JP6227677B2 - 半導体素子の駆動装置およびそれを用いた電力変換装置 - Google Patents
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Description
3…p型チャネル層、
6…n型カソード層、
8…ゲート電極、
9…ゲート絶縁膜、
10…アノード電極、
11…カソード電極、
12…絶縁膜、
13…p+型カソード層、
20…制御回路、
21…IGBTの駆動回路、
22…ダイオードの駆動回路、
23…上アームIGBT、
24…下アームIGBT、
25…上アームのダイオード、
26…下アームのダイオード、
30…電流検出器、
40…エミッタ電極、
41…コレクタ電極、
42…p型チャネル層、
43…ゲート電極(IGBT)、
44…n+型エミッタ層、
600…フライホイールダイオード、
700…IGBT、
800…ゲート回路、
900…プラス側の電源端子、
901…マイナス側の電源端子、
910…U相、
911…V相、
912…W相、
950…モータ、
960…電源。
Claims (10)
- 第1導電型の第1半導体層(n-型ドリフト層)と、前記第1半導体層と隣接し、一方の主表面(アノード側)に露出する第2導電型の第2半導体層(p型アノード層)と、前記第1半導体層と隣接し、第1導電型で、他方の主表面(カソード側)に露出し、前記第1半導体層(n-型ドリフト層)より不純物濃度が高い第3半導体層(n型カソード層)と、前記他方の主表面(カソード側)に絶縁ゲートを備えた半導体素子の駆動装置であって、
アノード電流を検出する手段を備え、アノード電流が大きい時は、リカバリー直前に前記絶縁ゲートを正電圧から負電圧に切り替え、アノード電流が小さい時は、前記絶縁ゲートを正電圧に保持し、
アノード電流の大小のしきい値は定格電流の1/2以下である
ことを特徴とする半導体素子の駆動装置。 - 第1導電型の第1半導体層(n-型ドリフト層)と、前記第1半導体層と隣接し、一方の主表面(アノード側)に露出する第2導電型の第2半導体層(p型アノード層)と、前記第1半導体層と隣接し、第1導電型で、他方の主表面(カソード側)に露出し、前記第1半導体層(n-型ドリフト層)より不純物濃度が高い第3半導体層(n型カソード層)と、前記第3半導体層(n型カソード層)を貫き、前記第1半導体層(n-型ドリフト層)に達する絶縁ゲートと、隣り合う前記絶縁ゲート間にあり、半導体層内で前記絶縁ゲートに接し、前記他方の主表面(カソード側)に露出する第2導電型の第4半導体層(p+型カソード層)と、前記第3半導体層と前記第4半導体層と電気的に接続される電極(カソード電極)を備えた半導体素子の駆動装置であって、
アノード電流を検出する手段を備え、アノード電流が大きい時は、リカバリー直前に前記絶縁ゲートを正電圧から負電圧に切り替え、アノード電流が小さい時は、前記絶縁ゲートを正電圧に保持し、
アノード電流の大小のしきい値は定格電流の1/2以下である
ことを特徴とする半導体素子の駆動装置。 - 第1導電型の第1半導体層(n-型ドリフト層)と、前記第1半導体層と隣接し、一方の主表面(アノード側)に露出する第2導電型の第2半導体層(p型アノード層)と、前記第1半導体層と隣接し、第1導電型で、他方の主表面(カソード側)に露出し、前記第1半導体層(n-型ドリフト層)より不純物濃度が高い第3半導体層(n型カソード層)と、前記第3半導体層(n型カソード層)を貫き、前記第1半導体層(n-型ドリフト層)に達する絶縁ゲートと、前記第3半導体層と電気的に接続される電極(カソード電極)を備えた半導体素子の駆動装置であって、
アノード電流を検出する手段を備え、アノード電流が大きい時は、リカバリー直前に前記絶縁ゲートを正電圧から負電圧に切り替え、アノード電流が小さい時は、前記絶縁ゲートを正電圧に保持し、
アノード電流の大小のしきい値は定格電流の1/2以下である
ことを特徴とする半導体素子の駆動装置。 - 第1導電型の第1半導体層(n-型ドリフト層)と、前記第1半導体層と隣接し、一方の主表面(アノード側)に露出する第2導電型の第2半導体層(p型アノード層)と、前記第1半導体層と隣接し、第1導電型で、他方の主表面(カソード側)に露出し、前記第1半導体層(n-型ドリフト層)より不純物濃度が高い第3半導体層(n型カソード層)と、前記他方の主表面(カソード側)に露出する第2導電型の第4半導体層(p+型カソード層)と、前記第1半導体層(n-型ドリフト層)と接する絶縁ゲートと、前記第3半導体層(n型カソード層)と接する前記絶縁ゲートと、前記第4半導体層(p+型カソード層)と接する前記絶縁ゲートと、前記第3半導体層と前記第4半導体層と電気的に接続される電極(カソード電極)を備えた半導体素子の駆動装置であって、
アノード電流を検出する手段を備え、アノード電流が大きい時は、リカバリー直前に前記絶縁ゲートを正電圧から負電圧に切り替え、アノード電流が小さい時は、前記絶縁ゲートを正電圧に保持し、
アノード電流の大小のしきい値は定格電流の1/2以下である
ことを特徴とする半導体素子の駆動装置。 - 第1導電型の第1半導体層(n-型ドリフト層)と、前記第1半導体層と隣接し、一方の主表面(アノード側)に露出する第2導電型の第2半導体層(p型アノード層)と、前記第1半導体層と隣接し、第1導電型で、他方の主表面(カソード側)に露出し、前記第1半導体層(n-型ドリフト層)より不純物濃度が高い第3半導体層(n型カソード層)と、前記第1半導体層(n-型ドリフト層)と接する絶縁ゲートと、前記第3半導体層(n型カソード層)と接する前記絶縁ゲートと、前記第3半導体層と電気的に接続される電極(カソード電極)を備えた半導体素子の駆動装置であって、
アノード電流を検出する手段を備え、アノード電流が大きい時は、リカバリー直前に前記絶縁ゲートを正電圧から負電圧に切り替え、アノード電流が小さい時は、前記絶縁ゲートを正電圧に保持し、
アノード電流の大小のしきい値は定格電流の1/2以下である
ことを特徴とする半導体素子の駆動装置。 - 第1導電型の第1半導体層(n-型ドリフト層)と、前記第1半導体層と隣接し、一方の主表面に露出する第2導電型の第2半導体層(p型アノード層)と、前記第1半導体層と隣接し、第1導電型で、前記一方の主表面に露出し、前記第1半導体層(n-型ドリフト層)より不純物濃度が高い第3半導体層(n型カソード層)と、前記第3半導体層(n型カソード層)に隣接して絶縁ゲートを備えた半導体素子の駆動装置であって、
アノード電流を検出する手段を備え、アノード電流が大きい時は、リカバリー直前に前記絶縁ゲートを正電圧から負電圧に切り替え、アノード電流が小さい時は、前記絶縁ゲートを正電圧に保持し、
アノード電流の大小のしきい値は定格電流の1/2以下である
ことを特徴とする半導体素子の駆動装置。 - 一対の直流端子と、前記一対の直流端子間に接続され、それぞれスイッチング素子と逆極性のダイオードの並列回路を2個直列接続した構成からなり、並列回路の相互接続点が交流端子に接続され、上記ダイオードに、請求項1乃至6のいずれかに記載の半導体素子が使用され、
前記2直列接続された第1スイッチング素子と第2スイッチング素子と、前記第1スイッチング素子と並列接続された第1ダイオードと、前記第2スイッチング素子と並列接続された第2ダイオードと、ダイオードのアノード電流を検出する電流検出器と、前記第1スイッチング素子と前記第2スイッチング素子と前記第1ダイオードと前記第2ダイオードの、それぞれのゲートを駆動する制御回路を備える
ことを特徴とする半導体素子の駆動装置。 - 第1導電型の第1半導体層(n-型ドリフト層)と、前記第1半導体層と隣接し、一方の主表面(エミッタ側)に露出する第2導電型の第2半導体層(p型チャネル層)と、前記一方の主表面(エミッタ側)に設けられ、主電流(コレクタ電流)をオン・オフする第1絶縁ゲートと、隣り合う前記第1絶縁ゲート間にあり、半導体層内で前記第1絶縁ゲートに接し、前記一方の主表面(エミッタ側)に露出する第1導電型の第5半導体層(n+型エミッタ層)と、前記第2半導体層と前記第5半導体層と電気的に接続される電極(エミッタ電極)と、前記第1半導体層と隣接し、第1導電型で他方の主表面(コレクタ側)に露出し、前記第1半導体層(n-型ドリフト層)より不純物濃度が高い第3半導体層(n型コレクタ層)と、前記他方の主表面(コレクタ側)に設けた第2絶縁ゲートを備えた半導体素子の駆動装置であって、
コレクタ電流を検出する手段を備え、コレクタ電流が大きい時は、ターンオフ直前に前記第2絶縁ゲートを負電圧から正電圧に切り替え、コレクタ電流が小さい時は、前記第2絶縁ゲートを負電圧に保持し、
コレクタ電流の大小のしきい値は定格電流の1/2以下である
ことを特徴とする半導体素子の駆動装置。 - 一対の直流端子と、交流の相数と同数の交流端子と、前記一対の直流端子との間に接続され、それぞれスイッチング素子と逆極性のダイオードの並列回路を2個直列接続した構成からなり、並列回路の相互接続点が異なる交流端子に接続された交流の相数と同数の電力変換単位とを具備し、かつ、前記ダイオードの駆動装置が、請求項1乃至7のいずれかに記載の半導体素子の駆動装置である
ことを特徴とする電力変換装置。 - 一対の直流端子と、交流の相数と同数の交流端子と、前記一対の直流端子との間に接続され、それぞれスイッチング素子と逆極性のダイオードの並列回路を2個直列接続した構成からなり、並列回路の相互接続点が異なる交流端子に接続された交流の相数と同数の電力変換単位とを具備し、かつ、前記スイッチング素子の駆動装置が、請求項8に記載の半導体素子の駆動装置である
ことを特徴とする電力変換装置。
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Cited By (1)
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3075007B2 (ja) * | 1992-05-01 | 2000-08-07 | 富士電機株式会社 | スイッチング装置及びダブルゲート型半導体装置の制御装置 |
JP3779401B2 (ja) * | 1996-11-29 | 2006-05-31 | 株式会社東芝 | ダイオードの駆動方法 |
JP4479052B2 (ja) | 2000-05-09 | 2010-06-09 | 富士電機システムズ株式会社 | 半導体装置 |
JP5277579B2 (ja) * | 2007-07-25 | 2013-08-28 | 日産自動車株式会社 | 半導体装置 |
JP5417811B2 (ja) | 2008-11-18 | 2014-02-19 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP5446233B2 (ja) * | 2008-12-08 | 2014-03-19 | 株式会社デンソー | 絶縁ゲート型半導体装置の駆動回路およびそれに適した半導体装置 |
JP2010251517A (ja) * | 2009-04-15 | 2010-11-04 | Tokyo Electric Power Co Inc:The | パワー半導体素子 |
JP2010283132A (ja) | 2009-06-04 | 2010-12-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP5171776B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2013-03-27 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置、及びそれを用いた電力変換装置 |
DE102011079747A1 (de) * | 2010-07-27 | 2012-02-02 | Denso Corporation | Halbleitervorrichtung mit Schaltelement und Freilaufdiode, sowie Steuerverfahren hierfür |
JP5229288B2 (ja) * | 2010-09-20 | 2013-07-03 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその制御方法 |
WO2013088544A1 (ja) * | 2011-12-15 | 2013-06-20 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置および電力変換装置 |
CN107195544B (zh) * | 2012-03-19 | 2020-07-17 | 富士电机株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
US20160013299A1 (en) * | 2013-02-25 | 2016-01-14 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device, drive device for semiconductor circuit, and power conversion device |
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2014
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Cited By (1)
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