JP2017152480A - 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画装置は、ショットデータに定義された照射量が照射量下限値未満である場合に、ショットデータの照射量を該照射量下限値に変更する照射量再設定部116と、照射量の変更量に基づいてショットデータに定義されたショットサイズを変更するショットサイズ調整部117と、ショットサイズの変更量に基づいてショットデータに定義されたショット位置を変更するショット位置調整部118と、前記照射量、前記ショットサイズ、及び前記ショット位置が変更されたショットデータを用いて基板240上に荷電粒子ビームを照射して描画を行う描画部200と、を備える。
【選択図】図1
Description
110 制御計算機
111 面積密度算出部
112 照射量計算部
113 ショットデータ生成部
114 照射量下限値計算部
115 照射量判定部
116 照射量再設定部
117 ショットサイズ調整部
118 ショット位置調整部
120 制御回路
130、132、134、136 記憶部
200 描画部
201 電子銃
202 照明レンズ
203 ブランカ
204 第1成形アパーチャ
205 投影レンズ
206 成形偏向器
207 第2成形アパーチャ
208 対物レンズ
209 主偏向器
210 副偏向器
211 XYステージ
220 電子鏡筒
230 描画室
240 基板
Claims (5)
- 描画データに基づいて、基板に描画するパターンのパターン面積密度を計算する面積密度計算部と、
前記描画データを用いて、荷電粒子ビームのショットを単位として構成され、ショットサイズ、ショット位置及び照射量が定義されたショットデータを生成するショットデータ生成部と、
前記ショットデータに定義された照射量が、前記パターン面積密度に対応する照射量下限値以上であるか否か判定する照射量判定部と、
前記ショットデータに定義された照射量が前記照射量下限値未満である場合に、該ショットデータの照射量を該照射量下限値に変更する照射量再設定部と、
前記照射量再設定部による照射量の変更量に基づいて、前記ショットデータに定義されたショットサイズを変更するショットサイズ調整部と、
前記ショットサイズ調整部によるショットサイズの変更量に基づいて、前記ショットデータに定義されたショット位置を変更するショット位置調整部と、
前記照射量、前記ショットサイズ、及び前記ショット位置が変更されたショットデータを用いて前記基板上に荷電粒子ビームを照射して描画を行う描画部と、
を備える荷電粒子ビーム描画装置。 - 荷電粒子ビームの照射量と、描画されるパターンのサイズとの関係を規定した情報を記憶する記憶部をさらに備え、
前記ショットサイズ調整部は、前記情報に基づいて、前記照射量の変更によるパターンサイズの変動量を求め、該変動量を前記ショットサイズの変更量とすることを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記ショット位置調整部は、ショットの不動点から対角側に、前記ショットサイズの変更量の半分だけショット位置を変更することを特徴とする請求項1又は2に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 描画データに基づいて、基板に描画するパターンのパターン面積密度を計算する工程と、
前記描画データを用いて、荷電粒子ビームのショットを単位として構成され、ショットサイズ、ショット位置及び照射量が定義されたショットデータを生成する工程と、
前記ショットデータに定義された照射量が、前記パターン面積密度に対応する照射量下限値以上であるか否か判定する工程と、
前記ショットデータに定義された照射量が前記照射量下限値未満である場合に、該ショットデータの照射量を該照射量下限値に変更する工程と、
前記照射量の変更量に基づいて、前記ショットデータに定義されたショットサイズを変更する工程と、
前記ショットサイズの変更量に基づいて、前記ショットデータに定義されたショット位置を変更する工程と、
前記照射量、前記ショットサイズ、及び前記ショット位置が変更されたショットデータを用いて前記基板上に荷電粒子ビームを照射して描画を行う工程と、
を備える荷電粒子ビーム描画方法。 - ショットの不動点から対角側に、前記ショットサイズの変更量の半分だけ前記ショット位置を変更することを特徴とする請求項4に記載の荷電粒子ビーム描画方法。
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