JPH09148275A - 大口径ウェーハのダイシングシステム - Google Patents
大口径ウェーハのダイシングシステムInfo
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- JPH09148275A JPH09148275A JP32247195A JP32247195A JPH09148275A JP H09148275 A JPH09148275 A JP H09148275A JP 32247195 A JP32247195 A JP 32247195A JP 32247195 A JP32247195 A JP 32247195A JP H09148275 A JPH09148275 A JP H09148275A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 15
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 50
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 大口径ウェーハに対応するダイシング装置の
台数を最小限にし、その大口径用ダイシング装置ではウ
ェーハを適宜の大きさに分割するのみとし、分割された
ウェーハは小口径用ダイシング装置でダイシングするよ
うにした、ダイシングシステムを提供する。 【解決手段】 大口径の半導体ウェーハを保持し切削す
る大口径用精密切削装置と、小口径の半導体ウェーハを
保持し切削する小口径用精密切削装置とを具備し、大口
径用精密切削装置においては、小口径用精密切削装置が
保持できる程度に大口径の半導体ウェーハを適宜の大き
さのウェーハ片に分割し、小口径用精密切削装置におい
ては、前記ウェーハ片をＩＣ等のチップにダイシングす
る。大口径とは直径１２インチ以上であり、小口径とは
直径８インチ以下である。１台の大口径用精密切削装置
が分割したウェーハ片を、２台以上の小口径用精密切削
装置によってダイシングする。
台数を最小限にし、その大口径用ダイシング装置ではウ
ェーハを適宜の大きさに分割するのみとし、分割された
ウェーハは小口径用ダイシング装置でダイシングするよ
うにした、ダイシングシステムを提供する。 【解決手段】 大口径の半導体ウェーハを保持し切削す
る大口径用精密切削装置と、小口径の半導体ウェーハを
保持し切削する小口径用精密切削装置とを具備し、大口
径用精密切削装置においては、小口径用精密切削装置が
保持できる程度に大口径の半導体ウェーハを適宜の大き
さのウェーハ片に分割し、小口径用精密切削装置におい
ては、前記ウェーハ片をＩＣ等のチップにダイシングす
る。大口径とは直径１２インチ以上であり、小口径とは
直径８インチ以下である。１台の大口径用精密切削装置
が分割したウェーハ片を、２台以上の小口径用精密切削
装置によってダイシングする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、大口径ウェーハの
ダイシングシステムに関する。
ダイシングシステムに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体ウェーハをダイシングし
てＩＣ等のチップに分割するには、ウェーハの径に対応
した大きさのチャックテーブルを有する精密切削装置
（ダイシング装置）が使用されている。例えば、６イン
チ径のウェーハをダイシングする場合は、６インチ用の
チャックテーブルが配設されたダイシング装置が用いら
れ、８インチ径のウェーハをダイシングする場合は、８
インチ用のチャックテーブルが配設されたダイシング装
置が用いられていた。
てＩＣ等のチップに分割するには、ウェーハの径に対応
した大きさのチャックテーブルを有する精密切削装置
（ダイシング装置）が使用されている。例えば、６イン
チ径のウェーハをダイシングする場合は、６インチ用の
チャックテーブルが配設されたダイシング装置が用いら
れ、８インチ径のウェーハをダイシングする場合は、８
インチ用のチャックテーブルが配設されたダイシング装
置が用いられていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】半導体ウェーハの径
は、生産性の向上を目指す上で年々大口径化が進み、昨
今では１２インチになろうとしている。この傾向は今後
も続き更に大口径になることが予想される。このような
状況下では、ダイシング装置のチャックテーブルは大径
にならざるを得ないが、チャックテーブルが大径化する
と平面精度が悪くなり、ダイシング時に切削されている
部分とされていない部分が生じたり、チッピングが増え
る等の不都合が生じる。又、装置自体が大型化し、クリ
ーンルームの有効活用ができなくなり、１クリーンルー
ム当りの生産性が悪くなる。更に、６インチ用、８イン
チ用ダイシング装置等の既存の装置が使えなくて不経済
である、といったような問題が生じる。
は、生産性の向上を目指す上で年々大口径化が進み、昨
今では１２インチになろうとしている。この傾向は今後
も続き更に大口径になることが予想される。このような
状況下では、ダイシング装置のチャックテーブルは大径
にならざるを得ないが、チャックテーブルが大径化する
と平面精度が悪くなり、ダイシング時に切削されている
部分とされていない部分が生じたり、チッピングが増え
る等の不都合が生じる。又、装置自体が大型化し、クリ
ーンルームの有効活用ができなくなり、１クリーンルー
ム当りの生産性が悪くなる。更に、６インチ用、８イン
チ用ダイシング装置等の既存の装置が使えなくて不経済
である、といったような問題が生じる。
【０００４】そこで、本発明は、大口径ウェーハに対応
する精密切削装置例えばダイシング装置の台数を最小限
にし、その大口径用ダイシング装置によってはウェーハ
を適宜の大きさに分割するのみとし、分割されたウェー
ハは６インチ又は８インチ用のダイシング装置でダイシ
ングするというダイシングシステムを提供することを目
的とする。これにより、ウェーハが大口径化しても、既
存の小口径用ダイシング装置はそのまま使用できると共
に、大口径用ダイシング装置の台数は最小限に抑えるこ
とができ、クリーンルームの有効活用が確保されること
になる。
する精密切削装置例えばダイシング装置の台数を最小限
にし、その大口径用ダイシング装置によってはウェーハ
を適宜の大きさに分割するのみとし、分割されたウェー
ハは６インチ又は８インチ用のダイシング装置でダイシ
ングするというダイシングシステムを提供することを目
的とする。これにより、ウェーハが大口径化しても、既
存の小口径用ダイシング装置はそのまま使用できると共
に、大口径用ダイシング装置の台数は最小限に抑えるこ
とができ、クリーンルームの有効活用が確保されること
になる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記課題を技術的に解決
するための手段として、本発明は、大口径の半導体ウェ
ーハを保持し切削する大口径用精密切削装置と、小口径
の半導体ウェーハを保持し切削する小口径用精密切削装
置とを具備し、大口径用精密切削装置においては、小口
径用精密切削装置が保持できる程度に大口径の半導体ウ
ェーハを適宜の大きさのウェーハ片に分割し、小口径用
精密切削装置においては、前記ウェーハ片をＩＣ等のチ
ップにダイシングする、大口径ウェーハのダイシングシ
ステムを要旨とする。又、大口径とは直径１２インチ以
上であり、小口径とは直径８インチ以下であること、１
台の大口径用精密切削装置が分割したウェーハ片を、２
台以上の小口径用精密切削装置によってダイシングする
こと、を要旨とするものである。
するための手段として、本発明は、大口径の半導体ウェ
ーハを保持し切削する大口径用精密切削装置と、小口径
の半導体ウェーハを保持し切削する小口径用精密切削装
置とを具備し、大口径用精密切削装置においては、小口
径用精密切削装置が保持できる程度に大口径の半導体ウ
ェーハを適宜の大きさのウェーハ片に分割し、小口径用
精密切削装置においては、前記ウェーハ片をＩＣ等のチ
ップにダイシングする、大口径ウェーハのダイシングシ
ステムを要旨とする。又、大口径とは直径１２インチ以
上であり、小口径とは直径８インチ以下であること、１
台の大口径用精密切削装置が分割したウェーハ片を、２
台以上の小口径用精密切削装置によってダイシングする
こと、を要旨とするものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の一形態を添
付図面に基づいて詳説する。図１において、Ｌは大口径
用精密切削装置であり、上下動するウェーハ載置領域Ａ
上に１２インチ等の大口径ウェーハＷ（テープＮを介し
てフレームＦに固定）を複数枚収容したカセットＣを載
置し、搬出入手段Ｂにより大口径ウェーハＷをカセット
Ｃ内から待機領域Ｄに搬出し、旋回アームを有する搬送
手段Ｅによって大口径ウェーハＷを大口径のチャックテ
ーブルＴに搬送して保持させ、このチャックテーブルＴ
を移動しアライメント手段Ｇに位置付けてアライメント
した後、回転ブレードを有する切削手段Ｈで切削して大
口径ウェーハＷを適宜の大きさのウェーハ片に分割す
る。
付図面に基づいて詳説する。図１において、Ｌは大口径
用精密切削装置であり、上下動するウェーハ載置領域Ａ
上に１２インチ等の大口径ウェーハＷ（テープＮを介し
てフレームＦに固定）を複数枚収容したカセットＣを載
置し、搬出入手段Ｂにより大口径ウェーハＷをカセット
Ｃ内から待機領域Ｄに搬出し、旋回アームを有する搬送
手段Ｅによって大口径ウェーハＷを大口径のチャックテ
ーブルＴに搬送して保持させ、このチャックテーブルＴ
を移動しアライメント手段Ｇに位置付けてアライメント
した後、回転ブレードを有する切削手段Ｈで切削して大
口径ウェーハＷを適宜の大きさのウェーハ片に分割す
る。
【０００７】大口径ウェーハＷの分割は、例えば図２に
示すようにストリート１Ａ、１Ｂで切削し、ウェーハ片
１、２、３、４に４分割する。分割されたウェーハ片
１、２、３、４は図３に示すように例えば６インチや８
インチ用の小口径用フレーム５にテープ６を介してそれ
ぞれ配設される。尚、分割されたウェーハ片を図３に示
す状態にする前に、チップが形成されていない側の面を
研磨しウェーハ片の厚さを薄くしても良い。これにより
研磨装置も従来のものを利用できる。
示すようにストリート１Ａ、１Ｂで切削し、ウェーハ片
１、２、３、４に４分割する。分割されたウェーハ片
１、２、３、４は図３に示すように例えば６インチや８
インチ用の小口径用フレーム５にテープ６を介してそれ
ぞれ配設される。尚、分割されたウェーハ片を図３に示
す状態にする前に、チップが形成されていない側の面を
研磨しウェーハ片の厚さを薄くしても良い。これにより
研磨装置も従来のものを利用できる。
【０００８】前記フレーム５に配設されたウェーハ片
１、２、３、４は、図４に示すように６インチ、８イン
チ等の小口径用精密切削装置Ｓ（小型である点を除けば
前記大口径用精密切削装置Ｌと同じ構成）に搬送され、
この小口径用精密切削装置Ｓにおいて通常のダイシング
が遂行され、ウェーハ片１、２、３、４をＩＣ等の個々
のチップ７に分割する。
１、２、３、４は、図４に示すように６インチ、８イン
チ等の小口径用精密切削装置Ｓ（小型である点を除けば
前記大口径用精密切削装置Ｌと同じ構成）に搬送され、
この小口径用精密切削装置Ｓにおいて通常のダイシング
が遂行され、ウェーハ片１、２、３、４をＩＣ等の個々
のチップ７に分割する。
【０００９】この場合、ウェーハ片１、２、３、４を１
つのカセット内に収容して同一の小口径用精密切削装置
でダイシングしても良いが、同一形状のウェーハ片のみ
をカセットに収容してダイシングしても良い。つまり、
ウェーハ片別にダイシングするのであり、小口径用精密
切削装置Ｓ1 はウェーハ片１のみをダイシングし、小口
径用精密切削装置Ｓ2 はウェーハ片２のみをダイシング
するという具合に、ウェーハ片１〜４に対応させて小口
径用精密切削装置をＳ1 〜Ｓ4 まで特定しておくと、常
に同一形状のウェーハ片をダイシングすることとなるの
で、ストリート毎の最適切削ストローク及び最適アライ
メント間隔を予め定めておくことができる。
つのカセット内に収容して同一の小口径用精密切削装置
でダイシングしても良いが、同一形状のウェーハ片のみ
をカセットに収容してダイシングしても良い。つまり、
ウェーハ片別にダイシングするのであり、小口径用精密
切削装置Ｓ1 はウェーハ片１のみをダイシングし、小口
径用精密切削装置Ｓ2 はウェーハ片２のみをダイシング
するという具合に、ウェーハ片１〜４に対応させて小口
径用精密切削装置をＳ1 〜Ｓ4 まで特定しておくと、常
に同一形状のウェーハ片をダイシングすることとなるの
で、ストリート毎の最適切削ストローク及び最適アライ
メント間隔を予め定めておくことができる。
【００１０】又、分割すべきストリート１Ａ、１Ｂを任
意とせず、何本目（何番地）のストリートかを認識する
ことにより、分割されたウェーハ片が元の大口径ウェー
ハＷのどの領域に該当するかが認識でき、大口径ウェー
ハＷのマッピングデータ（ＩＣ等のチップの良、不良の
情報が座標で表されている）を各ウェーハ片においても
利用することができる。
意とせず、何本目（何番地）のストリートかを認識する
ことにより、分割されたウェーハ片が元の大口径ウェー
ハＷのどの領域に該当するかが認識でき、大口径ウェー
ハＷのマッピングデータ（ＩＣ等のチップの良、不良の
情報が座標で表されている）を各ウェーハ片においても
利用することができる。
【００１１】更に、バーコード等の識別表示８を前記フ
レーム５（又はテープ６）に配設し、大口径ウェーハＷ
の半導体チップ７の種類、ストリートの間隔、アライメ
ントパターン等のウェーハに関する情報（マッピングデ
ータも含めて良い）をウェーハ片毎に前記識別表示８を
介して認識できるようにしても良い。
レーム５（又はテープ６）に配設し、大口径ウェーハＷ
の半導体チップ７の種類、ストリートの間隔、アライメ
ントパターン等のウェーハに関する情報（マッピングデ
ータも含めて良い）をウェーハ片毎に前記識別表示８を
介して認識できるようにしても良い。
【００１２】かくして、半導体ウェーハが大口径化して
も大口径用精密切削装置の台数を最小限に抑えると共
に、既存の小口径用精密切削装置でのダイシングが可能
となる。
も大口径用精密切削装置の台数を最小限に抑えると共
に、既存の小口径用精密切削装置でのダイシングが可能
となる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
大口径用精密切削装置では大口径半導体ウェーハを数個
に分割するだけであるから、大口径チャックテーブルに
起因する平面精度の悪化、ダイシング時の切削されてい
る部分とされていない部分の出現、チッピングの増大等
の不都合を未然に防止することができ、分割後は既存の
小口径用精密切削装置をそのまま使用することができ
る。従って、大口径用精密切削装置の台数を最小限に抑
えて経済的であると共に、クリーンルームの有効活用を
確保できる等の優れた効果を奏する。
大口径用精密切削装置では大口径半導体ウェーハを数個
に分割するだけであるから、大口径チャックテーブルに
起因する平面精度の悪化、ダイシング時の切削されてい
る部分とされていない部分の出現、チッピングの増大等
の不都合を未然に防止することができ、分割後は既存の
小口径用精密切削装置をそのまま使用することができ
る。従って、大口径用精密切削装置の台数を最小限に抑
えて経済的であると共に、クリーンルームの有効活用を
確保できる等の優れた効果を奏する。
【図１】 大口径用精密切削装置の一例を示す斜視図で
ある。
ある。
【図２】 大口径半導体ウェーハの分割例を示す説明図
である。
である。
【図３】 (イ) 〜(ニ) は分割されたウェーハ片を小口径
用のフレームに配設した状態をそれぞれ示す平面図であ
る。
用のフレームに配設した状態をそれぞれ示す平面図であ
る。
【図４】 (イ) 〜(ニ) は各ウェーハ片をダイシングする
小口径用精密切削装置をそれぞれ示す斜視図である。
小口径用精密切削装置をそれぞれ示す斜視図である。
１、２、３、４…ウェーハ片 ５…小口径用フレーム ６…テープ ７…チップ ８…識別表示 Ｌ…大口径用精密切削装置 Ｓ（Ｓ1 〜Ｓ4 ）…小口径用精密切削装置 Ｗ…大口径ウェーハ
Claims (3)
- 【請求項１】 大口径の半導体ウェーハを保持し切削す
る大口径用精密切削装置と、小口径の半導体ウェーハを
保持し切削する小口径用精密切削装置とを具備し、 大口径用精密切削装置においては、小口径用精密切削装
置が保持できる程度に大口径の半導体ウェーハを適宜の
大きさのウェーハ片に分割し、 小口径用精密切削装置においては、前記ウェーハ片をＩ
Ｃ等のチップにダイシングする、大口径ウェーハのダイ
シングシステム。 - 【請求項２】 大口径とは直径１２インチ以上であり、
小口径とは直径８インチ以下である、請求項１記載の大
口径ウェーハのダイシングシステム。 - 【請求項３】 １台の大口径用精密切削装置が分割した
ウェーハ片を、２台以上の小口径用精密切削装置によっ
てダイシングする、請求項１又は２記載の大口径ウェー
ハのダイシングシステム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32247195A JPH09148275A (ja) | 1995-11-17 | 1995-11-17 | 大口径ウェーハのダイシングシステム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32247195A JPH09148275A (ja) | 1995-11-17 | 1995-11-17 | 大口径ウェーハのダイシングシステム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09148275A true JPH09148275A (ja) | 1997-06-06 |
Family
ID=18144017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32247195A Pending JPH09148275A (ja) | 1995-11-17 | 1995-11-17 | 大口径ウェーハのダイシングシステム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09148275A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008235723A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Zycube:Kk | ウェハー構造体及びその製造方法 |
| JP2012190932A (ja) * | 2011-03-09 | 2012-10-04 | Disco Abrasive Syst Ltd | 加工装置 |
| JP2014093442A (ja) * | 2012-11-05 | 2014-05-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
| JP2014093443A (ja) * | 2012-11-05 | 2014-05-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
| JP2015154024A (ja) * | 2014-02-19 | 2015-08-24 | 株式会社東京精密 | 半導体の製造方法及び半導体製造装置 |
| JP2015191994A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 株式会社東京精密 | 半導体製造装置及び半導体の製造方法 |
| JP2017010952A (ja) * | 2015-06-16 | 2017-01-12 | 株式会社ディスコ | パッケージ基板の加工方法 |
| JP2017098465A (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
| JP2018064121A (ja) * | 2017-12-26 | 2018-04-19 | 株式会社東京精密 | 半導体の製造方法及び半導体製造装置 |
| CN108987340A (zh) * | 2017-06-01 | 2018-12-11 | 株式会社迪思科 | 扇状晶片的加工方法 |
| JP2020027886A (ja) * | 2018-08-13 | 2020-02-20 | 富士ゼロックス株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
| CN111799184A (zh) * | 2020-06-12 | 2020-10-20 | 深圳安博电子有限公司 | 一种用8吋晶圆生产线制造12吋晶圆的生产方法 |
| DE102012211984B4 (de) * | 2011-07-11 | 2021-03-04 | Disco Corporation | Trennverfahren für ein Substrat einer optischen Einrichtung |
-
1995
- 1995-11-17 JP JP32247195A patent/JPH09148275A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008235723A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Zycube:Kk | ウェハー構造体及びその製造方法 |
| JP2012190932A (ja) * | 2011-03-09 | 2012-10-04 | Disco Abrasive Syst Ltd | 加工装置 |
| DE102012211984B4 (de) * | 2011-07-11 | 2021-03-04 | Disco Corporation | Trennverfahren für ein Substrat einer optischen Einrichtung |
| JP2014093442A (ja) * | 2012-11-05 | 2014-05-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
| JP2014093443A (ja) * | 2012-11-05 | 2014-05-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
| JP2015154024A (ja) * | 2014-02-19 | 2015-08-24 | 株式会社東京精密 | 半導体の製造方法及び半導体製造装置 |
| JP2015191994A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 株式会社東京精密 | 半導体製造装置及び半導体の製造方法 |
| JP2017010952A (ja) * | 2015-06-16 | 2017-01-12 | 株式会社ディスコ | パッケージ基板の加工方法 |
| KR20170061599A (ko) * | 2015-11-26 | 2017-06-05 | 가부시기가이샤 디스코 | 가공 장치 |
| JP2017098465A (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
| CN108987340A (zh) * | 2017-06-01 | 2018-12-11 | 株式会社迪思科 | 扇状晶片的加工方法 |
| KR20180131970A (ko) * | 2017-06-01 | 2018-12-11 | 가부시기가이샤 디스코 | 부채형 웨이퍼편의 가공 방법 |
| JP2018206882A (ja) * | 2017-06-01 | 2018-12-27 | 株式会社ディスコ | 扇状ウェーハ片の加工方法 |
| CN108987340B (zh) * | 2017-06-01 | 2023-11-14 | 株式会社迪思科 | 扇状晶片的加工方法 |
| JP2018064121A (ja) * | 2017-12-26 | 2018-04-19 | 株式会社東京精密 | 半導体の製造方法及び半導体製造装置 |
| JP2020027886A (ja) * | 2018-08-13 | 2020-02-20 | 富士ゼロックス株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
| CN111799184A (zh) * | 2020-06-12 | 2020-10-20 | 深圳安博电子有限公司 | 一种用8吋晶圆生产线制造12吋晶圆的生产方法 |
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