JP6402567B2 - 回路装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
図1に本実施形態の回路装置の構成例を示す。図1は本実施形態の回路装置の平面視での回路配置例を示す図である。具体的には、回路装置(半導体チップ)の基板に直交する方向での平面視における回路のレイアウト配置を示す図である。
図4に本実施形態の回路装置の詳細な回路構成例を示す。図4の回路装置は、ブリッジ回路10、ドライバー回路18、制御回路20、検出回路30、過熱保護回路40を含む。なお本実施形態の回路装置は図4の構成に限定されず、その構成要素の一部を省略したり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。
図7に、過熱保護回路40の詳細な構成例を示す。なお過熱保護回路40は図7の構成に限定されず、その構成要素の一部を省略したり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。例えば図7ではバイポーラートランジスターを用いて温度検出を行っているが、ダイオード等の他の温度検出素子を用いて温度検出を行うようにしてもよい。
図1では1つの温度センサー部が配置されていたが、本実施形態では複数の温度センサー部を回路装置に配置してもよい。例えば図9では、複数の温度センサー部のうちの第1の温度センサー部TS1は、ブリッジ回路10のハイサイド側のトランジスター(Q1、Q3)の配置領域に配置されている。一方、第2の温度センサー部TS2は、ブリッジ回路10のローサイド側のトランジスター(Q2、Q4)の配置領域に配置されている。
各ブリッジ回路10、12の配置領域での温度を個別に検出して、保存することなどが可能になる。例えば、各温度センサー部TS1、TS2による過熱状態の検出結果を、回路装置の図示しない記憶部に保存する。このようにすれば、事後的に、第1のチャンネルのブリッジ回路10と第2のチャンネルのブリッジ回路12のいずれの配置領域で、過電流が発生したのかを特定できるようになり、信頼性の向上等を図れる。
本実施形態では、ブリッジ回路10を構成するトランジスターQ1〜Q4として、DMOS(Double-diffused Metal Oxide Semiconductor)構造のトランジスターを用いている。また、ロジック回路20、アナログ回路28等を構成するトランジスターとしては、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)構造のトランジスターを用いている。
図20に、本実施形態の回路装置200(モータードライバー)が適用された電子機器の構成例を示す。電子機器は、処理部300、記憶部310、操作部320、入出力部330、回路装置200、これらの各部を接続するバス340、モーター280を含む。以下ではモーター駆動によりヘッドや紙送りを制御するプリンターを例にとり説明するが、本実施形態はこれに限定されず、種々の電子機器に適用可能である。
PR1〜PR4 プリドライバー、DAC D/A変換回路、CP 比較回路、
DG1〜DG4 駆動信号、IN1〜IN4 制御信号、RS センス抵抗、
PD1〜PD3 パッド、TS、TS1〜TS6 温度センサー部、
OHD 過熱検出部、SD1〜SD4、SB1〜SB4、SC1〜SC4 端辺、
BP1、BP2、BP11〜BP2n バイポーラートランジスター、
IS 電流源、CPB 比較回路、TS1〜TSn 温度センサー部、
SW1〜SWn、SWB、SWC、SWOF スイッチ素子、
TB1、TR トランジスター、DB ボディダイオード、
10、12 ブリッジ回路、18 ドライバー回路、20 制御回路、
28 アナログ回路、30 検出回路、32 基準電圧生成回路、
40 過熱保護回路、50 基準電圧生成回路、52 定電圧源、
60 スイッチ制御回路、100 モーター、200 回路装置、
300 処理部、310 記憶部、320 操作部、330 入出力部、
Claims (16)
- ハイサイド側のトランジスターとローサイド側のトランジスターとを有するブリッジ回路と、
少なくとも1つの温度センサー部と、
前記温度センサー部からの温度検出信号に基づいて過熱検出を行う過熱検出部と、
低電位側電源が供給される低電位側電源パッドと、
を含み、
前記温度センサー部と前記ブリッジ回路との間の距離は、前記過熱検出部と前記ブリッジ回路との間の距離よりも小さく、
前記温度センサー部と前記低電位側電源パッドとの間の距離は、前記ブリッジ回路の前記ローサイド側のトランジスターと前記低電位側電源パッドとの間の距離よりも小さいことを特徴とする回路装置。 - 請求項1において、
前記温度センサー部は、
前記ブリッジ回路の配置領域に配置されることを特徴とする回路装置。 - ハイサイド側のトランジスターとローサイド側のトランジスターとを有するブリッジ回路と、
少なくとも1つの温度センサー部と、
前記温度センサー部からの温度検出信号に基づいて過熱検出を行う過熱検出部と、
低電位側電源が供給される低電位側電源パッドと、
を含み、
前記温度センサー部は、
前記ブリッジ回路の配置領域に配置され、
前記温度センサー部と前記低電位側電源パッドとの間の距離は、前記ブリッジ回路の前記ローサイド側のトランジスターと前記低電位側電源パッドとの間の距離よりも小さいことを特徴とする回路装置。 - 請求項2又は3において、
前記ブリッジ回路の配置領域のうち、前記過熱検出部から遠い第1の端辺に沿った領域を第1の端辺側領域とし、前記過熱検出部から近い第2の端辺に沿った領域を第2の端辺側領域とした場合に、
前記温度センサー部は前記第2の端辺側領域に配置されることを特徴とする回路装置。 - 請求項1乃至4のいずれかにおいて、
前記ブリッジ回路の前記ハイサイド側のトランジスター、前記ローサイド側のトランジスターに駆動信号を出力するドライバー回路を含み、
前記温度センサー部は、
前記ドライバー回路に比べて、前記ブリッジ回路に近い位置に配置されることを特徴とする回路装置。 - 請求項1乃至5いずれかにおいて、
前記ブリッジ回路の前記ハイサイド側のトランジスター及び前記ローサイド側のトランジスターのオン・オフ制御を行う制御回路を含み、
前記温度センサー部は、
前記制御回路に比べて、前記ブリッジ回路に近い位置に配置されることを特徴とする回路装置。 - 請求項1乃至6のいずれかにおいて、
少なくとも1つの前記温度センサー部として、複数の温度センサー部が配置されることを特徴とする回路装置。 - 請求項7において、
前記複数の温度センサー部のうちの第1の温度センサー部は、
前記ブリッジ回路の前記ハイサイド側のトランジスターの配置領域に配置され、
前記複数の温度センサー部のうちの第2の温度センサー部は、
前記ブリッジ回路の前記ローサイド側のトランジスターの配置領域に配置されることを特徴とする回路装置。 - 請求項1乃至4のいずれかにおいて、
少なくとも1つの前記温度センサー部として、複数の温度センサー部が配置され、
前記複数の温度センサー部のうちの第1の温度センサー部は、
前記ブリッジ回路の配置領域に配置され、
前記複数の温度センサー部のうちの第2の温度センサー部は、
前記ブリッジ回路の配置領域の外側領域に配置されることを特徴とする回路装置。 - 請求項7において、
ハイサイド側のトランジスターとローサイド側のトランジスターとを有する第2のブリッジ回路を含み、
前記複数の温度センサー部のうちの第1の温度センサー部は、
前記ブリッジ回路である第1のブリッジ回路の配置領域に配置され、
前記複数の温度センサー部のうちの第2の温度センサー部は、
前記第2のブリッジ回路の配置領域に配置されることを特徴とする回路装置。 - 請求項10において、
前記複数の温度センサー部のうちの第3の温度センサー部は、
前記第1のブリッジ回路と前記第2のブリッジ回路の間に配置されることを特徴とする回路装置。 - 請求項1乃至4のいずれかにおいて、
少なくとも1つの前記温度センサー部として、複数の温度センサー部が配置され、
前記過熱検出部は、
前記複数の温度センサー部のうちの第1の温度センサー部からの第1の温度検出信号と、前記複数の温度センサー部のうちの第2の温度センサー部からの第2の温度検出信号に基づいて、過熱検出を行うことを特徴とする回路装置。 - 請求項12において、
前記過熱検出部は、
前記第1の温度検出信号と前記第2の温度検出信号との比較結果に基づいて、過熱検出を行うことを特徴とする回路装置。 - 請求項7において、
前記過熱検出部は、
前記複数の温度センサー部から時分割に入力される温度検出信号に基づいて、過熱検出を行うことを特徴とする回路装置。 - 請求項1乃至14のいずれかにおいて、
前記ハイサイド側のトランジスターと前記ローサイド側のトランジスターは、DMOS構造のトランジスターであり、
前記温度センサー部は、
DMOS構造のトランジスターのボディダイオードにより形成されることを特徴とする回路装置。 - 請求項1乃至15のいずれかに記載の回路装置を含むことを特徴とする電子機器。
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