FR3105894B3 - Structure de transducteur pour résonateur à accès unique - Google Patents
Structure de transducteur pour résonateur à accès unique Download PDFInfo
- Publication number
- FR3105894B3 FR3105894B3 FR1915741A FR1915741A FR3105894B3 FR 3105894 B3 FR3105894 B3 FR 3105894B3 FR 1915741 A FR1915741 A FR 1915741A FR 1915741 A FR1915741 A FR 1915741A FR 3105894 B3 FR3105894 B3 FR 3105894B3
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- electrode fingers
- bus bar
- transducer structure
- transverse mode
- piezoelectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 4
- 230000001629 suppression Effects 0.000 abstract 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02858—Means for compensation or elimination of undesirable effects of wave front distortion
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02881—Means for compensation or elimination of undesirable effects of diffraction of wave beam
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02992—Details of bus bars, contact pads or other electrical connections for finger electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14538—Formation
- H03H9/14541—Multilayer finger or busbar electrode
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
Structure de transducteur pour résonateur à accès unique La présente invention concerne une structure de transducteur ayant des moyens de suppression de mode transversal, en particulier pour un résonateur à accès unique, comprenant un substrat piézoélectrique (120, 170), en particulier un substrat composite piézoélectrique comprenant une couche piézoélectrique (140, 170) sur un substrat de base (144, 444), au moins une paire d'électrodes en peigne interdigitées (102, 112) formées sur le substrat piézoélectrique (120, 170), dans laquelle la première électrode en peigne (102) comprend une première barre omnibus (108) et une pluralité de doigts d'électrode (104) alternés avec des doigts d'électrode factices plus courts (106), tous s'étendant à partir de la première barre omnibus (108), dans lequel la seconde électrode en peigne (112) comprend une seconde barre omnibus (118) et une pluralité de doigts d'électrode (114) s'étendant à partir de la seconde barre omnibus (118), dans lequel les doigts d’électrode factices (106) de la première barre omnibus (108) font face aux doigts d'électrode (114) de la seconde barre omnibus (118) et sont séparées des doigts d'électrode (114) par des premiers espaces (110a), caractérisée en ce qu'elle comprend en outre une couche de suppression de mode transversal (122, 132, 222, 232, 422, 432) fournie partiellement sous le premier espace (110a) et choisie de telle sorte que la vitesse de phase d'une onde guidée est inférieure dans la zone de la couche de suppression de mode transversal (122, 132, 222, 232, 422, 432) par rapport à la vitesse de phase de l’onde guidée dans la zone centrale (136) sous les doigts d'électrode alternés (104, 114) des première et seconde électrodes en peigne (102, 112). La présente convention concerne également un procédé de fabrication de la structure de transducteur telle que décrite précédemment, et un résonateur à accès unique comprenant au moins une structure telle que décrite précédemment. Figure pour l’abrégé : Fig. 1a
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1915741A FR3105894B1 (fr) | 2019-12-30 | 2019-12-30 | Structure de transducteur pour résonateur à accès unique |
PCT/EP2020/087927 WO2021136756A1 (fr) | 2019-12-30 | 2020-12-28 | Structure de transducteur pour résonateur à port unique avec suppression de mode transversal |
US17/757,800 US20220360249A1 (en) | 2019-12-30 | 2020-12-28 | Transducer structure for single-port resonator with transverse mode suppression |
JP2022538955A JP2023508079A (ja) | 2019-12-30 | 2020-12-28 | 横モードが抑制された単一ポート共振器のためのトランスデューサ構造 |
KR1020227026139A KR102673527B1 (ko) | 2019-12-30 | 2020-12-28 | 단일 포트 공진기용 트랜스듀서 구조체 |
DE112020006401.8T DE112020006401T5 (de) | 2019-12-30 | 2020-12-28 | Wandlerstruktur für einen Eintor-Resonator |
FR2310007A FR3139961A1 (fr) | 2019-12-30 | 2023-09-21 | Structure de transducteur pour résonateur à accès unique |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1915741 | 2019-12-30 | ||
FR1915741A FR3105894B1 (fr) | 2019-12-30 | 2019-12-30 | Structure de transducteur pour résonateur à accès unique |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR2310007A Division FR3139961A1 (fr) | 2019-12-30 | 2023-09-21 | Structure de transducteur pour résonateur à accès unique |
Publications (4)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR3105894A3 FR3105894A3 (fr) | 2021-07-02 |
FR3105894A1 FR3105894A1 (fr) | 2021-07-02 |
FR3105894B3 true FR3105894B3 (fr) | 2023-11-03 |
FR3105894B1 FR3105894B1 (fr) | 2023-11-03 |
Family
ID=70978037
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR1915741A Active FR3105894B1 (fr) | 2019-12-30 | 2019-12-30 | Structure de transducteur pour résonateur à accès unique |
FR2310007A Pending FR3139961A1 (fr) | 2019-12-30 | 2023-09-21 | Structure de transducteur pour résonateur à accès unique |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR2310007A Pending FR3139961A1 (fr) | 2019-12-30 | 2023-09-21 | Structure de transducteur pour résonateur à accès unique |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220360249A1 (fr) |
JP (1) | JP2023508079A (fr) |
KR (1) | KR102673527B1 (fr) |
DE (1) | DE112020006401T5 (fr) |
FR (2) | FR3105894B1 (fr) |
WO (1) | WO2021136756A1 (fr) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113872556A (zh) * | 2021-09-27 | 2021-12-31 | 江苏卓胜微电子股份有限公司 | 一种声表面波谐振器和射频滤波器 |
US20230402989A1 (en) * | 2022-06-13 | 2023-12-14 | RF360 Europe GmbH | Surface-Acoustic-Wave (SAW) Filter with Dielectric Material Disposed in a Piezoelectric Layer |
WO2023241786A1 (fr) * | 2022-06-14 | 2023-12-21 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Élément résonateur à ondes acoustiques de surface et appareil électronique doté dudit élément résonateur à ondes acoustiques de surface |
CN115314018B (zh) * | 2022-08-16 | 2023-07-07 | 天通瑞宏科技有限公司 | 一种声表面波滤波器及其制备方法 |
WO2024043347A1 (fr) * | 2022-08-26 | 2024-02-29 | 株式会社村田製作所 | Dispositif à ondes élastiques et dispositif de filtre |
CN116366022A (zh) * | 2023-03-20 | 2023-06-30 | 江苏卓胜微电子股份有限公司 | 温度补偿声表面换能器及制造方法 |
CN116032242B (zh) * | 2023-03-30 | 2023-08-25 | 阿尔伯达(苏州)科技有限公司 | 一种具有寄生模态抑制层的声表面波谐振器 |
CN116979926B (zh) * | 2023-09-01 | 2023-12-22 | 深圳新声半导体有限公司 | 声表面波谐振器装置及其制造方法、滤波器 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3946338A (en) * | 1975-06-09 | 1976-03-23 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Acoustic wave devices involving perturbation of acoustic velocity by diffusion of metals |
JP3101445B2 (ja) * | 1992-11-19 | 2000-10-23 | キヤノン株式会社 | 弾性表面波コンボルバ |
JP2005311786A (ja) * | 2004-04-22 | 2005-11-04 | Univ Of Tokyo | 表面弾性波素子、及び表面弾性波速度変調方法 |
US8084915B2 (en) | 2006-11-08 | 2011-12-27 | Panasonic Corporation | Surface acoustic wave resonator having comb electrodes with different overlapping lengths |
JP5195443B2 (ja) * | 2009-01-13 | 2013-05-08 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
US8294331B2 (en) | 2009-09-22 | 2012-10-23 | Triquint Semiconductor, Inc. | Acoustic wave guide device and method for minimizing trimming effects and piston mode instabilities |
DE102010005596B4 (de) * | 2010-01-25 | 2015-11-05 | Epcos Ag | Elektroakustischer Wandler mit verringerten Verlusten durch transversale Emission und verbesserter Performance durch Unterdrückung transversaler Moden |
WO2012127793A1 (fr) * | 2011-03-22 | 2012-09-27 | パナソニック株式会社 | Élément à onde élastique |
US9065424B2 (en) | 2011-03-25 | 2015-06-23 | Skyworks Panasonic Filter Solutions Japan Co., Ltd | Acoustic wave device with reduced higher order transverse modes |
JP6335473B2 (ja) | 2013-11-01 | 2018-05-30 | 太陽誘電株式会社 | 弾性表面波デバイス及びフィルタ |
JP6355328B2 (ja) * | 2013-12-19 | 2018-07-11 | 太陽誘電株式会社 | 弾性表面波デバイス及びフィルタ |
JP6284800B2 (ja) * | 2014-03-26 | 2018-02-28 | 太陽誘電株式会社 | 弾性表面波デバイス及びフィルタ |
DE112016001894B4 (de) * | 2015-04-24 | 2022-02-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Vorrichtung für elastische Wellen |
JP6424962B2 (ja) | 2015-06-24 | 2018-11-21 | 株式会社村田製作所 | フィルタ装置 |
US20170155373A1 (en) * | 2015-11-30 | 2017-06-01 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Surface acoustic wave (saw) resonator structure with dielectric material below electrode fingers |
WO2017199485A1 (fr) * | 2016-05-17 | 2017-11-23 | 株式会社村田製作所 | Appareil à ondes élastiques |
US11258427B2 (en) * | 2016-11-25 | 2022-02-22 | Tohoku University | Acoustic wave devices |
JP6741082B2 (ja) * | 2017-01-13 | 2020-08-19 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
JP7224094B2 (ja) | 2017-06-26 | 2023-02-17 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサ |
JP6954799B2 (ja) * | 2017-10-20 | 2021-10-27 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
JP2019102896A (ja) * | 2017-11-29 | 2019-06-24 | 株式会社神戸製鋼所 | アルミニウム合金膜 |
WO2019172374A1 (fr) * | 2018-03-09 | 2019-09-12 | 株式会社村田製作所 | Dispositif à ondes acoustiques |
FR3079053B1 (fr) * | 2018-03-16 | 2020-03-27 | Frec'n'sys | Substrats composites pour les dispositifs d'etiquette a ondes acoustiques de surface pour applications de rfid et de capteurs |
DE102018108732A1 (de) * | 2018-04-12 | 2019-10-17 | RF360 Europe GmbH | Dünnschicht SAW-Wandler mit verbesserten Eigenschaften, elektroakustisches Filter und HF-Filter |
KR20190138096A (ko) * | 2018-06-04 | 2019-12-12 | (주)와이솔 | 표면 탄성파 소자 |
-
2019
- 2019-12-30 FR FR1915741A patent/FR3105894B1/fr active Active
-
2020
- 2020-12-28 KR KR1020227026139A patent/KR102673527B1/ko active IP Right Grant
- 2020-12-28 JP JP2022538955A patent/JP2023508079A/ja active Pending
- 2020-12-28 WO PCT/EP2020/087927 patent/WO2021136756A1/fr active Application Filing
- 2020-12-28 DE DE112020006401.8T patent/DE112020006401T5/de active Pending
- 2020-12-28 US US17/757,800 patent/US20220360249A1/en active Pending
-
2023
- 2023-09-21 FR FR2310007A patent/FR3139961A1/fr active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20220121862A (ko) | 2022-09-01 |
DE112020006401T5 (de) | 2022-10-13 |
US20220360249A1 (en) | 2022-11-10 |
KR102673527B1 (ko) | 2024-06-11 |
WO2021136756A1 (fr) | 2021-07-08 |
JP2023508079A (ja) | 2023-02-28 |
FR3105894A1 (fr) | 2021-07-02 |
FR3139961A1 (fr) | 2024-03-22 |
FR3105894B1 (fr) | 2023-11-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
FR3105894B1 (fr) | Structure de transducteur pour résonateur à accès unique | |
FR3105894A3 (fr) | Structure de transducteur pour résonateur à accès unique | |
US20130065335A1 (en) | Method of manufacturing laser diode device | |
CN107077016B (zh) | 光调制器 | |
WO2020210959A1 (fr) | Puce fragmentée de del et procédé de découpage invisible pour puce de del | |
CN102802817A (zh) | 超声波接合用工具、超声波接合用工具的制造方法、超声波接合方法及超声波接合装置 | |
CN106662766A (zh) | 光波导元件 | |
KR20080080396A (ko) | 반도체-온-인슐레이터 구조체의 연마 방법 | |
EP2174762B1 (fr) | Procédé pour gravure sur des substrats liés | |
CN106997729A (zh) | 显示母板及其制备方法和显示面板 | |
KR20040010055A (ko) | 디바이스 칩의 제조 방법 | |
US7843985B2 (en) | Light chip and optical module | |
KR101174876B1 (ko) | 유리기판용 절단 휠 | |
US6191840B1 (en) | Manufacturing method for electro-optical cells or electrochemical photovoltaic cells obtained from this method | |
CN103722623A (zh) | 脆性材料基板的裂断用治具及裂断方法 | |
CN101582392A (zh) | 接触式影像感测单元的晶圆切割方法 | |
US6093578A (en) | Method for manufacturing a plurality of electro-optical cells, in particular liquid crystal cells | |
JP2013152980A (ja) | アモルファスシリコン太陽電池のパターニング方法 | |
US11150497B2 (en) | Composite substrate for electro-optic element and method for manufacturing the same | |
JP5545648B2 (ja) | 半導体ウエハの劈開方法 | |
CN107078455B (zh) | 用于生产激光芯片的方法 | |
KR20190118557A (ko) | 센서, 특히 그을음 센서, 및 센서 특히 그을음 센서의 제조 방법 | |
JPWO2019193862A1 (ja) | 傷形成方法、試料分割方法、半導体素子の製造方法、半導体レーザ素子の製造方法及び半導体レーザ素子 | |
FR3103065B1 (fr) | Laser a verrouillage de mode a tranchees et composant optique associe | |
JP2018500262A (ja) | 視準切断ビームを用いて超硬度材料のプレートを作製する方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 2 |
|
PLSC | Publication of the preliminary search report |
Effective date: 20210702 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 3 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 4 |
|
TP | Transmission of property |
Owner name: SOITEC, FR Effective date: 20230823 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 5 |