JP6221618B2 - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
11 基板
12 ゲート絶縁膜
13 ゲート電極
14 チャネル領域
14a しきい値調整領域
S ソース領域
S1 低濃度ソース領域
S2 高濃度ソース領域
D ドレイン領域
D1 低濃度ドレイン領域
D2 高濃度ドレイン領域
W1 第1ウエル
P 第1ウエルのドレイン領域側の端部(第1端部)
W2 第2ウエル
Q 第2ウエルのソール領域側の端部(第2端部)
W3 第3ウエル
W4 第4ウエル
W4a 下方第4ウエル
W4b 側方第4ウエル
W5 第5ウエル
15 側壁
16 シリサイド層
C1〜C6 コンタクト
V1〜V8 素子分離層
T1〜T2 トランジスタ
R1〜R3 領域1〜領域3
20 絶縁膜
22 ゲート絶縁膜
23 ゲート電極
24 チャネル領域
24a しきい値調整領域
2S ソース領域
2S1 低濃度ソース領域
2S2 高濃度ソース領域
2D ドレイン領域
2D1 低濃度ドレイン領域
2D2 高濃度ドレイン領域
W6 第6ウエル
W7 第7ウエル
W7a 下方第7ウエル
W7b 側方第7ウエル
W8 第8ウエル
32 ゲート絶縁膜
33 ゲート電極
34 チャネル領域
34a しきい値調整領域
3S ソース領域
3S1 低濃度ソース領域
3S2 高濃度ソース領域
3D ドレイン領域
3D1 低濃度ドレイン領域
3D2 高濃度ドレイン領域
W9 第9ウエル
W10 第10ウエル
M1〜M13 マスク
W11 第11ウエル
Claims (7)
- 基板と、
前記基板上に配置されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に配置されたゲート電極と、
第1導電性を有し、前記ゲート電極の下方の前記基板の部分に形成されたチャネル領域と、
第2導電性を有し、前記チャネル領域の両側の前記基板の部分に形成されたソース領域及びドレイン領域と、
前記ソース領域の下方に配置され、第1導電性を有し、前記ゲート電極の下方に前記ドレイン領域側の第1端部を有し、前記第1端部から前記ソース領域側に延びる第1ウエルと、
前記ドレイン領域の下方に配置され、第1導電性を有し、前記第1ウエルと電気的に接続し、前記第1端部と同じ位置か又は前記第1ウエルと重なるように前記第1端部よりも前記ソース領域側の位置に第2端部を有し、前記第2端部から前記ドレイン領域側に延びる第2ウエルと、
前記ドレイン領域と前記第2ウエルとの間に配置され、第1導電性を有し、前記第2ウエルよりも第1導電性の不純物濃度が低い第3ウエルと、
第2導電性を有し、前記第1ウエル及び前記第2ウエルの下方及び側部を囲む第4ウエルと、
を備え、
前記第2ウエルの上側の位置は、前記第1ウエルの上側の位置よりも下方に位置し、且つ前記第1ウエルの下側の位置よりも上方に位置し、
前記第2ウエルの下側の位置は、前記第1ウエルの下側の位置よりも下方に位置する、ことを特徴とする半導体装置。 - 前記第1ウエルの前記第1端部は、前記チャネル領域の下方に位置することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第2ウエルの前記第2端部は、前記ゲート電極の前記ソース領域側の端部よりも前記ドレイン側の位置に配置されることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記第4ウエルと、前記第1ウエル及び前記第2ウエルとの間に、第1導電性を有し、前記第1ウエル及び第2ウエルよりも第1導電性の不純物濃度が低い第5ウエルを備えることを特徴とする請求項1〜3の何れか一項に記載の半導体装置。
- 前記第5ウエルは、前記第4ウエルと、前記第1ウエル及び前記第2ウエルの側部との間に配置されることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
- 基板と、
前記基板上に配置されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に配置されたゲート電極と、
第1導電性を有し、前記ゲート電極の下方の前記基板の部分に形成されたチャネル領域と、
第2導電性を有し、前記チャネル領域の両側の前記基板の部分に形成されたソース領域及びドレイン領域と、
前記ソース領域の下方に配置され、第1導電性を有し、前記ゲート電極の下方に前記ドレイン領域側の第1端部を有し、前記第1端部から前記ソース領域側に延びる第1ウエルと、
前記ドレイン領域の下方に配置され、第1導電性を有し、前記第1ウエルと電気的に接続し、前記第1端部と同じ位置か又は前記第1ウエルと重なるように前記第1端部よりも前記ソース領域側の位置に第2端部を有し、前記第2端部から前記ドレイン領域側に延びる第2ウエルと、
前記ドレイン領域と前記第2ウエルとの間に配置され、第1導電性を有し、前記第2ウエルよりも第1導電性の不純物濃度が低い第3ウエルと、
第2導電性を有し、前記第1ウエル及び前記第2ウエルの下方及び側部を囲む第4ウエルと、
を備え、
前記第2ウエルの上側の位置は、前記第1ウエルの上側の位置よりも下方に位置し、且つ前記第1ウエルの下側の位置よりも上方に位置し、
前記第2ウエルの下側の位置は、前記第1ウエルの下側の位置よりも下方に位置する、半導体装置の製造方法であって、
前記ゲート電極が形成される前記基板の部分の下方に前記ドレイン領域側の第1端部を有し、前記第1端部から前記ソース領域側に延びるように、第1導電性の不純物を前記基板に注入して前記第1ウエルを形成する工程と、
前記ドレイン領域が形成される前記基板の部分の下方に、前記第1端部と同じ位置か又は前記第1端部よりも前記ソース領域側の位置に第2端部を有し、前記第2端部から前記ドレイン領域側に延びるように、第1導電性の不純物を前記基板に注入して前記第2ウエルを形成する工程と、を含み、
前記第2ウエルの上側の位置は、前記第1ウエルの上側の位置よりも下方に位置し且つ前記第1ウエルの下側の位置よりも上方に位置し、さらに、前記第2ウエルの下側の位置は、前記第1ウエルの下側の位置よりも下方に位置するように、それぞれの不純物を前記基板に注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記半導体装置と共に、第6ウエルを有する第2の半導体装置及び第7ウエルを有する第3の半導体装置を前記基板に製造する際に、
前記第1ウエルを形成する工程は、同時に、前記第2の半導体装置の前記第6ウエルを前記基板に形成し、
前記第2ウエルを形成する工程は、同時に、前記第3の半導体装置の前記第7ウエルを前記基板に形成することを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
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