JP6190679B2

JP6190679B2 - 基板保持機構およびそれを用いた基板処理装置

Info

Publication number: JP6190679B2
Application number: JP2013197123A
Authority: JP
Inventors: 祐也都筑
Original assignee: 株式会社テックインテック
Priority date: 2013-09-24
Filing date: 2013-09-24
Publication date: 2017-08-30
Anticipated expiration: 2033-09-24
Also published as: JP2015065227A

Description

この発明は、基板保持機構および基板処理装置に関し、特に、被処理基板をステージ上で昇降させることが可能な基板保持機構と、その基板保持機構を用いた基板処理装置に関する。

例えば、半導体ウエハ等の基板を回転ステージ上に載置し、この基板の表面に処理液を供給して基板を処理する基板処理装置においては、回転ステージ上に基板を保持する必要がある。このような場合に用いられる基板保持機構として、一般に、基板の下面を真空吸着して保持する所謂バキュームチャックや、基板の端縁を挟持して保持する所謂メカニカルチャックが使用される。しかし処理対象の基板の厚みが薄い場合などには、これらの基板保持機構では、基板に損傷を与える可能性がある。

このため、基板の保持部と基板との間の空間に気体を噴出し、ベルヌーイ効果を利用して基板の保持部と基板との間の空間に負圧を生じさせることにより、基板を浮遊させて、基板を実質的に非接触で保持する方式のチャックも使用されている（特許文献１参照）。

特開平１−２４０６８２号公報

基板の表面に処理液を供給して基板を処理する場合に、処理液や処理液の雰囲気が基板の下面側に回り込み、基板を汚染する場合がある。このような場合において、例えば、基板の端縁を挟持して保持する所謂メカニカルチャックを使用した場合には、基板の下面に純水等の洗浄液を供給して基板の下面を洗浄する下面洗浄が実行されている。しかしながら、基板の保持面と基板との間の空間に気体を供給する方式のチャックを使用した場合においては、基板の下面側に常に気体が供給される構成であることから、このような下面洗浄を実施することは不可能である。

このため、基板を処理液により処理する基板処理装置にこの種の方式のチャックを採用する場合には、基板の下面と回転ステージの表面とのクリアランスを小さくして、基板の下面側に処理液や処理液の雰囲気が回り込まない構造とする必要がある。一方、このような構造を採用した場合においては、基板を下方から支持して搬送するための搬送機構のハンド部を基板の下方に侵入させることができないことから、基板の端縁付近をその下面から支持する複数の昇降ピンにより基板を回転ステージの表面から上方に上昇させるためのリフトアップ機構を採用する必要が生ずる。

基板をその下面から複数の支持ピンで支持して昇降させる場合に、支持ピンと基板の有効利用面との接触を防止するため、支持ピンは基板の下面における端縁付近とのみ接触する構成が採用される。このような構成を採用した場合には、特に薄型の基板を処理するときに、基板が自重により湾曲状に変形して垂れた状態となる。基板にこのような変形が生じた場合には、基板が損傷し、または、基板の搬送時に基板が搬送機構のハンド部と接触するという問題が生ずる場合がある。

この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、薄型の基板を昇降させる場合であっても、基板の変形を防止し、基板を正確に搬送機構に対して受け渡すことが可能な基板保持機構および基板処理装置を提供することを目的とする。

請求項１に記載の発明は、基板を保持する基板保持機構において、前記基板の下面外周部と対向する上面部を有するステージと、前記基板の下面中央部と対向する平面部を有し、この平面部に気体噴出口が形成され、前記ステージに対して昇降可能に配設され、前記基板の下面に気体を噴出することにより、前記基板と前記平面部との間に生ずる負圧を利用して基板を非接触で保持するためのチャック部と、前記ステージに対して昇降可能に配設され、前記基板の端縁付近をその下面から支持する複数の昇降ピンと、前記チャック部と前記複数の昇降ピンとを同期して昇降させる昇降機構と、を備え、前記チャック部の平面部と前記ステージの上面部とにより、前記基板の下面全域と対向する平面が形成され、前記基板を、その下面が前記チャック部の平面部と前記ステージの上面部とにより形成される平面から離隔した位置に支持する複数の支持ピンを更に備えたことを特徴とする。

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記ステージと対向配置された基板の下面の端縁付近に気体を吹き付けるための気体噴出口をさらに備える。

請求項３に記載の発明は、請求項１または請求項２に記載の発明において、前記複数の昇降ピンは、基板の下面に当接する支持部と、基板の端縁に当接する案内部とを備える。

請求項４に記載の発明は、請求項１から請求項３のいずれかに記載の発明において、前記昇降機構は、前記チャック部と前記複数の昇降ピンとを連結する連結部を備え、当該連結部を昇降させることにより、前記チャック部と前記複数の昇降ピンとを同期して昇降させる。

請求項５に記載の発明は、基板処理装置であって、請求項１から請求項４のいずれかに記載の基板保持機構と、前記基板保持機構を回転駆動する回転駆動源と、前記基板保持機構に保持された基板に対して所定の処理を施す処理機構と、を備えたことを特徴とする。

請求項１に記載の発明によれば、チャック部と昇降ピンが同期して昇降することから、薄型の基板を昇降させる場合であっても、基板の変形を防止することが可能となる。このため、この基板を正確に搬送機構に対して受け渡すことが可能となる。

また、基板の下面とチャック部の平面部とステージの上面により形成される平面を基板の下面と対向配置することにより、処理液や処理液の雰囲気の基板下面側への回り込みを抑制することが可能となる。

さらに、基板の処理時に基板を昇降ピンとは異なる複数の支持ピンにより支持することにより、基板の下面とチャック部の平面部とステージの上面により形成される平面との距離を精度よく維持することが可能となる。

請求項２に記載の発明によれば、基板の下面の端縁付近に吹き付けられる気体によるベルヌーイ効果により基板の端縁を確実に支持ピンにより支持し得るとともに、処理液の雰囲気が基板の下面側に浸入することをより確実に防止することが可能となる。

請求項３に記載の発明によれば、複数の昇降ピンにより基板の支持と水平方向への移動の抑制とを行うことが可能となる。

請求項４に記載の発明によれば、簡易な構成でありながら、チャック部と複数の昇降ピンとを正確に同期して昇降させることが可能となる。

請求項５に記載の発明によれば、処理時には基板保持機構で保持した基板を回転させて所定の処理を施すことができ、また基板の搬送時には、正確に搬送機構に対して受け渡すことができる。

この発明に係る基板処理装置の要部を示す側断面概要図である。この発明に係る基板処理装置の要部を示す側断面概要図である。この発明に係る基板処理装置の要部を示す側断面概要図である。回転ステージ１０の平面図である。回転ステージ１０の斜視図である。支持ピン２５および昇降ピン２１により基板１００を支持する状態を示す説明図である。

以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１から図３は、この発明に係る基板処理装置の要部を示す側断面概要図である。ここで、図２は基板１００の処理状態を示し、図３は基板１００の受渡し状態を示し、図１は図２に示す処理状態への移行時の状態を示している。また、図４は、回転ステージ１０の平面図である。さらに、図５は、回転ステージ１０の斜視図である。

この基板処理装置は、例えば、基板１００として薄型の半導体ウエハに対して処理液による処理を実行するものであり、回転ステージ１０と、この回転ステージ１０を回転させるための回転駆動源である中空モータ４０と、チャック部１４および複数の昇降ピン２１の昇降機構３０とを備える。これらの回転ステージ１０、中空モータ４０および昇降機構３０は、図示を省略した処理液を回収するための飛散防止カップ内に配設されている。また、回転ステージ１０の上部には、基板１００に処理液を供給して処理を施すための処理液供給ノズル９８（図２参照）が待機位置から基板１００の上方の位置へ移動する構成となっている。図２においては図示を省略しているが、処理液供給ノズル９８は、基板１００に供給する必要がある処理液の種類に応じた数だけ配設されている。

回転ステージ１０は、中空モータ４０の中空の回転軸４１に接続されたベース部１１と、このベース部１１上に円筒状の中空空間を形成する円周部１２およびその中空空間の上部の一部周縁部を閉塞する上面部１３とから構成される。上面部１３には、昇降ピン２１の通過孔が穿設されており、４本の昇降ピン２１が上面部１３の表面に対して昇降可能に配設されている。また、上面部１３には、複数の支持ピン２５が固設されている。さらに、上面部１３の中央には、チャック部１４が昇降可能に配設されている。このチャック部１４の上面は平面部となっており、後述するように、基板１００が支持ピン２５に支持された状態において、チャック部１４の上面と回転ステージ１０の上面部１３の上面とにより、基板１００の下面全域と対向する平面が形成される。すなわち、上面部１３が基板１００の下面外周部と対向し、チャック部１４の上面の平面部が基板１００の下面中央部と対向する。また、チャック部１４の中央には、基板１００の下面に対して窒素ガスを噴出するための気体噴出口１５が形成されている。

また、回転ステージ１０における上面部１３には、支持ピン２５に支持された基板１００の下面の端縁付近に窒素ガスを噴出するための多数の気体噴出口１６が、気体噴出口１５を中心とした円周上に穿設されている。

図６は、支持ピン２５および昇降ピン２１により基板１００を支持する状態を示す説明図である。ここで、図６（ａ）は支持ピン２５により基板１００を支持する状態を示している。また、図６（ｂ）は支持ピン２５により支持された基板１００と昇降ピン２１との位置関係を示している。

回転ステージ１０に固設された支持ピン２５は、基板１００の下面に当接して基板１００を支持するための支持部２６を備える。この支持部２６の高さＨ１は、例えば、１．５ｍｍとなっている。また、この支持部２６による基板１００の下面の支持位置の基板１００の端縁からの距離Ｄは、例えば、基板１００が直径２００ｍｍの半導体ウエハの場合には、２．８ｍｍ以内となるように設定されている。

一方、回転ステージ１０に対して昇降可能に配設された昇降ピン２１は、基板１００の下面に当接して基板１００を支持するための支持部２２と、基板１００の端縁に当接して基板１００の水平方向の移動を抑制するための案内部２３とを備える。支持部２２の高さＨ２は、例えば、１．０ｍｍとなっている。また、この支持部２２による基板１００の下面の支持位置の基板１００の端縁からの距離は、支持ピン２６の場合と同様、Ｄとなっている。

４本の昇降ピン２１は、回転ステージ１０の上面部１３の下方であって円周部１２内に形成される中空空間の内部で連結部材１８により支持され、連結されている。また、チャック部１４は、スペーサ１７を介して、連結部材１８と連結されている。これにより、４本の昇降ピン２１とチャック部１４とが連結され、互いに同期して昇降する。連結部材１８およびスペーサ１７は、チャック部１４とともに、チャック部１４および４本の昇降ピン２１を連結する連結部として機能する。

昇降機構３０は、チャック部１４の下面に当接可能な昇降部材３１と、この昇降部材３１に連結された昇降軸３２とを有する。昇降部材３１と昇降軸３２には、チャック部１４に形成された気体噴出口１５に連通する図示を省略した連通孔が形成されている。昇降軸３２は、回転ステージ１０のベース部１１に形成された中空部および中空モータ４０における中空部を貫通している。

昇降軸３２の下端部は、接続部３３を介してスライダ３４およびボールねじ３５から構成される案内機構付き直動アクチュエータと接続されている。この案内機構付き直動アクチュエータは、例えば、モノキャリア（日本精工株式会社の登録商標）という商品名で販売されているものであり、ボールねじ３５の回転運動をスライダ３４の直線運動に変換するものである。ボールねじ３５は、ベルト３６を介してモータ３８の回転軸と連結されている。モータ３８には、ロータリエンコーダ３７が接続されている。

このため、昇降部材３１および昇降軸３２は、モータ３８の駆動およびロータリエンコーダ３７による制御により、図１に示す下位置と、図２に示す中間位置と、図３に示す上昇位置との間を昇降可能となっている。ここで、図１に示す下位置は、昇降部材３１の下面が連結部材１８と接触して下方に押圧して、連結部材１８の下面と回転ステージ１０におけるベース部１１の上面とが当接する位置である。また、図２に示す中間位置は、昇降部材３１が、連結部材１８およびスペーサ１７とともに連結部を構成するチャック部１４の下面より離隔して、それらに対して非接触の状態となる位置である。すなわち、この中間位置が離隔位置である。さらに、図３に示す上昇位置は、昇降部材３１の上面が、連結部材１８およびスペーサ１７とともに連結部を構成するチャック部１４の下面を支持して、チャック部１４および４本の昇降ピン２１を上昇させる位置である。

チャック部１４およびスペーサ１７とともに連結部を構成する連結部材１８には、磁石２９が配設されている。一方、回転ステージ１０におけるベース部１１には、磁石１９が配設されている。磁石１９と磁石２９は、その磁力により、連結部材１８とベース部１１とを互いに引きつける方向に付勢する電磁気的引力を及ぼすように取り付けられている。なお、連結部材１８とベース部１１とは、樹脂により構成されている。ここで、連結部材１８とベース部１１とに各々磁石１９、２９を設ける代わりに、どちらか一方に磁石を設け、他方に鉄板等の磁性体を配設することにより、連結部材１８とベース部１１とを互いに引きつける方向に付勢する電磁気的引力を及ぼす構成を採用してもよい。

この基板処理装置は、窒素ガスの供給源４２に対して、開閉弁４５を介して接続される管路４３と、開閉弁４６を介して接続される管路４４とを備える。管路４３は、昇降部材３１および昇降軸３２に形成された連通孔と接続されており、この連通孔を介してチャック部１４に形成された気体噴出口１５に連通している。このため、開閉弁４５を開放した場合には、気体噴出口１５から窒素ガスが噴出される。また、管路４４は、回転ステージ１０のベース部１１に形成された中空部の内壁および中空モータ４０における中空部の内壁と昇降軸３２の外周部との間に形成される隙間と接続されている。このため、開閉弁４６を開放した場合には、回転ステージ１０のベース部１１に形成された中空部の内壁および中空モータ４０における中空部の内壁と昇降軸３２の外周部との間に形成される隙間を介して、窒素ガスが、回転ステージ１０における円周部１２および上面部１３によりベース部１１上に形成される空間に供給される。そして、この窒素ガスは、回転ステージ１０における上面部１３に形成された多数の気体噴出口１６から噴出される。

次に、以上のような構成を有する基板処理装置により基板１００を処理するときの処理動作について説明する。

図１に示す移行時の状態においては、上述したように、昇降部材３１が下位置に配置されており、昇降部材３１の下面が連結部材１８を下方に押圧して、連結部材１８の下面と回転ステージ１０におけるベース部１１の上面とが当接する。これによって、連結部材１８が自重により下に下がるだけではなく、強制的に最も下の位置まで確実に引き下げて、後述の処理状態に確実に移行する。そしてこのとき、後述のように磁石１９と磁石２９により連結部材１８と回転ステージ１０とが固定される。このときには、図６に示すように、支持ピン２５における支持部２６の高さ位置が昇降ピン２１における支持部２２の高さ位置より高いことから、基板１００は複数の支持ピン２５により支持されている。

また、このときには、開閉弁４５が開放され、窒素ガスの供給源４２から供給された窒素ガスが、昇降部材３１および昇降軸３２に形成された連通孔を介して、気体噴出口１５から基板１００の下面に噴出される。昇降部材３１の上面とチャック部１４の下面には、図示を省略する凹凸によるラビリンス構造がある。昇降部材３１が図１または図２に示す位置では、かかるラビリンス構造が完成して、両者の隙間から窒素ガスが漏れにくくなる。これにより、昇降部材３１とチャック部１４とが非接触のままで昇降軸３２から供給される窒素ガスのほとんどが気体噴出口１５から噴出される。そして、この窒素ガスによるベルヌーイ効果により、基板１００に対して、回転ステージ１０およびチャック部１４により形成される平面に対して一定の距離を維持しようとする作用が生ずる。これによって、端縁部分を複数の支持ピン２５により支持される基板１００は、垂れ下がり等を生ずることなく、また、支持ピン２５における支持部２６から離隔することもなく、一定の姿勢で支持される。

基板１００に処理液を供給して基板１００の処理を行う場合には、図２に示すように、モータ３８の駆動により昇降部材３１が図１の下位置から中間位置まで上昇する。このとき、昇降部材３１がチャック部１４の下面および連結部材１８の上面から離隔した位置、すなわち離隔位置になり基板処理装置は処理状態となる。また、このときには、開閉弁４５が開放され、窒素ガスの供給源４２から供給された窒素ガスが、昇降部材３１および昇降軸３２に形成された連通孔を介して、気体噴出口１５から基板１００の下面に噴出される。さらに、開閉弁４６が開放され、窒素ガスの供給源４２から供給されて窒素ガスが、回転ステージ１０の円周部１２に形成された中空空間の内壁および中空モータ４０における中空部の内壁と昇降軸３２の外周部との間に形成される隙間を介して、回転ステージ１０における上面部１３に形成された多数の気体噴出口１６から噴出される。そして、回転ステージ１０が中空モータ４０の駆動により回転される。

この処理状態においては、図１に示す移行状態と同様、基板１００は複数の支持ピン２５により支持されている。また、気体噴出口１５から基板１００の下面に噴出される窒素ガスの作用により、端縁部分を複数の支持ピン２５により支持される基板１００は、垂れ下がり等を生ずることなく、また、支持ピン２５における支持部２６から離隔することもなく、一定の姿勢で支持される。さらに、回転ステージ１０における気体噴出口１６から基板１００の下面の端縁付近に吹き付けられる窒素ガスによるベルヌーイ効果により、基板１００の端縁付近が支持ピン２５に押しつけられる。これにより、回転ステージ１０とともに回転する基板１００を、支持ピン２５により確実に支持することが可能となる。

また、この状態においては、昇降部材３１がチャック部１４の下面および連結部材１８の上面から離隔した中間位置に配置されていることから、チャック部１４、スペーサ１７および連結部材１８から構成される連結部と、これらの連結部を昇降させるための昇降機構３０の昇降部材３１とは完全に離隔状態すなわち接触しない状態となっている。このため、回転ステージ１０の回転に伴って発塵が生ずることを確実に防止することが可能となる。

一方、仮にチャック部１４、スペーサ１７および連結部材１８から構成される連結部をベース部１１に固定することなく回転させた場合には、この連結部等を安定して回転し得ない可能性がある。特に、この回転ステージ１０においては、気体噴出口１５、１６から窒素ガスを噴出するために回転ステージ１０内に窒素ガスを供給する構成であることから、チャック部１４、スペーサ１７および連結部材１８から構成される連結部や、これに連結する昇降ピン２１が回転ステージ１０内に供給される窒素ガスの作用により浮上する可能性がある。しかしながら、この基板処理装置においては、図１に示す移行状態で連結部材１８を昇降部材３１によって確実に引き下げて、磁石１９と磁石２９による磁力により、連結部を構成する連結部材１８と回転ステージ１０のベース部１１とが互いに引きつける方向に付勢されている。このため、連結部材１８とベース部１１とが離隔したりずれたりすることを防止し、両者を確実に固定することが可能となる。従って、チャック部１４、スペーサ１７および連結部材１８から構成される連結部や、これに連結する昇降ピン２１を安定した姿勢で回転させることが可能となる。

基板１００が回転ステージ１０とともに所定の回転速度で回転すれば、この基板１００の上方に処理液供給ノズル９８を移動させ、この処理液供給ノズル９８から基板１００の表面に処理液を供給する。この処理液により、基板１００に対して必要な処理が実行される。基板１００に対する処理液による処理が終了すれば、基板１００の表面に残存する処理液は、基板１００を高速回転させることで、基板１００の表面から振り切られて除去される。なお、この基板１００の処理時に、基板１００に供給され基板１００の表面より飛散する処理液は、図示を省略した飛散防止カップにより捕獲された後、処理液の回収部に回収される。

なお、この基板１００の処理液による処理時においては、上述したように、回転ステージ１０における気体噴出口１６から基板１００の下面の端縁付近に窒素ガスが吹き付けられている。このため、この窒素ガスの作用により、基板１００の下面に処理液や処理液の雰囲気が侵入することを防止することが可能となる。

処理液による基板１００の処理が終了すれば、基板１００を回転ステージ１０上から搬出する。この場合においては、図３に示すように、昇降部材３１を上昇位置に移動させ、昇降部材３１の上面により連結部材１８およびスペーサ１７とともに連結部を構成するチャック部１４の下面を支持して、チャック部１４および４本の昇降ピン２１を上昇させる受渡し状態とする。これにより、支持ピン２５における支持部２６に支持されていた基板１００は、昇降ピン２１における支持部２２により支持されることになる。

このときには、開閉弁４５が継続して開放され、窒素ガスの供給源４２から供給された窒素ガスが、昇降部材３１および昇降軸３２に形成された連通孔を介して、気体噴出口１５から基板１００の下面に噴出される。これにより、昇降ピン２１により基板１００を上昇させた場合においても、昇降ピン２１と同期して上昇するチャック部１４から噴出する窒素ガスの作用により、基板１００に対してチャック部１４の上面に対して一定の距離を維持しようとする作用が生ずる。従って、端縁部分を４本の昇降ピン２１により支持される基板１００は、垂れ下がり等を生ずることなく、また、昇降ピン２１における支持部２４から離隔することもなく、一定の姿勢で支持される。

基板１００が昇降ピン２１とともに上昇すれば、図３および図４に示すように、搬送機構のハンド部９９を基板１００の下方に移動させ、このハンド部９９を上昇させることにより基板１００を支持して、搬出することができる。この昇降ピン２１が上昇したときにはチャック部１４も同期して上昇するので、基板１００はチャック部１４から噴出される窒素ガスによるベルヌーイ効果により、湾曲状に変形して垂れることなく平面状の状態が維持される。このため、ハンド部９９の基板１００の下方への侵入時に、基板１００とハンド部９９とが接触することはない。なお、ここでいう垂れ下がりとは、基板１００の厚みが通常（例えば直径２００ｍｍのウエハで７２５ミクロン）よりも薄い、例えば１００〜２００ミクロンの基板である場合に、昇降ピン２１でのみ支持して持ち上げると、支持していない基板１００の中心部が自重により凹状に下がってしまうことである。その場合、図３のようにハンド部９９を基板１００の下方に挿入するときに基板１００とハンド部９９とがぶつかって破損する恐れがある。

なお、上述した説明においては、基板１００が回転ステージ１０上に搬入された状態からの動作を説明したが、基板１００をハンド部９９により回転ステージ１０上に搬入するときには、図３および図４に示す基板１００の搬出時と逆の動作が実行される。すなわち、図３の受渡し状態で基板１００を搬出した後、昇降ピン２１が上昇したままの状態で（あるいは、いったん下降した場合には昇降ピン２１を再度上昇させ）、新たな基板１００をハンド部９９で搬入して昇降ピン２１で支持し、ハンド部９９が退避した後に昇降部材３１を図１に示す下位置まで下降させて連結部材１８を確実に引き下げ、磁石１９と磁石２９による磁力により、連結部材１８をベース部１１に確実に固定する。

上述した実施形態においては、昇降部材３１がチャック部１４の下面を押圧することによりチャック部と４本の昇降ピン２１を同期して昇降させているが、昇降部材３１が連結部材１８の下面を押圧することにより、チャック部１４と４本の昇降ピン２１を同期して昇降させる構成を採用してもよい。また、チャック部１４と昇降ピン２１とが同期して昇降していれば、それらを別個の駆動源によって昇降駆動してもよい。

１０回転ステージ
１１ベース部
１３上面部
１４チャック部
１５気体噴出口
１６気体噴出口
１７スペーサ
１８連結部材
１９磁石
２１昇降ピン
２２支持部
２３案内部
２５支持ピン
２６支持部
２９磁石
３０昇降機構
３１当接部材
３２昇降軸
３４スライダ
３５ボールねじ
３７ロータリエンコーダ
３８モータ
４０中空モータ
４２窒素ガスの供給源
４５開閉弁
４６開閉弁
９８処理液供給ノズル
９９ハンド部
１００基板

Claims

基板を保持する基板保持機構において、
前記基板の下面外周部と対向する上面部を有するステージと、
前記基板の下面中央部と対向する平面部を有し、この平面部に気体噴出口が形成され、前記ステージに対して昇降可能に配設され、前記基板の下面に気体を噴出することにより、前記基板と前記平面部との間に生ずる負圧を利用して基板を非接触で保持するためのチャック部と、
前記ステージに対して昇降可能に配設され、前記基板の端縁付近をその下面から支持する複数の昇降ピンと、
前記チャック部と前記複数の昇降ピンとを同期して昇降させる昇降機構と、
を備え、
前記チャック部の平面部と前記ステージの上面部とにより、前記基板の下面全域と対向する平面が形成され、
前記基板を、その下面が前記チャック部の平面部と前記ステージの上面部とにより形成される平面から離隔した位置に支持する複数の支持ピンを更に備えたことを特徴とする基板保持機構。
請求項１に記載の基板保持機構において、
前記ステージと対向配置された基板の下面の端縁付近に気体を吹き付けるための気体噴出口をさらに備える基板保持機構。
請求項１または請求項２に記載の基板保持機構において、
前記複数の昇降ピンは、基板の下面に当接する支持部と、基板の端縁に当接する案内部とを備える基板保持機構。
請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板保持機構において、
前記昇降機構は、前記チャック部と前記複数の昇降ピンとを連結する連結部を備え、当該連結部を昇降させることにより、前記チャック部と前記複数の昇降ピンとを同期して昇降させる基板保持機構。
請求項１から請求項４のいずれかに記載の基板保持機構と、
前記基板保持機構を回転駆動する回転駆動源と、
前記基板保持機構に保持された基板に対して所定の処理を施す処理機構と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。