JP6361495B2 - 熱処理装置 - Google Patents

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Description

本発明は、回転テーブル上に載置された基板に熱処理を行う際に、当該回転テーブルの温度を測定する技術に関する。
基板を加熱して処理を行う熱処理装置には、加熱された基板に薄膜を成膜する成膜装置がある。成膜装置の一例として、真空容器内に配置された回転テーブル上に、その回転軸を囲むようにして複数の基板を載置し、回転テーブルの上方側の所定の位置に処理ガスが供給されるようにガス供給領域を配置したものがある。この成膜装置において、回転テーブルを回転させると、各基板が回転軸の周りを公転しながらガス供給領域を繰り返し通過し、これら基板の表面で処理ガスが反応することにより成膜が行われる。
前記回転テーブルの下方側には、加熱部であるヒーターが配置され、このヒーターからの熱放射（輻射熱）を利用して回転テーブルを加熱することにより、その上面に載置された基板が加熱され、処理ガスの反応が進行する。この反応の進行に影響を及ぼす基板の温度制御は、回転テーブルの温度調整を介して行われ、適切な温度制御を行うためには回転テーブルの温度を正確に測定する必要がある。
ここで一般に用いられる温度計として、熱電対や測温抵抗体などのように、温度の測定を行う対象物に金属製の小型の測温部（以下、「温度測定端」という）を接触させ、その温度測定結果を電気信号として外部に出力するものがある。
一方で、上述の成膜装置においては、基板の表面にプラズマ化したガスを供給して、基板に成膜された膜の改質を行う場合がある。プラズマが形成されている雰囲気に、温度測定端のような小型の金属を配置すると、平板な回転テーブルに比べて尖った形状の温度測定端へ向けて異常放電が発生し、基板に悪影響を及ぼすおそれが生じる。
さらに、温度測定端における温度測定の結果を電気信号として出力する際に、電気信号がプラズマの影響を受けてしまい、正しい温度測定結果が得られない場合もある。
ここで特許文献１には、真空容器内に固定配置された試料載置台上にウエハを載置し、プラズマを用いてウエハへの成膜を行うプラズマ処理装置において、試料載置台を構成すると共に、プラズマ中の荷電粒子を引き込むバイアス用の高周波電源が接続された金属製の基材部に、熱電対や測温抵抗体などの温度センサを配置したプラズマ処理装置が記載されている。
しかしながらこの温度センサは、基材部の下面側に形成された穴の内部に挿入されており、また基材部の上面側には誘電体膜やヒータ電極膜、静電吸着用電極膜を内蔵した焼結セラミック板が積層されている。このため、ウエハの上方側に形成されたプラズマと、温度センサとの間が十分に絶縁されているので、温度センサに向けて異常放電が発生するといった問題や温度測定の結果として出力される電気信号がプラズマの影響を受けるといった問題は発生しにくい。
また特許文献２には、シャフト周りに回転する回転ディスク上にウェハを搭載し、その回転中心の上方側に配置された材料ガス導入口から材料ガスを導入して回転ディスクの上面に広げると共に、当該回転テーブルの上方に配置されたヒータにてウェハを加熱し、成膜を行うＭＯＣＶＤ装置が記載されている。
このＭＯＣＶＤ装置においては、ウェハの裏面に近接または接触するように、回転ディスクに熱電対を埋設してウェハの温度測定を行っている。しかしながら、特許文献２にはプラズマ処理における温度測定技術の記載はなく、熱電対の上面をウェハで覆っただけでは、プラズマと熱電対との間に「ウェハの厚さ×シリコンの比誘電率（≒１２）」の距離（例えばウェハの厚さが０．７ｍｍの場合は、プラズマからの距離は約８ｍｍ）を取ったに過ぎない。このため、プラズマから熱電対をシールドする作用が十分でなく、正確な温度測定結果（熱電対の場合は、電位差）を出力することができないおそれが高い。また、ウェハの下面から熱電対に向けて異常放電が進入してしまうといったおそれもある。
特開２０１１−２５８６１４号公報：段落００１５、００３０、００４４、図２ 特開２００４−２０７６８７号公報：段落００１５〜００１９、図１、２
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、プラズマからの異常放電の発生を抑えつつ、回転テーブルの温度を測定することが可能な熱処理装置を提供することにある。
本発明の熱処理装置は、基板に対して熱処理を行う熱処理装置において、
真空容器内に配置され、その一面側に設けられる載置領域に基板を載置して公転させるための回転テーブルと、
前記回転テーブルを加熱する加熱部と、
前記回転テーブルの一面側における基板の通過領域に設けられたプラズマ形成領域にプラズマを形成させて基板を処理するためのプラズマ処理部と、
前記回転テーブルを回転させたとき、前記プラズマ形成領域と対向する位置を通過する領域内の回転テーブルに設けられ、当該回転テーブルの温度の測定結果を電気信号として出力するための温度測定端と、
前記プラズマ形成領域から見て、前記温度測定端を覆うように設けられた導電体製のプラズマシールド部と、を備え、
前記載置領域は、回転テーブルの回転方向に互いに間隔を開けて複数配置され、前記温度測定端はこれらのうちの少なくとも一つの載置領域における回転テーブルの温度を測定する位置に設けられ、前記プラズマシールド部は、前記温度測定端が設けられた載置領域を覆うように設けられていることを特徴とする。
前記熱処理装置は以下の特徴を備えていてもよい。
（ａ）前記温度測定端が前記複数の載置領域のうちの一部の載置領域における回転テーブルの温度を測定するために設けられているとき、前記プラズマシールド部を構成する導電体は、プラズマの照射によって発熱し、前記温度測定端が設けられていない載置領域もプラズマの照射により発熱する導電体で覆われていること。
（ｂ）前記プラズマシールド部は、前記プラズマ形成領域側から見た輪郭形状が曲線のみからなること。また、前記プラズマシールド部は、前記プラズマ形成領域に対向する面が平坦であること。
（ｃ）温度測定端はプラズマシールド部に接触して設けられ、このプラズマシールド部を介して前記回転テーブルの温度を測定すること。また、前記回転テーブルを回転させる回転軸を備え、前記電気信号は当該回転軸内に配線された信号線を介して外部へ出力されること。このとき、前記回転軸には、外部の受信部に対して、無線通信により前記電気信号を送信するための送信部が設けられていること。
（ｄ）前記回転テーブルを回転させたとき、前記プラズマ形成領域に対する温度測定端の位置を検出する位置検出部と、前記位置検出部により検出された温度測定端の位置が前記プラズマ形成領域の外にある期間中に出力された前記電気信号のみに基づいて前記回転テーブルの温度を把握し、前記加熱部の出力を増減する加熱制御部と、を備えたこと。
（ｅ）前記加熱部の出力を増減する加熱制御部を備え、前記加熱制御部は、前記温度測定端を用いて把握した回転テーブルの温度と、予め定めた設定温度との差分値に基づいて前記加熱部の出力を増減すること。
（ｆ）（ｅ）において、前記加熱部は、前記回転テーブルの下方側に配置され、熱放射によって当該回転テーブルの加熱を行い、前記加熱部が配置されている領域の温度を測定する加熱部温度計をさらに備え、前記加熱制御部は、前記温度測定端を用いて把握した回転テーブルの温度と、予め定めた設定温度との差分値に基づいて前記加熱部温度計の出力の目標温度を求め、当該加熱部温度計にて測定された測定温度と、前記目標温度との差分値に基づき前記加熱部の出力を増減するカスケード制御を行うこと。


本発明によれば、回転テーブルに載置された基板に対する熱処理を行う熱処理装置には、基板に対するプラズマ処理を行うプラズマ処理部が設けられている。さらに回転テーブルには、その温度を測定し、測定結果を電気信号として出力するための温度測定端が設けられ、この温度測定端は、前記プラズマ処理部から見て導電体製のプラズマシールド部によって覆われている。このプラズマシールド部の作用により、プラズマから温度測定端に向けた異常放電の発生を抑えつつ、回転テーブルの温度をより正確に測定することができる。
本発明の実施の形態に係る成膜装置の縦断側面図である。 前記成膜装置の横断平面図である。 前記成膜装置の内部構造を示す分解斜視図である。 ヒーターの配置領域の拡大分解斜視図である。 回転テーブルに対する熱電対及びシールド部の配置を示す平面図である。 前記熱電対及びシールド部の配置を示す縦断側面図である。 回転テーブルの温度制御機構の一例を示すブロック図である。 回転テーブルを回転させたときに温度測定結果を利用する範囲を示す説明図である。 熱電対による温度測定結果の利用、停止が行われるタイミングを示す作用図である。 他の例に関わる熱電対及びシールド部の配置を示す平面図である。 回転テーブルの温度制御機構の他の例を示すブロック図である。
本発明の熱処理装置の一実施形態として、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法により、基板であるウエハＷに対してＳｉＯ２膜を成膜する成膜装置１について説明する。本例の成膜装置１にて実施されるＡＬＤ法の概要について述べておくと、Ｓｉ（シリコン）を含む原料ガスとしてＢＴＢＡＳ（ビスターシャルブチルアミノシラン）ガスをウエハＷに吸着させた後、当該ウエハＷの表面に、前記ＢＴＢＡＳを酸化する酸化ガスであるオゾン（Ｏ３）ガスを供給してＳｉＯ２（酸化シリコン）の分子層を形成する。しかる後、プラズマ発生用ガスから発生させたプラズマにウエハＷを曝し、前記分子層を改質する処理を行う。１枚のウエハＷに対してこの一連の処理を複数回、繰り返し行うことにより、ＳｉＯ２膜が形成される。原料ガスや酸化ガスは、本実施の形態の処理ガスに相当する。
図１、図２に示すように、成膜装置１は、概ね円形の扁平な真空容器１１と、真空容器１１内に設けられた円板状の回転テーブル２と、を備えている。真空容器１１は、天板１２と、真空容器１１の側壁及び底部をなす容器本体１３と、により構成されている。
回転テーブル２は、例えば石英ガラス（以下、単に「石英」という）により構成され、その中心部には鉛直下方へ伸びる金属製の回転軸２１が設けられている。回転軸２１は、容器本体１３の底部に形成された開口部１６に挿入され、開口部１６の下端部を気密に塞ぐように設けられた磁気シール２２１を通って容器本体１３の下面から真空容器１１の外部へ突出している。回転軸２１の外部突出部分には、真空雰囲気である真空容器１１と外部との間で電気信号の配線を通すためのフィードスルー２２２と、プーリー２３１とが介設されている。
回転軸２１の側方には駆動モーター２３３が配置され、既述のプーリー２３１と駆動モーター２３３の回転軸とを連結するように駆動ベルト２３２を捲回することにより回転テーブル２の駆動部が構成されている。
また回転軸２１の下端部には、後述の受信給電ユニット７１との間で回転テーブル２の温度に係る情報の通信を実行する温度検出ユニット２４が設けられている。
回転テーブル２は、回転軸２１を介して真空容器１１内に水平に支持され、駆動モーター２３３の作用により回転軸２１を回転させると、上面側から見て例えば時計回りに回転する。
また、開口部１６の下端部には、回転テーブル２の上面側から下面側への原料ガスや酸化ガスなどの回りこみを防ぐために、当該開口部１６と、回転軸２１との隙間にＮ２（窒素）ガスを供給するガスノズル１５が設けられている。
一方で、真空容器１１を構成する天板１２の下面には、回転テーブル２の中心部に向けて対向するように突出し、平面視形状が円環状の中心部領域Ｃと、この中心部領域Ｃから回転テーブル２の外側に向かって広がるように形成された平面視形状が扇形の突出部１７、１７と、が形成されている（図２）。言い替えると、これら中心部領域Ｃ及び突出部１７、１７は、天板１２の下面に、その外側領域に比べて低い天井面を形成しているといえる。
中心部領域Ｃと回転テーブル２の中心部との隙間はＮ２ガスの流路１８を構成している。このガス流路１８には、天板１２に接続されたガス供給管からＮ２ガスが供給され、流路１８内に流れ込んだＮ２は、回転テーブル２の上面と中心部領域Ｃとの隙間から、その全周に亘って回転テーブル２の径方向外側に向けて吐出される。このＮ２ガスは、回転テーブル２上の互いに異なる位置（後述の吸着領域Ｒ１及び酸化領域Ｒ２）にて供給された原料ガスや酸化ガスが、回転テーブル２の中心部（流路１８）をバイパスとして互いに接触することを防いでいる。
図３の斜視図は、成膜装置１から天板１２及び回転テーブル２を取り外した状態を示している。図３に示すように回転テーブル２の下方に位置する容器本体１３の底面には、前記回転テーブル２の周方向に沿って、扁平な円環状の凹部３１が形成されている。この凹部３１の底面には、回転テーブル２の下面全体に対向する領域に亘って加熱部であるヒーター３３が配置されている。
例えば図４に示すように、ヒーター３３は例えば十数ｃｍ〜数十ｃｍ程度の長さの円弧形状に形成された、細長い管状のカーボンワイヤヒータからなる多数のヒーターエレメント３３１を組み合わせて構成されている。これら円弧状のヒーターエレメント３３１を複数組み合わすことにより、ヒーター３３は回転軸２１を中心とした複数の同心円を描くように凹部３１内に配置されている。
さらに、ヒーター３３が配置されている凹部３１内には、回転テーブル２の径方向に沿って複数個、例えば３個の熱電対４４（４４ａ〜４４ｃ：加熱部温度計）が配置されている。各熱電対４４ａ〜４４ｃは、回転テーブル２の径方向に沿って当該回転テーブル２の中心部側から周縁側へ向けて並べて配置されている。これらの４４ａ〜４４ｃは、回転テーブル２側に設けられている後述の熱電対１４ａ〜１４ｃによる温度測定位置に対応して設けられ、回転テーブル２の中心部側（熱電対１４ａ）、周縁部側（熱電対１４ｃ）及びこれらの間の位置（熱電対１４ｂ）に対応して、ヒーター３３の配置領域の温度を測定することができる。熱電対４４ａ〜４４ｃは、不図示の温度測定器本体に接続され、各位置における温度測定結果が後述のヒーター制御部７２へ向けて出力される。
各ヒーター３３は、側面から見ると凹部３１の底面とほぼ平行となるように当該底面から浮いた状態で配置され、その両端は下方側へと屈曲され、容器本体１３の底板を貫通する接続ポート３３２を介して、真空容器１１の外部に設けられた給電部３３３に接続されている（給電部３３３については図６参照）。この結果、円環状に形成されたヒーター３３の配置領域を径方向に複数に分割して、同心円状の分割領域毎にヒーター３３の出力を調整することができる。なお、図４以外の各図においては、ヒーター３３の屈曲部や接続ポート３３２の記載は省略してある。
これらヒーター３３が配置された凹部３１の上面は、例えば石英からなる円環形状の板部材であるヒーターカバー３４によって塞がれている（図１参照）。
また、前記凹部３１の外周側に位置する容器本体１３の底面には、真空容器１１内を排気する排気口３５、３６が開口している。排気口３５、３６には、真空ポンプなどにより構成された図示しない真空排気機構が接続されている。
さらに図２、図３に示すように、容器本体１３の側壁にはウエハＷの搬入出口３７と、当該搬入出口３７を開閉するゲートバルブ３８とが設けられている。外部の搬送機構に保持されたウエハＷは、この搬入出口３７を介して真空容器１１内に搬入される。回転テーブル２の上面には、中心部の流路１８の回りを囲むように、ウエハＷの載置領域を成す複数の凹部２５が形成され、真空容器１１内に搬入されたウエハＷは、各凹部２５内に載置される。搬送機構と凹部との間のウエハＷの受け渡しは、各凹部２５に設けられた不図示の貫通口を介して回転テーブル２の上方位置と下方位置との間を昇降自在に構成された昇降ピンを介して行われるが、昇降ピンの記載は省略してある。
図２、図３に示すように、回転テーブル２の上方には、原料ガスノズル５１、分離ガスノズル５２、酸化ガスノズル５３、プラズマ用ガスノズル５４、分離ガスノズル５５がこの順に、回転テーブル２の回転方向に沿って間隔をおいて配設されている。各ガスノズル５１〜５５は真空容器１１の側壁から、回転テーブル２の中心部に向けて、径方向に沿って水平に伸びる棒状に形成されている。各ガスノズル５１〜５５の下面には、多数の吐出口５６が互いに間隔をおいて形成され、これらの吐出口５６から各ガスが下方側に向けて吐出される。
なお以下の説明において、所定の基準位置から回転テーブル２の回転方向に沿った方向を回転方向の下流側、これと反対の方向を上流側という。
原料ガスノズル５１は、回転テーブルの上面側へ向けて既述のＢＴＢＡＳガスを吐出する。図２、図３に示すように、原料ガスノズル５１は、当該原料ガスノズル５１から、回転テーブル２の回転方向の上流側及び下流側に向けて夫々広がる扇状に形成されたノズルカバー５７によって覆われている。ノズルカバー５７は、その下方におけるＢＴＢＡＳガスの濃度を高めて、ウエハＷへのＢＴＢＡＳガスの吸着性を高める役割を有する。また、酸化ガスノズル５３は、オゾンガスを吐出し、分離ガスノズル５２、５５はＮ２ガスを吐出する。図２に示すように各分離ガスノズル５２、５５は、天板１２に形成された扇状の突出部１７、１７を周方向に分割するように配置されている。
次にウエハＷに形成された膜に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理部６１の構成について説明する。
プラズマ用ガスノズル５４は、例えばアルゴン（Ａｒ）ガスと酸素（Ｏ２）ガスとの混合ガスからなるプラズマ発生用ガスを吐出する。図２に一点鎖線で示すように、天板１２には回転テーブル２の回転方向に沿った扇状の開口部が設けられている。この開口部には、石英などの誘電体からなり、当該開口部に対応する平面形状を有し、縦断側面形状がカップ状に形成されたプラズマ処理部６１が挿入されている（図１、図２）。プラズマ処理部６１は、回転テーブル２の回転方向に見て、酸化ガスノズル５３とその下流側の突出部１７との間に設けられている。
図１に示すようにプラズマ処理部６１の下面には、当該プラズマ処理部６１の周縁部に沿って突条部６２が設けられており、上記プラズマ用ガスノズル５４は、この突条部６２に囲まれる領域にガスを吐出するように、上流側に位置する突条部６２に沿って、当該領域内に挿入されている。突条部６２は、プラズマ処理部６１の下方へのＮ２ガス、オゾンガス及びＢＴＢＡＳガスの進入を抑え、プラズマ発生用ガスの濃度の低下を抑える役割を有する。
プラズマ処理部６１の上面側には窪みが形成され、この窪みには上面側が開口する箱型のファラデーシールド６３が配置されている。ファラデーシールド６３の底面には、絶縁用の板部材６４が配置され、その上面側には、金属線を鉛直軸周りにコイル状に巻回して形成され、高周波電源６６に接続された、プラズマ発生用のアンテナ６５が設けられている。
図２に示すようにファラデーシールド６３の底面には、アンテナ６５への高周波印加時に当該アンテナ６５において発生する電磁界のうち電界成分が下方に向かうことを阻止すると共に、磁界成分を下方に向かわせるためのスリット６７が形成されている。このスリット６７は、アンテナ６５の巻回方向に対して直交（交差）する方向に伸び、アンテナ６５の巻回方向に沿って多数形成されている。
図２、図３に示すように、回転テーブル２の上面側において、原料ガスノズル５１のノズルカバー５７の下方領域は、原料ガスであるＢＴＢＡＳガスの吸着が行われる吸着領域Ｒ１であり、酸化ガスノズル５３の下方領域は、オゾンガスによるＢＴＢＡＳガスの酸化が行われる酸化領域Ｒ２である。吸着領域Ｒ１や酸化領域Ｒ２は、本実施の形態のガス供給領域に相当している。また、プラズマ処理部６１の下方領域は、プラズマによるＳｉＯ２膜の改質が行われるプラズマ形成領域Ｒ３となっている。そして突出部１７、１７の下方領域は、分離ガスノズル５２、５５から吐出されるＮ２ガスにより、吸着領域Ｒ１と酸化領域Ｒ２とを互いに分離して、原料ガスと酸化ガスとの混合を防ぐための分離領域Ｄ、Ｄを夫々構成する。
ここで容器本体１３の底面に設けられた一方側の排気口３５は吸着領域Ｒ１と、当該吸着領域Ｒ１に対して前記回転方向の下流側に隣接する分離領域Ｄとの境界付近であって、回転テーブル２の外方側に開口し、余剰のＢＴＢＡＳガスを排気する。他方側の排気口３６は、プラズマ形成領域Ｒ３と、当該プラズマ形成領域Ｒ３に対して前記回転方向の下流側に隣接する分離領域Ｄとの境界付近であって、回転テーブル２の外方側に開口し、余剰のオゾンガス及びプラズマ発生用ガスを排気する。各排気口３５、３６からは、各分離領域Ｄ、Ｄ、回転テーブル２の下方のガス供給管１５、回転テーブル２の中心部領域Ｃから夫々供給されるＮ２ガスも排気される。
この成膜装置１には、装置全体の動作のコントロールを行うためのコンピュータからなる制御部７が設けられている（図１、図６参照）。この制御部７には、ウエハＷへの成膜処理を実行するプログラムが格納されている。前記プログラムは、成膜装置１の各部に制御信号を送信して各部の動作を制御する。具体的には、各ガスノズル５１〜５５からの各種ガスの供給量調整、ヒーター３３の出力制御、ガス供給管１５及び中心部領域ＣからのＮ２ガスの供給量調整、駆動モーター２３３による回転テーブル２の回転速度調整などが、制御信号に従って行われる。上記のプログラムにおいてはこれらの制御を行い、上述の各動作が実行されるようにステップ群が組まれている。当該プログラムは、ハードディスク、コンパクトディスク、光磁気ディスク、メモリカード、フレキシブルディスクなどの記憶媒体から制御部７内にインストールされる。
以上に説明した構成を備えた成膜装置１において、回転テーブル２はヒーター３３により加熱され、この回転テーブル２を介して各凹部２５に載置されたウエハＷが加熱される。図５、図６に示すように、本例の回転テーブル２には、温度測定端である複数の熱電対１４（熱電対１４ａ〜１４ｃ）が設けられている。これら熱電対１４を用いて回転テーブル２の温度を測定し、この測定結果を利用して回転テーブル２の温度制御が行われる。一方で既述のように、プラズマ形成領域Ｒ３を熱電対１４が通過する際に、プラズマからの影響を受ける位置に熱電対１４が配置されていると、プラズマから熱電対１４へ向けて異常放電が発生してしまうおそれもある。また、温度測定の結果出力される電気信号（熱電対１４の場合は電位差）が、プラズマの影響を受けて変化し、正しい温度測定結果が得られない場合もある。
そこで本例の成膜装置１は、熱電対１４が設けられている領域に、プラズマ形成領域Ｒ３から見て熱電対１４を覆うように導電体製のプラズマシールド部（以下、単に「シールド部」という）２６１が設けられている。
以下、図５〜図７を参照しながら、このシールド部２６１を用いてプラズマからの影響を抑えつつ、熱電対１４により回転テーブル２の温度を測定すする手法、及びこれら熱電対１４を用いた回転テーブル２の温度制御について説明する。
図５、図６に模式的に示すように、本例の回転テーブル２には、ウエハＷの載置領域を成す５つの凹部２５のうちの１つの凹部２５内に、３個の熱電対１４（１４ａ〜１４ｃ）が設けられている。各熱電対１４ａ〜１４ｃは、回転テーブル２の径方向に沿って凹部２５の内側に並べて配置されている。本例において熱電対１４は、回転テーブル２の中心部側の位置（熱電対１４ｃ）、周縁部側の位置（熱電対１４ａ）、及びこれらの間の中間位置（熱電対１４ｂ）に設けられている。各熱電対１４ａ〜１４ｃは、凹部２５の下面から上方側へ突出するように設けられている。
これら熱電対１４ａ〜１４ｃが設けられている凹部２５にウエハＷを直接、載置した場合には、プラズマの影響により、異常放電が発生したり正しい温度測定結果が得られなかったりする事象が発生するおそれがあるため、これら熱電対１４ａ〜１４ｃの上面を覆うようにシールド部２６１が設けられている。
本例のシールド部２６１は、導電体であるカーボンによって構成された厚さが５〜１０ｍｍ程度の円形のシートである。シールド部２６１は、凹部２５内にウエハＷを載置したとき、熱電対１４ａ〜１４ｃとウエハＷとの間にシールド部２６１が挟まれた状態となるように、凹部２５の底面を覆うように固定配置されている。凹部２５の底面から突出して配置された各熱電対１４ａ〜１４ｃは、シールド部２６１の下面に接触し、シールド部２６１を介して回転テーブル２の温度測が行われる。なお、熱電対１４ａ〜１４ｃがシールド部２６１の下面に接触した状態となっていることは必須ではなく、例えば凹部２５の底面近傍の下方側の回転テーブル２内に各熱電対１４ａ〜１４ｃを埋設し、その上面側にシールド部２６１を配置してもよい。
一般にプラズマは、尖った部分へ向けて放電を起こしやすいので、シールド部２６１の上面は平坦になっている。また、シールド部２６１は、その上面側から見た輪郭形状がウエハＷや凹部２５と同様に円形であり、できるだけ曲率の大きな曲線のみによって形成されている。この結果、例えばシールド部２６１の輪郭形状を四角形とした場合に、その角部へ向けて異常放電が発生するといった不具合の発生を抑えることができる。
導電体であるシールド部２６１がプラズマ形成領域Ｒ３を通過する際には、シールド部２６１の表皮部における電位差は小さく、異常放電は発生しにくい。また、電界は導電体であるシールド部２６１の表皮部分にだけ発生し、その内部までは電界が形成されない（表皮効果）。そこで電界が形成されないシールド部２６１の裏側に熱電対１４ａ〜１４ｃを配置することにより、プラズマからこれら熱電対１４ａ〜１４ｃを遮蔽して、プラズマの影響を抑えることができる。
一方で、プラズマの影響により電位差が発生するシールド部２６１の表皮部には、この電界を打ち消すように渦電流が発生し、渦電流の発生に伴ってシールド部２６１が発熱する。従ってシールド部２６１が設けられている領域において、回転テーブル２はヒーター３３からの加熱に加えて、シールド部２６１の発熱によっても加熱される。
このとき、熱電対１４が設けられている凹部２５のみにシールド部２６１を設けたとすると、プラズマ形成領域Ｒ３を通過する際に発熱するシールド部２６１が設けられた凹部２５と、シールド部２６１が設けられていない他の凹部２５との間でウエハＷの加熱条件が異なってしまう。そこで本例の回転テーブル２には、熱電対１４が設けられていない凹部２５に、シールド部２６１と共通のカーボンシートからなる導電体シート２６２を設けている。この結果、これらの導電体シート２６２がプラズマ形成領域Ｒ３を通過する際にもシールド部２６１と同様の発熱が発生し、シールド部２６１を設けた凹部２５と同様の条件でウエハＷを加熱することができる。
図６に示すように、異なる金属を接触させて構成される熱電対１４ａ〜１４ｃからは、回転テーブル２の温度（シールド部２６１の温度）に応じて起電力が発生し、この起電力が熱電対１４ａ〜１４ｃに接続された信号線１４０によって取り出される。例えば信号線１４０は回転テーブル２内を径方向中心部側へ向けて配線された後、回転軸２１の内部に挿入されている。回転軸２１内を通る信号線１４０は、フィードスルー２２２を介して真空雰囲気から大気圧雰囲気へ取り出された後、回転軸２１の下端部に設けられた温度検出ユニット２４に接続されている。
温度検出ユニット２４内には、信号線１４０を介して入力された各熱電対１４ａ〜１４ｃの起電力を検出する電圧計や、検出した起電力に基づき、回転テーブル２の温度に対応する温度情報に変換する変換部、異なる３つの熱電対１４ａ〜１４ｃから得られた温度情報を互いに識別可能なように、例えば識別符号を付したシリアルデータとして出力する出力部、出力部から出力されたデータを無線通信により受信給電ユニット７１へ送信する送信部などを備えている。
受信給電ユニット７１は、温度検出ユニット２４に隣接して配置され、温度検出ユニット２４から送信された温度情報を受信する受信部に相当し、受信した温度情報を制御部７に設けられているヒーター制御部７２へと出力する。また、温度検出ユニット２４及び受信給電ユニット７１は、非接触給電により温度検出ユニット２４の稼働用の電力を送受電するためのコイルを各々備えている。そして、不図示の給電部から、受信給電ユニット７１を介して温度検出ユニット２４に供給された電力は、例えば温度検出ユニット２４内に設けられた電池に蓄電され、温度検出ユニット２４内の各機器の作動に用いられる。
次いで、回転テーブル２側に設けられた熱電対１４、及びヒーター３３の配置領域側に設けられた熱電対４４による温度測定結果を用いて、回転テーブル２の温度制御を行う手法について説明する。図６に示すように、制御部７は各熱電対１４、４４から取得した温度測定結果に基づき、回転テーブル２の温度制御を行うヒーター制御部（加熱制御部）７２を備えている。ヒーター制御部７２は、これらの温度測定結果に基づき、給電部３３３から各ヒーター３３（ヒーターエレメント３３１）へ給電される電力を増減し、同心円状の分割領域毎にヒーター３３の出力調を行う機能を有する。
図７は、ヒーター制御部７２における回転テーブル２の温度制御を行う機構の一例を示すブロック図である。説明の便宜上、図７及び後述の図１１においては、ヒーター制御部７２及び給電部３３３以外の成膜装置１の全体を「成膜装置本体１００」として総括表示してある。
本例のヒーター制御部７２は、両熱電対１４、４４を用いて測定した回転テーブル２の温度、及びヒーター３３の配置領域の温度に基づいて、ヒーター３３の出力を調整するカスケード制御を採用している。
詳細には、回転テーブル２の設定温度と、熱電対１４から取得した回転テーブル２の温度との差分値に基づき、第１のＰＩＤ制御部７２１にてヒーター３３の配置領域の目標温度を算出する。この目標温度と、熱電対４４から取得したヒーター３３の配置領域の温度との差分値に基づき、第２のＰＩＤ制御部７２２にて給電部３３３からヒーター３３に供給する電力を求め、その結果を給電部３３３へ出力してヒーター３３の出力調整を実行する。図７に示すカスケードループは、凹部２５に設けられた各熱電対１４ａ〜１４ｃにより温度測定が行われる各測定位置、及びこれらの測定位置に対応付けてヒーター３３の配置領域側に設けられた熱電対４４ａ〜４４ｃによる温度測定位置毎に、３組に分けて実行される。
ここで既述のように、回転テーブル２の温度測定を行う熱電対１４はシールド部２６１によって覆われ、プラズマ形成領域Ｒ３におけるプラズマの影響を受けにくい構成となっている。一方で、例えば回転テーブル２内に配設された信号線１４０がプラズマ形成領域Ｒ３を通過する際に、熱電対１４から出力された電位がプラズマの影響を受けるなど、プラズマの影響を完全に排除できないおそれもある。
そこで本例のヒーター制御部７２は、真空容器１１が通過する領域を回転テーブル２の温度測定を行う領域と、行わない領域とに区画し、温度測定を行う領域にて取得した温度測定結果に基づいてヒーター３３の出力を調整する。具体的には、図８に示すように、吸着領域Ｒ１側の分離領域Ｄの出口から、酸化領域Ｒ２の下流側近傍位置までの範囲を温度測定領域（Ａ）と設定し、プラズマ形成領域Ｒ３（Ｃ）、及びその前後に設定された緩衝領域（Ｂ）での温度測定結果は、ヒーター３３の出力調整には用いない。
回転テーブル２を回転させたときの熱電対１４の位置は、例えば駆動モーター２３３の回転軸の回転位置と対応付けて把握される。当該回転軸の回転位置は、駆動モーター２３３に設けた不図示のロータリエンコーダにより把握される。そしてヒーター制御部７２は、前記ロータリエンコーダの出力に基づき、回転している回転テーブル２に設けられた熱電対１４の現在位置を把握し、熱電対１４が温度測定領域内（Ａ）に位置する期間中に取得した温度測定結果のみを用いて既述のヒーター３３の出力調整を行う。この場合に、駆動モーター２３３のロータリエンコーダは、熱電対１４の位置を検出する位置検出部に相当している。
なお、熱電対１４の位置に応じて温度測定結果が利用可能か否かの判断を行うのはヒーター制御部７２に限られるものではなく、温度検出ユニット２４側で行ってもよい。この場合、例えば温度検出ユニット２４は、受信給電ユニット７１を介して駆動モーター２３３からロータリエンコーダの情報を取得する構成とする。この結果、温度検出ユニット２４は、ロータリエンコーダの出力から把握される熱電対１４の位置に基づいて、当該熱電対１４が温度測定領域内に位置する期間中に取得された温度測定結果のみをヒーター制御部７２へ向けて出力することができる。
以上に説明した構成を備える成膜装置１の作用について説明する。
初めに成膜装置１は、真空容器１１内の圧力及びヒーター３３の出力をウエハＷの搬入時の状態に調節して、ウエハＷの搬入を待つ。そして例えば隣接する真空搬送室に設けられた搬送アームにより処理対象のウエハＷが搬送されてくると、ゲートバルブ３８を開放する。搬送アームは、開放された搬入出口３７を介して真空容器１１内に進入し、回転テーブル２の凹部２５内にウエハＷを載置する。そして、各凹部２５内にウエハＷが載置されるように、回転テーブル２を間欠的に回転させながら、この動作を繰り返す。
ウエハＷの搬入を終えたら、真空容器１１内から搬送アームを退避させ、ゲートバルブ３８を閉じた後、排気口３５、３６からの排気により真空容器１１内を所定の圧力まで真空排気する。また分離ガスノズル５２、５５や中心領域Ｃの流路１８、回転テーブル２の下方側のガス供給管１５からは、各々、所定量のＮ２ガスが供給されている。そして、回転テーブル２の回転を開始し、０ｒｐｍより大きく、３００ｒｐｍ以下の範囲の所定の回転速度となるように速度調整を行う。
また、給電部３３３からヒーター３３への電力供給を開始し、回転テーブル２の温度制御を実行する。即ち、図７に示すように、ヒーター制御部７２に対して回転テーブル２の設定温度が入力されると、熱電対１４にて測定した回転テーブル２の温度との比較がなされる。
そして、第１のＰＩＤ制御部７２１によるヒーター３３の配置領域の目標温度の算出→熱電対４４にて測定された当該配置領域の温度との温度比較→第２のＰＩＤ制御部７２２によるヒーター３３への供給電力の算出→給電部３３３からの供給電力の調整→ヒーター３３の出力変化の順にヒーター３３出力を調整する制御ループが実行される。
この温度制御を実行するにあたり、回転テーブル２の温度を測定する熱電対１４は、プラズマ形成領域Ｒ３から見てシールド部２６１によって覆われているので、プラズマ形成領域Ｒ３を通過する際の異常放電の発生を抑えることができる。そして、熱電対１４を用いて測定された回転テーブル２の温度は、回転する熱電対１４の下端部に設けられた温度検出ユニット２４から受信給電ユニット７１に対して無線送信され、ヒーター制御部７２へ向けて出力される。
また、温度測定を行う機器全体へのプラズマの影響を避けるため、熱電対１４が、図８に示す温度測定領域（Ａ）を通過している期間中に取得した温度測定結果のみを用いてヒーター３３の出力調整が実行される。この結果、図９に示すように、熱電対１４による回転テーブル２の温度測定結果を、当該回転テーブル２の温度制御に用いる動作がオン／オフされる。このオフの期間は、その直前のオンの期間に測定された温度測定結果をレジスタなどにフェッチして用いればよい。
なお、図９の横軸は、熱電対１４が原料ガスノズル５１の下方を通過する位置を「０°」として、容器本体１３を上面側から見たときの周方向の位置を示している。また、図９中の符号（Ａ）〜（Ｃ）は、図８に示す符号（Ａ）〜（Ｃ）を付して示した各領域に対応している。
また、熱電対１４を設けていない凹部２５には、プラズマ形成領域Ｒ３を通過する際に発熱するシールド部２６１と共通のカーボンシートからなる導電体シート２６２が配置されている。この結果、回転テーブル２に設けられた各凹部２５において、シールド部２６１及び導電体シート２６２がプラズマ形成領域Ｒ３を通過すると、これらを構成するカーボンシートが同じ様に発熱するので、各ウエハＷの加熱条件を均一に揃えることができる。熱電対１４にて測定される回転テーブル２の温度は、ヒーター３３による加熱に加え、シールド部２６１（熱電対１４が設けられていない凹部２５においては導電体シート２６２）の発熱の影響が含まれた温度となっている。
上述の温度制御により回転テーブル２の温度が設定温度に到達したら、原料ガスノズル５１、酸化ガスノズル５３、プラズマ用ガスノズル５４からの各種ガス（原料ガス、酸化ガス、プラズマ発生用ガス）の供給と、高周波電源６６からアンテナ６５への高周波の印加によるプラズマの形成と、が開始される。各ガスは、選択した処理レシピに従った流量で供給される。
この結果、回転テーブル２の各凹部２５に載置されたウエハＷは、原料ガスノズル５１のノズルカバー５７の下方の吸着領域Ｒ１→酸化ガスノズル５３の下方の酸化領域Ｒ２→プラズマ処理部６１の下方のプラズマ形成領域Ｒ３を、この順番で繰り返し通過する。
そして、吸着領域Ｒ１では原料ガスノズル５１から吐出されたＢＴＢＡＳガスがウエハＷに吸着し、酸化領域Ｒ２では吸着したＢＴＢＡＳガスが、酸化ガスノズル５３から供給されたオゾンガスにより酸化されて、ＳｉＯ２膜の分子層が１層あるいは複数層形成される。プラズマ形成領域Ｒ３では、前記ＳｉＯ２膜の分子層がプラズマに曝されて改質される。
こうして回転テーブル２の回転を続けると、ウエハＷの表面にＳｉＯ２膜の分子層が順次積層され、ＳｉＯ２膜が形成されると共にその膜厚が次第に大きくなる。
またこのとき、吸着領域Ｒ１と酸化領域Ｒ２との間、プラズマ形成領域Ｒ３と吸着領域Ｒ１との間は、各々分離領域Ｄ、Ｄや流路１８によって分離されているので、不必要な場所では原料ガスと酸化ガスとの接触に起因する堆積物は発生しにくい。
そして各ウエハＷに所望の膜厚のＳｉＯ２膜が形成されるタイミング、例えば所定回数だけ回転テーブル２を回転させたタイミングにて、原料ガスノズル５１、酸化ガスノズル５３、プラズマ用ガスノズル５４からの各種ガスの供給、高周波電源６６からアンテナ６５への高周波電力の印加を停止する。そして、回転テーブル２の回転を停止すると共に、ヒーター３３の出力を待機時の状態として、成膜処理を終了する。
このとき回転テーブル２は各所から供給されるＮ２ガスによって熱を奪われその温度が低下する。例えばこの降温時に、ヒーター３３を停止するのではなく、回転テーブル２を予熱状態に保つ場合には、図７、図９を用いて説明した回転テーブル２の昇温時の制御と同様に、熱電対１４による回転テーブル２の温度測定結果を利用しながら、ヒーター３３の出力調整を行ってもよい。
しかる後、真空容器１内の圧力をウエハＷの搬出時の状態に調節し、ゲートバルブＧを開き、搬入時とは反対の手順でウエハＷを取り出し、成膜処理を終える。
本実施の形態に係る成膜装置１によれば以下の効果がある。回転テーブル２に載置されたウエハＷに対する成膜を行う成膜装置１には、成膜された膜に対するプラズマ処理を行うプラズマ処理部６１が設けられている。さらに回転テーブル２には、その温度を測定し、測定結果を電気信号として出力するための熱電対１４が設けられ、この熱電対１４は、前記プラズマ処理部６１から見てカーボンシートのシールド部２６１によって覆われている。このシールド部２６１の作用により、プラズマから熱電対１４に向けた異常放電の発生を抑えつつ、回転テーブルの温度を正確に測定することができる。
また、熱電対１４を設けて回転テーブル２の温度を直接測定した結果を当該回転テーブル２の温度制御に用いることにより、以下の効果も得られる。
従来、回転テーブル２の温度を直接、測定できない場合は、図４、図６に示した熱電対４４を用いてヒーター３３の配置領域の温度を把握し、当該領域の温度が設定温度に到達してから十分な時間の経過を待っていた。これに対し、本実施の形態の成膜装置１は、熱電対１４を用いて回転テーブル２の温度を直接測定することができるので、回転テーブル２が設定温度に到達した後も、予め設定された時間を待ち続けるといった不要な待ち時間の発生を抑え、ウエハＷを成膜装置１に搬入してから、搬出するまでの全体の処理時間を短縮することができる。
また、回転テーブル２に熱電対１４を設けることにより、回転テーブル２の温度をリアルタイムで把握することが可能となるので、当該温度測定の結果をヒーター３３による回転テーブル２の温度制御に利用することが可能となる。この結果、回転テーブル２の温度をフィードバックしてヒーター３３の出力を増大させることにより、回転テーブル２の温度が設定温度に到達するまでの時間も短縮することができる。
ここで熱電対１４を設ける位置やシールド部２６１の形状は、図５に示した例に限定されるものではない。例えば図１０は、全ての凹部２５に対して、回転テーブル２の径方向に向けて熱電対１４を３個ずつ並べて配置し、さらに回転テーブル２の中心側から周縁部側の領域を覆うように円環形状のシールド部２６１ａを設けた例を示している。即ち、本例では一枚のシールド部２６１ａによって全ての凹部２５の下面が覆われている。各凹部２５に熱電対１４を設けることにより、各ウエハＷの温度をきめ細かく把握することができる。また、円環形状のシールド部２６１ａを用いることにより、シールド部２６１ａがプラズマ形成領域を通過する際の発熱を回転テーブル２の周方向に沿って発生させて回転テーブル２の均一な加熱を行うことができる。
一方で、シールド部２６１がプラズマ形成領域を通過する際の発熱の影響が小さければ、全ての凹部２５に導電体シート２６２を設けることは必須ではない。
また、シールド部２６１、２６１ａ、導電体シート２６２を構成する材料についても、ウエハＷに対する金属の影響などの問題がなければ、アルミニウムやステンレススチールなどの金属製のシールド部２６１、２６１ａ、導電体シート２６２を用いてもよい。
さらには、回転テーブル２に設けられる温度測定端の構成についても熱電対１４の例に限定されない。例えば、温度測定端として、測温抵抗体（ＲＴＤ：Resistance Temperature Detector）やサーミスタ、半導体温度計を用いてもよい。
そして、温度測定端を設ける位置は、ウエハＷの載置領域である凹部２５内に限定されるものではなく、凹部２５から外れた回転テーブル２の上面に熱電対１４を配置して、その上面側をシールド部２６１、２６１ａで覆ってもよい。
このほか、金属によるコンタミネーションを防止するため、金属が露出している空間内でウエハＷの処理を行うことが好ましくない場合には、例えば真空容器１１の内側に石英製の容器を設置し、この石英容器内に回転テーブル２を配置してもよい。この場合には、既述のヒーターカバー３４は設けなくてもよい。
さらにヒーター制御部７２において、回転テーブル２の温度制御を行う手法は、図９を用いて説明した例のように回転テーブル２の温度と、ヒーター３３の配置領域の温度とを用いてヒーター３３の出力調整を行うカスケード制御の例に限定されない。例えば図１１に示すように、回転テーブル２の温度の測定結果のみに基づいてヒーター３３の出力制御を行うシングルループの制御機構を用いてもよい。
図７、図１１に示したいずれの制御機構においても、図８、図９を用いて説明したように、回転テーブル２を回転させたときの熱電対１４の位置に応じて、熱電対１４による温度測定の結果をヒーター３３の出力調整に用いる場合と用いない場合との切り替えを行うことは必須ではない。シールド部２６１、２６１ａを設けることによるプラズマのシールド効果が十分である場合には、熱電対１４の位置によらず、常時、当該熱電対１４から取得した回転テーブル２の温度測定結果を用いてヒーター３３の出力調整を行ってもよい。
これらに加え、回転する熱電対１４から温度測定結果の電気信号を取り出す手法は、温度検出ユニット２４と受信給電ユニット７１との間の無線通信を用いる場合に限定されない。例えば温度検出ユニット２４の下面にスリップリングを設け、温度検出ユニット２４内の出力部から、当該スリップリングに向けて温度情報を出力する構成としてもよい。この場合は、スリップリングの側面に接触するように設けられたブラシを介して温度情報が取り出され、受信給電ユニット７１へ入力される。
さらに、上述の実施の形態では、原料ガスであるＢＴＢＡＳガスと酸化ガスであるオゾンガスとを用いたＡＬＤ法により、ＳｉＯ２膜の成膜を実行する成膜装置１を用いての例について説明したが、本発明の成膜装置１を用いて実行可能な成膜処理の種類はこれに限定されるものではない。例えば、吸着領域Ｒ１にてトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）やトリエチルアルミニウム（ＴＥＡ）などの原料ガスをウエハＷに吸着させ、酸化領域に替えて設けられた窒化領域Ｒ２にてＮＨ３（アンモニア）ガスなどの窒化ガスを供給して、前記原料ガスを窒化し、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を得るＡＬＤプロセスを実行してもよい。
これらに加え、熱処理装置内で実行される処理の種類は成膜処理に限定されるものでもない。既に成膜が行われたウエハＷを回転テーブル２上に載置して、プラズマ形成領域Ｒ３を通過させる膜の改質処理のみを行ってもよい。この場合には、回転テーブル２上には吸着領域Ｒ１や酸化領域Ｒ２を設けずに、天板１２に分離領域Ｄ及びプラズマ形成領域Ｒ３のみを配置してもよい。
Ｗ ウエハ
１ 成膜装置
１１ 真空容器
１２ 天板
１３ 容器本体
１４０ 信号線
１４、１４ａ〜１４ｃ
熱電対
２ 回転テーブル
２５ 凹部
２６１、２６１ａ
シールド部
２６２ 導体シート
３３ ヒーター
４４、４４ａ〜４４ｃ
熱電対
６１ プラズマ処理部
７ 制御部
７１ 受信給電ユニット
７２ ヒーター制御部
７２１ 第１のＰＩＤ制御部
７２２ 第２のＰＩＤ制御部

Claims (10)

  1. 基板に対して熱処理を行う熱処理装置において、
    真空容器内に配置され、その一面側に設けられる載置領域に基板を載置して公転させるための回転テーブルと、
    前記回転テーブルを加熱する加熱部と、
    前記回転テーブルの一面側における基板の通過領域に設けられたプラズマ形成領域にプラズマを形成させて基板を処理するためのプラズマ処理部と、
    前記回転テーブルを回転させたとき、前記プラズマ形成領域と対向する位置を通過する領域内の回転テーブルに設けられ、当該回転テーブルの温度の測定結果を電気信号として出力するための温度測定端と、
    前記プラズマ形成領域から見て、前記温度測定端を覆うように設けられた導電体製のプラズマシールド部と、を備え、
    前記載置領域は、回転テーブルの回転方向に互いに間隔を開けて複数配置され、前記温度測定端はこれらのうちの少なくとも一つの載置領域における回転テーブルの温度を測定する位置に設けられ、前記プラズマシールド部は、前記温度測定端が設けられた載置領域を覆うように設けられていることを特徴とする熱処理装置。
  2. 前記温度測定端が前記複数の載置領域のうちの一部の載置領域における回転テーブルの温度を測定するために設けられているとき、前記プラズマシールド部を構成する導電体は、プラズマの照射によって発熱し、前記温度測定端が設けられていない載置領域もプラズマの照射により発熱する導電体で覆われていることを特徴とする請求項１に記載の熱処理装置。
  3. 前記プラズマシールド部は、前記プラズマ形成領域側から見た輪郭形状が曲線のみからなることを特徴とする請求項１または２に記載の熱処理装置。
  4. 前記プラズマシールド部は、前記プラズマ形成領域に対向する面が平坦であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載の熱処理装置。
  5. 温度測定端はプラズマシールド部に接触して設けられ、このプラズマシールド部を介して前記回転テーブルの温度を測定することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の熱処理装置。
  6. 前記回転テーブルを回転させる回転軸を備え、前記電気信号は当該回転軸内に配線された信号線を介して外部へ出力されることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一つに記載の熱処理装置。
  7. 前記回転軸には、外部の受信部に対して、無線通信により前記電気信号を送信するための送信部が設けられていることを特徴とする請求項６に記載の熱処理装置。
  8. 前記回転テーブルを回転させたとき、前記プラズマ形成領域に対する温度測定端の位置を検出する位置検出部と、
    前記位置検出部により検出された温度測定端の位置が前記プラズマ形成領域の外にある期間中に出力された前記電気信号のみに基づいて前記回転テーブルの温度を把握し、前記加熱部の出力を増減する加熱制御部と、を備えたことを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一つに記載の熱処理装置。
  9. 前記加熱部の出力を増減する加熱制御部を備え、前記加熱制御部は、前記温度測定端を用いて把握した回転テーブルの温度と、予め定めた設定温度との差分値に基づいて前記加熱部の出力を増減することを特徴とする請求項１ないし８のいずれか一つに記載の熱処理装置。
  10. 前記加熱部は、前記回転テーブルの下方側に配置され、熱放射によって当該回転テーブルの加熱を行い、前記加熱部が配置されている領域の温度を測定する加熱部温度計をさらに備え、
    前記加熱制御部は、前記温度測定端を用いて把握した回転テーブルの温度と、予め定めた設定温度との差分値に基づいて前記加熱部温度計の出力の目標温度を求め、当該加熱部温度計にて測定された測定温度と、前記目標温度との差分値に基づき前記加熱部の出力を増減するカスケード制御を行うことを特徴とする請求項９に記載の熱処理装置。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170211185A1 (en) * 2016-01-22 2017-07-27 Applied Materials, Inc. Ceramic showerhead with embedded conductive layers
JP6971991B2 (ja) * 2016-02-08 2021-11-24 ワトロー エレクトリック マニュファクチュアリング カンパニー 回転式ウェーハ支持組立体のための温度感知システム
TWI729101B (zh) * 2016-04-02 2021-06-01 美商應用材料股份有限公司 用於旋轉料架基座中的晶圓旋轉的設備及方法
TWI671429B (zh) 2016-07-02 2019-09-11 美商應用材料股份有限公司 在空間ald處理腔室中用以增加沉積均勻性的裝置
KR102424265B1 (ko) * 2017-07-21 2022-07-25 주성엔지니어링(주) 기판 처리장치 및 기판 처리방법
CN109473331B (zh) * 2017-09-08 2022-11-25 北京北方华创微电子装备有限公司 腔室屏蔽装置和半导体处理腔
CN108087853A (zh) * 2017-12-19 2018-05-29 广东美的厨房电器制造有限公司 厚膜蒸汽发生装置和具有其的家用电器
WO2020004091A1 (ja) * 2018-06-29 2020-01-02 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、プラズマ状態検出方法およびプラズマ状態検出プログラム
CN112689887A (zh) * 2018-09-18 2021-04-20 株式会社国际电气 基板处理装置、温度控制***以及半导体装置的制造方法
JP7213648B2 (ja) * 2018-09-27 2023-01-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
CN110656372B (zh) * 2019-11-13 2021-05-25 江苏实为半导体科技有限公司 一种便于安装加热片的mocvd加热器源及其使用方法
FR3103314B1 (fr) * 2019-11-14 2021-10-08 Safran Electronics & Defense Porte substrat inclinable et orientable et systeme de depot multicouche sous vide le comprenant
JP7236985B2 (ja) * 2019-11-15 2023-03-10 東京エレクトロン株式会社 温度計測システム、温度計測方法及び基板処理装置
KR102638005B1 (ko) * 2019-12-04 2024-02-20 엔지케이 인슐레이터 엘티디 세라믹 히터
JP7325313B2 (ja) * 2019-12-11 2023-08-14 東京エレクトロン株式会社 回転駆動装置、基板処理装置及び回転駆動方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH056833U (ja) * 1991-07-10 1993-01-29 日本電気株式会社 気相成長装置
JPH07106319A (ja) * 1993-09-30 1995-04-21 Hitachi Electron Eng Co Ltd Ｃｖｄ反応炉の加熱装置の電磁遮蔽方法
JPH08260152A (ja) * 1995-03-22 1996-10-08 Toshiba Mach Co Ltd プラズマｃｖｄ法および装置
US6054013A (en) * 1996-02-02 2000-04-25 Applied Materials, Inc. Parallel plate electrode plasma reactor having an inductive antenna and adjustable radial distribution of plasma ion density
US6177646B1 (en) * 1997-03-17 2001-01-23 Matsushita Electric Industrial Co, Ltd. Method and device for plasma treatment
US6170429B1 (en) * 1998-09-30 2001-01-09 Lam Research Corporation Chamber liner for semiconductor process chambers
US6436796B1 (en) * 2000-01-31 2002-08-20 Mattson Technology, Inc. Systems and methods for epitaxial processing of a semiconductor substrate
JP4391734B2 (ja) * 2002-09-26 2009-12-24 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法
JP2004207687A (ja) * 2002-12-10 2004-07-22 Sharp Corp 半導体製造装置とそれを用いた半導体製造方法
JP2005147976A (ja) * 2003-11-19 2005-06-09 Ulvac Japan Ltd 温度測定装置、チャックモニター及びプラズマ処理装置
JP2005164548A (ja) * 2003-12-05 2005-06-23 Nippon Chemicon Corp 温度測定方法及びその装置
KR20060012531A (ko) * 2004-08-03 2006-02-08 삼성전자주식회사 반도체 제조용 식각장치
DE102004062553A1 (de) * 2004-12-24 2006-07-06 Aixtron Ag CVD-Reaktor mit RF-geheizter Prozesskammer
ITMI20050645A1 (it) * 2005-04-14 2006-10-15 Lpe Spa Suscettori per reattori epitassiali e utensile per maneggiarlo
JP4876937B2 (ja) * 2007-01-29 2012-02-15 信越半導体株式会社 ウエーハ上への薄膜の気相成長法およびウエーハ上への薄膜の気相成長装置
US7651269B2 (en) * 2007-07-19 2010-01-26 Lam Research Corporation Temperature probes having a thermally isolated tip
CN102017101B (zh) * 2008-05-02 2014-06-04 应用材料公司 用于旋转基板的非径向温度控制***
EP2498276A4 (en) * 2009-11-02 2013-07-24 Lig Adp Co Ltd METHOD FOR REGULATING TEMPERATURE OF CHEMICAL VAPOR DEPOSITION DEVICE
JP5327147B2 (ja) * 2009-12-25 2013-10-30 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5482196B2 (ja) * 2009-12-25 2014-04-23 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
JP5618638B2 (ja) * 2010-06-07 2014-11-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置または試料載置台
JP2013201333A (ja) * 2012-03-26 2013-10-03 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法
JP5794194B2 (ja) * 2012-04-19 2015-10-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5953994B2 (ja) * 2012-07-06 2016-07-20 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び成膜方法
JP2014082463A (ja) * 2012-09-27 2014-05-08 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、蓋体及び半導体装置の製造方法
JP5939147B2 (ja) * 2012-12-14 2016-06-22 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、基板処理装置及び成膜方法
TWI563542B (en) * 2014-11-21 2016-12-21 Hermes Epitek Corp Approach of controlling the wafer and the thin film surface temperature

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