JP6401053B2 - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
以下、図面を参照しながら本実施の形態の半導体装置について詳細に説明する。
図1は、本実施の形態の半導体装置の構成を示す断面図である。図1等に示す本実施の形態の半導体装置(半導体素子)は、窒化物半導体を用いたMIS(Metal Insulator Semiconductor)型の電界効果トランジスタ(FET;Field Effect Transistor)である。この半導体装置は、高電子移動度トランジスタ(HEMT:High Electron Mobility Transistor)型のパワートランジスタとして用いることができる。
次いで、図3〜図11を参照しながら、本実施の形態の半導体装置の製造方法を説明するとともに、当該半導体装置の構成をより明確にする。図3〜図11は、本実施の形態の半導体装置の製造工程を示す断面図である。
本実施の形態においては、ゲート絶縁膜GIの側面(側壁)がテーパー形状となっている。
本実施の形態1、2においては、ゲート絶縁膜GI上に窒化シリコン膜SNを介してゲート電極GEを配置したが、ゲート絶縁膜GI上の窒化シリコン膜SNに開口部を設け、その上にゲート電極GEを配置してもよい。
図13は、本実施の形態の半導体装置の構成を示す断面図である。図13に示すように、本実施の形態においては、ゲート絶縁膜GIとゲート電極GEとが、窒化シリコン膜SN中の開口部OA31において接触している。窒化シリコン膜SN中の開口部以外は、実施の形態2(図2)の半導体装置の場合と同様であるため、その説明を省略する。
次いで、図14〜図17を参照しながら、本実施の形態の半導体装置の製造方法を説明するとともに、当該半導体装置の構成をより明確にする。図14〜図17は、本実施の形態の半導体装置の製造工程を示す断面図である。
実施の形態1においては、基板S上に、チャネル層(電子走行層ともいう)CHおよび障壁層BAを形成したが、障壁層BAを省略してもよい。
実施の形態1においては、素子分離領域ISOを形成したが、素子分離領域において、窒化シリコン膜SNを削除してもよい。
[付記1]
(a)基板の上方に第1窒化物半導体層を形成する工程、
(b)前記第1窒化物半導体層の第1領域上にゲート絶縁膜を形成する工程、
(c)前記第1窒化物半導体層および前記ゲート絶縁膜上に窒化シリコン膜を形成する工程、
(d)前記ゲート絶縁膜の上方に前記窒化シリコン膜を介してゲート電極を形成する工程、
(e)前記ゲート電極の一方の側の前記第1窒化物半導体層の上方に第1電極を形成し、前記ゲート電極の他方の側の前記第1窒化物半導体層の上方に第2電極を形成する工程、
を有し、
前記(c)工程の後の前記第1窒化物半導体層の抵抗は、前記(a)工程における前記第1窒化物半導体層の抵抗より小さい、半導体装置。
AC 活性領域
BA 障壁層
CH チャネル層
DE ドレイン電極
DL ドレイン線
GE ゲート電極
GI ゲート絶縁膜
GL ゲート線
IL 絶縁膜
ISO 素子分離領域
M1 配線
MF1 金属膜
OA31 開口部
PG プラグ
PR1 フォトレジスト膜
PR21 フォトレジスト膜
PRO 保護膜
S 基板
SE ソース電極
SL ソース線
SN 窒化シリコン膜
WGE 幅
WGI 幅
WGIB 下辺の幅
WGIU 上辺の幅
WOA 幅
Claims (13)
- 基板の上方に形成された第1窒化物半導体層と、
前記第1窒化物半導体層上に形成された第2窒化物半導体層と、
前記第2窒化物半導体層上に、ゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極と、
前記ゲート電極の両側の前記第2窒化物半導体層の上方にそれぞれ形成された第1電極および第2電極と、
前記第1電極と前記ゲート電極との間の前記第2窒化物半導体層上に形成された第1窒化シリコン膜と、
前記第2電極と前記ゲート電極との間の前記第2窒化物半導体層上に形成された第2窒化シリコン膜と、
を有し、
前記第1窒化物半導体層の電子親和力は、前記第2窒化物半導体層の電子親和力より大きく、
前記第1窒化シリコン膜は、前記ゲート絶縁膜と前記ゲート電極との間まで延在し、前記第2窒化シリコン膜と接続されている、半導体装置。 - 基板の上方に形成された第1窒化物半導体層と、
前記第1窒化物半導体層上に形成された第2窒化物半導体層と、
前記第2窒化物半導体層上に、ゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極と、
前記ゲート電極の両側の前記第2窒化物半導体層の上方にそれぞれ形成された第1電極および第2電極と、
前記第1電極と前記ゲート電極との間の前記第2窒化物半導体層上に形成された第1窒化シリコン膜と、
前記第2電極と前記ゲート電極との間の前記第2窒化物半導体層上に形成された第2窒化シリコン膜と、
を有し、
前記第1窒化物半導体層の電子親和力は、前記第2窒化物半導体層の電子親和力より大きく、
前記ゲート絶縁膜の側面は、テーパー状である、半導体装置。 - 基板の上方に形成された第1窒化物半導体層と、
前記第1窒化物半導体層上に形成された第2窒化物半導体層と、
前記第2窒化物半導体層上に、ゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極と、
前記ゲート電極の両側の前記第2窒化物半導体層の上方にそれぞれ形成された第1電極および第2電極と、
前記第1電極と前記ゲート電極との間の前記第2窒化物半導体層上に形成された第1窒化シリコン膜と、
前記第2電極と前記ゲート電極との間の前記第2窒化物半導体層上に形成された第2窒化シリコン膜と、
を有し、
前記第1窒化物半導体層の電子親和力は、前記第2窒化物半導体層の電子親和力より大きく、
前記ゲート絶縁膜と前記ゲート電極とは、前記第1窒化シリコン膜と前記第2窒化シリコン膜との間に位置する開口部において接触している、半導体装置。 - 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記第1窒化シリコン膜および前記第2窒化シリコン膜の下方における、前記第1窒化物半導体層と前記第2窒化物半導体層の第1境界には、2次元電子ガスが生成しており、
前記ゲート絶縁膜の下方における、前記第1窒化物半導体層と前記第2窒化物半導体層の第2境界の2次元電子ガスの濃度は、前記第1境界の2次元電子ガスの濃度より低い、半導体装置。 - 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記第1窒化シリコン膜および前記第2窒化シリコン膜の下方における、前記第1窒化物半導体層と前記第2窒化物半導体層の積層部のシート抵抗は、前記ゲート絶縁膜の下方における、前記第1窒化物半導体層と前記第2窒化物半導体層の積層部のシート抵抗より小さい、半導体装置。 - 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記第2窒化物半導体層と前記第1電極は、オーミック接続され、
前記第2窒化物半導体層と前記第2電極は、オーミック接続されている、半導体装置。 - 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記第2窒化物半導体層と前記ゲート絶縁膜とは接している、半導体装置。 - 基板の上方に形成された第1窒化物半導体層と、
前記第1窒化物半導体層上に、ゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極と、
前記ゲート電極の両側の前記第1窒化物半導体層の上方にそれぞれ形成された第1電極および第2電極と、
前記第1電極と前記ゲート電極との間の前記第1窒化物半導体層上に形成された第1窒化シリコン膜と、
前記第2電極と前記ゲート電極との間の前記第1窒化物半導体層上に形成された第2窒化シリコン膜と、
を有し、
前記第1窒化シリコン膜は、前記ゲート絶縁膜と前記ゲート電極との間まで延在し、前記第2窒化シリコン膜と接続されている、半導体装置。 - 請求項8記載の半導体装置において、
前記第1窒化シリコン膜および前記第2窒化シリコン膜の下方における、前記第1窒化物半導体層の2次元電子ガスの濃度は、前記ゲート絶縁膜の下方における、前記第1窒化物半導体層の2次元電子ガスの濃度より高い、半導体装置。 - 請求項8記載の半導体装置において、
前記第2窒化物半導体層と前記ゲート絶縁膜とは接している、半導体装置。 - (a)基板の上方に第1窒化物半導体層を形成する工程、
(b)前記第1窒化物半導体層上に第2窒化物半導体層を形成する工程、
(c)前記第2窒化物半導体層の第1領域上にゲート絶縁膜を形成する工程、
(d)前記第2窒化物半導体層および前記ゲート絶縁膜上に窒化シリコン膜を形成する工程、
(e)前記ゲート絶縁膜の上方に前記窒化シリコン膜を介してゲート電極を形成する工程、
(f)前記ゲート電極の一方の側の前記第2窒化物半導体層の上方に第1電極を形成し、前記ゲート電極の他方の側の前記第2窒化物半導体層の上方に第2電極を形成する工程、
を有し、
前記第1窒化物半導体層の電子親和力は、前記第2窒化物半導体層の電子親和力より大きく、
前記(d)工程の後の前記第1窒化物半導体層と前記第2窒化物半導体層の積層部のシート抵抗は、前記(b)工程における前記第1窒化物半導体層と前記第2窒化物半導体層の積層部のシート抵抗より小さい、半導体装置の製造方法。 - 請求項11記載の半導体装置の製造方法において、
前記(c)工程は、側面がテーパー状である前記ゲート絶縁膜を形成する工程である、半導体装置の製造方法。 - 請求項11記載の半導体装置の製造方法において、
前記(d)工程と前記(e)工程の間に、
(g)前記ゲート絶縁膜上の前記窒化シリコン膜に開口部を設ける工程を有し、
前記(e)工程は、前記開口部および前記窒化シリコン膜上に前記ゲート電極を形成する工程である、半導体装置の製造方法。
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