JP6421828B2 - 圧電デバイスの製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、圧電デバイスの製造方法に関するものである。
従来より、"CMOS-Compatible AlN Piezoelectric Micromachined Ultrasonic Transducers", Stefon Shelton et al., 2009 IEEE International Ultrasonics Symposium Proceedings, pp. 402-405（非特許文献１）などに開示されているように、基板と、基板の上方に設けられた圧電体層および電極とを備える、圧電デバイスが知られている。このような圧電デバイスは、フィルタ、アクチュエータ、センサ、ｐＭＵＴ（piezoelectric Micromachined Ultrasonic Transducers）などに用いられる。
このような圧電デバイスの一例として、米国特許出願公開ＵＳ２０１０／０１９５８５１Ａ１（特許文献１）の段落００１７〜００２３、図１Ａ、図１Ｂには、トランスデューサと、基板と、温度補償素子とを備えるＭＥＭＳデバイスが開示されている。トランスデューサは、たとえば屈曲振動する圧電超音波トランスデューサであり、基板の上方に配置されている。温度補償素子は、たとえばヒータ素子であり、トランスデューサの周囲かつ下面側であって、基板上に配置されている。
また、米国特許出願公開ＵＳ２０１０／０１３４２０９Ａ１（特許文献２）の段落００７０〜００７６、図２Ａおよび図２Ｂには、センサ素子と、半導体基板と、ヒータ素子とを備えるセンサ・アレイが開示されている。センサ素子は、圧電体層と２つの電極とを有する圧電共振素子であり、基板上に配置されている。ヒータ素子は、センサ素子の周囲かつ基板上に配置されている。
これらの文献に記載されているヒータ素子は、発振周波数を安定化するための圧電デバイスの温度調整、圧電デバイスの表面に付着した水分の除去などに用いられる。
これらの圧電デバイスには、製造時に生じる共振周波数のばらつき（以下「周波数ばらつき」ともいう。）が大きいという問題がある。周波数ばらつきを決める要因としては、それぞれの厚み、長さなどの寸法などいくつかある。特に、最も重要な要因は、メンブレン部を構成する部材の応力である。メンブレン部を構成する部材とは、圧電体層、電極などである。
メンブレン部を構成する部材の応力は、スパッタリング法やゾルゲル法などの製造方法によって変化しうる。ＡｌＮからなる圧電体層はスパッタリング法によって形成されることが多い。ＡｌＮからなる圧電体層をスパッタリング法で形成する場合、基板の温度分布や、プラズマの分布によって、圧電体層の応力がウェハ面内で大きくばらつくことがある。この結果、圧電デバイスの周波数ばらつきが大きくなる。
特開２００１−８５７５２号公報（特許文献３）には、半導体センサにおいて、機能膜の応力を緩和するために、熱処理炉を用いて熱処理を行なうことが開示されている。しかし、熱処理炉を用いた熱処理は、熱処理炉を所望の温度まで昇温させた上で圧電デバイス全体を加熱するため、時間とコストがかかるという欠点がある。
特開平１０−２５６５７０号公報（特許文献４）には、薄膜デバイスにおいて、優れた特性の薄膜を形成するために、基板の上に形成されたヒータ素子としての局部加熱部で基板を加熱した状態で圧電体材料からなる薄膜を形成することが開示されている。しかし、ＡｌＮからなる圧電体層の応力の大きさには、スパッタリング法における基板の温度分布やプラズマの分布が影響するため、この方法を用いても製造時に生じる周波数ばらつきが大きいという問題が解決されるとは限らない。
米国特許出願公開ＵＳ２０１０／０１９５８５１Ａ１ 米国特許出願公開ＵＳ２０１０／０１３４２０９Ａ１ 特開２００１−８５７５２号公報 特開平１０−２５６５７０号公報
"CMOS-Compatible AlN Piezoelectric Micromachined Ultrasonic Transducers", Stefon Shelton et al., 2009 IEEE International Ultrasonics Symposium Proceedings, pp. 402-405
そこで、本発明は、周波数ばらつきを低減することができる圧電デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明に基づく圧電デバイスの製造方法は、基板と、上記基板によって直接または間接的に支持され、上記基板より上側に配置された圧電体層と、ヒータと、上記ヒータを駆動するためのヒータ電極とを備える、圧電デバイスの製造方法であって、上記圧電体層と上記ヒータと上記ヒータ電極とを形成する工程と、上記ヒータ電極に通電することによって上記ヒータを駆動し、上記ヒータから発する熱によって、上記圧電デバイスの熱処理を行なう工程とを含む。
上記発明において好ましくは、共振周波数を測定する工程を含み、上記圧電デバイスの熱処理を行なう工程では、上記共振周波数を測定する工程の測定結果を踏まえて周波数を調整して上記ヒータを駆動する。
上記発明において好ましくは、上記圧電デバイスの熱処理を行なう工程の後で、再度共振周波数を測定する工程を含む。
上記発明において好ましくは、上記圧電体層は、少なくとも一部が上記基板に重ならないメンブレン部となっており、少なくとも上記メンブレン部において上記圧電体層の下側に配置された下部電極と、上記メンブレン部において上記圧電体層を挟んで上記下部電極の少なくとも一部に対向するように上記圧電体層の上側に配置された上部電極とを備え、上記ヒータは上記メンブレン部に配置されている。
上記発明において好ましくは、上記上部電極および上記圧電体層を覆うように保護膜が設けられている。
上記発明において好ましくは、上記基板は貫通孔または凹部を有し、上記貫通孔または凹部を覆うように支持層を備え、上記圧電体層は上記支持層を介する形で上記基板によって支持されている。
上記発明において好ましくは、上記圧電体層は、ＡｌＮ、ＫＮＮおよびＰＺＴからなる群から選択されたいずれかを主材料とする。
上記発明において好ましくは、上記保護膜はＡｌＮを主材料とする。
上記発明において好ましくは、上記支持層はＡｌＮを主材料とする。
上記発明において好ましくは、上記ヒータ電極は、ＷまたはＭｏを主材料とする。
本発明によれば、圧電デバイス内に形成されたヒータを用いて圧電デバイスの熱処理を行なうので、熱容量が小さく、極めて短時間で熱処理をすることができる。この熱処理によって所望の箇所に所望の程度だけ共振周波数を調整することができるので、周波数ばらつきを低減することができる。
本発明に基づく実施の形態１における圧電デバイスの製造方法のフローチャートである。 本発明に基づく実施の形態１における圧電デバイスの製造方法によって製造される圧電デバイスの平面図である。 図２におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線に関する矢視断面図である。 本発明に基づく実施の形態１における圧電デバイスの製造方法の第１の工程の説明図である。 本発明に基づく実施の形態１における圧電デバイスの製造方法の第２の工程の説明図である。 本発明に基づく実施の形態１における圧電デバイスの製造方法の第３の工程の説明図である。 本発明に基づく実施の形態１における圧電デバイスの製造方法の第４の工程の説明図である。 本発明に基づく実施の形態１における圧電デバイスの製造方法の第５の工程の説明図である。 ヒータで加熱することによって共振周波数を調整する工程を含むフローチャートの第１の例である。 ヒータで加熱することによって共振周波数を調整する工程を含むフローチャートの第２の例である。 本発明に基づく実施の形態３における圧電デバイスの製造方法によって製造した圧電デバイスを距離センサとして使用する例の説明図である。 本発明に基づく実施の形態４における圧電デバイスの製造方法によって製造される圧電デバイスの平面図である。 図１２におけるＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に関する矢視断面図である。 本発明に基づく実施の形態５における圧電デバイスの製造方法によって製造される圧電デバイスの平面図である。 図１４におけるＸＶ−ＸＶ線に関する矢視断面図である。 本発明に基づく実施の形態６における圧電デバイスの製造方法によって製造される圧電デバイスの平面図である。 本発明に基づく実施の形態７における圧電デバイスの製造方法によって製造される圧電デバイスの平面図である。 本発明に基づく実施の形態８における圧電デバイスの製造方法によって製造される圧電デバイスの平面図である。 図１８におけるＸＩＸ−ＸＩＸ線に関する矢視断面図である。 本発明に基づく実施の形態９における圧電デバイスの製造方法によって製造される圧電デバイスの平面図である。 図２０におけるＸＸＩ−ＸＸＩ線に関する矢視断面図である。 本発明に基づく実施の形態１０における圧電デバイスの製造方法によって製造される圧電デバイスの平面図である。 図２２におけるＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩ線に関する矢視断面図である。
（実施の形態１）
図１〜図８を参照して、本発明に基づく実施の形態１における圧電デバイスの製造方法について説明する。本実施の形態における圧電デバイスの製造方法のフローチャートを図１に示す。
本実施の形態における圧電デバイスの製造方法は、基板と、前記基板によって直接または間接的に支持され、前記基板より上側に配置された圧電体層と、ヒータと、前記ヒータを駆動するためのヒータ電極とを備える、圧電デバイスの製造方法であって、前記圧電体層と前記ヒータと前記ヒータ電極とを形成する工程Ｓ１と、前記ヒータ電極に通電することによって前記ヒータを駆動し、前記ヒータから発する熱によって、前記圧電デバイスの熱処理を行なう工程Ｓ２とを含む。
本実施の形態における圧電デバイスの製造方法によって製造される圧電デバイスの一例を図２および図３に示す。図３は図２におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線に関する矢視断面図である。説明の便宜のため、図２では保護膜７を取り去った状態で示している。保護膜７がある状態であっても、各パッド部８においては保護膜７に開口部が設けられており、保護膜７の上側からでもパッド部８に対して電気的に接続可能な構成となっている。この圧電デバイス１０１は、たとえばｐＭＵＴとして用いられるものである。本実施の形態における圧電デバイスの製造方法では、圧電デバイス１０１を製造するために以下の各工程を行なう。
まず、図４に示すように、基板４としてのシリコン基板に、支持層５としてのＡｌＮ膜を厚み５００ｎｍ以上３０００ｎｍ以下となるようにスパッタ法を用いて成膜する。続いて、支持層５の上面を覆うようにモリブデン膜を厚み１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下となるように成膜し、このモリブデン膜をパターニングする。これによって、図５に示すように、ヒータ１および駆動受信用下部電極３が形成される。ヒータ１は駆動受信用下部電極３を取り囲むようにミアンダ状に形成される。続いて、図６に示すように、圧電体層６とするためのＡｌＮ膜を厚み５００ｎｍ以上３０００ｎｍ以下となるようにスパッタ法を用いて成膜し、必要に応じてパターニングする。続いて、図７に示すように、モリブデン膜を成膜し、パターニングする。これによって、駆動受信用上部電極２が形成される。続いて、保護膜７とするためのＡｌＮ膜を厚み１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下となるように形成する。こうして、図８に示したような構造が得られる。
ここまでに示したようなＡｌＮ膜や電極としてのモリブデン膜を形成する際には、基板４に温度分布が存在することや、スパッタのプラズマ密度が基板表面に分布をもつことから、成膜される膜が有する応力は面内で分布をもつことになる。この分布は面内で１００ＭＰａ以上の違いとなるのが一般的である。成膜された膜が１００ＭＰａの応力をもつとしたとき、ｐＭＵＴのように、面外振動をするような素子は、応力の影響でメンブレンが圧縮されたり、引っ張られたりすることで、共振周波数にばらつきが生じる。たとえば、共振周波数が３００ｋＨｚとなるように設計したとしても、面内でたとえば２５０ｋＨｚから５００ｋＨｚまでばらつくことになる。
続いて、パッド部８となる部分の電極を露出させるために保護膜７および圧電膜６をエッチングする。パッド部８として電極が露出した部分（図示せず）においては電極を覆うようにアルミニウム膜を形成する。
続いて、基板４の裏面から、支持層５に到達するまで基板４をエッチングする。このようにして、図２および図３に示した構造が得られる。基板４に貫通孔１８が形成され、この貫通孔１８の上側に残る部分はメンブレン部１７となる。
ただし、上述のように、ここまでの時点では、この圧電デバイスは成膜された各層に大きな応力ばらつきをもっており、結果として大きな周波数ばらつきをもつことになる。
続いて、ヒータ１に接続されているパッド部８を利用してヒータ１に通電する。これによりミアンダ状のヒータ１が発熱する。この発熱によってメンブレン部１７に対する熱処理を行なう。この熱処理のことは「アニール処理」ともいう。ヒータ１は熱容量が極めて小さいので、１００ｍＷ〜１０００ｍＷ程度通電すると１秒未満の極めて短時間に急速に５００℃〜９００℃または９００℃以上にまで加熱することが可能である。ここで目標とする温度は成膜のスパッタ時の成膜温度以上、好ましくは９００℃以上に加熱する。このような熱処理を終えることによって、圧電デバイス１０１が得られる。
本実施の形態では、ヒータ１に通電して発熱させることによってメンブレン部１７に対する熱処理を行なうこととしているが、メンブレン部１７を成膜温度以上に加熱することで、ＡｌＮ膜やＭｏ膜の結晶性が改善される。具体的には、膜中に不純物してとりこまれたＡｒガスが膜中から放出されることや、格子間に位置していたＡｌやＭｏの原子が適切な位置に再配置される。また熱処理後に冷却される過程でも、既にメンブレン形状であるため、基板４との間での熱応力はさほどかからず、結果として、初期の周波数ばらつきが大きく改善されたｐＭＵＴを作製することができる。
本実施の形態では、メンブレン部１７に形成したヒータ１を用いて加熱するので、熱容量が小さく、極めて短時間で熱処理をすることができる。また、本実施の形態では、最終の商品形態またはそれに近い状態で、熱処理により共振周波数を調整することができる。本実施の形態では、局所的に加熱することが可能であるので、パッド部８のアルミニウム合金や、ダイボンドに用いられた接着剤などのように耐熱性が低い材料が周辺に存在していても問題なく所望の箇所に熱処理を行なうことができる。
本実施の形態における圧電デバイスの製造方法によれば、上述のように所望の箇所に所望の程度だけ熱処理を施すことができるので、周波数ばらつきを低減することができる。
本実施の形態で示したように、駆動受信用の電極と、ヒータのための電極すなわちヒータ電極とを別々に設けておくことが可能であり、そのように構成した場合、ｐＭＵＴとしての駆動および受信の機能とヒータの機能とを独立に別々の電極によって使用することができる。
メンブレン部１７において、ヒータ１と、ｐＭＵＴとしての駆動受信用の電極とは、別々の位置に配置されており、相互に干渉しない。
１つの圧電デバイスで送信と受信とを兼ねて行なう場合もあるが、送信用と受信用とで別々の圧電デバイスを用意し、送信用と受信用とからなる１つのペアの圧電デバイスとする場合、このペア間での感度ばらつきが問題となるが、本実施の形態では、熱処理を行なうことによって共振周波数のばらつきは小さくなるので、ペア間での感度ばらつきについても小さくすることが可能である。
本実施の形態では、メンブレン部１７は９００℃以上に加熱することが可能である。
なお、９００℃以上に加熱する際は、ＡｌＮ膜の酸化を防ぐために、Ｎ2雰囲気中で行なうことが好ましい。また、９００℃以上に加熱する際もＡｌＮとＭｏとの線膨張係数が互いに近いこと、ＡｌＮおよびＭｏの融点が極めて高いこと、ＡｌＮ膜に関しては、キュリー温度が１０００℃以上であって極めて高いことから、圧電性能が損なわれることはなく、したがって、ｐＭＵＴとしての性能が損なわれることはない。また、圧電膜と支持膜との膜厚比をなるべく１：１に近づけることで、熱応力によるメンブレン部１７の変形や破壊を抑えることが可能である。
なお、本実施の形態では圧電体層６としてＡｌＮ膜を用いる例を示したが、圧電体層６はＡｌＮ膜に限らない。圧電体層６は、たとえばＺｎＯ膜で形成してもよく、あるいは、ＡｌＮ膜にＳｃなどをドープした材料で形成してもよい。
本実施の形態では、ヒータ１を支持層５の上面に配置する例を示したが、この構成に限らない。ヒータ１を圧電体層６の上面に配置してもよい。
支持層５、保護膜７の材料は、ＡｌＮに限定されず、線膨張係数がＡｌＮと近い他の材料であってもよい。支持層５、保護膜７の材料は、たとえば、シリコンやＳｉＮであってもよい。
通常、同時に複数の圧電デバイスが製造される。この場合、複数の圧電デバイスに対して同時並行的に工程が進行する。従来であれば同時並行的に処理されて製造される複数の圧電デバイスの相互間でも共振周波数のばらつきが生じると考えられるが、本実施の形態では、熱処理を行なう前に室温で複数の圧電デバイスの共振周波数を個別に測定しておき、それぞれの圧電デバイスの共振周波数と目標とする共振周波数との差に応じた熱処理（温度や時間）をそれぞれの圧電デバイスに対して個別に行なうことによって、同時に製造される複数の圧電デバイス間の周波数ばらつきを抑えることができる。
ヒータ１への通電は、個別の圧電デバイスにおいて所望の周波数を得るために、室温で、共振周波数測定→熱処理→共振周波数測定→熱処理→…のサイクルを繰り返して、周波数ばらつきを抑えることも可能である。このような方法を採用することによって、さらに周波数ばらつきが小さい複数の圧電デバイスを短時間で形成することが可能である。
すなわち、本実施の形態における圧電デバイスの製造方法は、共振周波数を測定する工程を含み、前記圧電デバイスの熱処理を行なう工程では、前記共振周波数を測定する工程の測定結果を踏まえて周波数を調整して前記ヒータを駆動することが好ましい。このようにすることで、実際の測定結果の情報を利用することができるので、より的確な条件でヒータの駆動を行なうことができる。
本実施の形態における圧電デバイスの製造方法は、前記圧電デバイスの熱処理を行なう工程の後で、再度共振周波数を測定する工程を含むことが好ましい。このようにすることで、熱処理によって変化した後の共振周波数を把握することができるので、共振周波数が所望の値になったか否かを確認することができる。また、さらに熱処理を繰り返す場合には、前回の熱処理後の共振周波数の値の情報を利用して、より的確な条件でヒータの駆動を行なうことができる。
本実施の形態では、このように熱処理を行なう工程と共振周波数を測定する工程とを繰り返すことができるので、圧電デバイスの共振周波数を所望の周波数に調整することが可能である。
なお、このようにヒータで加熱することによって共振周波数を調整する工程は、図９に示すように、基板エッチングの工程より後でダイシングの工程より前に行なうこととしてもよいが、図１０に示すように、パッケージングの工程まで終えた後で行なうこととしてもよい。図９および図１０でいう「薄膜形成およびパターニング」とは基板４より上側の構造を、成膜およびパターニングの繰り返しによって行なうことを意味する。「基板エッチング」とは、基板４に対して裏面からエッチングすることによって貫通孔１８を形成し、これによって、メンブレン部１７を形成する工程を意味する。「ダイシング」とは、１枚の大きな基板上で複数の圧電デバイスを作製している場合に、個別の圧電デバイスに切り分ける工程を意味する。
（実施の形態２）
図２および図３を再び参照し、本発明に基づく実施の形態２における圧電デバイスの製造方法について説明する。本実施の形態では、圧電デバイスの構造自体は実施の形態１で説明したものと同様であるが、主に材料が異なる。文中の符号は、図２および図３におけるものを用いる。
本実施の形態では、圧電体層６の材料として、ＫＮＮ（ニオブ酸ナトリウムカリウム：（Ｋ，Ｎａ）ＮｂＯ3）やＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛：Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3）などペロブスカイト型の強誘電体を用いる。本実施の形態では、基板４および支持層５をなすものとしてＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板を用いる。このＳＯＩ基板は、下から順に、シリコン層、酸化膜、活性層の順に積層された構造となっている。活性層はシリコンからなる。
本実施の形態では、このＳＯＩ基板の活性層を支持層５として使用する。Ｓｉの活性層の厚みは２μｍ以上１０μｍ以下である。このＳＯＩ基板上にＰｔ／Ｔｉの積層膜からなる下部電極を１００ｎｍ程度成膜し、パターニングし、ヒータ１および駆動受信用下部電極３を形成する。この上に基板温度６００℃程度で、ＰＺＴ膜をスパッタリングで１０００ｎｍ〜３０００ｎｍ形成する。その上にＰｔ／Ｔｉからなる上部電極を形成する。Ｐｔは酸化に強いので、保護膜は特に必要としない。図３に示した圧電デバイス１０１は保護膜７を備えていたが、本実施の形態における圧電デバイスには保護膜７は備わっていない。上部電極に含まれるＰｔ膜およびＰＺＴ膜をスパッタ法で成膜した場合、ＡｌＮと同様の理由で、ＳＯＩ基板の面内で大きな応力分布をもつことになる。また、たとえ、Ｓｏｌ−Ｇｅｌ法のような他の手法を用いてＰＺＴ膜を成膜した場合にも、ＳＯＩ基板の面内で焼成温度分布が存在することから応力分布を持つことになる。なお、本実施の形態ではＳｉの活性層を支持層として用いる例を示したが、Ｓｉに代えてＰＺＴからなる層を活性層として用いてもよい。
続いて、裏面からＳＯＩ基板のシリコン層を、酸化膜に到達するまで、エッチングする。この後に必要に応じて酸化膜は除去する。
この後、Ｐｔ／Ｔｉの積層膜からなるヒータ１に通電することで、熱処理を行なう。この場合、熱処理は、成膜温度以上の温度である７００℃以上１０００℃以下程度で行なうことが好ましい。なお、熱処理温度がキュリー温度を超えるので、ｐＭＵＴとして使用する際には分極処理が必要である。そこで、圧電体層６の上下面に駆動受信用として形成した電極間に適切な電圧を加えて、圧電体層６の分極の向きを揃える分極処理を行なう。
本実施の形態においても実施の形態１と同様の効果を得ることができる。本実施の形態では、ＡｌＮよりも圧電性が高い材料を用いているので、良好な圧電特性を有する圧電デバイスを得ることができる。
（実施の形態３）
実施の形態１，２では圧電デバイスをｐＭＵＴとして用いる例を示したが、ｐＭＵＴにおいて、実際の使用時に、結露により水分が付着し、この水分が超音波の励振あるいは受信に影響を与える場合がある。この場合、周波数ばらつきを減らすために使用したヒータを使って、メンブレンを１００度以上に加熱することで水分を除去することが可能である。あるいはこのヒータ電極の抵抗値を測定することで、温度センサとしても使用可能である。具体的には、図１１に示すように例えば距離センサとして用いる場合、表面に付着した水分を蒸発させたりするために、このヒータを使用することが可能である。図１１においては、送信側圧電デバイス４１と受信側圧電デバイス４２との組合せによって距離センサが構成されている。送信側圧電デバイス４１と受信側圧電デバイス４２とは、それぞれこれまでの実施の形態で説明したような製造方法で得られた圧電デバイスである。受信側圧電デバイス４２は矢印９１に示すように変位しうる。送信側圧電デバイス４１から超音波４５が送出され、受信側圧電デバイス４２によって受信されることにより、距離Ｌを測定する。
本実施の形態では、熱処理の際に用いたヒータ１を別用途に使用することができる。たとえば水分を飛ばすことに用いることができる。あるいは、圧電デバイスの温度特性を考慮して圧電デバイスの温度を一定に保つために、ヒータ１が用いられる。このヒータを圧電デバイス自体の温度を測定するための温度センサとして使用することもできる。
（ｐＭＵＴ以外の用途）
ここまでの実施の形態では、圧電デバイスがｐＭＵＴとして用いられる場合を前提に説明してきたが、圧電デバイスの用途はｐＭＵＴに限らない。ＲＦフィルタ、ＭＥＭＳ発振子として圧電デバイスが用いられる場合においてもこのような共振周波数調整の技術を用いることができる。
（ｐＭＵＴの構造の変形例）
ここまでの実施の形態では、メンブレン部１７のうち外周部にヒータ１を配置した構成のｐＭＵＴを示したが、ｐＭＵＴとしての圧電デバイスには他の構成も考えられる。以下に、実施の形態４〜７として説明する。
（実施の形態４）
図１２、図１３を参照して、本発明に基づく実施の形態４における圧電デバイスの製造方法について説明する。図１３は、図１２におけるＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に関する矢視断面図である。
説明の便宜のため、図１２では保護膜７を取り去った状態で示している。保護膜７がある状態であっても、各パッド部８においては保護膜７に開口部が設けられており、保護膜７の上側からでもパッド部８に対して電気的に接続可能な構成となっている。このことは、実施の形態５〜７においても同様である。
本実施の形態では圧電デバイス１０２を製造する。圧電デバイス１０２では、図１３に示すように、メンブレン部１７の外周部において圧電体層６を挟むように駆動受信用上部電極２および駆動受信用下部電極３が配置されている。これらの電極に取り囲まれるようにして、メンブレン部１７の中央部において支持層５の上面にヒータ１が配置されている。ヒータ１はミアンダ状の部分を含んでいる。
このような構成のｐＭＵＴとしての圧電デバイスを製造する際にも、これまでに説明した実施の形態における圧電デバイスの製造方法を採用することができる。すなわち、ヒータ１に通電することによって、メンブレン部１７の熱処理を行なうことができ、周波数ばらつきを低減することができる。
（実施の形態５）
図１４、図１５を参照して、本発明に基づく実施の形態５における圧電デバイスの製造方法について説明する。図１５は、図１４におけるＸＶ−ＸＶ線に関する矢視断面図である。
本実施の形態では圧電デバイス１０３を製造する。圧電デバイス１０３では、図１４に示すようにスリット９が設けられることによって、片持ち梁構造となっている。片持ち梁部１９の根元側部分において圧電体層６を挟むように駆動受信用上部電極２および駆動受信用下部電極３が配置されている。片持ち梁部１９の先端側部分において支持層５の上面にヒータ１が配置されている。ヒータ１はミアンダ状の部分を含んでいる。片持ち梁構造の圧電デバイスにおいては、片持ち梁部は根元側部分のみで支持されているので、片持ち梁部内の応力は解放されており、一般的に周波数ばらつきは小さい。しかしながら、片持ち梁部が上方向または下方向に反ったり、片持ち梁部内で変形の度合いが異なったりすることがある。
本実施の形態で説明したような構成のｐＭＵＴとしての圧電デバイスを製造する際にも、これまでに説明した実施の形態における圧電デバイスの製造方法を採用することができる。すなわち、ヒータ１に通電することによって、片持ち梁部１９の熱処理を行なうことができ、変形の度合いを低減することができる。変形の度合いが低減されることによって、周波数ばらつきが低減される。
（実施の形態６）
図１６を参照して、本発明に基づく実施の形態６における圧電デバイスの製造方法について説明する。
本実施の形態では圧電デバイス１０４を製造する。圧電デバイス１０４では、図１６に示すように２本のスリット９が平行に設けられることによって、両持ち梁構造となっている。両持ち梁部の根元側部分すなわち図１６における左端部および右端部において圧電体層６を挟むように駆動受信用上部電極２および駆動受信用下部電極３が配置されている。両持ち梁部の中央部において支持層５の上面にヒータ１が配置されている。ヒータ１はミアンダ状の部分を含んでいる。
このような構成のｐＭＵＴとしての圧電デバイスを製造する際にも、これまでに説明した実施の形態における圧電デバイスの製造方法を採用することができる。すなわち、ヒータ１に通電することによって、両持ち梁部の熱処理を行なうことができ、周波数ばらつきを低減することができる。
（実施の形態７）
図１７を参照して、本発明に基づく実施の形態７における圧電デバイスの製造方法について説明する。
本実施の形態では圧電デバイス１０５を製造する。圧電デバイス１０５では、実施の形態１で示したのと同様のメンブレン部を備えている。圧電デバイス１０５では、図１７に示すように、メンブレン部において支持層５の上面にミアンダ状に形成された配線がヒータ１と駆動受信用下部電極３とを兼ねている。ヒータ１兼駆動受信用下部電極３と重なるように駆動受信用上部電極２が配置されている。圧電体層６は、駆動受信用上部電極２と駆動受信用下部電極３とによって挟まれている。
このような構成のｐＭＵＴとしての圧電デバイスを製造する際にも、これまでに説明した実施の形態における圧電デバイスの製造方法を採用することができる。すなわち、ヒータ１に通電することによって、メンブレン部の熱処理を行なうことができ、周波数ばらつきを低減することができる。
（実施の形態８）
図１８および図１９を参照して、本発明に基づく実施の形態８における圧電デバイスの製造方法について説明する。図１９は、図１８におけるＸＩＸ−ＸＩＸ線に関する矢視断面図である。
説明の便宜のため、図１８では保護膜７を取り去った状態で示している。保護膜７がある状態であっても、各パッド部８においては保護膜７に開口部が設けられており、保護膜７の上側からでもパッド部８に対して電気的に接続可能な構成となっている。このことは、実施の形態９，１０においても同様である。
本実施の形態では圧電デバイス１０６を製造する。圧電デバイス１０６は、実施の形態１で示した圧電デバイス１０１と似ているが、圧電デバイス１０１と異なり、バイモルフ構造となっている。すなわち、圧電デバイス１０６においては、圧電膜が２層構造となっており、これらの圧電膜の各々に個別に電圧を印加できるように電極が３層構造となっている。図１９に断面図で示すように、圧電デバイス１０６は、２つの圧電膜として第１圧電膜６ａおよび第２圧電膜５ａを備える。圧電デバイス１０６は、３つの電極として、駆動受信用第１電極２ａと、駆動受信用第２電極３ａと、駆動受信用第３電極１１とを備えている。これら３つの電極は平面的に見ればほぼ同じ領域を占めている。これら３つの電極は厚み方向に互いに離隔している。
圧電デバイス１０６は、基板４の上側に、下部保護膜１０、第２圧電膜５ａ、第１圧電膜６ａ、上部保護膜７ａをこの順に含んでいる。下部保護膜１０と第２圧電膜５ａとの間には駆動受信用第３電極１１が配置されている。駆動受信用第３電極１１は下部保護膜１０の上面に形成されている。第２圧電膜５ａと第１圧電膜６ａとの間には駆動受信用第２電極３ａおよびヒータ１が配置されている。これらは第２圧電膜５ａの上面に形成されている。第１圧電膜６ａと上部保護膜７ａとの間には駆動受信用第１電極２ａが配置されている。駆動受信用第１電極２ａは第１圧電膜６ａの上面に形成されている。
メンブレン部１７として露出する部分の最下面は下部保護膜１０によって覆われている。
このような構成のｐＭＵＴとしての圧電デバイス１０６を製造する際にも、これまでに説明した実施の形態における圧電デバイスの製造方法を採用することができる。すなわち、ヒータ１に通電することによって、メンブレン部１７の熱処理を行なうことができ、周波数ばらつきを低減することができる。
（実施の形態９）
図２０および図２１を参照して、本発明に基づく実施の形態９における圧電デバイスの製造方法について説明する。図２１は、図２０におけるＸＸＩ−ＸＸＩ線に関する矢視断面図である。
本実施の形態では圧電デバイス１０７を製造する。圧電デバイス１０７は、実施の形態４で示した圧電デバイス１０２と似ているが、圧電デバイス１０２と異なり、バイモルフ構造となっている。バイモルフ構造の詳細は、実施の形態８で説明したものと同様である。
このような構成のｐＭＵＴとしての圧電デバイス１０７を製造する際にも、これまでに説明した実施の形態における圧電デバイスの製造方法を採用することができる。すなわち、ヒータ１に通電することによって、メンブレン部１７の熱処理を行なうことができ、周波数ばらつきを低減することができる。
（実施の形態１０）
図２２および図２３を参照して、本発明に基づく実施の形態１０における圧電デバイスの製造方法について説明する。図２３は、図２２におけるＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩ線に関する矢視断面図である。
本実施の形態では圧電デバイス１０８を製造する。圧電デバイス１０８は、実施の形態５で示した圧電デバイス１０３と似ているが、圧電デバイス１０３と異なり、バイモルフ構造となっている。バイモルフ構造の詳細は、実施の形態８で説明したものと同様である。
このような構成のｐＭＵＴとしての圧電デバイス１０８を製造する際にも、これまでに説明した実施の形態における圧電デバイスの製造方法を採用することができる。すなわち、ヒータ１に通電することによって、片持ち梁部１９の熱処理を行なうことができ、周波数ばらつきを低減することができる。
なお、上記実施の形態のうち複数を適宜組み合わせて採用してもよい。
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
１ ヒータ、２ 駆動受信用上部電極、２ａ 駆動受信用第１電極、３ 駆動受信用下部電極、３ａ 駆動受信用第２電極、４ 基板、５ 支持層、５ａ 第２圧電膜、６ 圧電体層、６ａ 第１圧電膜、７ 保護膜、７ａ 上部保護膜、８ パッド部、９ スリット、１０ 下部保護膜、１１ 駆動受信用第３電極、１７ メンブレン部、１８ 貫通孔、１９ 片持ち梁部、４１ 送信側圧電デバイス、４２ 受信側圧電デバイス、４５ 超音波、９１ 矢印、１０１，１０２，１０３，１０４，１０５，１０６，１０７，１０８ 圧電デバイス。

Claims (10)

  1. 基板と、前記基板によって直接または間接的に支持され、前記基板より上側に配置された圧電体層と、ヒータと、前記ヒータを駆動するためのヒータ電極とを備え、面外振動をする、圧電デバイスの製造方法であって、
    前記圧電体層と前記ヒータと前記ヒータ電極とを形成する工程と、
    前記ヒータ電極に通電することによって前記ヒータを駆動し、前記ヒータから発する熱によって、前記圧電デバイスの熱処理を行なう工程とを含む、圧電デバイスの製造方法。
  2. 共振周波数を測定する工程を含み、
    前記圧電デバイスの熱処理を行なう工程では、前記共振周波数を測定する工程の測定結果を踏まえて周波数を調整して前記ヒータを駆動する、請求項１に記載の圧電デバイスの製造方法。
  3. 前記圧電デバイスの熱処理を行なう工程の後で、再度共振周波数を測定する工程を含む、請求項２に記載の圧電デバイスの製造方法。
  4. 前記圧電体層は、少なくとも一部が前記基板に重ならないメンブレン部となっており、少なくとも前記メンブレン部において前記圧電体層の下側に配置された下部電極と、前記メンブレン部において前記圧電体層を挟んで前記下部電極の少なくとも一部に対向するように前記圧電体層の上側に配置された上部電極とを備え、前記ヒータは前記メンブレン部に配置されている、請求項１から３のいずれかに記載の圧電デバイスの製造方法。
  5. 前記上部電極および前記圧電体層を覆うように保護膜が設けられている、請求項４に記載の圧電デバイスの製造方法。
  6. 前記基板は貫通孔または凹部を有し、前記貫通孔または凹部を覆うように支持層を備え、前記圧電体層は前記支持層を介する形で前記基板によって支持されている、請求項１から５のいずれかに記載の圧電デバイスの製造方法。
  7. 前記圧電体層は、ＡｌＮ、ＫＮＮおよびＰＺＴからなる群から選択されたいずれかを主材料とする、請求項１から６のいずれかに記載の圧電デバイスの製造方法。
  8. 前記保護膜はＡｌＮを主材料とする、請求項５に記載の圧電デバイスの製造方法。
  9. 前記支持層はＡｌＮを主材料とする、請求項６に記載の圧電デバイスの製造方法。
  10. 前記ヒータ電極は、ＷまたはＭｏを主材料とする、請求項１から９のいずれかに記載の圧電デバイスの製造方法。
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