルフェニル、４−メタクリロイル−４’−ブチルビシクロヘキシル、４−アクリロイル−４’−アミルトラン、４−アクリロイル−４’−（３，４−ジフルオロフェニル）ビシクロヘキシル、４−（２−アクリロイルオキシエチル）安息香酸（４−アミルフェニル）、４−（２−アクリロイルオキシエチル）安息香酸（４−（４’−プロピルシクロヘキシル）フェニル）等が挙げられる。
市販品としては、ＬＣ−２４２（商品；ＢＡＳＦ社製）等を用いることができ、特開２００７−００２２０８号公報、特開２００９−１７３８９３号公報、特開２００９−２７４９８４号公報、特開２０１０−０３０９７９号公報、特開２０１０−０３１２２３号公報、特開２０１１−００６３６０号公報等に開示されている化合物を用いることもできる。

組成物（Ａ）が任意の単量体を含む場合、当該任意の単量体の割合は、逆波長分散重合性液晶化合物、重合性モノマー及び任意の単量体の合計に対して５０重量％未満であることが好ましく、３０重量％以下であることがより好ましい。任意の単量体の割合の下限は０重量％としうる。かかる範囲にあれば、得られる光学異方性層のガラス転移温度（Ｔｇ）が高くなり、高い膜硬度が得られるため好ましい。

組成物（Ａ）は、重合開始剤を含みうる。重合開始剤としては、組成物（Ａ）中の、逆波長分散重合性液晶化合物、重合性モノマー及びその他の重合性化合物が有する重合性基の種類に応じて適宜選択しうる。例えば、重合性基がラジカル重合性であればラジカル重合開始剤を、アニオン重合性の基であればアニオン重合開始剤を、カチオン重合性の基であればカチオン重合開始剤を、それぞれ使用しうる。

ラジカル重合開始剤としては、加熱することにより、重合性化合物の重合を開始しえる活性種が発生する化合物である熱ラジカル発生剤；及び可視光線、紫外線（ｉ線など）、遠紫外線、電子線、Ｘ線等の露光光の露光により、重合性化合物の重合を開始しえる活性種が発生する化合物である光ラジカル発生剤；のいずれも使用可能であるが、光ラジカル発生剤を使用するのが好適である。

光ラジカル発生剤としては、アセトフェノン系化合物、ビイミダゾール系化合物、トリアジン系化合物、Ｏ−アシルオキシム系化合物、オニウム塩系化合物、ベンゾイン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、α−ジケトン系化合物、多核キノン系化合物、キサントン系化合物、ジアゾ系化合物、イミドスルホナート系化合物等を挙げることができる。これらの化合物は、露光によって活性ラジカルまたは活性酸、あるいは活性ラジカルと活性酸の両方を発生する成分である。光ラジカル発生剤は、一種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。

アセトフェノン系化合物の具体例としては、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、２−メチル−１−〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）ブタン−１−オン、１−ヒドロキシシクロヘキシル・フェニルケトン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１，２−オクタンジオン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−４’−モルフォリノブチロフェノン等を挙げることができる。

ビイミダゾール系化合物の具体例としては、２，２’−ビス（２−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラキス（４−エトキシカルボニルフェニル）−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２−ブロモフェニル）−４，４’，５，５’−テトラキス（４−エトキシカルボニルフェニル）−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４−ジクロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４，６−トリクロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２−ブロモフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４−ジブロモフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４，６−トリブロモフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール等を挙げることができる。

光重合開始剤としてビイミダゾール系化合物を用いる場合、水素供与体を併用することが、感度をさらに改良することができる点で好ましい。
「水素供与体」とは、露光によりビイミダゾール系化合物から発生したラジカルに対して、水素原子を供与することができる化合物を意味する。水素供与体としては、下記で定義するメルカプタン系化合物、アミン系化合物等が好ましい。

メルカプタン系化合物としては、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾオキサゾール、２−メルカプトベンゾイミダゾール、２，５−ジメルカプト−１，３，４−チアジアゾール、２−メルカプト−２，５−ジメチルアミノピリジン等を挙げることができる。アミン系化合物としては、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、４−ジエチルアミノアセトフェノン、４−ジメチルアミノプロピオフェノン、エチル−４−ジメチルアミノベンゾエート、４−ジメチルアミノ安息香酸、４−ジメチルアミノベンゾニトリル等を挙げることができる。

トリアジン系化合物としては、２，４，６−トリス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−メチル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−〔２−（５−メチルフラン−２−イル）エテニル〕−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−〔２−（フラン−２−イル）エテニル〕−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−〔２−（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）エテニル〕−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−〔２−（３，４−ジメトキシフェニル）エテニル〕−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−エトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−ｎ−ブトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン等のハロメチル基を有するトリアジン系化合物を挙げることができる。

Ｏ−アシルオキシム系化合物の具体例としては、１−〔４−（フェニルチオ）フェニル〕−ヘプタン−１，２−ジオン ２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）、１−〔４−（フェニルチオ）フェニル〕−オクタン−１，２−ジオン ２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）、１−〔４−（ベンゾイル）フェニル〕−オクタン−１，２−ジオン ２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）、１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−エタノン １−（Ｏ−アセチルオキシム）、１−［９−エチル−６−（３−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−エタノン １−（Ｏ−アセチルオキシム）、１−（９−エチル−６−ベンゾイル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−エタノン １−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−［９−エチル−６−（２−メチル−４−テトラヒドロフラニルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル］−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−４−テトラヒドロピラニルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−５−テトラヒドロフラニルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−５−テトラヒドロピラニルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−｛２−メチル−４−（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラニル）ベンゾイル｝−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−［９−エチル−６−（２−メチル−４−テトラヒドロフラニルメトキシベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル］−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−４−テトラヒドロピラニルメトキシベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−５−テトラヒドロフラニルメトキシベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン，１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−５−テトラヒドロピラニルメトキシベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−｛２−メチル−４−（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラニル）メトキシベンゾイル｝−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）等を挙げることができる。

光ラジカル発生剤としては、市販品をそのまま用いることもできる。具体例としては、ＢＡＳＦ社製の、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ９０７、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ１８４、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ３６９、品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ６５１、品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ８１９、品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ９０７、及び商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ０２、ＡＤＥＫＡ社製の、商品名：アデカオプトマーＮ１９１９等が挙げられる。

前記アニオン重合開始剤としては、例えば、アルキルリチウム化合物；ビフェニル、ナフタレン、ピレン等の、モノリチウム塩又はモノナトリウム塩；ジリチウム塩やトリリチウム塩等の多官能性開始剤；等が挙げられる。

また、前記カチオン重合開始剤としては、例えば、硫酸、リン酸、過塩素酸、トリフルオロメタンスルホン酸等のプロトン酸；三フッ化ホウ素、塩化アルミニウム、四塩化チタン、四塩化スズのようなルイス酸；芳香族オニウム塩又は芳香族オニウム塩と、還元剤との併用系；が挙げられる。
これらの重合開始剤は一種単独で、又は二種以上を組合わせて用いることができる。
組成物（Ａ）において、重合開始剤の配合割合は、重合性化合物１００重量部に対し、通常、０．１〜３０重量部、好ましくは０．５〜１０重量部である。

組成物（Ａ）は、表面張力を調整するための、界面活性剤を含みうる。当該界面活性剤としては、特に限定はないが、通常、ノニオン系界面活性剤が好ましい。当該ノニオン系界面活性剤としては、市販品を用いうる。例えば、分子量が数千程度のオリゴマーであるノニオン系界面活性剤、例えば、セイミケミカル（株）製ＫＨ−４０等が挙げられる。組成物（Ａ）において、界面活性剤の配合割合は、重合性化合物１００重量部に対し、通常、０．０１〜１０重量部、好ましくは０．１〜２重量部である。

組成物（Ａ）は、有機溶媒等の溶媒を含みうる。かかる有機溶媒の例としては、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類；酢酸ブチル、酢酸アミル等の酢酸エステル類；クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素類；１，４−ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１，３−ジオキソラン、１，２−ジメトキシエタン等のエーテル類；及びトルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素が挙げられる。溶媒の沸点は、取り扱い性に優れる観点から、６０〜２５０℃であることが好ましく、６０〜１５０℃であることがより好ましい。溶媒の使用量は、重合性化合物１００重量部に対し、通常、１００〜１０００重量部である。

組成物（Ａ）は、さらに、金属、金属錯体、染料、顔料、蛍光材料、燐光材料、レベリング剤、チキソ剤、ゲル化剤、多糖類、紫外線吸収剤、赤外線吸収剤、抗酸化剤、イオン交換樹脂、酸化チタン等の金属酸化物等の任意の添加剤を含みうる。本発明の重合性組成物において、かかる任意の添加剤の配合割合は、重合性化合物１００重量部に対し、通常、各々０．１〜２０重量部である。

組成物（Ａ）は、通常、上に述べた成分を混合することにより、調製することができる。

〔１．７．光学異方性層の製造方法〕
光学異方性層は、組成物（Ａ）を硬化させてなる層である。

硬化に際し、組成物（Ａ）を構成する成分の一部が化学的に変化してもよく、系外に排出されて消失してもよい。例えば、通常、硬化に際して、重合性化合物の全て又は大部分は重合して重合体となり、一方、溶媒の全て又は大部分は揮発して消失する。

組成物（Ａ）の硬化は、通常、支持体又は支持体上に設けられた配向膜の面上に、組成物（Ａ）を塗布し、組成物（Ａ）の層内の重合性液晶化合物を所望の方向に配向させ、必要に応じて組成物（Ａ）の層を乾燥させ、続いて重合性化合物を重合させることにより達成しうる。この製造工程に用いた支持体及び配向膜は、そのまま位相差板の構成要素となってもよい。または、支持体及び配向膜を剥離し、光学異方性層のみを位相差板として用いてもよい。

支持体は、特に限定されず、有機又は無機の公知の材料からなる板又はフィルムとしうる。有機材料の例としてはポリシクロオレフィン〔例えば、ゼオネックス、ゼオノア（登録商標；日本ゼオン社製）、アートン（登録商標；ＪＳＲ社製）、及びアペル（登録商標；三井化学社製）〕、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミド、ポリメタクリル酸メチル、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、セルロース、三酢酸セルロース、及びポリエーテルスルホンが挙げられる。無機材料の例としてはシリコン、ガラス、及び方解石が挙げられる。コスト及び取り扱い性の良好さから、有機材料が好ましい。

支持体の面上には、配向膜を設けうる。その場合、かかる配向膜上に、光学異方性層を形成しうる。配向膜は、組成物（Ａ）中の液晶化合物を、面内で一方向に配向させうる。
配向膜は、例えば、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリエステル、ポリアリレート、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド等のポリマーを含有するものである。配向膜は、このようなポリマーを含有する溶液（配向膜用組成物）を基板上に膜状に塗布し、乾燥させ、そして一方向にラビング処理等することで、得ることができる。
配向膜の厚さは０．００１〜５μｍであることが好ましく、０．００１〜１μｍであることがさらに好ましい。

支持体又は配向膜の面に、必要に応じてラビング処理を施すことができる。かかるラビング処理を施すことにより、組成物（Ａ）中の液晶性を呈しうる化合物を配向させる配向能を、かかる面に賦与することができる。
ラビング処理の方法は、特に制限されないが、例えばナイロン等の合成繊維、木綿等の天然繊維からなる布やフェルトを巻き付けたロールで一定方向に支持体又は配向膜の面を擦る方法が挙げられる。ラビング処理した時に発生する微粉末（異物）を除去して処理された面を清浄な状態とするために、ラビング処理後に、処理された面をイソプロピルアルコール等によって洗浄することが好ましい。
また、ラビング処理する方法以外に、配向膜の表面に偏光紫外線を照射する方法によっても、配向膜にコレステリック規則性を持つコレステリック液晶層を面内で一方向に配向規制する機能を持たせることができる。
また、それ以外の方法としてＡｒ^＋などのイオンビームを支持体に対して斜めに入射させることにより、支持体に配向能を賦与させるイオンビーム配向法を使用することもできる。

組成物（Ａ）の塗布の例としては、カーテンコーティング法、押し出しコーティング法、ロールコーティング法、スピンコーティング法、ディップコーティング法、バーコーティング法、スプレーコーティング法、スライドコーティング法、印刷コーティング法、グラビアコーティング法、ダイコーティング法、キャップコーティング法、及びディッピング法が挙げられる。

かかる塗布により組成物（Ａ）の層を形成し、層内の液晶化合物を、所望の態様に配向させうる。かかる配向は、塗布により直ちに達成される場合もあるが、必要に応じて、塗布の後に、加温などの配向処理を施すことにより達成される場合もある。

かかる所望の態様の配向を呈した組成物（Ａ）の層においては、逆波長分散重合性液晶化合物は、主鎖メソゲンと側鎖メソゲンとが、異なる方向に配向する。主鎖メソゲンの配向方向と側鎖メソゲンの配向方向とがなす角は、０°で無い任意の角度とすることができるが、７０〜１１０°であることが、良好の逆分散波長を達成する上で好ましい。このような配向は、例えば、逆波長分散重合性液晶化合物として、上に例示した化合物から所望の配向をなす化合物を適宜選択することにより達成しうる。

かかる塗布により形成された組成物（Ａ）の層においては、逆波長分散重合性液晶化合物に加えて、重合性モノマーのメソゲンも配向していることが好ましい。さらには、重合性モノマーのメソゲンは、逆波長分散重合性液晶化合物の主鎖メソゲン又は側鎖メソゲンのどちらか一方と平行に配向していることがより好ましい。重合性モノマーがかかる態様に配向することにより、良好な配向を得、且つ、精密な逆波長分散の調整を達成することができる。このような配向は、例えば、重合性モノマーとして、上に例示した化合物から所望の配向をなす化合物を適宜選択することにより達成しうる。

組成物（Ａ）の層の乾燥は、自然乾燥、加熱乾燥、減圧乾燥、減圧加熱乾燥等の乾燥方法で達成しうる。かかる乾燥により、溶媒を除去することができる。

組成物（Ａ）の層中の重合性化合物の重合の方法としては、重合性化合物及び重合開始剤等の、組成物（Ａ）の成分の性質に適合した方法を適宜選択しうる。例えば、活性エネルギー線を照射する方法、及び熱重合法が挙げられる。加熱を必要とせず、室温で反応が進行することから活性エネルギー線を照射する方法が好ましい。ここで、照射される活性エネルギー線には、可視光線、紫外線、及び赤外線等の光、並びに電子線等の任意のエネルギー線が含まれうる。なかでも、操作が簡便なことから、紫外線等の光を照射する方法が好ましい。紫外線照射時の温度は、３０℃以下とすることが好ましい。紫外線照射時の温度の下限は、１５℃以上としうる。紫外線照射強度は、通常、０．１ｍＷ／ｃｍ^２〜１０００ｍＷ／ｃｍ^２の範囲、好ましくは０．５ｍＷ／ｃｍ^２〜２００ｍＷ／ｃｍ^２の範囲である。

〔１．８．光学異方性層〕
光学異方性層において、逆波長分散重合性液晶化合物の主鎖メソゲン及び側鎖メソゲンは、異なる方向に配向する。光学異方性層における「逆波長分散重合性液晶化合物のメソゲン」とは、逆波長分散重合性液晶化合物の分子内に存在していたメソゲンであって、逆波長分散重合性液晶化合物が重合することにより生成した重合体内のメソゲンである。このように、主鎖メソゲン及び側鎖メソゲンが異なる方向に配向することにより、光学異方性層の複屈折Δｎが逆波長分散特性を有し、それにより、良好な位相差板としての特性を発現しうる。
光学異方性層の複屈折Δｎが逆波長分散特性を有することは、位相差解析装置（ＡＸＯＭＥＴＲＩＣＳ社製の製品名「ＡｘｏＳｃａｎ」等）を用いて、様々な波長λにおいて複屈折Δｎを測定することにより確認しうる。

光学異方性層においては、逆波長分散重合性液晶化合物のメソゲンに加えて、重合性モノマーのメソゲンも配向していることが好ましい。光学異方性層における「重合性モノマーのメソゲン」とは、重合性モノマーの分子内に存在していたメソゲンであって、重合性モノマーが重合することにより生成した重合体内のメソゲンである。
重合性モノマーのメソゲンは、逆波長分散重合性液晶化合物の主鎖メソゲン又は側鎖メソゲンのどちらか一方と平行に配向していることがより好ましい。重合性モノマーがかかる態様に配向することにより、良好な配向を得、且つ、精密な逆波長分散の調整を達成することができる。重合性モノマーが、１分子当たり２以上のメソゲンを有している場合、それらのうち一つが、逆波長分散重合性液晶化合物の主鎖メソゲンに平行に、他のもう一つが逆波長分散重合性液晶化合物の側鎖メソゲンに平行に配向していてもよい。

本願の位相差板においては、光学異方性層のリターデーションが、下記の関係を満たす。即ち、組成物（Ａ０）を硬化させてなる層の波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍにおけるリタデーションＲｅ０（４５０ｎｍ）、Ｒｅ０（５５０ｎｍ）およびＲｅ０（６５０ｎｍ）と、光学異方性層の波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍにおけるリタデーションＲｅ（４５０ｎｍ）、Ｒｅ（５５０ｎｍ）およびＲｅ（６５０ｎｍ）とが、以下の式（ｉ）及び（ｉｉ）の関係を満たすか、又は以下の式（ｉｉｉ）及び（ｉｖ）の関係を満たす。
Ｒｅ０（４５０ｎｍ）／Ｒｅ０（５５０ｎｍ）＞Ｒｅ（４５０ｎｍ）／Ｒｅ（５５０ｎｍ） 式（ｉ）
Ｒｅ０（６５０ｎｍ）／Ｒｅ０（５５０ｎｍ）＜Ｒｅ（６５０ｎｍ）／Ｒｅ（５５０ｎｍ） 式（ｉｉ）
Ｒｅ０（４５０ｎｍ）／Ｒｅ０（５５０ｎｍ）＜Ｒｅ（４５０ｎｍ）／Ｒｅ（５５０ｎｍ） 式（ｉｉｉ）
Ｒｅ０（６５０ｎｍ）／Ｒｅ０（５５０ｎｍ）＞Ｒｅ（６５０ｎｍ）／Ｒｅ（５５０ｎｍ） 式（ｉｖ）

ここで、組成物（Ａ０）は、組成物（Ａ）における重合性モノマーを逆分散重合性液晶化合物に置換した組成物である。例えば、組成物（Ａ）が、逆分散波長重合性液晶化合物、重合性モノマー、光重合開始剤、界面活性剤及び溶媒からなり、逆分散波長重合性液晶化合物及び重合性モノマーの合計の割合がｘ重量％である場合、組成物（Ａ０）は、逆分散波長重合性液晶化合物、光重合開始剤、界面活性剤及び溶媒からなる組成物であって、逆分散波長重合性液晶化合物の割合がｘ重量％であり、光重合開始剤、界面活性剤及び溶媒の配合割合が組成物（Ａ）と同一である組成物である。

組成物（Ａ０）を硬化させてなる層を形成する際の条件は、組成物（Ａ）を硬化させて光学異方性層を形成する条件と同一とする。このようにして得られた組成物（Ａ０）を硬化させてなる層との光学的特性が、上に述べた所定の条件を満たすことにより、精密な逆波長分散特性の制御を達成することができる。

光学異方性層の厚さは、特に限定されず、リターデーションなどの特性を所望の範囲とできるよう適宜調整することができる。具体的には、厚さの下限は０．１μｍ以上であることが好ましく、０．５μｍ以上であることがより好ましく、一方厚さの上限は１０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以下であることがより好ましい。

〔１．９．位相差板：その他の構成要素〕
本発明の位相差板は、上に述べた光学異方性層のみからなってもよく、又は必要に応じてその他の層を有していてもよい。例えば、光学異方性層の製造に用いた支持体、配向膜等の部材を、剥離せずそのまま備えた状態で、位相差板として用いてもよい。この場合、光学異方性層以外の層は、通常は光学的に等方な層とすることができる。任意の層のさらなる例としては、各層間を接着する接着層、フィルムの滑り性を良くするマット層、耐衝撃性ポリメタクリレート樹脂層などのハードコート層、反射防止層、防汚層等が挙げられる。

〔２．円偏光板〕
本発明の円偏光板は、前記本発明の位相差板と、直線偏光子とを備える。

直線偏光子としては、液晶表示装置等の装置に用いられている公知の偏光子を用いうる。直線偏光子の例としては、ポリビニルアルコールフィルムにヨウ素又は二色性染料を吸着させた後、ホウ酸浴中で一軸延伸することによって得られるもの、及びポリビニルアルコールフィルムにヨウ素又は二色性染料を吸着させ延伸しさらに分子鎖中のポリビニルアルコール単位の一部をポリビニレン単位に変性することによって得られるものが挙げられる。直線偏光子の他の例としては、グリッド偏光子、多層偏光子、コレステリック液晶偏光子などの偏光を反射光と透過光に分離する機能を有する偏光子が挙げられる。これらのうちポリビニルアルコールを含有する偏光子が好ましい。

本発明に用いる偏光子に自然光を入射させると一方の偏光だけが透過する。本発明に用いる偏光子の偏光度は特に限定されないが、好ましくは９８％以上、より好ましくは９９％以上である。偏光度の上限は、理想的には１００％である。偏光子の平均厚みは好ましくは５〜８０μｍである。

本発明の位相差板を本発明の円偏光板において用いる場合、その波長５５０ｎｍにおける位相差は、１００〜１５０ｎｍであることが好ましい。また、本発明の円偏光板において、位相差板の遅相軸と直線偏光子の透過軸とがなす角は、４５°またはそれに近い角度、具体的には４０〜５０°であることが好ましい。かかる位相差及び角度を有することにより、液晶表示装置の構成要素などの用途に有用に用いうる円偏光板としうる。

本発明の位相差板は、光学異方性層のみからなってもよく、又は光学異方性層に加えて支持体、配向膜等の任意の層を有していてもよいので、本発明の円偏光板も、同様に、任意の構成要素として、支持体、配向膜等の任意の層を有していてもよい。

〔３．画像表示装置〕
本発明の画像表示装置は、前記本発明の位相差板を備える。本発明の画像装置において、位相差板は、直線偏光子と組み合わされ、円偏光板として設けられていてもよい。
本発明の画像表示装置の例としては、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ表示装置、ＦＥＤ（電界放出）表示装置、及びＳＥＤ（表面電界）表示装置を挙げることができるが、液晶表示装置が特に好ましい。

液晶セルの駆動方式としては、例えば、インプレーンスイッチング（ＩＰＳ）方式、バーチカルアラインメント（ＶＡ）方式、マルチドメインバーチカルアラインメント（ＭＶＡ）方式、コンティニュアスピンホイールアラインメント（ＣＰＡ）方式、ハイブリッドアラインメントネマチック（ＨＡＮ）方式、ツイステッドネマチック（ＴＮ）方式、スーパーツイステッドネマチック（ＳＴＮ）方式、オプチカルコンペンセイテッドベンド（ＯＣＢ）方式などが挙げられる。中でもインプレーンスイッチング方式及びバーチカルアラインメント方式が好ましく、インプレーンスイッチング方式が特に好ましい。インプレーンスイッチング方式の液晶セルは視野角が広いが、位相差板を適用することにより視野角を更に広げることが可能である。

本発明の画像表示装置は、前記本発明の位相差板を１枚のみ備えてもよく２枚以上を備えてもよい。本発明の画像表示装置において、前記本発明の位相差板は、液晶セル等の、他の構成要素に、接着剤を介して貼付することにより設けうる。

以下、実施例を示して本発明について具体的に説明するが、本発明は以下に説明する実施例に限定されるものではなく、本発明の特許請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施してもよい。
以下の説明において、量を表す「％」及び「部」は、別に断らない限り重量基準である。また、以下に説明する操作は、別に断らない限り、常温及び常圧の条件において行った。

（製造例１） 化合物（Ｉ）−１の合成

〈ステップ１：中間体Ａの合成〉

温度計を備えた４つ口反応器に、窒素気流中、２，５−ジヒドロキシベンズアルデヒド ２０ｇ（１４４．８ｍｍｏｌ）、４−（６−アクリロイル−ヘクス−１−イルオキシ）安息香酸（ＤＫＳＨ社製） １０５．８ｇ（３６２．０ｍｍｏｌ）、４−（ジメチルアミノ）ピリジン ５．３ｇ（４３．４ｍｍｏｌ）、及びＮ−メチルピロリドン２００ｍｌを加え、均一な溶液とした。この溶液に、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（ＷＳＣ） ８３．３ｇ（４３４．４ｍｍｏｌ）を加え、２５℃にて１２時間攪拌した。反応終了後、反応液を水１．５リットルに投入し、酢酸エチル５００ｍｌで抽出した。酢酸エチル層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、硫酸ナトリウムをろ別した。ろ液からロータリーエバポレーターにて酢酸エチルを減圧留去して、淡黄色固体を得た。この淡黄色固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン：酢酸エチル＝９：１（体積比））により精製し、白色固体として中間体Ａを７５ｇ得た（収率：７５．４％）。
構造は^１Ｈ−ＮＭＲで同定した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，ＴＭＳ，δｐｐｍ）：１０．２０（ｓ，１Ｈ）、８．１８−８．１２（ｍ，４Ｈ）、７．７８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝２．８Ｈｚ）、７．５２（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝２．８Ｈｚ，８．７Ｈｚ）、７．３８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．７Ｈｚ）、７．００−６．９６（ｍ，４Ｈ）、６．４０（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝１．４Ｈｚ，１７．４Ｈｚ）、６．１２（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝１０．６Ｈｚ，１７．４Ｈｚ）、５．８２（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝１．４Ｈｚ，１０．６Ｈｚ）、４．１８（ｔ，４Ｈ，Ｊ＝６．４Ｈｚ）、４．０８−４．０４（ｍ，４Ｈ）、１．８８−１．８１（ｍ，４Ｈ）、１．７６−１．６９（ｍ，４Ｈ）、１．５８−１．４２（ｍ，８Ｈ）

〈ステップ２：化合物（Ｉ）−１の合成〉
温度計を備えた４つ口反応器に、窒素気流中、先のステップ１で合成した中間体Ａ １０．５ｇ（１５．３ｍｍｏｌ）、２−ヒドラジノベンゾチアゾール３．０ｇ（１８．３ｍｍｏｌ）、及びテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）８０ｍｌを加え、均一な溶液とした。この溶液に、（±）−１０−カンファースルホン酸 １８ｍｇ（０．０８ｍｍｏｌ）を加え、２５℃にて３時間撹拌した。反応終了後、反応液を１０％重曹水８００ｍｌに投入し、酢酸エチル１００ｍｌで２回抽出した。酢酸エチル層を集め、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、硫酸ナトリウムをろ別した。ろ液からロータリーエバポレーターにて酢酸エチルを減圧留去して、淡黄色固体を得た。この淡黄色固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン：酢酸エチル＝８：２（体積比））により精製し、淡黄色固体として化合物（Ｉ）−１を８．０ｇ得た（収率：６２．７％）。目的物の構造は^１Ｈ−ＮＭＲ、マススペクトルで同定した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ_６，ＴＭＳ，δｐｐｍ）：１２．３０（ｂｒ，１Ｈ）、８．１９（ｓ，１Ｈ）、８．１７−８．１２（ｍ，４Ｈ）、７．７６（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝３．０Ｈｚ）、７．６８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．５Ｈｚ）、７．４５−７．３９（ｍ，３Ｈ）、７．２８（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ）、７．１８−７．１４（ｍ，４Ｈ）、７．０９（ｔ，１Ｈ、Ｊ＝８．０Ｈｚ）、６．３３（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，１７．５Ｈｚ）、６．１８（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝１０．５Ｈｚ，１７．５Ｈｚ）、５．９４４（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，１０．５Ｈｚ）、５．９４１（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，１０．５Ｈｚ）、４．１４−４．１０（ｍ，８Ｈ）、１．８０−１．７５（ｍ，４Ｈ）、１．６９−１．６３（ｍ，４Ｈ）、１．５３−１．３８（ｍ，８Ｈ）
ＬＣＭＳ（ＡＰＣＩ）：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ_４６Ｈ_４７Ｎ_３Ｏ_１０Ｓ：８３３［Ｍ^＋］；Ｆｏｕｎｄ：８３３

〈相転移温度の測定〉
化合物（Ｉ）−１を１０ｍｇ計量し、固体状態のままで、ラビング処理を施したポリイミド配向膜付きのガラス基板２枚に挟んだ。この基板をホットプレート上に載せ、５０℃から２００℃まで昇温した後、再び５０℃まで降温した。昇温、降温する際の組織構造の変化を偏向光学顕微鏡（ニコン社製、ＥＣＬＩＰＳＥ ＬＶ１００ＰＯＬ型）で観察した。その結果、昇温の過程において、１０２℃において固相からネマチック液晶相に転移し、１６５℃においてさらに等方性液体相に転移した。一方降温の過程において、１４０℃で等方性液体相からネマチック液晶相に転移し、５０℃以下においてさらに固層に転移した。

〔比較例１〕
（Ｃ１−１．組成物（Ａ０）の調製）
下記表１に示す組成の混合物を均一になるように攪拌し、０．６μｍのフィルタで濾過して、組成物（Ａ０）を得た。

（Ｃ１−２．位相差板の製造）
支持体（ゼオノアフィルム、商品名「ＺＦ１６」、日本ゼオン株式会社製）の一方の面を、ラビングすることにより配向処理を行った。かかる面上に、工程（Ｃ１−１）で得た組成物（Ａ０）を、スピンコーターで乾燥膜厚が１．４μｍになるように塗布した。オーブンにて１３０℃で２分間加熱することにより、組成物（Ａ０）の層を乾燥させた。これにより、支持体、及びその上に形成された乾燥した組成物（Ａ０）の層からなる複層物を得た。

次に当該複層物にメタルハライドランプを用いて紫外線を照射し、重合性液晶化合物を重合させた。紫外線の照射量は、照度１６ｍＷ／ｃｍ^２で露光量を１００ｍＪ／ｃｍ^２とした。これにより、支持体、及びその上に設けられた膜厚１．４μｍの光学異方性層からなる位相差板を得た。

（Ｃ１−３．波長分散測定）
工程（Ｃ１−２）で作製した位相差板について、ＡＸＯＭＥＴＲＩＣＳ社製の位相差解析装置（製品名：ＡｘｏＳｃａｎ）を用いて、様々な波長λにおいて複屈折Δｎを測定し、Δｎの波長分散特性を求めた。測定した波長分散特性を、図１に示す。
測定結果より、Ｒｅ０（４５０ｎｍ）／Ｒｅ０（５５０ｎｍ）＝０．９１８、Ｒｅ０（６５０ｎｍ）／Ｒｅ０（５５０ｎｍ）＝０．９８２であった。

（Ｃ１−４．屈折率波長分散測定）
工程（Ｃ１−２）で作製した位相差板について、Ｍｅｔｒｉｃｏｎ社製の屈折率測定装置：プリズムカプラを用いて屈折率測定を行った。波長λが４０７ｎｍ、５３２ｎｍ、及び６３３ｎｍである場合における屈折率を測定し、３波長の測定値からコーシーフィッティングを行った結果を図２に示す。進相軸方向の屈折率は遅相軸方向の屈折率と比較して、値が小さく波長分散が大きいことから、本位相差板が逆波長分散特性を示すことがわかる。

〔参考例１〕
比較例１の工程（Ｃ１−２）で得た位相差板に、偏光紫外線を入射させ、吸収スペクトルを測定した。測定には、分光光度計（日本分光株式会社製、本体製品名「Ｖ７２００」、受光部製品名「ＶＡＲ７０２０」）を用いた。
その結果、２６６ｎｍ及び３４７ｎｍに頂点を有する２つの吸収のピークが観察され、かかるピークは、偏光方向を回転させることにより高さが変化した。位相差板の面に平行な様々な方向のうち、ラビング方向を０°とすると、３４７ｎｍにおける吸収が極大となる偏光の方位角は９０°であった。偏光の方位角と測定された吸収との関係を図３に示す。
化合物（Ｉ）−１の主鎖メソゲンに類似する構造を有する化合物及び化合物（Ｉ）−１の側鎖メソゲンに類似する構造を有する化合物の可視光領域における屈折率の波長分散を調べると、後者の波長分散のほうが大きい。また、一般的に、可視光波長分散が大きい化合物ほど吸収のピークが可視光領域に近い。また、一般的に、偏光方向とメソゲンの長軸方向とが平行の場合に吸収ピークは最大となる。これらのことから、２６６ｎｍのピークが主鎖メソゲンに由来するものであり、３４７ｎｍにおけるピークが側鎖メソゲンに由来するものであると帰属を決定でき、且つ、主鎖メソゲンの配向方向と側鎖メソゲンの配向方向とは直交していることが分かる。

〔実施例１〕
（１−１．組成物（Ａ）の調製）
下記表２に示す組成の混合物を均一になるように攪拌し、０．６μｍのフィルタで濾過して、組成物（Ａ−１）を得た。

組成物（Ａ−１）とは別に、重合性モノマー（ＩＩ）−１をシクロペンタノンに２０．０重量％添加した組成物を調製し、配向処理をした基材上に塗布し、さらに一度溶剤を乾燥させた後、温度を室温〜２００℃の範囲で変化させ、液晶性の有無を偏光顕微鏡にて観察したところ、１２２℃にて液晶性を示した。

（１−２．位相差板の製造及び評価）
工程（Ｃ１−１）で得た組成物（Ａ０）の代わりに、工程（１−１）で得た組成物（Ａ−１）を用いた他は、比較例１の工程（Ｃ１−２）と同様にして、位相差板を製造した。得られた位相差板の光学異方性層の膜厚は１．２μｍであった。
得られた位相差板について、比較例１の工程（Ｃ１−３）と同様にして、様々な波長λにおいて複屈折Δｎを測定し、Δｎの波長分散特性を求めた。測定した波長分散特性を、図４に、比較例１の結果と対比させて示す。
測定結果より、Ｒｅ（４５０ｎｍ）／Ｒｅ（５５０ｎｍ）＝０．９９、Ｒｅ（６５０ｎｍ）／Ｒｅ（５５０ｎｍ）＝０．９７となり、比較例１と比べ逆分散性が小さくなった。
また、得られた位相差板について、比較例１の工程（Ｃ１−４）と同様にして、屈折率を測定した。測定された３波長の測定値からコーシーフィッティングを行った結果を、図５に、比較例１の結果と対比させて示す。遅相軸方向の屈折率の波長分散は比較例１と大きな差はないが、進相軸方向の屈折率の波長分散は比較例１と比べて小さくなった。この結果、位相差板のΔｎの逆波長分散特性が小さくなった。

〔実施例２〕
（２−１．組成物（Ａ−２）の調製）
下記表３に示す組成の混合物を均一になるように攪拌し、０．６μｍのフィルタで濾過して、組成物（Ａ−２）を得た。

組成物（Ａ−２）とは別に、重合性モノマー（ＩＶ）をシクロペンタノンに２０．０重量％添加した組成物を調製し、配向処理をした基材上に塗布し、さらに一度溶剤を乾燥させた後、温度を室温〜２００℃の範囲で変化させ、液晶性の有無を偏光顕微鏡にて観察したところ、非液晶性であった。

（２−２．位相差板の製造及び評価）
工程（Ｃ１−１）で得た組成物（Ａ０）の代わりに、工程（２−１）で得た組成物（Ａ−２）を用いた他は、比較例１の工程（Ｃ１−２）と同様にして、位相差板を製造した。得られた位相差板の光学異方性層の膜厚は１．５μｍであった。
得られた位相差板について、比較例１の工程（Ｃ１−３）と同様にして、様々な波長λにおいて複屈折Δｎを測定し、Δｎの波長分散特性を求めた。測定した波長分散特性を、図６に、比較例１の結果と対比させて示す。
測定結果より、Ｒｅ（４５０ｎｍ）／Ｒｅ（５５０ｎｍ）＝０．９６３、Ｒｅ（６５０ｎｍ）／Ｒｅ（５５０ｎｍ）＝０．９７９となり、比較例１と比べ逆分散性が小さくなった。
また、得られた位相差板について、比較例１の工程（Ｃ１−４）と同様にして、屈折率を測定した。測定された３波長の測定値からコーシーフィッティングを行った結果を、図７に、比較例１の結果と対比させて示す。遅相軸方向の屈折率の波長分散は比較例１と大きくなり、進相軸方向の屈折率の波長分散は比較例１と比べて大きな変化はなかった。この結果、位相差板のΔｎの逆波長分散特性が小さくなった。

〔実施例３〕
（３−１．組成物（Ａ−３）の調製）
下記表４に示す組成の混合物を均一になるように攪拌し、０．６μｍのフィルタで濾過して、組成物（Ａ−３）を得た。

組成物（Ａ−３）とは別に、重合性モノマー（ＩＩＩ）−４をシクロペンタノンに２０．０重量％添加した組成物を調製し、配向処理をした基材上に塗布し、さらに一度溶剤を乾燥させた後、温度を室温〜２００℃の範囲で変化させ、液晶性の有無を偏光顕微鏡にて観察したところ、非液晶性であった。

（３−２．位相差板の製造及び評価）
工程（Ｃ１−１）で得た組成物（Ａ０）の代わりに、工程（３−１）で得た組成物（Ａ−３）を用いた他は、比較例１の工程（Ｃ１−２）と同様にして、位相差板を製造した。得られた位相差板の光学異方性層の膜厚は１．３μｍであった。
得られた位相差板について、比較例１の工程（Ｃ１−３）と同様にして、様々な波長λにおいて複屈折Δｎを測定し、Δｎの波長分散特性を求めた。測定した波長分散特性を、図８に、比較例１の結果と対比させて示す。
測定結果より、Ｒｅ（４５０ｎｍ）／Ｒｅ（５５０ｎｍ）＝０．９６９、Ｒｅ（６５０ｎｍ）／Ｒｅ（５５０ｎｍ）＝０．９８０となり、比較例１と比べ逆分散性が小さくなった。
また、得られた位相差板について、比較例１の工程（Ｃ１−４）と同様にして、屈折率を測定した。測定された３波長の測定値からコーシーフィッティングを行った結果を、図９に、比較例１の結果と対比させて示す。遅相軸方向の屈折率の波長分散は比較例１と大きな差はないが、進相軸方向の屈折率の波長分散は比較例１と比べて小さくなった。この結果、位相差板のΔｎの逆波長分散特性が小さくなった。

〔実施例４〕
（４−１．組成物（Ａ−４）の調製）
下記表３に示す組成の混合物を均一になるように攪拌し、０．６μｍのフィルタで濾過して、組成物（Ａ−４）を得た。

組成物（Ａ−４）とは別に、重合性モノマー（ＩＩＩ）−１をシクロペンタノンに２０．０重量％添加した組成物を調製し、配向処理をした基材上に塗布し、さらに一度溶剤を乾燥させた後、温度を室温〜２００℃の範囲で変化させ、液晶性の有無を偏光顕微鏡にて観察したところ、非液晶性であった。

（４−２．位相差板の製造及び評価）
工程（Ｃ１−１）で得た組成物（Ａ０）の代わりに、工程（４−１）で得た組成物（Ａ−４）を用いた他は、比較例１の工程（Ｃ１−２）と同様にして、位相差板を製造した。得られた位相差板の光学異方性層の膜厚は１．７μｍであった。
得られた位相差板について、比較例１の工程（Ｃ１−３）と同様にして、様々な波長λにおいて複屈折Δｎを測定し、Δｎの波長分散特性を求めた。測定した波長分散特性を、図１０に、比較例１の結果と対比させて示す。
測定結果より、Ｒｅ（４５０ｎｍ）／Ｒｅ（５５０ｎｍ）＝０．７６１、Ｒｅ（６５０ｎｍ）／Ｒｅ（５５０ｎｍ）＝１．０１９となり、比較例１と比べ逆分散性が大きくなった。
また、得られた位相差板について、比較例１の工程（Ｃ１−４）と同様にして、屈折率を測定した。測定された３波長の測定値からコーシーフィッティングを行った結果を、図１１に、比較例１の結果と対比させて示す。遅相軸方向の屈折率の波長分散は比較例１と大きな差はないが、進相軸方向の屈折率の波長分散は比較例１と比べて大きくなった。この結果、位相差板のΔｎの逆波長分散特性が大きくなった。

〔実施例５〕
（５−１．組成物（Ａ−５）の調製）
下記表６に示す組成の混合物を均一になるように攪拌し、０．６μｍのフィルタで濾過して、組成物（Ａ−５）を得た。

組成物（Ａ−５）とは別に、重合性モノマー（ＩＩＩ）−２をシクロペンタノンに２０．０重量％添加した組成物を調製し、配向処理をした基材上に塗布し、さらに一度溶剤を乾燥させた後、温度を室温〜２００℃の範囲で変化させ、液晶性の有無を偏光顕微鏡にて観察したところ、非液晶性であった。

（５−２．位相差板の製造及び評価）
工程（Ｃ１−１）で得た組成物（Ａ０）の代わりに、工程（５−１）で得た組成物（Ａ−５）を用いた他は、比較例１の工程（Ｃ１−２）と同様にして、位相差板を製造した。得られた位相差板の光学異方性層の膜厚は１．３μｍであった。
得られた位相差板について、比較例１の工程（Ｃ１−３）と同様にして、様々な波長λにおいて複屈折Δｎを測定し、Δｎの波長分散特性を求めた。測定した波長分散特性を、図１２に、比較例１の結果と対比させて示す。
測定結果より、Ｒｅ（４５０ｎｍ）／Ｒｅ（５５０ｎｍ）＝０．９１６、Ｒｅ（６５０ｎｍ）／Ｒｅ（５５０ｎｍ）＝１．０１０となり、比較例１と比べ逆分散性が大きくなった。
また、得られた位相差板について、比較例１の工程（Ｃ１−４）と同様にして、屈折率を測定した。測定された３波長の測定値からコーシーフィッティングを行った結果を、図１３に、比較例１の結果と対比させて示す。遅相軸方向の屈折率の波長分散は比較例１と大きな差はないが、進相軸方向の屈折率の波長分散は比較例１と比べて大きくなった。この結果、位相差板のΔｎの逆波長分散特性が大きくなった。

（製造例２）化合物２５の合成

（ステップ１：中間体Ｈ１の合成）

温度計を備えた３口反応器に、窒素気流中、ヒドロキノン７．２８ｇ（６６．１ｍｍｏｌ）、水酸化ナトリウム２．３８ｇ（５９．５ｍｍｏｌ）、及び蒸留水５０ｍｌを加えた。この溶液に、８−クロロ−１−ｎ−オクタノール ９．９０ｇ（６０．１ｍｍｏｌ）を３０分間かけて滴下し、滴下終了後、全容を５時間還流した。反応終了後、反応液を２５℃まで冷却し、析出した白色固体をろ取し、得られた固体をトルエン１２０ｍｌから再結晶することで、白色固体として中間体Ｈ１を７．９３ｇ得た（収率５６．１％）。
目的物の構造は^１Ｈ−ＮＭＲで同定した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ_６，ＴＭＳ，δｐｐｍ）：８．８６（ｓ，1Ｈ）、６．７２（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝２．５Ｈｚ，８．０Ｈｚ）、６．６５（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝２．５Ｈｚ，８．０Ｈｚ）、４．３３（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝５．０Ｈｚ）、３．８２（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．５Ｈｚ）、３．３７（ｄｔ，２Ｈ，Ｊ＝５．０Ｈｚ，６．５Ｈｚ）、１．６５（ｔｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．５Ｈｚ，６．５Ｈｚ）、１．２８−１．４２（ｍ，１０Ｈ）

（ステップ２：中間体Ｉ１の合成）

温度計を備えた３口反応器に、窒素気流中、前記ステップ１で合成した中間体Ｈ１ ７．８４ｇ（３２．９ｍｍｏｌ）、アクリル酸 ２．６１ｇ（３６．２ｍｍｏｌ）、４−メトキシフェノール ４０．８ｍｇ（０．３２９ｍｍｏｌ）、メタンスルホン酸３１６ｍｇ（３．２９ｍｍｏｌ）及びトルエン４０ｍｌを加え、全容を６時間還流した。反応液を２５℃まで冷却した後、水２００ｍｌに投入し、酢酸エチル１００ｍｌで抽出した。酢酸エチル層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、硫酸ナトリウムをろ別した。ロータリーエバポレーターにてろ液から酢酸エチルを減圧留去して、褐色固体を得た。この褐色固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン：ＴＨＦ＝９５：５）により精製し、白色固体として中間体Ｉ１：を６．９５ｇ得た（収率：７１．９％）。
目的物の構造は^１Ｈ−ＮＭＲで同定した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ_６，ＴＭＳ，δｐｐｍ）：８．８６（ｓ，1Ｈ）、６．７２（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝２．５Ｈｚ，９．０Ｈｚ）、６．６５（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝２．５Ｈｚ，８．０Ｈｚ）、６．３１（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，１７．５Ｈｚ）、６．１７（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１０．５Ｈｚ，１７．５Ｈｚ）、５．９３（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，１０．５Ｈｚ）、４．１０（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．５Ｈｚ）、３．８３（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．５Ｈｚ）、１．５８−１．６８（ｍ，４Ｈ）、１．３０−１．３９（ｍ，８Ｈ）

（ステップ３：中間体Ｊ１の合成）

温度計を備えた３口反応器に、窒素気流中、ｔｒａｎｓ−１，４−シクロヘキサンジカルボン酸 ６．８６ｇ（３９．８ｍｍｏｌ）、ＴＨＦ７０ｍｌ、及びＤＭＦ１４ｍｌを加えた。そこへ、メタンスルホニルクロリド２．２８ｇ（１９．９ｍｍｏｌ）を加え、反応器を水浴に浸して、反応液内温を２０℃とした。次いで、トリエチルアミン２．２０ｇ（２１．７ｍｍｏｌ）を、反応液内温を２０〜３０℃に保持しながら、５分間かけて滴下し、滴下終了後、全容を２５℃で２時間さらに攪拌した。得られた反応混合物に、４−（ジメチルアミノ）ピリジン ２２１ｍｇ（１．８１ｍｍｏｌ）、前記ステップ２で合成した中間体Ｉ１ ５．３０ｇ（１８．１ｍｍｏｌ）を加え、再度反応器を水浴に浸して反応液内温を１５℃とした。さらに、トリエチルアミン２．２０ｇ（２１．７ｍｍｏｌ）を、反応液内温を２０〜３０℃に保持しながら、５分間かけて滴下し、滴下終了後、全容を２５℃で２時間攪拌した。反応終了後、反応液に蒸留水３００ｍｌと飽和食塩水１００ｍｌを加え、酢酸エチル１００ｍｌで２回抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、硫酸ナトリウムをろ別した、ろ液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(トルエン：ＴＨＦ＝８５：１５)により精製することで、白色固体として中間体Ｊ１を５．２３ｇ得た（収率６４．６％）。
目的物の構造は^１Ｈ−ＮＭＲで同定した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ_６，ＴＭＳ，δｐｐｍ）：１２．１（ｓ，1Ｈ）、６．９８（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝２．５Ｈｚ，９．０Ｈｚ）、６．９２（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝２．５Ｈｚ，８．０Ｈｚ）、６．３１（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，１７．５Ｈｚ）、６．１７（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１０．５Ｈｚ，１７．５Ｈｚ）、５．９２（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，１０．５Ｈｚ）、４．１０（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．５Ｈｚ）、３．９３（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．５Ｈｚ）、２．１９−２．２５（ｍ，１Ｈ）、２．０４−２．１０（ｍ，２Ｈ）、１．９４−１．９８（ｍ，２Ｈ）、１．６９（ｔｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．５Ｈｚ，６．５Ｈｚ）、１．５７−１．６４（ｍ，２Ｈ）、１．３１−１．５２（ｍ，１３Ｈ）

（ステップ４：中間体Ｋ１の合成）

温度計を備えた３口反応器内において、窒素気流中、前記ステップ３で合成した中間体Ｊ１ ４．００ｇ（８．９６ｍｍｏｌ）をＴＨＦ６０ｍｌに溶解させた。この溶液に、メタンスルホニルクロリド １．０７ｇ（９．３２ｍｍｏｌ）を加え、反応器を水浴に浸して反応液内温を２０℃とした。そこへ、トリエチルアミン ９４４ｍｇ（９．３２ｍｍｏｌ）を、反応液内温を２０〜３０℃に保持しながら５分間かけて滴下した後、全容を２５℃でさらに２時間攪拌した。次いで、反応混合物に４−（ジメチルアミノ）ピリジン ９２．０ｍｇ（０．７４８ｍｍｏｌ）、２，５−ジヒドロキシベンズアルデヒド ５４８ｍｇ（３．９７ｍｍｏｌ）を加え、再度反応器を水浴に浸して反応液内温を１５℃とし、トリエチルアミン９４４ｍｇ（９．３２ｍｍｏｌ）を、反応液内温を２０〜３０℃に保持しながら５分間かけて滴下し、滴下終了後、全容を２５℃でさらに２時間攪拌した。反応終了後、反応液に蒸留水３５０ｍｌと飽和食塩水５０ｍｌを加え、クロロホルム１５０ｍｌで２回抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、硫酸ナトリウムをろ別した。ろ液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、濃縮物をＴＨＦ１５ｍｌに溶解させた。その溶液にメタノール２００ｍｌを加えて結晶を析出させ、析出結晶をろ取した。得られた結晶をメタノールで洗浄後、真空乾燥させて、白色固体として中間体Ｋ１を２．８５ｇ得た（収率７２．３％）。
目的物の構造は^１Ｈ−ＮＭＲで同定した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，ＴＭＳ，δｐｐｍ）：１０．１（ｓ，１Ｈ）、７．６１（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝２．５Ｈｚ）、７．３７（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝２．５Ｈｚ，８．５Ｈｚ）、７．２０（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．５Ｈｚ）、６．９７（ｄｄ，４Ｈ，Ｊ＝２．０Ｈｚ，９．０Ｈｚ）、６．８８（ｄｄ，４Ｈ，Ｊ＝２．０Ｈｚ，９．０Ｈｚ）、６．４０（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，１７．５Ｈｚ）、６．１２（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝１０．５Ｈｚ，１７．５Ｈｚ）、５．８２（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，１０．５Ｈｚ）、４．１６（ｔ，４Ｈ，Ｊ＝６．５Ｈｚ）、３．９３（ｔ，４Ｈ，Ｊ＝６．５Ｈｚ）、２．５７−２．７４（ｍ，４Ｈ）、２．２６−２．３７（ｍ，８Ｈ）、１．６５−１．８０（ｍ，１６Ｈ）、１．３５−１．４８（ｍ，１６Ｈ）

（ステップ５：中間体Ｊの合成）

温度計を備えた４つ口反応器に、窒素気流中、２−ヒドラジノベンゾチアゾール２．００ｇ（１２．１ｍｍｏｌ）、及びＤＭＦ２０ｍｌを入れ、均一な溶液とした。この溶液に、炭酸カリウム８．３６ｇ（６０．５ｍｍｏｌ）、１−ヨードヘキサン３．０８ｇ（１４．５ｍｍｏｌ）を加え、全容を５０℃で７時間撹拌した。反応終了後、反応液を２０℃まで冷却し、反応液を水２００ｍｌに投入し、酢酸エチル３００ｍｌで抽出した。酢酸エチル層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、硫酸ナトリウムを濾別した。ロータリーエバポレーターにて、ろ液から酢酸エチルを減圧留去して、黄色固体を得た。この黄色固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝７５：２５)により精製し、中間体Ｊを白色固体として２．１０ｇ得た（収率：６９．６％）。
目的物の構造は^１Ｈ−ＮＭＲで同定した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，ＴＭＳ，δｐｐｍ）：７．６０（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．０Ｈｚ，８．０Ｈｚ）、７．５３（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．０Ｈｚ，８．０Ｈｚ）、７．２７（ｄｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．０Ｈｚ，８．０Ｈｚ，８．０Ｈｚ）、７．０６（ｄｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．０Ｈｚ，８．０Ｈｚ，８．０Ｈｚ）、４．２２（ｓ，２Ｈ）、３．７４（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝７．５Ｈｚ）、１．６９−１．７６（ｍ，２Ｈ）、１．２９−１．４２（ｍ，６Ｈ）、０．８９（ｔ，３Ｈ，Ｊ＝７．０Ｈｚ）

（ステップ６：化合物２５の合成）
温度計を備えた３つ口反応器に、窒素気流中、前記ステップ４で合成した中間体Ｋ１ １．９５ｇ（１．９６ｍｍｏｌ）、前記ステップ５で合成した中間体Ｊ ４４１ｍｇ（１．７６ｍｍｏｌ）、（±）−１０−カンファスルホン酸 ４５．６ｍｇ（０．１９６ｍｍｏｌ）、ＴＨＦ２４ｍｌ、及びエタノール６ｍｌを加え、均一な溶液とした。その後、全容を４０℃にて５時間攪拌した。反応終了後、反応液を水１００ｍｌに投入し、クロロホルム２００ｍｌで抽出した。クロロホルム層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、硫酸ナトリウムをろ別した。ロータリーエバポレーターにてろ液からクロロホルムを減圧留去して、黄色固体を得た。この黄色固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン：酢酸エチル＝９５：５）により精製し、淡黄色固体として化合物２５を１．５６ｇ得た（収率：６４．９％）。
目的物の構造は^１Ｈ−ＮＭＲで同定した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，ＴＭＳ，δｐｐｍ）：７．７５（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．５Ｈｚ）、７．６６−７．７０（ｍ，３Ｈ）、７．３４（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，７．８Ｈｚ）、７．０９−７．１８（ｍ，３Ｈ）、６．９６−７．００（ｍ，４Ｈ）、６．８６−６．９０（ｍ，４Ｈ）、６．４１（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，１７．５Ｈｚ）、６．１２（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝１０．５Ｈｚ，１７．５Ｈｚ）、５．８１（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，１０．５Ｈｚ）、４．３０（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝７．５Ｈｚ）、４．１６（ｔ，４Ｈ，Ｊ＝６．５Ｈｚ）、３．９４（ｔ，４Ｈ，Ｊ＝６．５Ｈｚ）、２．５６−２．７２（ｍ，４Ｈ）、２．２７−２．３８（ｍ，８Ｈ）、１．６５−１．８１（ｍ，１８Ｈ）、１．３２−１．４９（ｍ，２２Ｈ）、０．９０（ｔ，３Ｈ，Ｊ＝７．５Ｈｚ）

〔比較例２〕
（Ｃ２−１．組成物（Ａ０−１）の調製）
下記表７に示す組成の混合物を均一になるように攪拌し、０．６μｍのフィルタで濾過して、組成物（Ａ０−１）を得た。

（Ｃ２−２．位相差板の製造）
組成物（Ａ０）に代えて組成物（Ａ０−１）を使用した以外は、比較例１の（Ｃ１−２）と同様に行い、組成物（Ａ０−１）の層からなる複層物を得て、さらに、支持体、及びその上に設けられた膜厚１．５μｍの光学異方性層からなる位相差板を得た。

（Ｃ２−３．波長分散測定）
工程（Ｃ２−２）で作製した位相差板について、比較例１（Ｃ１−３）と同様に、様々な波長λにおいて複屈折Δｎを測定し、Δｎの波長分散特性を求めた。測定した波長分散特性を、図１４に示す。
測定結果より、Ｒｅ０（４５０ｎｍ）／Ｒｅ０（５５０ｎｍ）＝０．８２４、Ｒｅ０（６５０ｎｍ）／Ｒｅ０（５５０ｎｍ）＝１．０３１であった。

（Ｃ２−４．屈折率波長分散測定）
工程（Ｃ２−２）で作製した位相差板について、比較例１（Ｃ１−４）と同様に屈折率測定を行った。波長λが４０７ｎｍ、５３２ｎｍ、及び６３３ｎｍである場合における屈折率を測定し、３波長の測定値からコーシーフィッティングを行った結果を図１５に示す。図１５中、破線は進相軸方向の屈折率、実線は遅相軸方向の屈折率を示す。進相軸方向の屈折率は遅相軸方向の屈折率と比較して、値が小さく波長分散が大きいことから、本位相差板が逆波長分散特性を示すことがわかる。

〔実施例６〕
（６−１．組成物（Ａ−６）の調製）
下記表８に示す組成の混合物を均一になるように攪拌し、０．６μｍのフィルタで濾過して、組成物（Ａ−６）を得た。

組成物（Ａ−６）とは別に、重合性モノマー（ＩＶ）をシクロペンタノンに２０．０重量％添加した組成物を調製し、配向処理をした基材上に塗布し、さらに一度溶剤を乾燥させた後、温度を室温〜２００℃の範囲で変化させ、液晶性の有無を偏光顕微鏡にて観察したところ、非液晶性であった。

（６−２．位相差板の製造及び評価）
工程（Ｃ２−１）で得た組成物（Ａ０−１）の代わりに、工程（６−１）で得た組成物（Ａ−６）を用いた他は、比較例２の工程（Ｃ２−２）と同様にして、位相差板を製造した。得られた位相差板の光学異方性層の膜厚は１．３μｍであった。
得られた位相差板について、比較例２の工程（Ｃ２−３）と同様にして、様々な波長λにおいて複屈折Δｎを測定し、Δｎの波長分散特性を求めた。測定した波長分散特性を、図１６に、比較例２の結果と対比させて示す。図１６中、実線は実施例６の結果を示し、破線は比較例２の結果を示す。
測定結果より、Ｒｅ（４５０ｎｍ）／Ｒｅ（５５０ｎｍ）＝０．９１８、Ｒｅ（６５０ｎｍ）／Ｒｅ（５５０ｎｍ）＝０．９８２となり、比較例２と比べ逆分散性が小さくなった。
また、得られた位相差板について、比較例２の工程（Ｃ２−４）と同様にして、屈折率を測定した。測定された３波長の測定値からコーシーフィッティングを行った結果を、図１７に、比較例２の結果と対比させて示す。図１７中実線は実施例６の結果を示し、破線は比較例２の結果を示す。遅相軸方向の屈折率の波長分散は比較例２より小さくなり、進相軸方向の屈折率の波長分散も比較例２と比べて小さくなった。この結果、位相差板のΔｎの逆波長分散特性が大きくなった。

Claims (14)

1. 逆波長分散重合性液晶化合物と重合性モノマーとを含有する組成物（Ａ）を硬化させてなる光学異方性層を有する位相差板であって、
   前記逆波長分散重合性液晶化合物は、分子中に主鎖メソゲンと前記主鎖メソゲンに結合した側鎖メソゲンとを有し、
   前記光学異方性層において、前記逆波長分散重合性液晶化合物の前記主鎖メソゲン及び前記側鎖メソゲンは、異なる方向に配向し、それにより、前記光学異方性層の複屈折Δｎが逆波長分散特性を有し、
   前記組成物（Ａ）における前記重合性モノマーを前記逆波長分散重合性液晶化合物に置換した組成物（Ａ０）を硬化させてなる層の波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍにおけるリタデーションＲｅ０（４５０ｎｍ）、Ｒｅ０（５５０ｎｍ）およびＲｅ０（６５０ｎｍ）と、前記光学異方性層の波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍにおけるリタデーションＲｅ（４５０ｎｍ）、Ｒｅ（５５０ｎｍ）およびＲｅ（６５０ｎｍ）とが、以下の式（ｉ）及び（ｉｉ）の関係を満たし：
   Ｒｅ０（４５０ｎｍ）／Ｒｅ０（５５０ｎｍ）＞Ｒｅ（４５０ｎｍ）／Ｒｅ（５５０ｎｍ） 式（ｉ）
   Ｒｅ０（６５０ｎｍ）／Ｒｅ０（５５０ｎｍ）＜Ｒｅ（６５０ｎｍ）／Ｒｅ（５５０ｎｍ） 式（ｉｉ）、
   前記逆波長分散重合性液晶化合物が、下記式（Ｉ）：
   

   

   〔式中、Ｙ ^１ 〜Ｙ ^６ はそれぞれ独立して、化学的な単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ ^１ −Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ ^１ −、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ ^１ −、−ＮＲ ^１ −Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ ^１ −Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ ^１ −、−Ｏ−ＮＲ ^１ −、又は、−ＮＲ ^１ −Ｏ−を表す。ここで、Ｒ ^１ は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
   Ｇ ^１ 、Ｇ ^２ はそれぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の２価の脂肪族基を表す〔該脂肪族基には、１つの脂肪族基あたり１以上の−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ ^２ −Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ ^２ −、−ＮＲ ^２ −、又は、−Ｃ（＝Ｏ）−が介在していてもよい。ただし、−Ｏ−又は−Ｓ−がそれぞれ２以上隣接して介在する場合を除く。ここで、Ｒ ^２ は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。〕。
   Ｚ ^１ 、Ｚ ^２ はそれぞれ独立して、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２〜１０のアルケニル基を表す。
   Ａ ^ｘ は芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表し、Ａ ^ｙ は水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜１２のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜１２のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ ^３ 、−ＳＯ _２ −Ｒ ^６ 、又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。前記Ａ ^ｘ 及びＡ ^ｙ が有する芳香環は置換基を有していてもよい。また、前記Ａ ^ｘ とＡ ^ｙ は一緒になって、環を形成していてもよい。ここで、Ｒ ^３ は、置換基を有していてもよい炭素数１〜１２のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜１２のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基を表し、Ｒ ^６ は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表す。
   Ａ ^１ は、置換基を有していてもよい三価の芳香族基を表す。
   Ａ ^２ 、Ａ ^３ はそれぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数６〜３０の二価の芳香族基を表す。
   Ｑ ^１ は、水素原子、又は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。〕
   で示される化合物である、位相差板。
2. 逆波長分散重合性液晶化合物と重合性モノマーとを含有する組成物（Ａ）を硬化させてなる光学異方性層を有する位相差板であって、
   前記逆波長分散重合性液晶化合物は、分子中に主鎖メソゲンと前記主鎖メソゲンに結合した側鎖メソゲンとを有し、
   前記光学異方性層において、前記逆波長分散重合性液晶化合物の前記主鎖メソゲン及び前記側鎖メソゲンは、異なる方向に配向し、それにより、前記光学異方性層の複屈折Δｎが逆波長分散特性を有し、
   前記組成物（Ａ）における前記重合性モノマーを前記逆波長分散重合性液晶化合物に置換した組成物（Ａ０）を硬化させてなる層の波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍにおけるリタデーションＲｅ０（４５０ｎｍ）、Ｒｅ０（５５０ｎｍ）およびＲｅ０（６５０ｎｍ）と、前記光学異方性層の波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍにおけるリタデーションＲｅ（４５０ｎｍ）、Ｒｅ（５５０ｎｍ）およびＲｅ（６５０ｎｍ）とが、以下の式（ｉ）及び（ｉｉ）の関係を満たし：
   Ｒｅ０（４５０ｎｍ）／Ｒｅ０（５５０ｎｍ）＞Ｒｅ（４５０ｎｍ）／Ｒｅ（５５０ｎｍ） 式（ｉ）
   Ｒｅ０（６５０ｎｍ）／Ｒｅ０（５５０ｎｍ）＜Ｒｅ（６５０ｎｍ）／Ｒｅ（５５０ｎｍ） 式（ｉｉ）、
   前記逆波長分散重合性液晶化合物が、下記式（Ｖ）：
   

   

   〔式中、Ｙ ^１ｗ 〜Ｙ ^８ｗ はそれぞれ独立して、化学的な単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ ^１ −Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ ^１ −、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ ^１ −、−ＮＲ ^１ −Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ ^１ −Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ ^１ −、−Ｏ−ＮＲ ^１ −、又は、−ＮＲ ^１ −Ｏ−を表す。ここで、Ｒ ^１ は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
   Ｇ ^１ｗ 、Ｇ ^２ｗ はそれぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の二価の鎖状脂肪族基を表す。また、前記鎖状脂肪族基には、１つの脂肪族基あたり１以上の−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ ^２ｗ −Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ ^２ｗ −、−ＮＲ ^２ｗ −、又は、−Ｃ（＝Ｏ）−が介在していてもよい。ただし、−Ｏ−又は−Ｓ−がそれぞれ２以上隣接して介在する場合を除く。ここで、Ｒ ^２ｗ は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
   Ｚ ^１ｗ 、Ｚ ^２ｗ はそれぞれ独立して、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２〜１０のアルケニル基を表す。
   Ａ ^ｘｗ は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。
   Ａ ^ｙｗ は、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ ^３ｗ 、−ＳＯ _２ −Ｒ ^４ｗ 、−Ｃ（＝Ｓ）ＮＨ−Ｒ ^９ｗ 、又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。ここで、Ｒ ^３ｗ は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、炭素数５〜１２の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ ^４ｗ は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表し、Ｒ ^９ｗ は置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数５〜２０の芳香族基を表す。前記Ａ ^ｘｗ 及びＡ ^ｙｗ が有する芳香環は置換基を有していてもよい。また、前記Ａ ^ｘｗ とＡ ^ｙｗ は一緒になって、環を形成していてもよい。
   Ａ ^１ｗ は置換基を有していてもよい三価の芳香族基を表す。
   Ａ ^２ｗ 、Ａ ^３ｗ はそれぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数３〜３０の二価の脂環式炭化水素基を表し、
   Ａ ^４ｗ 、Ａ ^５ｗ はそれぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数６〜３０の二価の芳香族基を表す。
   Ｑ ^１ｗ は、水素原子、又は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。〕
   で示される化合物である、位相差板。
3. 逆波長分散重合性液晶化合物と重合性モノマーとを含有する組成物（Ａ）を硬化させてなる光学異方性層を有する位相差板であって、
   前記逆波長分散重合性液晶化合物は、分子中に主鎖メソゲンと前記主鎖メソゲンに結合した側鎖メソゲンとを有し、
   前記光学異方性層において、前記逆波長分散重合性液晶化合物の前記主鎖メソゲン及び前記側鎖メソゲンは、異なる方向に配向し、それにより、前記光学異方性層の複屈折Δｎが逆波長分散特性を有し、
   前記組成物（Ａ）における前記重合性モノマーを前記逆波長分散重合性液晶化合物に置換した組成物（Ａ０）を硬化させてなる層の波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍにおけるリタデーションＲｅ０（４５０ｎｍ）、Ｒｅ０（５５０ｎｍ）およびＲｅ０（６５０ｎｍ）と、前記光学異方性層の波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍにおけるリタデーションＲｅ（４５０ｎｍ）、Ｒｅ（５５０ｎｍ）およびＲｅ（６５０ｎｍ）とが、以下の式（ｉｉｉ）及び（ｉｖ）の関係を満たし：
   Ｒｅ０（４５０ｎｍ）／Ｒｅ０（５５０ｎｍ）＜Ｒｅ（４５０ｎｍ）／Ｒｅ（５５０ｎｍ） 式（ｉｉｉ）
   Ｒｅ０（６５０ｎｍ）／Ｒｅ０（５５０ｎｍ）＞Ｒｅ（６５０ｎｍ）／Ｒｅ（５５０ｎｍ） 式（ｉｖ）、
   前記逆波長分散重合性液晶化合物が、下記式（Ｉ）：
   

   

   〔式中、Ｙ ^１ 〜Ｙ ^６ はそれぞれ独立して、化学的な単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ ^１ −Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ ^１ −、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ ^１ −、−ＮＲ ^１ −Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ ^１ −Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ ^１ −、−Ｏ−ＮＲ ^１ −、又は、−ＮＲ ^１ −Ｏ−を表す。ここで、Ｒ ^１ は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
   Ｇ ^１ 、Ｇ ^２ はそれぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の２価の脂肪族基を表す〔該脂肪族基には、１つの脂肪族基あたり１以上の−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ ^２ −Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ ^２ −、−ＮＲ ^２ −、又は、−Ｃ（＝Ｏ）−が介在していてもよい。ただし、−Ｏ−又は−Ｓ−がそれぞれ２以上隣接して介在する場合を除く。ここで、Ｒ ^２ は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。〕。
   Ｚ ^１ 、Ｚ ^２ はそれぞれ独立して、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２〜１０のアルケニル基を表す。
   Ａ ^ｘ は芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表し、Ａ ^ｙ は水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜１２のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜１２のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ ^３ 、−ＳＯ _２ −Ｒ ^６ 、又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。前記Ａ ^ｘ 及びＡ ^ｙ が有する芳香環は置換基を有していてもよい。また、前記Ａ ^ｘ とＡ ^ｙ は一緒になって、環を形成していてもよい。ここで、Ｒ ^３ は、置換基を有していてもよい炭素数１〜１２のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜１２のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基を表し、Ｒ ^６ は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表す。
   Ａ ^１ は、置換基を有していてもよい三価の芳香族基を表す。
   Ａ ^２ 、Ａ ^３ はそれぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数６〜３０の二価の芳香族基を表す。
   Ｑ ^１ は、水素原子、又は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。〕
   で示される化合物である、位相差板。
4. 逆波長分散重合性液晶化合物と重合性モノマーとを含有する組成物（Ａ）を硬化させてなる光学異方性層を有する位相差板であって、
   前記逆波長分散重合性液晶化合物は、分子中に主鎖メソゲンと前記主鎖メソゲンに結合した側鎖メソゲンとを有し、
   前記光学異方性層において、前記逆波長分散重合性液晶化合物の前記主鎖メソゲン及び前記側鎖メソゲンは、異なる方向に配向し、それにより、前記光学異方性層の複屈折Δｎが逆波長分散特性を有し、
   前記組成物（Ａ）における前記重合性モノマーを前記逆波長分散重合性液晶化合物に置換した組成物（Ａ０）を硬化させてなる層の波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍにおけるリタデーションＲｅ０（４５０ｎｍ）、Ｒｅ０（５５０ｎｍ）およびＲｅ０（６５０ｎｍ）と、前記光学異方性層の波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍにおけるリタデーションＲｅ（４５０ｎｍ）、Ｒｅ（５５０ｎｍ）およびＲｅ（６５０ｎｍ）とが、以下の式（ｉｉｉ）及び（ｉｖ）の関係を満たし：
   Ｒｅ０（４５０ｎｍ）／Ｒｅ０（５５０ｎｍ）＜Ｒｅ（４５０ｎｍ）／Ｒｅ（５５０ｎｍ） 式（ｉｉｉ）
   Ｒｅ０（６５０ｎｍ）／Ｒｅ０（５５０ｎｍ）＞Ｒｅ（６５０ｎｍ）／Ｒｅ（５５０ｎｍ） 式（ｉｖ）、
   前記逆波長分散重合性液晶化合物が、下記式（Ｖ）：
   

   

   〔式中、Ｙ ^１ｗ 〜Ｙ ^８ｗ はそれぞれ独立して、化学的な単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ ^１ −Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ ^１ −、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ ^１ −、−ＮＲ ^１ −Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ ^１ −Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ ^１ −、−Ｏ−ＮＲ ^１ −、又は、−ＮＲ ^１ −Ｏ−を表す。ここで、Ｒ ^１ は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
   Ｇ ^１ｗ 、Ｇ ^２ｗ はそれぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の二価の鎖状脂肪族基を表す。また、前記鎖状脂肪族基には、１つの脂肪族基あたり１以上の−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ ^２ｗ −Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ ^２ｗ −、−ＮＲ ^２ｗ −、又は、−Ｃ（＝Ｏ）−が介在していてもよい。ただし、−Ｏ−又は−Ｓ−がそれぞれ２以上隣接して介在する場合を除く。ここで、Ｒ ^２ｗ は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
   Ｚ ^１ｗ 、Ｚ ^２ｗ はそれぞれ独立して、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２〜１０のアルケニル基を表す。
   Ａ ^ｘｗ は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。
   Ａ ^ｙｗ は、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ ^３ｗ 、−ＳＯ _２ −Ｒ ^４ｗ 、−Ｃ（＝Ｓ）ＮＨ−Ｒ ^９ｗ 、又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。ここで、Ｒ ^３ｗ は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、炭素数５〜１２の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ ^４ｗ は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表し、Ｒ ^９ｗ は置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数５〜２０の芳香族基を表す。前記Ａ ^ｘｗ 及びＡ ^ｙｗ が有する芳香環は置換基を有していてもよい。また、前記Ａ ^ｘｗ とＡ ^ｙｗ は一緒になって、環を形成していてもよい。
   Ａ ^１ｗ は置換基を有していてもよい三価の芳香族基を表す。
   Ａ ^２ｗ 、Ａ ^３ｗ はそれぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数３〜３０の二価の脂環式炭化水素基を表し、
   Ａ ^４ｗ 、Ａ ^５ｗ はそれぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数６〜３０の二価の芳香族基を表す。
   Ｑ ^１ｗ は、水素原子、又は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。〕
   で示される化合物である、位相差板。
5. 前記重合性モノマーがメソゲンを有し、前記光学異方性層において、前記重合性モノマーのメソゲンが前記逆波長分散重合性液晶化合物の主鎖メソゲンと平行に配向している請求項１〜４のいずれか１項に記載の位相差板。
6. 逆波長分散重合性液晶化合物と重合性モノマーとを含有する組成物（Ａ）を硬化させてなる光学異方性層を有する位相差板であって、
   前記逆波長分散重合性液晶化合物は、分子中に主鎖メソゲンと前記主鎖メソゲンに結合した側鎖メソゲンとを有し、
   前記光学異方性層において、前記逆波長分散重合性液晶化合物の前記主鎖メソゲン及び前記側鎖メソゲンは、異なる方向に配向し、それにより、前記光学異方性層の複屈折Δｎが逆波長分散特性を有し、
   前記重合性モノマーがメソゲンを有し、前記光学異方性層において、前記重合性モノマーのメソゲンが前記逆波長分散重合性液晶化合物の側鎖メソゲンと平行に配向しており、
   前記組成物（Ａ）における前記重合性モノマーを前記逆波長分散重合性液晶化合物に置換した組成物（Ａ０）を硬化させてなる層の波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍにおけるリタデーションＲｅ０（４５０ｎｍ）、Ｒｅ０（５５０ｎｍ）およびＲｅ０（６５０ｎｍ）と、前記光学異方性層の波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍにおけるリタデーションＲｅ（４５０ｎｍ）、Ｒｅ（５５０ｎｍ）およびＲｅ（６５０ｎｍ）とが、以下の式（ｉ）及び（ｉｉ）の関係を満たす位相差板：
   Ｒｅ０（４５０ｎｍ）／Ｒｅ０（５５０ｎｍ）＞Ｒｅ（４５０ｎｍ）／Ｒｅ（５５０ｎｍ） 式（ｉ）
   Ｒｅ０（６５０ｎｍ）／Ｒｅ０（５５０ｎｍ）＜Ｒｅ（６５０ｎｍ）／Ｒｅ（５５０ｎｍ） 式（ｉｉ）。
7. 逆波長分散重合性液晶化合物と重合性モノマーとを含有する組成物（Ａ）を硬化させてなる光学異方性層を有する位相差板であって、
   前記逆波長分散重合性液晶化合物は、分子中に主鎖メソゲンと前記主鎖メソゲンに結合した側鎖メソゲンとを有し、
   前記光学異方性層において、前記逆波長分散重合性液晶化合物の前記主鎖メソゲン及び前記側鎖メソゲンは、異なる方向に配向し、それにより、前記光学異方性層の複屈折Δｎが逆波長分散特性を有し、
   前記重合性モノマーがメソゲンを有し、前記光学異方性層において、前記重合性モノマーのメソゲンが前記逆波長分散重合性液晶化合物の側鎖メソゲンと平行に配向しており、
   前記組成物（Ａ）における前記重合性モノマーを前記逆波長分散重合性液晶化合物に置換した組成物（Ａ０）を硬化させてなる層の波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍにおけるリタデーションＲｅ０（４５０ｎｍ）、Ｒｅ０（５５０ｎｍ）およびＲｅ０（６５０ｎｍ）と、前記光学異方性層の波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍにおけるリタデーションＲｅ（４５０ｎｍ）、Ｒｅ（５５０ｎｍ）およびＲｅ（６５０ｎｍ）とが、以下の式（ｉｉｉ）及び（ｉｖ）の関係を満たす位相差板：
   Ｒｅ０（４５０ｎｍ）／Ｒｅ０（５５０ｎｍ）＜Ｒｅ（４５０ｎｍ）／Ｒｅ（５５０ｎｍ） 式（ｉｉｉ）
   Ｒｅ０（６５０ｎｍ）／Ｒｅ０（５５０ｎｍ）＞Ｒｅ（６５０ｎｍ）／Ｒｅ（５５０ｎｍ） 式（ｉｖ）。
8. 前記逆波長分散重合性液晶化合物が、下記式（Ｉ）：
   

   

   〔式中、Ｙ^１〜Ｙ^６はそれぞれ独立して、化学的な単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−Ｏ−ＮＲ^１−、又は、−ＮＲ^１−Ｏ−を表す。ここで、Ｒ^１は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
   Ｇ^１、Ｇ^２はそれぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の２価の脂肪族基を表す〔該脂肪族基には、１つの脂肪族基あたり１以上の−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^２−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２−、−ＮＲ^２−、又は、−Ｃ（＝Ｏ）−が介在していてもよい。ただし、−Ｏ−又は−Ｓ−がそれぞれ２以上隣接して介在する場合を除く。ここで、Ｒ^２は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。〕。
   Ｚ^１、Ｚ^２はそれぞれ独立して、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２〜１０のアルケニル基を表す。
   Ａ^ｘは芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表し、Ａ^ｙは水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜１２のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜１２のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^３、−ＳＯ_２−Ｒ^６、又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。前記Ａ^ｘ及びＡ^ｙが有する芳香環は置換基を有していてもよい。また、前記Ａ^ｘとＡ^ｙは一緒になって、環を形成していてもよい。ここで、Ｒ^３は、置換基を有していてもよい炭素数１〜１２のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜１２のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基を表し、Ｒ^６は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表す。
   Ａ^１は、置換基を有していてもよい三価の芳香族基を表す。
   Ａ^２、Ａ^３はそれぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数６〜３０の二価の芳香族基を表す。
   Ｑ^１は、水素原子、又は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。〕
   で示される化合物である、請求項６又は７に記載の位相差板。
9. 前記逆波長分散重合性液晶化合物が、下記式（Ｖ）：
   

   

   〔式中、Ｙ^１ｗ〜Ｙ^８ｗはそれぞれ独立して、化学的な単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−Ｏ−ＮＲ^１−、又は、−ＮＲ^１−Ｏ−を表す。ここで、Ｒ^１は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
   Ｇ^１ｗ、Ｇ^２ｗはそれぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の二価の鎖状脂肪族基を表す。また、前記鎖状脂肪族基には、１つの脂肪族基あたり１以上の−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^２ｗ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２ｗ−、−ＮＲ^２ｗ−、又は、−Ｃ（＝Ｏ）−が介在していてもよい。ただし、−Ｏ−又は−Ｓ−がそれぞれ２以上隣接して介在する場合を除く。ここで、Ｒ^２ｗは、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
   Ｚ^１ｗ、Ｚ^２ｗはそれぞれ独立して、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２〜１０のアルケニル基を表す。
   Ａ^ｘｗは、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。
   Ａ^ｙｗは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^３ｗ、−ＳＯ_２−Ｒ^４ｗ、−Ｃ（＝Ｓ）ＮＨ−Ｒ^９ｗ、又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。ここで、Ｒ^３ｗは、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、炭素数５〜１２の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ^４ｗは、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表し、Ｒ^９ｗは置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数５〜２０の芳香族基を表す。前記Ａ^ｘｗ及びＡ^ｙｗが有する芳香環は置換基を有していてもよい。また、前記Ａ^ｘｗとＡ^ｙｗは一緒になって、環を形成していてもよい。
   Ａ^１ｗは置換基を有していてもよい三価の芳香族基を表す。
   Ａ^２ｗ、Ａ^３ｗはそれぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数３〜３０の二価の脂環式炭化水素基を表し、
   Ａ^４ｗ、Ａ^５ｗはそれぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数６〜３０の二価の芳香族基を表す。
   Ｑ^１ｗは、水素原子、又は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。〕
   で示される化合物である、請求項６又は７に記載の位相差板。
10. 前記重合性モノマーが、下記式（ＩＩＩ）：
    

    

    （式（ＩＩＩ）中、Ｙ^１ｘ〜Ｙ^６ｘ、Ｇ^１ｘ、Ｇ^２ｘ、Ｚ^１ｘ、Ｚ^２ｘ、Ａ^ｘｘ、Ａ^ｙｘ、Ａ^１ｘ〜Ａ^３ｘ、及びＱ^１ｘは、それぞれ、式（Ｉ）のＹ^１〜Ｙ^６、Ｇ^１、Ｇ^２、Ｚ^１、Ｚ^２、Ａ^ｘ、Ａ^ｙ、Ａ^１〜Ａ^３、及びＱ^１と同じ意味を表す。但し、これらのうちの少なくとも１つ以上が、共に用いる化合物（Ｉ）中の対応する基と異なるものである。）
    で表される非液晶性の化合物である、請求項１、３、及び８のいずれか１項に記載の位相差板。
11. 組成物（Ａ）における、前記逆波長分散重合性液晶化合物１００重量部に対する前記重合性モノマーの配合割合が１〜１００重量部である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の位相差板。
12. 請求項１〜１１のいずれか１項に記載の位相差板と直線偏光子とを備える円偏光板。
13. 前記位相差板の波長５５０ｎｍにおける位相差が１００〜１５０ｎｍであり、前記位相差板の遅相軸と前記直線偏光子の透過軸との間の角度が４５°である請求項１２に記載の円偏光板。
14. 請求項１〜１１のいずれか１項に記載の位相差板を備える画像表示装置。

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