JP2015119076A - 内部加工層形成単結晶部材およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】レーザ光を集光するレーザ集光手段を介して連続波のレーザ光Bをシリコンの単結晶部材10の被照射面20tから照射しつつ、単結晶部材10とレーザ集光手段とを相対的に移動させることで、内部加工層形成単結晶部材10は、単結晶部材10内部に形成された加工層21と、加工層21の両面側にそれぞれ隣接する非加工層22と、を有する。加工層21には、レーザ光Bの走査方向Sに沿って形成された変質部が、隣り合う変質部同士の距離が所定値以下となるように配列されている。
【選択図】図1
Description
本実施形態で製造する内部加工層形成単結晶部材20は、連続波(CW)のレーザ光Bをシリコンの単結晶部材10の被照射面20tから集光することで、この被照射面20tと離間しかつこの被照射面20tと平行に延在する加工層21と、その加工層21の両面側にそれぞれ隣接する非加工層22とを有する。
以下、本実施形態をより詳細に説明する。本実施形態では、図4に示すように、レーザ加工装置は、レーザ発振器71、ズームエキスパンダ72、アパーチャー73、集光器78を順次備え、また、XYステージ80を備えている。
以下、本実施形態で内部加工層形成単結晶部材10を製造することについて説明する。本実施形態では、単結晶部材10をXYステージ80上に載置し、真空チャック、静電チャックなどでこの単結晶部材10を保持する。そして、XYステージで単結晶部材10をX方向やY方向に移動させることで、レーザ集光手段(ズームエキスパンダ72、アパーチャ73、および、集光器78)と単結晶部材10とを、単結晶部材10の被照射面20tに平行に相対的に移動させながら、レーザ発振器71で発生したレーザ光Bを照射する。この結果、単結晶部材10の内部に集光したレーザ光Bによって、レーザ光Bの走査方向Sに沿って連続した1本の変質部21cが形成される。
<実験例>
本発明者は、実施例として、加工装置を用いて単結晶部材10内部に加工層21を形成した。なお、集光器78のレンズは、レーザ光Bの通過で損傷が生じないように、レーザ光Bの出力に応じて選定した。照射条件を以下に示す。
波長 :1064nm
集光器のレンズのNA :0.8
発振形態 :CW(連続波)
そして、この加工装置でレーザ出力とオフセット方向Fの間隔を変化させ、隣り合う変質部21c同士が連続し、かつ剥離状態との関係を求めた。結果を表1に示す。
波長 :1064nm
集光器のレンズのNA :0.8
発振形態 :パルス発振
繰り返し周波数 :100kHz
パルス幅 :30ns
そして、この加工装置でオフセット方向Fの間隔を変化させ、隣り合う加工層21同士が連続し、かつ剥離状態との関係を求めた。結果を表2に示す。
20 内部加工層形成単結晶部材
20t 被照射面
21 加工層
21c 変質部
22 非加工層(非加工部)
72 ズームエキスパンダ(レーザ集光手段)
73 アパーチャ(レーザ集光手段)
78 集光器(レーザ集光手段)
B レーザ光
d 距離
F オフセット方向
S 走査方向
w 加工オフセット(オフセット間隔)
Claims (4)
- レーザ光を集光するレーザ集光手段を介して連続波のレーザ光をシリコンの単結晶部材の被照射面から照射しつつ、前記単結晶部材と前記レーザ集光手段とを相対的に移動させることで、前記単結晶部材内部に形成された加工層と、
前記加工層の両面側にそれぞれ隣接する非加工部と、
を備え、
前記加工層には、レーザ光の走査方向に沿って形成された変質部が、隣り合う変質部同士の距離が所定値以下となるように配列されていることを特徴とする内部加工層形成単結晶部材。 - 隣り合う前記変質部同士が前記変質部の幅方向に連続していることを特徴とする請求項1記載の内部加工層形成単結晶部材。
- レーザ光を集光するレーザ集光手段を介してレーザ光をシリコンの単結晶部材の被照射面から照射しつつ、前記単結晶部材と前記レーザ集光手段とを相対的に移動させることで、前記単結晶部材内部に加工層を形成して前記単結晶部材を内部加工層形成単結晶部材とする内部加工層形成単結晶部材の製造方法であって、
レーザ光として連続波のレーザ光を用い、レーザ光の走査方向に沿った変質部を所定範囲のオフセット間隔で形成していくことで前記加工層とすることを特徴とする内部加工層形成単結晶部材の製造方法。 - 前記オフセット間隔を、レーザ光の走査速度およびレーザ光の強度に基づいて設定することを特徴とする請求項3記載の内部加工層形成単結晶部材の製造方法。
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