JP6372859B2 - 研磨パッドのコンディショニング方法及び研磨装置 - Google Patents
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Description
T(r)=Tr0×(r0/r) ・・・(1)
V(r)=(r0/r)V0 ・・・(2)
D÷Q=n ・・・(3)
(ここで、T(r):前記コンディショニングヘッドの前記定盤の中心からの距離がrの時の定盤回転数(rpm)、Tr0:コンディショニング開始時の定盤回転数(rpm)、r0:コンディショニング開始時の前記コンディショニングヘッドの前記定盤の中心からの距離(m)、r:前記コンディショニングヘッドの前記定盤の中心からの距離(m)、V(r):前記コンディショニングヘッドの前記定盤の中心からの距離がrの時の前記コンディショニングヘッドの前記定盤の半径方向への移動速度(m/sec)、V0:コンディショニング開始時の前記コンディショニングヘッドの前記定盤の半径方向への移動速度(m/sec)、D:前記コンディショニングヘッドの前記定盤の半径方向のサイズ(m)、Q:前記定盤が1回転する時の前記コンディショニングヘッドが前記定盤の半径上を移動する距離(m)、n:正の整数である。)
T(r)=Tr0×(r0/r) ・・・(1)
V(r)=(r0/r)V0 ・・・(2)
D÷Q=n ・・・(3)
(ここで、T(r):前記コンディショニングヘッドの前記定盤の中心からの距離がrの時の定盤回転数(rpm)、Tr0:コンディショニング開始時の定盤回転数(rpm)、r0:コンディショニング開始時の前記コンディショニングヘッドの前記定盤の中心からの距離(m)、r:前記コンディショニングヘッドの前記定盤の中心からの距離(m)、V(r):前記コンディショニングヘッドの前記定盤の中心からの距離がrの時の前記コンディショニングヘッドの前記定盤の半径方向への移動速度(m/sec)、V0:コンディショニング開始時の前記コンディショニングヘッドの前記定盤の半径方向への移動速度(m/sec)、D:前記コンディショニングヘッドの前記定盤の半径方向のサイズ(m)、Q:前記定盤が1回転する時の前記コンディショニングヘッドが前記定盤の半径上を移動する距離(m)、n:正の整数である。)
T(r)=Tr0×(r0/r) ・・・(1)
V(r)=(r0/r)V0 ・・・(2)
D÷Q=n ・・・(3)
(ここで、T(r):コンディショニングヘッド6の定盤2の中心からの距離がrの時の定盤回転数(rpm)、Tr0:コンディショニング開始時の定盤回転数(rpm)、r0:コンディショニング開始時のコンディショニングヘッド6の定盤2の中心からの距離(m)、r:コンディショニングヘッド6の定盤2の中心からの距離(m)、V(r):コンディショニングヘッド6の定盤2の中心からの距離がrの時のコンディショニングヘッド6の定盤2の半径方向への移動速度(m/sec)、V0:コンディショニング開始時のコンディショニングヘッド6の定盤2の半径方向への移動速度(m/sec)、D:コンディショニングヘッド6の定盤の半径方向のサイズ(m)、Q:定盤が1回転する時のコンディショニングヘッド6が定盤の半径上を移動する距離(m)、n:正の整数である。)
(取り代)∝(圧力)×(接触速度)×(時間) ・・・(4)
と表現することができる。圧力に関しては、一般的な装置でも一定の荷重を得ることは容易であるので、これにドレスヘッドの研磨パッド3との定盤の接触速度が一定であること、研磨パッド上のいかなる場所においてもドレスヘッドとの接触時間が一定であること、の2つの要件を付加した場合に、研磨パッド3のいかなる場所でも、より均一な条件でドレッシングでき、より確実に研磨パッド3の均一なコンディショニングを行うことができる。
本発明のコンディショニング方法に従って、シリコンウェーハの両面研磨工程において、研磨バッチ間に両面研磨装置の上下定盤の研磨パッドのコンディショニングを行いながら、シリコンウェーハを両面研磨した。このとき、両面研磨装置として、図8に示したような本発明の両面研磨装置を使用した。また、直径300mmのシリコンウェーハを研磨した。コンディショニングヘッドとして、ドレスヘッドを用いた。すなわち、コンディショニングとしてドレッシングを行った。このようにして、両面研磨工程を連続操業した後、両面研磨されたシリコンウェーハのGBIR(Global Backsurface−referenced Ideal plane/Range)を測定し、平坦度を評価した。
ドレッシング中の定盤回転数とドレスヘッドの定盤半径方向への移動速度を制御せず、両者を常に一定としたこと以外、実施例と同様な条件で、研磨バッチ間にドレッシングを行いながら、シリコンウェーハの両面研磨を実施した。その後、実施例と同様に、両面研磨されたシリコンウェーハのGBIRを測定し、平坦度を評価した。図3、9に、それぞれドレッシング中の定盤回転数とドレスヘッドの定盤半径方向への移動速度を示す(図3、9の破線)。
4…研磨ヘッド、 5…研磨剤供給機構、 6…コンディショニングヘッド、
7…アーム、 8…制御機構、 9…ドレスヘッド、
80…両面研磨装置、 81…研磨パッド、 82…上定盤、
83…下定盤、 84…キャリア、 85…コンディショニングヘッド、
86…アーム、 87…制御機構、W…ウェーハ。
Claims (2)
- 回転可能な円盤状の定盤に貼り付けられたウェーハを研磨するための研磨パッドを、コンディショニングヘッドを用いてコンディショニングする方法であって、
前記定盤を回転させることで該定盤に貼り付けられた前記研磨パッドを回転させながら、前記コンディショニングヘッドを前記定盤の半径方向に移動させつつ前記コンディショニングを実施し、
前記定盤の回転数及び前記コンディショニングヘッドの前記定盤の半径方向への移動速度を、前記コンディショニングヘッドの前記定盤の中心からの距離に応じて制御する時、
前記定盤の回転数が下記式(1)を満たし、かつ、前記コンディショニングヘッドの前記定盤の半径方向への移動動作が下記式(2)及び(3)を満たすように、前記定盤の回転数及び前記コンディショニングヘッドの前記定盤の半径方向への移動速度を制御することを特徴とする研磨パッドのコンディショニング方法。
T(r)=Tr 0 ×(r 0 /r) ・・・(1)
V(r)=(r 0 /r)V 0 ・・・(2)
D÷Q=n ・・・(3)
(ここで、T(r):前記コンディショニングヘッドの前記定盤の中心からの距離がrの時の定盤回転数(rpm)、Tr 0 :コンディショニング開始時の定盤回転数(rpm)、r 0 :コンディショニング開始時の前記コンディショニングヘッドの前記定盤の中心からの距離(m)、r:前記コンディショニングヘッドの前記定盤の中心からの距離(m)、V(r):前記コンディショニングヘッドの前記定盤の中心からの距離がrの時の前記コンディショニングヘッドの前記定盤の半径方向への移動速度(m/sec)、V 0 :コンディショニング開始時の前記コンディショニングヘッドの前記定盤の半径方向への移動速度(m/sec)、D:前記コンディショニングヘッドの前記定盤の半径方向のサイズ(m)、Q:前記定盤が1回転する時の前記コンディショニングヘッドが前記定盤の半径上を移動する距離(m)、n:正の整数である。) - 回転可能な円盤状の定盤に貼り付けられたウェーハを研磨するための研磨パッドを、コンディショニングするためのコンディショニングヘッドを具備する研磨装置であって、
前記定盤を回転させることで該定盤に貼り付けられた前記研磨パッドを回転させながら、前記コンディショニングヘッドを前記定盤の半径方向に移動させつつ前記コンディショニングを実施するものであり、
前記定盤の回転数及び前記コンディショニングヘッドの前記定盤の半径方向への移動速度を、前記コンディショニングヘッドの前記定盤の中心からの距離に応じて制御する制御機構を具備するものであり、
前記制御機構が、前記定盤の回転数が下記式(1)を満たし、かつ、前記コンディショニングヘッドの前記定盤の半径方向への移動動作が下記式(2)及び(3)を満たすように、前記定盤の回転数及び前記コンディショニングヘッドの前記定盤の半径方向への移動速度を制御するものであることを特徴とする研磨装置。
T(r)=Tr 0 ×(r 0 /r) ・・・(1)
V(r)=(r 0 /r)V 0 ・・・(2)
D÷Q=n ・・・(3)
(ここで、T(r):前記コンディショニングヘッドの前記定盤の中心からの距離がrの時の定盤回転数(rpm)、Tr 0 :コンディショニング開始時の定盤回転数(rpm)、r 0 :コンディショニング開始時の前記コンディショニングヘッドの前記定盤の中心からの距離(m)、r:前記コンディショニングヘッドの前記定盤の中心からの距離(m)、V(r):前記コンディショニングヘッドの前記定盤の中心からの距離がrの時の前記コンディショニングヘッドの前記定盤の半径方向への移動速度(m/sec)、V 0 :コンディショニング開始時の前記コンディショニングヘッドの前記定盤の半径方向への移動速度(m/sec)、D:前記コンディショニングヘッドの前記定盤の半径方向のサイズ(m)、Q:前記定盤が1回転する時の前記コンディショニングヘッドが前記定盤の半径上を移動する距離(m)、n:正の整数である。)
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