JP4682449B2 - 化学的機械的研磨方法及び化学的機械的研磨装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ、LCD用ガラス板等の薄板状被研磨物の研磨に有用な化学的機械的研磨(CMP)方法及びその実施に使用する装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
CMPは、半導体装置の製造プロセスにおける半導体ウエハや、LCDパネルの製造プロセスにおけるガラス板等の平坦化技術として使用されている。
【0003】
図7は、従来のCMP装置1の概略断面図である。この装置は、回転機構を有する定盤2、定盤2上に両面テープ等で固定された研磨パッド3、半導体ウエハ等の被研磨物4を保持する研磨ヘッド5を備えている。研磨ヘッド5の被研磨物4の保持面には、吸着保持材及び緩衝材として吸着フィルム6が設けられており、研磨ヘッド5の外周部には、被研磨物4が研磨ヘッド5から外れないようにするため、リテーナリング7が設けられている。
【0004】
研磨ヘッド5の近傍には、スラリ状の研磨剤9を研磨パッド3上に供給する研磨剤供給ライン10が設けられている。
【0005】
研磨時には、研磨剤供給ライン10から研磨剤9を研磨パッド3に供給しつつ、定盤2を回転させると共に被研磨物4を保持した研磨ヘッド5を回転させながら研磨ヘッド5をシリンダ8により降下させ、被研磨物4が研磨パッド3に接した後、さらに被研磨物4を研磨パッド3に押圧し、研磨を行う。
【0006】
研磨パッド3は、図8に示すように、高さhが1〜2mm程度の無数の尖端凸部11を有するように目立てられており、研磨時には研磨剤9に含まれる砥粒12が、尖端凸部11同士の間隙の凹部に入り込み、この砥粒12と尖端凸部11とが被研磨物4の研磨面を適度に圧接して磨く。
【0007】
研磨により研磨パッド3の尖端凸部11が摩滅し、研磨パッド3の研磨面が平坦化すると被研磨物4に接する研磨パッド3の面積が広くなるため、砥粒12や尖端凸部11を所期の力で被研磨物4に圧接させることが困難になる。また、研磨パッド3の研磨屑が尖端凸部11間の凹部で目詰まりしたり、尖端凸部11間の凹部に溜まっている研磨屑が被研磨物4の研磨面にスクラッチ(引っかき傷)を生じさせる。
【0008】
そこで、CMP装置1には、ドレッシング(即ち、摩耗した研磨パッド3の研磨面を削り、その表面状態を修正する処理)を行うドレッサーユニット20が具備されている。ドレッシングは、研磨時にあるいは研磨と別個に、ドレッサーユニット20を研磨ヘッド5と同様に回転させながら研磨パッド3に押圧することにより行う。
【0009】
ドレッサーユニット20は、ドレッサー21とその支持部22からなる。ドレッサー21は、例えば図9のように、SUS板23上に取り付けた台金24上にダイヤモンド粒子25を同心円状にNi蒸着で固定したものから構成される。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のCMP方法では、一般にドレッシングが不十分になる場合が多いため、被研磨物4の研磨面にスクラッチが起こりやすい。CMPにより半導体ウエハにスクラッチが生じると、ゲート電極の破壊や、スクラッチ上に成膜した絶縁膜が絶縁破壊を起こす等の問題が引き起こされ、半導体装置の歩留まりが著しく低下する。
【0011】
これに対しては、ドレッシングを過剰に行うことが考えられるが、ドレッシングを過剰に行うと、研磨パッド3の寿命が短くなるのでCMPのコストが高くつく。
【0012】
本発明は、以上のような従来の問題点に対し、CMPを行うにあたり、スクラッチを低減させ、かつ研磨パッドの寿命が過度に短くならないようにすることを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、ドレッシングを行いつつCMPを行う方法において、(i)研磨パッドの摩耗は、専らドレッシングにより生じること、(ii)ドレッシングによる研磨パッドの単位時間当たりの研削量と、被研磨物に生じるスクラッチの発生数とは密接な関係があること、(iii)したがって、予め研磨パッドの単位時間当たりの研削量と被研磨物に生じたスクラッチの発生数とのデータを蓄積しておき、そのデータに基づいて、スクラッチの発生数を低減させるために最適な研磨パッドの単位時間当たりの研削量を求め、そのような研削量となるようにドレッシング条件を調整して化学的機械的研磨を行うと、被研磨物に生じるスクラッチを著しく低減させられること、(iv)特に、この場合のドレッシング条件の調整方法としては、研磨パッドに対するドレッサーの押圧力を調整することが有効であることを見出した。
【0014】
即ち、本発明の化学的機械的研磨方法は、化学的機械的研磨における研磨パッドの単位時間当たりの研削量とその化学的機械的研磨により被研磨物に生じたスクラッチの発生数のデータを収集してスクラッチを低減させるために最適な研磨パッドの単位時間当たりの研削量を予め求め、化学的機械的研磨を行うために研磨パッドを装着し、装着された前記研磨パッドの膜厚、前記研磨パッドの表面に形成されている尖端凸部の高さ、及び前記尖端凸部の分布を計測することにより、前記研磨パッドの形状を測定し、前記研磨パッドにウエハを装着し、前記研磨パッドに前記ドレッサーを押圧するドレッシングを行いつつ、前記研磨パッドを用いて前記ウエハの表面を化学的機械的研磨し、その後前記研磨パッドの形状を測定し、当該化学的機械的研磨において、前記ウエハの表面を化学的機械的研磨する前後に行われた前記研磨パッドの形状の測定に基づいて得られた前記研磨パッドの単位時間当たりの研削量が、予め求めておいた研磨パッドの単位時間当たりの研削量の最適値をとるようにドレッシング条件を調整し、前記研磨パッドに本処理用被研磨物を装着し、前記研磨パッドに前記ドレッサーを押圧するドレッシングを行いつつ、前記研磨パッドを用いて前記本処理用被研磨物の表面を化学的機械的研磨する。
【0015】
また、本発明の化学的機械的研磨装置は、研磨パッドと、前記研磨パッドを固定する定盤と、被研磨物を保持し、被研磨物を前記研磨パッドに押圧する研磨ヘッドと、前記研磨パッドにドレッシングを行うドレッサーと、前記研磨パッドの膜厚、前記研磨パッドの表面に形成されている尖端凸部の高さ、及び前記尖端凸部の分布を計測することにより、前記研磨パッドの形状を測定する研磨パッド形状測定手段と、ウエハの表面を化学的機械的研磨する前後に行われる前記研磨パッド形状測定手段による前記研磨パッドの形状の測定に基づいて得られた前記研磨パッドの単位時間当たりの研削量が、被研磨物に生じるスクラッチを低減させるために予め求めておいた研磨パッドの単位時間当たりの研削量の最適値をとるようにドレッシング条件を調整し、前記研磨パッドに対する前記ドレッサーの押圧力を調整する圧力調整手段と、を備え、前記研磨パッドに前記ドレッサーを押圧するドレッシングを行いつつ、前記研磨パッドを用いて前記研磨ヘッドに保持された本処理用被研磨物の表面を化学的機械的研磨する。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ、本発明を詳細に説明する。なお、各図中、同一符号は、同一又は同等の構成要素を表している。
【0017】
図1は、本発明のCMP装置の一実施例の全体構成図である。このCMP装置1Aは、概略、研磨ユニット100、研磨ユニット100内でドレッシングを行うドレッサーユニット20、研磨ユニット100内で研磨パッドの形状を測定するパッド形状測定ユニット200、CMP後に被研磨物の洗浄、乾燥を行う洗浄ユニット300、洗浄ユニット300で使用するHF、NH3等の洗浄薬液を供給する薬液供給ユニット400、被研磨物を順にカセット500からロードし、研磨ユニット100、洗浄ユニット300、カセット500へアンロードする搬送ユニット600からなっている。
【0018】
研磨ユニット100には、従来のCMP装置と同様に、回転機構を有する定盤2、定盤2上に両面テープ等で固定された研磨パッド3、半導体ウエハ等の被研磨物を保持する研磨ヘッド5を備えている。研磨ヘッド5は、軸5aを中心に回転し、上下可動になっている。研磨ヘッド5の近傍には、研磨剤供給ユニット700から供給されるスラリ状の研磨剤を研磨パッド3上に供給する研磨剤供給ライン10が設けられている。
【0019】
また、このCMP装置1Aにおいて、研磨パッド3としては、図8に示したように無数の尖端凸部11を有する公知の研磨パッドを使用することができる。
【0020】
図2に示すように、ドレッサーユニット20は、研磨パッド3の半径方向に可動となっている支持部22に図9に示した、回転可能なドレッサー21を取り付けたものからなり、ドレッサー21の研磨パッド3に対する押圧力を調整する圧力調整機構が備えられている。
【0021】
パッド形状測定ユニット200は、このCMP装置1Aの特徴的な構成の一つである。このパッド形状測定ユニット200は、パッド形状測定手段としてのダイアルゲージ201を、ドレッサーユニット20の支持部22に取り付けたものからなっている。研磨パッド3の形状の測定は、定盤2の静止時に行う。この測定方法としては、例えば、まず支持部22を研磨パッド3の半径方向に動かしてダイアルゲージ201を研磨パッド3のセンター上に移動し、そのセンターから研磨パッド3の外周に向かって半径方向に順次所定間隔移動した10点程度を測定点とし、ダイアルゲージ201により研磨パッド3の表面の位置を測定し、必要に応じて各測定点の平均を求めることにより行う。
【0022】
図3は、このCMP装置1Aを用いて本発明の方法を実施する場合の工程図である。まず、予め、このCMP装置1Aを用いて所定の押圧力でドレッシングしつつCMPを行った場合のドレッシングの押圧力と、そのときの研磨パッドの単位時間あたりの研削量と、被研磨物に発生した所定の大きさ以上のスクラッチの数との関係を、種々のCMP条件(研磨パッドの種類、ドレッサーの種類、ドレッサーの回転数、ドレッサーの押圧力、定盤の回転数、研磨ヘッドの押圧力、研磨ヘッドの回転数、被研磨物の膜種等)ごとに収集し、当該CMP条件において、低減させるために最適な研磨パッドの単位時間当たりの研削量を求めておく。最適な研削量としては、例えば、研磨パッドとして、単層の発泡ウレタンを使用し、他のCMP条件をドレッサー荷重6lbf(26.7N)、ドレッサー回転数87rpm、研磨ヘッド荷重5lbf(22.3N)、研磨ヘッド回転数93rpm、定盤回転数90rpmとする場合、45〜55μm/hrとすることができ、また、研磨パッドとして、表層が発泡ウレタンからなり、下地に柔軟なパッドを積層したスタッドパッドを使用し、他のCMP条件を上述と同様とする場合、30〜35μm/hrとすることができる。
【0023】
次に、パッド形状測定ユニット200を用いて、研磨パッド3の膜厚、研磨パッド3の表面に形成されている尖端凸部の高さ、尖端凸部の分布を調べるパッド形状測定を行う。
【0024】
次に、研磨ヘッド5にダミーウエハを装着し、所定の押圧力でドレッシングしつつCMP処理を行い(予備処理)、その後、再度パッド形状測定を行う。
【0025】
この予備処理の前後のパッド形状測定から、この予備処理における研磨パッド3の単位時間当たりの研削量を求め、その値が予め得ておいた研磨パッドの単位時間当たりの研削量の最適値と合致しているかを判断し、最適値から外れる場合には、研磨パッド3に対するドレッサーユニット20の押圧力を適宜調整して再度予備処理を行う。こうして、研磨パッド3の単位時間あたりの研削量が最適値と合致するまでドレッサーユニット20の押圧力を調整する。なお、研磨パッド3の研削量は、専らドレッシング条件に依存し、研磨ヘッド5への被研磨物の装着の有無には殆ど依存しないので、予備処理において、研磨ヘッド5へダミーウエハを装着することは、必ずしも必要ではないが、本来の被研磨物のCMP処理後の研磨面の仕上がりは研磨温度の影響を受けるので、予備処理時の温度を、本来の被研磨物のCMP処理の温度と合わせるために、予備処理においては、ダミーウエハを使用することが好ましい。
【0026】
またこの方法において、上述のドレッサーユニット20の押圧力の調整は、研磨パッド3の単位時間あたりの研削量を最適値に合致させるためのドレッシング条件の調整方法の一つとして行うものであるが、ドレッシング条件の調整方法としては、この他、研磨パッド3の半径方向に揺動するドレッサーユニット20の揺動幅や揺動速度を調整してもよく、さらに、定盤2、研磨ヘッド5、ドレッサーユニット20のそれぞれの回転速度、押圧力等を調整してもよい。
【0027】
また、パッド形状測定において、研磨パッド3の膜厚あるいは尖端凸部の高さの、研磨パッド3の半径方向のばらつきが所定範囲(例えば、10μm以内)を超えることがわかった場合、それらを均一化するため、ドレッシング条件の調整時に、ドレッサーユニット20の揺動速度を研磨パッド3の半径方向の所定の領域ごとに異ならせてもよい。
【0028】
ドレッシング条件を上述のように調整した上で、ドレッシングしつつ本来の被研磨物のCMPを行う(本体処理)。この本体処理では、所定数の被研磨物にCMPを行う(例えば、半導体ウエハ25〜50枚)。
【0029】
こうして本体処理した被研磨物については、その研磨面のスクラッチ数を計測し、計測されたスクラッチ数と、この本体処理における研磨パッドの単位時間当たりの研削量との関係を、前述の、研磨パッドの単位時間あたりの研削量と、被研磨物に発生したスクラッチ数との関係のデータの一つとして蓄積することが好ましい。
【0030】
所定数の本体処理を行った後には、前述と同様に予備処理と、予備処理の前後での研磨パッド3の形状測定を行い、研磨パッドの単位時間当たりの研削量を求め、その値が最適値となるようにドレッシング条件を調整し、その後に本体処理を再開する。
【0031】
以上のようにCMPを行うと、ドレッシングで研磨される研磨パッドの単位時間当たりの研削量が、研磨パッドに対するドレッサーユニットの押圧力の調整により、被研磨物にスクラッチを生じさせない最適値となっているので、被研磨物におけるスクラッチの発生を著しく低減させることができ、かつ、ドレッシングが過度になされることがないので、研磨パッドの寿命を伸ばすことができる。また、パッド形状測定により、研磨パッドの寿命の到来をモニタリングすることもできる。
【0032】
また、所定数の本体処理を行うごとにドレッサーユニットの押圧力を調整する本発明の態様に対し、従来のCMP方法では、一旦設定したドレッサーユニットの押圧力を本体処理の途中で変更することは行われていない。しかしながら、研磨パッドの尖端凸部の高さが摩耗により低くなると、ドレッサーの最適な圧力が変わる。このため、本実施例のように、所定数の本体処理を行うごとにドレッサーユニットの押圧力を再調整することがスクラッチの低減に有効となる。
【0033】
本発明は、種々の態様をとることができる。例えば、上述のパッド形状測定ユニット200に代えて、図4に示したように、ダイアルゲージ201を、定盤2外の独立したスタンド202に、研磨パッド3の半径方向に移動可能となるように取り付けてもよい。
【0034】
また、パッド形状測定手段としては、ダイアルゲージ201に代えて、図5に示したように、定盤2の真上にレーザー式あるいは光学式のライン状変位計203を取り付け、パッド形状測定手段を研磨パッド3の半径方向に移動させることなく、一度に研磨パッド3の半径方向の厚みや尖端凸部の高さ等が測定できるようにしてもよい。
【0035】
また、ドレッサーユニット20に設ける圧力調整機構とパッド形状測定ユニット200とをパソコン等の演算制御装置に接続し、その演算制御装置によって、パッド形状測定ユニット200で得られた測定データに基づいて研磨パッドの単位時間当たりの研削量が自動計算されるようにし、その研削量を所定の設定値と比較し、研削量が所定の設定値をとるように、ドレッサーの研磨パッドに対する押圧力が自動的に調整されるようにしてもよい。
【0036】
ドレッサーユニットとしては、ドレッサーが研磨パッドに対してその半径方向に揺動するタイプの他に、ドレッサーが研磨パッドの半径に対して十分な大きさを有し、研磨パッドの半径方向に揺動することなく取り付けられるタイプのものを使用してもよい。
【0037】
【実施例】
図1に示したCMP装置を用いて半導体ウエハにCMPを行った。この場合、研磨パッドとしては、発泡ウレタンからなる直径20inch(50.8cm)のものを使用し、定盤の回転数は95rpm とした。ダイアモンドドレッサーとしては、直径4inch(10.2cm)のものを使用し、研磨パッドの半径方向に揺動させつつ93rpm で回転させて使用した。ダイアルゲージとしてはミツトヨ社製、型番ID−C112Pを使用した。研磨剤としては、シリカ系スラリー(Cabot社製、SS-25)を使用し、150ml/minで供給した。
【0038】
この条件のCMPにおいて、研磨パッドの単位時間あたりの研削量と被研磨物のスクラッチ数との関係のデータを収集し、研削量の最適値を予め求めたところ、30〜35μm/hrであり、それを実現するために最適なドレッサーの押圧力は5.5〜6.5lbf(24.5〜28.9N)であった。そこで、ドレッサーの押圧力を6lbf(26.7N)とし、本体処理として800枚の半導体ウエハ(#1〜#800)を順次CMP処理し、CMP後の各半導体ウエハに生じた、幅又は長さが0.2μm以上のスクラッチ数を計測した。結果を図6に示す。なお、800枚の半導体ウエハのCMP処理の間に、図6に示すように研磨パッドを4回交換した。
【0039】
比較のため、ドレッサーの押圧力を4lbf(17.8N)とする以外は同様にして、本体処理として800枚の半導体ウエハ(#1〜#800)を順次CMPを行い、CMP後の各半導体ウエハに生じた幅又は長さが0.2μm以上のスクラッチ数を計測した。結果を図6に示す。
【0040】
図6から、研磨パッドの単位時間あたりの研削量が最適値となるように、ドレッサーの押圧力を調整してCMPを行うと、スクラッチ数を著しく低減できることがわかる。
【0041】
【発明の効果】
本発明によれば、CMPを行うにあたり、研磨パッドの寿命を過度に縮めることなく、被研磨物に生じるスクラッチを著しく低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施例のCMP装置の全体構成図である。
【図2】 パッド形状測定ユニットが取り付けられたドレッサーユニットの側面図である。
【図3】 実施例のCMP方法の工程図である。
【図4】 パッド形状測定ユニットが取り付けられたCMP装置のドレッサーユニット付近の側面図である。
【図5】 レーザーあるいは光学式のライン状変位計が取り付けられたCMP装置のドレッサーユニット付近の側面図である。
【図6】 本体処理における被研磨物の処理数とスクラッチ数との関係図である。
【図7】 従来のCMP装置の概略断面図である。
【図8】 研磨パッドの断面説明図である。
【図9】 ドレッサーの模式図((a)平面図、(b)側面図)である。
【符号の説明】
1A…実施例のCMP装置、 2…定盤、 3…研磨パッド、 4…被研磨物、 5…研磨ヘッド、 9…研磨剤、 10…研磨剤供給ライン、 11…尖端凸部、 12…砥粒、 20…ドレッサーユニット、 21…ドレッサー
Claims (10)
- 化学的機械的研磨における研磨パッドの単位時間当たりの研削量とその化学的機械的研磨により被研磨物に生じたスクラッチの発生数のデータを収集してスクラッチを低減させるために最適な研磨パッドの単位時間当たりの研削量を予め求め、
化学的機械的研磨を行うために研磨パッドを装着し、装着された前記研磨パッドの膜厚、前記研磨パッドの表面に形成されている尖端凸部の高さ、及び前記尖端凸部の分布を計測することにより、前記研磨パッドの形状を測定し、
前記研磨パッドにウエハを装着し、前記研磨パッドにドレッサーを押圧するドレッシングを行いつつ、前記研磨パッドを用いて前記ウエハの表面を化学的機械的研磨し、その後前記研磨パッドの形状を測定し、
当該化学的機械的研磨において、前記ウエハの表面を化学的機械的研磨する前後に行われた前記研磨パッドの形状の測定に基づいて得られた前記研磨パッドの単位時間当たりの研削量が、予め求めておいた研磨パッドの単位時間当たりの研削量の最適値をとるようにドレッシング条件を調整し、
前記研磨パッドに本処理用被研磨物を装着し、前記研磨パッドに前記ドレッサーを押圧するドレッシングを行いつつ、前記研磨パッドを用いて前記本処理用被研磨物の表面を化学的機械的研磨する
化学的機械的研磨方法。 - 前記研磨パッドの膜厚、前記研磨パッドの表面に形成されている尖端凸部の高さ、及び前記尖端凸部の分布を計測することにより測定された前記研磨パッドの形状から前記研磨パッドの寿命を検出する
請求項1記載の化学的機械的研磨方法。 - 前記研磨パッドの単位時間当たりの研削量が最適値をとるように、前記研磨パッドに対する前記ドレッサーの押圧力を調整してドレッシングを行う
請求項1又は2記載の化学的機械的研磨方法。 - ウエハを被研磨物としてドレッシングしつつ化学的機械的研磨する予備処理を行い、予備処理の前後の前記研磨パッドの形状測定に基づいて、予備処理における前記研磨パッドの単位時間当たりの研削量を求め、その研削量が、予め求めておいた前記研磨パッドの単位時間当たりの研削量の最適値をとるように、ドレッシング条件を調整する
請求項1又は2記載の化学的機械的研磨方法。 - ダイアルゲージを用いて前記研磨パッドの膜厚、前記研磨パッドの表面に形成されている前記尖端凸部の高さ、及び前記尖端凸部の分布を計測することにより、前記研磨パッドの形状を測定する
請求項1又は2記載の化学的機械的研磨方法。 - レーザー式又は光学式ライン状変位計を用いて前記研磨パッドの膜厚、前記研磨パッドの表面に形成されている前記尖端凸部の高さ、及び前記尖端凸部の分布を計測することにより、前記研磨パッドの形状を測定する
請求項1又は2記載の化学的機械的研磨方法。 - 研磨パッドと、
前記研磨パッドを固定する定盤と、
被研磨物を保持し、被研磨物を前記研磨パッドに押圧する研磨ヘッドと、
前記研磨パッドにドレッシングを行うドレッサーと、
前記研磨パッドの膜厚、前記研磨パッドの表面に形成されている尖端凸部の高さ、及び前記尖端凸部の分布を計測することにより、前記研磨パッドの形状を測定する研磨パッド形状測定手段と、
ウエハの表面を化学的機械的研磨する前後に行われる前記研磨パッド形状測定手段による前記研磨パッドの形状の測定に基づいて得られた前記研磨パッドの単位時間当たりの研削量が、被研磨物に生じるスクラッチを低減させるために予め求めておいた研磨パッドの単位時間当たりの研削量の最適値をとるようにドレッシング条件を調整し、前記研磨パッドに対する前記ドレッサーの押圧力を調整する圧力調整手段と、
を備え、
前記研磨パッドに前記ドレッサーを押圧するドレッシングを行いつつ、前記研磨パッドを用いて前記研磨ヘッドに保持された本処理用被研磨物の表面を化学的機械的研磨する
化学的機械的研磨装置。 - 前記研磨パッド形状測定手段により得られる前記研磨パッドの形状から前記研磨パッドの寿命を検出する研磨パッド寿命検出手段
を備える
請求項7記載の化学的機械的研磨装置。 - 前記研磨パッド形状測定手段が、ダイアルゲージを備え、前記ダイアルゲージを用いて前記研磨パッドの膜厚、前記研磨パッドの表面に形成されている前記尖端凸部の高さ、及び前記尖端凸部の分布を計測することにより、前記研磨パッドの形状を測定する
請求項7又は8記載の化学的機械的研磨装置。 - 前記研磨パッド形状測定手段が、レーザー式又は光学式ライン状変位計を備え、前記レーザー式又は光学式ライン状変位計を用いて前記研磨パッドの膜厚、前記研磨パッドの表面に形成されている前記尖端凸部の高さ、及び前記尖端凸部の分布を計測することにより、前記研磨パッドの形状を測定する
請求項7又は8記載の化学的機械的研磨装置。
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JP5504901B2 (ja) * | 2010-01-13 | 2014-05-28 | 株式会社Sumco | 研磨パッドの形状修正方法 |
JP5511600B2 (ja) | 2010-09-09 | 2014-06-04 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
JP5854032B2 (ja) * | 2013-12-13 | 2016-02-09 | 株式会社ニコン | 研磨装置 |
JP6372859B2 (ja) * | 2015-10-01 | 2018-08-15 | 信越半導体株式会社 | 研磨パッドのコンディショニング方法及び研磨装置 |
JP2019063964A (ja) * | 2017-10-04 | 2019-04-25 | 株式会社荏原製作所 | 研磨部材のドレッシング方法、研磨方法、およびドレッサ |
KR102561647B1 (ko) * | 2018-05-28 | 2023-07-31 | 삼성전자주식회사 | 컨디셔너 및 이를 포함하는 화학 기계적 연마 장치 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11277404A (ja) * | 1998-03-27 | 1999-10-12 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 研磨方法及び研磨装置 |
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JPH11277404A (ja) * | 1998-03-27 | 1999-10-12 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 研磨方法及び研磨装置 |
JP2000271854A (ja) * | 1999-03-25 | 2000-10-03 | Hitachi Ltd | 加工方法及びその装置並びに半導体基板の加工方法 |
JP2001260001A (ja) * | 2000-03-13 | 2001-09-25 | Hitachi Ltd | 半導体装置の平坦化方法及びその装置 |
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