JP5627279B2 - 振動発電デバイスおよびその製造方法 - Google Patents
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- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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-
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Landscapes
- General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)
- Micromachines (AREA)
Description
12 錘部
13 撓み部
15 下部電極
16 圧電層
17 上部電極
18 発電部
20 弾性膜
25 シリコン基板
29 第一のカバー基板
30 第二のカバー基板
31a、31c 接続配線
32a 下部電極用パッド
32c 上部電極揺パッド
40 出力用電極
Claims (4)
- フレーム部と、前記フレーム部の内側に設けられた錘部と、前記フレーム部と前記錘部との間をつなぎ前記錘部が変位することで撓む撓み部と、前記撓み部の一方の表面に形成され前記錘部の振動に応じて交流電圧を発生する発電部と、を備えた振動発電デバイスであって、
前記フレーム部および前記錘部は、シリコン基板を用いて形成され、
前記発電部の表面には、樹脂材料で形成された弾性膜を備え、
前記弾性膜は、前記フレーム部かつ前記錘部を構成するシリコンよりもヤング率が小さな前記樹脂材料を用いて形成され、
前記シリコン基板の裏面側から裏溝が形成されることで、前記裏溝の両側に前記フレーム部および前記錘部が配設され、前記裏溝の表側に前記発電部及び前記弾性膜が設けられたことを特徴とする振動発電デバイス。 - 前記弾性膜は、前記錘部にまで延長されて形成されていることを特徴とする請求項1に記載の振動発電デバイス。
- 請求項1または2に記載の前記振動発電デバイスの製造方法であって、
前記フレーム部および前記錘部は、エッチングストップ層を形成したシリコン基板を用いて形成し、
前記撓み部は、前記エッチングストップ層に達するまで前記シリコン基板をエッチングして形成することを特徴とする振動発電デバイスの製造方法。 - フレーム部と、
前記フレーム部の内側に設けられた錘部と、
前記フレーム部と前記錘部との間に存在する撓み領域とを備え、
前記フレーム部および前記錘部は、シリコン基板と、前記フレーム部、前記撓み領域、前記錘部に渡って形成されたエッチングストップ層とを備え、
前記撓み領域は、前記フレーム部のシリコン基板と前記錘部のシリコン基板との間に空間を備え、前記エッチングストップ層と、前記エッチングストップ層の表面に形成され前
記錘部の振動に応じて交流電圧を発生する発電部と、前記発電部を覆う樹脂材料で形成された弾性膜とが積層されてなり、
前記樹脂材料は、前記フレーム部かつ前記錘部を構成するシリコンよりもヤング率が小さい、振動発電デバイス。
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