JP5843393B2 - 単結晶基板の製造方法、単結晶基板、および、内部改質層形成単結晶部材の製造方法 - Google Patents
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Description
単結晶部材10上に非接触に配置する集光レンズ15は、単結晶部材10の屈折率に起因する収差を補正する構成になっている。具体的には、図1に示すように、本実施形態では、集光レンズ15は、空気中で集光した際に、集光レンズ15の外周部Eに到達したレーザ光が集光レンズ15の中央部Mに到達したレーザ光よりも集光レンズ側で集光するように補正する構成になっている。すなわち、集光した際、集光レンズ15の外周部Eに到達したレーザ光の集光点EPが、集光レンズ15の中央部Mに到達したレーザ光の集光点MPに比べ、集光レンズ15に近い位置となるように補正する構成になっている。
集光レンズ15と単結晶部材10とを相対的に移動させて単結晶部材10内部に改質層12を形成する工程(第2工程)としては、例えば、単結晶部材10をXYステージ(図示せず)上に載置し、真空チャック、静電チャックなどでこの単結晶部材10を保持する。
この後、改質層12と単結晶層10uとの剥離を行う(第3工程)。本実施形態では、まず、内部改質層形成単結晶部材11の側壁に改質層12を露出させる。露出させるには、例えば、単結晶部10d、単結晶層10uの所定の結晶面に沿ってへき開する。この結果、図5に示すように、単結晶層10uと単結晶部10dとによって改質層12が挟まれた構造のものが得られる。なお、単結晶層10uの表面10tはレーザ光Bの被照射側の面である。
本発明者は、以下の実験を行い、第3工程で剥離して得られた単結晶基板10sの剥離面10f、および、剥離されたことで形成された単結晶部10u側の剥離面の表面粗さRaをそれぞれ測定した。実験条件および測定結果を図13に示す。なお、本実験例では、収差補正を行う際には収差補正環40を用いた。
実施例1では、波長1064nmのレーザ光を供給するファイバーレーザAと、集光レンズ45として開口数0.85の赤外用対物レンズと、上述の収差補正環40とを用い、レーザ光を、内部改質層形成単結晶部材10としてシリコンウエハ基板(厚み725μmの両面ミラー(100))へ基板表面から照射して内部加工する実験を行った。照射条件としては、レーザ照射間隔1μm、オフセット10μm、空気中換算でDF80μm、シリコンウエハ基板に対する収差補正環40の調整長さ0〜1mmとした。内部加工痕の状態の観察としては、レーザ走査方向に対して垂直な加工断面をへき開して得られた断面を、光学顕微鏡およびレーザ共焦点顕微鏡で観察した。実施例1では、以下のように照射条件を少しずつ変更して実施例1A〜1Dを行った。
図14は、実施例1Aで得られた単結晶基板(シリコンウエハ)10sの断面の光学顕微鏡写真である。図15は、実施例1Bで得られた単結晶基板(シリコンウエハ)10sの断面のレーザ共焦点顕微鏡写真であり、図14の部分拡大図に相当する。
図16は、実施例1Bで得られた単結晶基板(シリコンウエハ)10sの断面の光学顕微鏡写真である。図17は、実施例1Bで得られた単結晶基板(シリコンウエハ)10sの断面のレーザ共焦点顕微鏡写真であり、図16の部分拡大図に相当する。
図18は、実施例1Cで得られた単結晶基板(シリコンウエハ)10sの断面の光学顕微鏡写真である。図19は、実施例1Cで得られた単結晶基板(シリコンウエハ)10sの断面のレーザ共焦点顕微鏡写真であり、図18の部分拡大図に相当する。
図20は、実施例1Dで得られた単結晶基板(シリコンウエハ)10sの断面の光学顕微鏡写真である。図21は、実施例1Dで得られた単結晶基板(シリコンウエハ)10sの断面のレーザ共焦点顕微鏡写真であり、図20の部分拡大図に相当する。
図22は、実施例2で得られた単結晶基板(シリコンウエハ)10sの断面のレーザ共焦点顕微鏡写真である。
実施例3では、波長1062nmのレーザ光を供給するファイバーレーザBと、集光レンズ45として開口数0.85の赤外用対物レンズとを用い、レーザ光をシリコンウエハ基板(厚み725μmの両面ミラー(100))へ照射して内部加工する実験を行った。
図23は、実施例3Aで得られた単結晶基板(シリコンウエハ)10sの断面のレーザ共焦点顕微鏡写真である。実施例3Aでは、オフセット1μmとした。
図24は、実施例3Bで得られた単結晶基板(シリコンウエハ)10sの断面のレーザ共焦点顕微鏡写真である。実施例3Bでは、オフセット5μmとした。
実施例4では、波長1062nmのレーザ光を供給するファイバーレーザBと、集光レンズ45として開口数0.85の赤外用対物レンズとを用い、レーザ光をシリコンウエハ基板(厚み725μmの両面ミラー(100))へ照射して内部加工する実験を行った。
図25は、実施例4Aで得られた単結晶基板(シリコンウエハ)10sの断面のレーザ共焦点顕微鏡写真である。実施例4Aでは照射回数を1回とした。
図26は、実施例4Bで得られた単結晶基板(シリコンウエハ)10sの断面のレーザ共焦点顕微鏡写真である。実施例4Bでは照射回数を2回とした。
図27は、実施例4Cで得られた単結晶基板(シリコンウエハ)10sの断面のレーザ共焦点顕微鏡写真である。実施例4Cでは照射回数を3回とした。
図28は、実施例5で得られた単結晶基板(シリコンウエハ)10sの剥離面10fのレーザ共焦点顕微鏡写真であり、図29は、実施例5で得られた単結晶部10u側の剥離面のレーザ共焦点顕微鏡写真である。
図30は、実施例6で得られた単結晶基板(シリコンウエハ)10sの剥離面のレーザ共焦点顕微鏡写真であり、図31は、実施例6で得られた単結晶部10u側の剥離面のレーザ共焦点顕微鏡写真である。また、図32は、実施例6で得られた単結晶基板10sの剥離面のSEM観察像であり、図33は、実施例6で得られた単結晶部10u側の剥離面のSEM観察像である。
図34は、実施例7で得られた単結晶基板(シリコンウエハ)10sの剥離面のレーザ共焦点顕微鏡写真であり、図35は、実施例7で得られた単結晶部10u側の剥離面のレーザ共焦点顕微鏡写真である。また、図36は、実施例6で得られた単結晶基板10sの剥離面のSEM観察像であり、図37は、実施例7で得られた単結晶部10u側の剥離面のSEM観察像である。
実施例8では、波長1062nmのレーザ光を供給するファイバーレーザBと、集光レンズ45として開口数0.85の赤外用対物レンズとを用い、レーザ光をシリコンウエハ基板(厚み725μmの両面ミラー(100))へ照射して内部加工する実験を行った。
実施例9では、波長1062nmのレーザ光を供給するファイバーレーザBと、集光レンズ45として開口数0.85の赤外用対物レンズとを用い、レーザ光をシリコンウエハ基板(厚み725μmの両面ミラー(100))へ照射して内部加工する実験を行った。
実施例10では、波長1062nmのレーザ光を供給するファイバーレーザBと、集光レンズ45として開口数0.85の赤外用対物レンズとを用い、レーザ光をシリコンウエハ基板(厚み725μmの両面ミラー(100))へ照射して内部加工する実験を行った。
実施例11では、波長1064nmのレーザ光を供給するファイバーレーザCと、集光レンズ45として開口数0.85の赤外用対物レンズとを用い、レーザ光をシリコンウエハ基板(厚み725μmの両面ミラー(100))へ照射して内部加工する実験を行った。
実施例12では、波長1062nmのレーザ光を供給するファイバーレーザDと、集光レンズ45として開口数0.85の赤外用対物レンズとを用い、レーザ光をシリコンウエハ基板(厚み725μmの両面ミラー(100))へ照射して内部加工する実験を行った。
実施例13では、波長1062nmのレーザ光を供給するファイバーレーザDと、集光レンズ45として開口数0.85の赤外用対物レンズとを用い、レーザ光をシリコンウエハ基板(厚み725μmの両面ミラー(100))へ照射して内部加工する実験を行った。
図38は、比較例1で得られた単結晶基板(シリコンウエハ)の剥離面のレーザ共焦点顕微鏡写真であり、図39は、比較例1で得られた単結晶部側の剥離面のレーザ共焦点顕微鏡写真である。また、図40は、比較例1で得られた単結晶基板の剥離面のSEM観察像であり、図41は、比較例1で得られた単結晶部側の剥離面のSEM観察像である。
比較例2では、波長1064nmのレーザ光を供給するファイバーレーザCと、集光レンズ45として開口数0.85の赤外用対物レンズとを用い、レーザ光をシリコンウエハ基板(厚み725μmの両面ミラー(100))へ照射して内部加工する実験を行った。
比較例3では、波長1062nmのレーザ光を供給するファイバーレーザDと、集光レンズ45として開口数0.85の赤外用対物レンズとを用い、レーザ光をシリコンウエハ基板(厚み725μmの両面ミラー(100))へ照射して内部加工する実験を行った。
本発明者は、波長1062nmのレーザ光を供給するファイバーレーザBと、集光レンズ45として開口数0.85の赤外用対物レンズとを用い、レーザ光をシリコンウエハ基板(厚み725μmの両面ミラー(100))へ照射して内部加工する実験を行った。
10u 単結晶層
10s 単結晶基板
10t 表面
10f 剥離面
11 内部改質層形成単結晶部材
12 改質層
15 集光レンズ(レーザ集光手段)
40 収差補正環
45 集光レンズ
B レーザ光
Claims (8)
- 単結晶部材上に非接触にレーザ集光手段を配置する第1工程と、
前記レーザ集光手段により、前記単結晶部材表面にレーザ光を照射して前記単結晶部材内部に前記レーザ光を集光するとともに、前記レーザ集光手段と前記単結晶部材とを相対的に移動させて、前記単結晶部材内部に2次元状の改質層を形成する第2工程と、
前記改質層により分断されてなる単結晶層を前記改質層から剥離することで単結晶基板を形成する第3工程と、
を備え、前記第3工程で形成した前記単結晶基板の剥離面の表面粗さRaが1未満となるように、前記第2工程でレーザ光の照射条件を調整することを特徴とする単結晶基板の製造方法。 - 前記第2工程でレーザ光の照射条件を調整する際、前記レーザ集光手段に設けた集光レンズ通過後のレーザ光のエネルギーを調整することを特徴とする請求項1に記載の単結晶基板の製造方法。
- 前記第2工程でレーザ光の照射条件を調整する際、前記レーザ集光手段に収差補正環を設けて該収差補正環により調整することを特徴とする請求項1に記載の単結晶基板の製造方法。
- 前記第2工程でレーザ光の照射条件を調整する際、レーザ光として照射するパルスレーザ光の照射回数で調整することを特徴とする請求項1に記載の単結晶基板の製造方法。
- 前記第2工程でレーザ光の照射条件を調整する際、レーザ光として照射するパルスレーザ光の照射間隔を調整することを特徴とする請求項1に記載の単結晶基板の製造方法。
- 前記第2工程でレーザ光の照射条件を調整する際、前記レーザ集光手段と前記単結晶部材とのオフセットを調整することを特徴とする請求項1に記載の単結晶基板の製造方法。
- 前記レーザ集光手段に設ける集光レンズのDF値を調整して前記単結晶部材の被照射面から前記改質層までの距離を調整することにより、前記単結晶基板の厚みを調整することを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の単結晶基板の製造方法。
- 単結晶部材に表面からレーザ光を照射して内部で集光することで前記単結晶部材の内部に改質層を形成した内部改質層形成単結晶部材の製造方法であって、
前記単結晶部材上にレーザ集光手段を非接触に配置する第1工程と、
前記レーザ集光手段により、前記単結晶部材表面にレーザ光を照射して前記単結晶部材内部に前記レーザ光を集光するとともに、前記レーザ集光手段と前記単結晶部材とを相対的に移動させて、前記単結晶部材内部に2次元状の改質層を形成する第2工程と、
を備え、
前記改質層により分断されてなる単結晶層を前記改質層から剥離することで形成した単結晶基板の剥離面の表面粗さRaが1未満となるように、前記第2工程でレーザ光の照射条件を調整することを特徴とする内部改質層形成単結晶部材の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012020222A JP5843393B2 (ja) | 2012-02-01 | 2012-02-01 | 単結晶基板の製造方法、単結晶基板、および、内部改質層形成単結晶部材の製造方法 |
PCT/JP2013/052326 WO2013115352A1 (ja) | 2012-02-01 | 2013-02-01 | 単結晶基板の製造方法、単結晶基板、および、内部改質層形成単結晶部材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012020222A JP5843393B2 (ja) | 2012-02-01 | 2012-02-01 | 単結晶基板の製造方法、単結晶基板、および、内部改質層形成単結晶部材の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013158778A JP2013158778A (ja) | 2013-08-19 |
JP5843393B2 true JP5843393B2 (ja) | 2016-01-13 |
Family
ID=48905380
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012020222A Active JP5843393B2 (ja) | 2012-02-01 | 2012-02-01 | 単結晶基板の製造方法、単結晶基板、および、内部改質層形成単結晶部材の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5843393B2 (ja) |
WO (1) | WO2013115352A1 (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015119076A (ja) * | 2013-12-19 | 2015-06-25 | 信越ポリマー株式会社 | 内部加工層形成単結晶部材およびその製造方法 |
WO2016083610A2 (de) | 2014-11-27 | 2016-06-02 | Siltectra Gmbh | Festkörperteilung mittels stoffumwandlung |
DE102015000449A1 (de) * | 2015-01-15 | 2016-07-21 | Siltectra Gmbh | Festkörperteilung mittels Stoffumwandlung |
JP6381110B2 (ja) * | 2014-04-16 | 2018-08-29 | 信越ポリマー株式会社 | 基板加工方法及び基板 |
JP2016015447A (ja) * | 2014-07-03 | 2016-01-28 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | ウエハの製造方法および装置 |
EP4234156A3 (de) * | 2014-11-27 | 2023-10-11 | Siltectra GmbH | Laserbasiertes trennverfahren |
JP6358940B2 (ja) * | 2014-12-04 | 2018-07-18 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6399913B2 (ja) * | 2014-12-04 | 2018-10-03 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6358941B2 (ja) * | 2014-12-04 | 2018-07-18 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6472332B2 (ja) * | 2015-06-02 | 2019-02-20 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6472333B2 (ja) * | 2015-06-02 | 2019-02-20 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6482423B2 (ja) * | 2015-07-16 | 2019-03-13 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6472347B2 (ja) * | 2015-07-21 | 2019-02-20 | 株式会社ディスコ | ウエーハの薄化方法 |
WO2017167614A1 (de) | 2016-03-22 | 2017-10-05 | Siltectra Gmbh | Kombinierte laserbehandlung eines zu splittenden festkörpers |
JP6851040B2 (ja) * | 2016-03-29 | 2021-03-31 | 国立大学法人埼玉大学 | 基板加工方法および基板加工装置 |
JP6698468B2 (ja) * | 2016-08-10 | 2020-05-27 | 株式会社ディスコ | ウエーハ生成方法 |
JP6851041B2 (ja) * | 2016-08-16 | 2021-03-31 | 国立大学法人埼玉大学 | 基板加工方法および基板加工装置 |
JP7256123B2 (ja) | 2016-12-12 | 2023-04-11 | ジルテクトラ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 構成部材を備えた固体層を薄くするための方法 |
SE1950611A1 (en) | 2019-05-23 | 2020-09-29 | Ascatron Ab | Crystal efficient SiC device wafer production |
JP7330771B2 (ja) * | 2019-06-14 | 2023-08-22 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法およびウエーハの生成装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102009005303A1 (de) * | 2009-01-16 | 2010-07-22 | BIAS - Bremer Institut für angewandte Strahltechnik GmbH | Verfahren zum Separieren eines Halbleiter-Wafer von einem Halbleiterkristall |
JP5456382B2 (ja) * | 2009-06-17 | 2014-03-26 | 信越ポリマー株式会社 | 半導体ウェーハの製造方法及びその装置 |
JP5509448B2 (ja) * | 2009-09-07 | 2014-06-04 | 国立大学法人埼玉大学 | 基板スライス方法 |
JP5645000B2 (ja) * | 2010-01-26 | 2014-12-24 | 国立大学法人埼玉大学 | 基板加工方法 |
-
2012
- 2012-02-01 JP JP2012020222A patent/JP5843393B2/ja active Active
-
2013
- 2013-02-01 WO PCT/JP2013/052326 patent/WO2013115352A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2013115352A1 (ja) | 2013-08-08 |
JP2013158778A (ja) | 2013-08-19 |
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