JP6456118B2 - 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
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Description
図形パターンを用いて、近接効果密度を演算する近接効果密度演算部と、
設計上の図形パターンに対する描画される図形パターンの近接効果密度の誤差を補正する補正項を演算する補正項演算部と、
補正項を用いて、近接効果を補正する近接効果補正照射係数を演算する近接効果補正照射係数演算部と、
近接効果補正照射係数を用いて、荷電粒子ビームの照射量を演算する照射量演算部と、
照射量の荷電粒子ビームを用いて試料上に図形パターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
図形パターンを、1回の荷電粒子ビームのショットで照射可能なサイズの複数のショット図形に分割するショット分割部と、
前記複数のショット図形が実際に描画される場合のAU(アドレスユニット)ずれの情報を記憶する記憶装置と、
前記記憶装置から前記AUずれの情報を読み出し、前記AUずれの情報と分割された前記複数のショット図形を用いて、かかる複数のショット図形が実際に描画される場合のAU誤差を考慮したパターン密度を演算するパターン密度演算部と、
複数のショット図形を用いて演算されたパターン密度を用いて、近接効果を補正する近接効果補正照射係数を演算する近接効果補正照射係数演算部と、
近接効果補正照射係数を用いて、荷電粒子ビームの照射量を演算する照射量演算部と、
照射量の荷電粒子ビームを用いて試料上に図形パターンを描画する描画部と、
を備えると好適である。
図形パターンを用いて、近接効果密度を演算する工程と、
設計上の図形パターンに対する描画される図形パターンの近接効果密度の誤差を補正する補正項を演算する工程と、
補正項を用いて、近接効果を補正する近接効果補正照射係数を演算する工程と、
近接効果補正照射係数を用いて、荷電粒子ビームの照射量を演算する工程と、
照射量の荷電粒子ビームを用いて試料上に図形パターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。
図形パターンを、1回の荷電粒子ビームのショットで照射可能なサイズの複数のショット図形に分割する工程と、
前記複数のショット図形が実際に描画される場合のAU(アドレスユニット)ずれの情報を記憶する記憶装置から前記AUずれの情報を読み出し、前記AUずれの情報と分割された前記複数のショット図形を用いて、かかる複数のショット図形が実際に描画される場合のAU誤差を考慮したパターン密度を演算する工程と、
複数のショット図形を用いて演算されたパターン密度を用いて、近接効果を補正する近接効果補正照射係数を演算する工程と、
近接効果補正照射係数を用いて、荷電粒子ビームの照射量を演算する工程と、
照射量の荷電粒子ビームを用いて試料上に図形パターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型(VSB型)の描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、ブランキング偏向器(ブランカー)212、ブランキングアパーチャ214、第1の成形アパーチャ203、投影レンズ204、成形偏向器205、第2の成形アパーチャ206、対物レンズ207、主偏向器208、及び副偏向器209が配置されている。描画室103内には、少なくともXY方向に移動可能なXYステージ105が配置される。XYステージ105上には、レジストが塗布された描画対象となる試料101(基板)が配置される。試料101には、半導体装置を製造するための露光用のマスクやシリコンウェハ等が含まれる。マスクにはマスクブランクスが含まれる。
実施の形態1では、近接効果補正用のメッシュ(近接効果メッシュ)よりもサイズが小さいショット分割用の上述したメッシュ領域単位で実施するため、近接効果メッシュ単位で実施する場合よりも計算領域数が増え、計算時間が長くかかることになる。そこで、実施の形態2では、近接効果メッシュ単位で実施した結果を流用する構成について説明する。
20 ストライプ領域
30 SF
62 近接メッシュ分割部
64 ショット分割部
66 割り当て処理部
68 ρ’(x)演算部
69 ρ(x)演算部
70 U’(x)演算部
71 U(x)演算部
72 Dp(x)演算部
74 D(x)演算部
76 t(x)演算部
78 描画制御部
80 パターン分割部
82 Δρ(x)演算部
100 描画装置
101 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 制御計算機
112 メモリ
120 偏向制御回路
130,132 DACアンプユニット
140,142 記憶装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203 第1の成形アパーチャ
204 投影レンズ
205 成形偏向器
206 第2の成形アパーチャ
207 対物レンズ
208 主偏向器
209 副偏向器
212 ブランキング偏向器
214 ブランキングアパーチャ
330 電子線
340 試料
410 第1のアパーチャ
411 開口
420 第2のアパーチャ
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
Claims (5)
- 図形パターンを用いて、近接効果密度を演算する近接効果密度演算部と、
設計上の前記図形パターンに対する描画される前記図形パターンの近接効果密度の誤差を補正する補正項を演算する補正項演算部と、
前記補正項を用いて、近接効果を補正する近接効果補正照射係数を演算する近接効果補正照射係数演算部と、
前記近接効果補正照射係数を用いて、荷電粒子ビームの照射量を演算する照射量演算部と、
前記照射量の荷電粒子ビームを用いて試料上に前記図形パターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記補正項は、設計上の前記図形パターンに対する描画される前記図形パターンのパターン密度の誤差値であることを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 図形パターンを、1回の荷電粒子ビームのショットで照射可能なサイズの複数のショット図形に分割するショット分割部と、
前記複数のショット図形が実際に描画される場合のAU(アドレスユニット)ずれの情報を記憶する記憶装置と、
前記記憶装置から前記AUずれの情報を読み出し、前記AUずれの情報と分割された前記複数のショット図形を用いて、前記複数のショット図形が実際に描画される場合のAU誤差を考慮したパターン密度を演算するパターン密度演算部と、
前記パターン密度を用いて、近接効果を補正する近接効果補正照射係数を演算する近接効果補正照射係数演算部と、
前記近接効果補正照射係数を用いて、荷電粒子ビームの照射量を演算する照射量演算部と、
前記照射量の荷電粒子ビームを用いて試料上に前記図形パターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 図形パターンを用いて、近接効果密度を演算する工程と、
設計上の前記図形パターンに対する描画される前記図形パターンの近接効果密度の誤差を補正する補正項を演算する工程と、
前記補正項を用いて、近接効果を補正する近接効果補正照射係数を演算する工程と、
前記近接効果補正照射係数を用いて、荷電粒子ビームの照射量を演算する工程と、
前記照射量の荷電粒子ビームを用いて試料上に前記図形パターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。 - 図形パターンを、1回の荷電粒子ビームのショットで照射可能なサイズの複数のショット図形に分割する工程と、
前記複数のショット図形が実際に描画される場合のAU(アドレスユニット)ずれの情報を記憶する記憶装置から前記AUずれの情報を読み出し、前記AUずれの情報と分割された前記複数のショット図形を用いて、前記複数のショット図形が実際に描画される場合のAU誤差を考慮したパターン密度を演算する工程と、
前記複数のショット図形を用いて演算された前記パターン密度を用いて、近接効果を補正する近接効果補正照射係数を演算する工程と、
前記近接効果補正照射係数を用いて、荷電粒子ビームの照射量を演算する工程と、
前記照射量の荷電粒子ビームを用いて試料上に前記図形パターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014235901A JP6456118B2 (ja) | 2014-11-20 | 2014-11-20 | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
US14/942,164 US9484185B2 (en) | 2014-11-20 | 2015-11-16 | Charged particle beam writing apparatus, and charged particle beam writing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014235901A JP6456118B2 (ja) | 2014-11-20 | 2014-11-20 | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016100445A JP2016100445A (ja) | 2016-05-30 |
JP2016100445A5 JP2016100445A5 (ja) | 2017-11-16 |
JP6456118B2 true JP6456118B2 (ja) | 2019-01-23 |
Family
ID=56010914
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014235901A Active JP6456118B2 (ja) | 2014-11-20 | 2014-11-20 | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9484185B2 (ja) |
JP (1) | JP6456118B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6484491B2 (ja) * | 2015-04-10 | 2019-03-13 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
US10157723B2 (en) * | 2016-08-03 | 2018-12-18 | Nuflare Technology, Inc. | Multi charged particle beam writing apparatus and method of adjusting the same |
JP6834429B2 (ja) * | 2016-08-03 | 2021-02-24 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びその調整方法 |
JP7031516B2 (ja) * | 2018-07-06 | 2022-03-08 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 照射量補正量の取得方法、荷電粒子ビーム描画方法、及び荷電粒子ビーム描画装置 |
JP7159970B2 (ja) * | 2019-05-08 | 2022-10-25 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005079392A (ja) * | 2003-09-01 | 2005-03-24 | Toshiba Mach Co Ltd | 描画データ作成方法 |
JP5063071B2 (ja) * | 2006-02-14 | 2012-10-31 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | パタン作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
KR101244525B1 (ko) * | 2010-04-20 | 2013-03-18 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 하전 입자빔 묘화 장치 및 하전 입자빔 묘화 방법 |
JP5441806B2 (ja) * | 2010-04-20 | 2014-03-12 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP2012019066A (ja) * | 2010-07-08 | 2012-01-26 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム描画方法及び装置 |
JP2012069667A (ja) * | 2010-09-22 | 2012-04-05 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP2013115373A (ja) * | 2011-11-30 | 2013-06-10 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 |
JP6147528B2 (ja) * | 2012-06-01 | 2017-06-14 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
-
2014
- 2014-11-20 JP JP2014235901A patent/JP6456118B2/ja active Active
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- 2015-11-16 US US14/942,164 patent/US9484185B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9484185B2 (en) | 2016-11-01 |
JP2016100445A (ja) | 2016-05-30 |
US20160148785A1 (en) | 2016-05-26 |
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