JP6293694B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Claims (5)
- 第1のボンディングパッドと、第2のボンディングパッドと、第3のボンディングパッドと、前記第1のボンディングパッドに電気的に接続された一端と他端とを有する第1の配線と、前記第2のボンディングパッドに電気的に接続された一端と前記第1の配線の他端に電気的に接続された他端とを有する第2の配線と、前記第3のボンディングパッドに電気的に接続された一端と前記第1の配線の他端と前記第2の配線の他端との接続部に電気的に接続された他端とを有する第3の配線と、を備える配線基板と、
前記配線基板上に2以上積層された第1のメモリチップを備える第1のメモリチップ積層部と、前記第1のメモリチップ積層部上に2以上積層された第2のメモリチップを備える第2のメモリチップ積層部と、を有するメモリと、
前記配線基板上に搭載されたメモリコントローラと、
前記第1のボンディングパッドと前記第1のメモリチップとの間を電気的に接続する第1のボンディングワイヤと、
前記第2のボンディングパッドと前記第2のメモリチップとの間を電気的に接続する第2のボンディングワイヤと、
前記第3のボンディングパッドと前記メモリコントローラとの間を電気的に接続する第3のボンディングワイヤと、を具備し、
前記第2のボンディングパッドは、前記第1のボンディングパッドに隣り合うように設けられている、半導体記憶装置。 - 前記第1の配線は、第1のインダクタンス成分を有し、
前記第2の配線は、第2のインダクタンス成分を有し、
前記第3の配線は、第3のインダクタンス成分を有し、
2以上の前記第1のメモリチップは、第1の容量成分を有し、
2以上の前記第2のメモリチップは、第2の容量成分を有し、
前記メモリコントローラは、第3の容量成分を有し、
前記第2のインダクタンス成分と前記第2の容量成分との積は、前記第1のインダクタンス成分と前記第1の容量成分との積に概略等しい、または前記第1のインダクタンス成分と前記第1の容量成分との積または前記第2のインダクタンス成分と前記第2の容量成分との積は、前記第3のインダクタンス成分と前記第3の容量成分との積に概略等しい、請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 第1のボンディングパッドと、第2のボンディングパッドと、第3のボンディングパッドと、前記第1のボンディングパッドに電気的に接続された一端と他端とを有する第1の配線と、前記第2のボンディングパッドに電気的に接続された一端と前記第1の配線の他端に電気的に接続された他端とを有する第2の配線と、前記第3のボンディングパッドに電気的に接続された一端と前記第1の配線の他端と前記第2の配線の他端との接続部に電気的に接続された他端とを有する第3の配線と、を備える配線基板と、
前記配線基板上に2以上積層された第1のメモリチップを備える第1のメモリチップ積層部と、前記第1のメモリチップ積層部上に2以上積層された第2のメモリチップを備える第2のメモリチップ積層部と、を有するメモリと、
前記配線基板上に搭載されたメモリコントローラと、
前記第1のボンディングパッドと前記第1のメモリチップとの間を電気的に接続する第1のボンディングワイヤと、
前記第2のボンディングパッドと前記第2のメモリチップとの間を電気的に接続する第2のボンディングワイヤと、
前記第3のボンディングパッドと前記メモリコントローラとの間を電気的に接続する第3のボンディングワイヤと、を具備し、
前記第1の配線は、第1のインダクタンス成分を有し、
前記第2の配線は、第2のインダクタンス成分を有し、
前記第3の配線は、第3のインダクタンス成分を有し、
2以上の前記第1のメモリチップは、第1の容量成分を有し、
2以上の前記第2のメモリチップは、第2の容量成分を有し、
前記メモリコントローラは、第3の容量成分を有し、
前記第2のインダクタンス成分と前記第2の容量成分との積は、前記第1のインダクタンス成分と前記第1の容量成分との積に概略等しい、または前記第1のインダクタンス成分と前記第1の容量成分との積または前記第2のインダクタンス成分と前記第2の容量成分との積は、前記第3のインダクタンス成分と前記第3の容量成分との積に概略等しい、半導体記憶装置。 - 前記第2の配線は、前記第1の配線と概略等しい長さを有する、請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1のボンディングパッドないし前記第3のボンディングパッドは、コマンド、アドレス、プログラムデータおよびリードデータの少なくとも一つの信号の入出力端子またはデータストローブ信号端子としての機能を有する、請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載の半導体記憶装置。
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