JP2016129288A - 電子デバイス、電子機器及び移動体 - Google Patents
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Abstract
【課題】電極パッド同士の導電性接合部材を介した短絡を低減するとともに、電子素子の実装上の不具合を低減することが可能な電子デバイスの提供。【解決手段】水晶振動子1は、凹部35を有するパッケージベース31と、凹部35に収容されているサーミスター20と、凹部35の内底面36に設けられ、サーミスター20が導電性接合部材41を介して接合されている複数の電極パッド36a,36bと、を備え、対向する一対の電極パッド36a,36bの少なくとも一方(例えば、36a)は、他方の電極パッド36bに対向する側であって、平面視でサーミスター20と重なる部分に、切欠き部Kを含み、且つ、他方の電極パッド36bに対向する側とは反対側の部分に、サーミスター20から離れるに従って、一対の電極パッド36a,36bが並ぶ方向とは直交する方向に沿った幅が狭くなる縮幅部Hを含むことを特徴とする。【選択図】図1
Description
本発明は、電子デバイス、この電子デバイスを備えている電子機器及び移動体に関する。
従来、電子デバイスの一例として、圧電振動素子と、感温部品と、圧電振動素子を収容する第1の収容部、及び感温部品を収容する第2の収容部を有した容器と、を備え、容器が、第2の収容部を構成する貫通孔を有し且つ底部に複数の実装端子を備えた第1の絶縁基板と、第1の絶縁基板に積層固定され、表面に圧電振動素子搭載用の第1の電極パッドが設けられ、裏面に感温部品搭載用の第2の電極パッドが設けられた第2の絶縁基板と、第2の絶縁基板の表面に積層固定され、第1の収容部を構成する第3の基板と、を備えている圧電デバイスが知られている(例えば、特許文献1参照)。
また、他の一例として、筐体と、筐体に収容され、パッドを有した基板と、基板に向いた実装面を有するとともに縁部に電極が設けられた部品と、部品の側面とパッドの一部とに亘って塗布され、パッドと電極とを電気的に接続した導電性部材と、を備え、パッドは、部品の実装面と基板との間から外れて位置した塗布領域を有する第1のパッド部と、部品の実装面と基板との間に位置するとともに、実装面の中央側に第1のパッド部よりも突出した形状を有する第2のパッド部とを含む構成の電子機器が知られている(例えば、特許文献2参照)。
上記特許文献1の圧電デバイスは、感温部品が、例えば、ハンダなどの導電性接合部材を介して第2の電極パッドに搭載されている。
特許文献1の図1などによれば、上記圧電デバイスの第2の電極パッドの平面形状は、矩形(四角形)状となっている。
上記圧電デバイスでは、感温部品が凹状の第2の収容部に収容されていることから、第2の収容部の底面に設けられた第2の電極パッドへの、例えば、クリームハンダなどのペースト状の導電性接合部材の塗布に、スクリーン印刷を用いることが困難であり、ディスペンサーなどの局所塗布装置が用いられることになる。
特許文献1の図1などによれば、上記圧電デバイスの第2の電極パッドの平面形状は、矩形(四角形)状となっている。
上記圧電デバイスでは、感温部品が凹状の第2の収容部に収容されていることから、第2の収容部の底面に設けられた第2の電極パッドへの、例えば、クリームハンダなどのペースト状の導電性接合部材の塗布に、スクリーン印刷を用いることが困難であり、ディスペンサーなどの局所塗布装置が用いられることになる。
このディスペンサーなどの局所塗布装置を用いた塗布方法では、スクリーン印刷と比較して、第2の電極パッドへのクリームハンダなどの導電性接合部材の塗布量の正確な制御が困難となる。
この結果、上記圧電デバイスは、クリームハンダなどの導電性接合部材の塗布量がばらつき易くなることから、第2の電極パッド同士の導電性接合部材を介した短絡(ハンダブリッジ)が生じる虞がある。
この結果、上記圧電デバイスは、クリームハンダなどの導電性接合部材の塗布量がばらつき易くなることから、第2の電極パッド同士の導電性接合部材を介した短絡(ハンダブリッジ)が生じる虞がある。
この対策としては、例えば、特許文献2の図7などに示されたパッドの構成が有効である。
この、一対のパッドの互いに対向する側の一部が切り欠かれた構成の採用により、特許文献1の圧電デバイスは、互いに対向する第2の電極パッド同士の間隔が部分的に広くなることから、導電性接合部材(導電性部材)を介した短絡を低減することができる。
この、一対のパッドの互いに対向する側の一部が切り欠かれた構成の採用により、特許文献1の圧電デバイスは、互いに対向する第2の電極パッド同士の間隔が部分的に広くなることから、導電性接合部材(導電性部材)を介した短絡を低減することができる。
しかしながら、特許文献2の図7などに示されたパッドの平面形状は、一対のパッドの互いに対向する側の一部(切り欠かれた凹部)を除くと、矩形状のままである。
このことから、特許文献2の図7などに示されたパッドの構成では、上記圧電デバイスにおけるクリームハンダなどの導電性接合部材の塗布量のばらつきによる、感温部品の接合不良や、感温部品の立ち上がり現象(マンハッタン現象)、感温部品の位置ずれなど、感温部品の実装上の不具合に対して改善の余地がある。
このことから、特許文献2の図7などに示されたパッドの構成では、上記圧電デバイスにおけるクリームハンダなどの導電性接合部材の塗布量のばらつきによる、感温部品の接合不良や、感温部品の立ち上がり現象(マンハッタン現象)、感温部品の位置ずれなど、感温部品の実装上の不具合に対して改善の余地がある。
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
[適用例1]本適用例にかかる電子デバイスは、凹部が設けられている基板と、前記凹部に収容されている電子素子と、前記凹部の内底面に設けられ、前記電子素子の電極が導電性接合部材を介して接合されている複数の電極パッドと、を備え、前記複数の電極パッドのうち、対向する一対の電極パッドの少なくとも一方は、他方の電極パッドに対向する側であって、平面視で前記電子素子と重なる部分に、切欠き部が設けられ、且つ、前記他方の電極パッドに対向する側とは反対側の部分に、前記電子素子から離れるに従って、前記一対の電極パッドが並ぶ方向とは直交する方向に沿った幅が狭くなっている縮幅部を含むことを特徴とする。
これによれば、電子デバイスは、対向する一対の電極パッドの少なくとも一方が、他方の電極パッドに対向する側であって、平面視で電子素子と重なる部分に、切欠き部が設けられ、且つ、他方の電極パッドに対向する側とは反対側の部分に、電子素子から離れるに従って、一対の電極パッドが並ぶ方向とは直交する方向に沿った幅が狭くなっている縮幅部を含む。
このことから、電子デバイスは、一対の電極パッドの対向する側の間隔が部分的に広くなるとともに、クリームハンダなどの導電性接合部材の塗布量が少なくなった場合でも、リフロー実装時に導電性接合部材が電極パッドの中央部に集まり易くなる。
この結果、電子デバイスは、電極パッド同士の導電性接合部材を介した短絡を低減することができるとともに、リフロー実装時に導電性接合部材の濡れ広がりが制御され、電子素子の電極の側面に安定してフィレット(裾広がり形状)が形成され易くなり、セルフアライメント効果(電子デバイスの外部基板へのクリームハンダなどの導電性接合部材を用いたリフロー実装時における自律的位置修復現象)を大きくすることができる。
この結果、電子デバイスは、電子素子の接合不良や、電子素子の立ち上がり現象、電子素子の位置ずれなど、電子素子の実装上の不具合を低減することができる。
このことから、電子デバイスは、一対の電極パッドの対向する側の間隔が部分的に広くなるとともに、クリームハンダなどの導電性接合部材の塗布量が少なくなった場合でも、リフロー実装時に導電性接合部材が電極パッドの中央部に集まり易くなる。
この結果、電子デバイスは、電極パッド同士の導電性接合部材を介した短絡を低減することができるとともに、リフロー実装時に導電性接合部材の濡れ広がりが制御され、電子素子の電極の側面に安定してフィレット(裾広がり形状)が形成され易くなり、セルフアライメント効果(電子デバイスの外部基板へのクリームハンダなどの導電性接合部材を用いたリフロー実装時における自律的位置修復現象)を大きくすることができる。
この結果、電子デバイスは、電子素子の接合不良や、電子素子の立ち上がり現象、電子素子の位置ずれなど、電子素子の実装上の不具合を低減することができる。
[適用例2]上記適用例にかかる電子デバイスにおいて、前記縮幅部の外形は、平面視で仮想の矩形の前記直交する方向に沿って隣り合う2つの角部を隅切した後の形状から成り立っていることが好ましい。
これによれば、電子デバイスは、縮幅部の外形が平面視で仮想の矩形の上記直交する方向に沿って隣り合う2つの角部を隅切した後の形状から成り立っていることから、縮幅部がテーパー状となる。
この結果、電子デバイスは、電子素子の電極(電極端子)の側面にフィレットがより容易に形成されるとともに、セルフアライメント効果をより大きくすることができる。
この結果、電子デバイスは、電子素子の電極(電極端子)の側面にフィレットがより容易に形成されるとともに、セルフアライメント効果をより大きくすることができる。
[適用例3]上記適用例にかかる電子デバイスにおいて、前記縮幅部は、前記仮想の矩形の隅切前の前記電子素子から露出している部分に対して、1/2以上2/3以下の面積となっていることが好ましい。
これによれば、電子デバイスは、縮幅部が上記仮想の矩形の隅切前の電子素子から露出している部分に対して、1/2以上2/3以下の面積となっていることから、例えば、クリームハンダなどの導電性接合部材の塗布量が少なくなった場合でも、リフロー実装時に導電性接合部材が電極パッドの中央部に更に集まり易くなる。
これにより、電子デバイスは、リフロー実装時に導電性接合部材の濡れ広がりが制御され、電子素子の電極の側面に更に安定してフィレットが形成されるとともに、セルフアライメント効果を更に大きくすることができる。
これにより、電子デバイスは、リフロー実装時に導電性接合部材の濡れ広がりが制御され、電子素子の電極の側面に更に安定してフィレットが形成されるとともに、セルフアライメント効果を更に大きくすることができる。
[適用例4]上記適用例にかかる電子デバイスにおいて、前記基板に搭載される振動片を更に備え、振動子として機能することが好ましい。
これによれば、電子デバイスは、基板に搭載される振動片を更に備え、振動子として機能することから、電子素子の実装上の不具合が低減された信頼性の高い振動子を提供することができる。
[適用例5]上記適用例にかかる電子デバイスにおいて、前記電子素子は、感温素子であることが好ましい。
これによれば、電子デバイスは、電子素子が感温素子であることから、振動片近傍の温度を感温素子で検知することができる。
この結果、電子デバイスは、感温素子で検知した温度に基づいて、振動片の周波数の補正が可能となることから、優れた周波数温度特性の振動子を提供することができる。
この結果、電子デバイスは、感温素子で検知した温度に基づいて、振動片の周波数の補正が可能となることから、優れた周波数温度特性の振動子を提供することができる。
[適用例6]上記適用例にかかる電子デバイスにおいて、前記感温素子は、サーミスターまたは測温用半導体であることが好ましい。
これによれば、電子デバイスは、感温素子がサーミスターまたは測温用半導体であることから、サーミスター及び測温用半導体の特性により周囲の温度を正確に検知することができる。
[適用例7]本適用例にかかる電子機器は、上記適用例のいずれか一例に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする。
これによれば、本構成の電子機器は、上記適用例のいずれか一例に記載の電子デバイスを備えていることから、上記適用例のいずれか一例に記載の効果が奏され、優れた性能を発揮することができる。
[適用例8]本適用例にかかる移動体は、上記適用例のいずれか一例に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする。
これによれば、本構成の移動体は、上記適用例のいずれか一例に記載の電子デバイスを備えていることから、上記適用例のいずれか一例に記載の効果が奏され、優れた性能を発揮することができる。
以下、本発明を具体化した実施形態について図面を参照して説明する。
(第1実施形態)
最初に、電子デバイスの一例としての水晶振動子について説明する。
図1は、第1実施形態の水晶振動子の概略構成を示す模式図である。図1(a)は、リッド(蓋体)側から見た平面図であり、図1(b)は、図1(a)のA−A線での断面図であり、図1(c)は、底面側から見た平面図である。図2は、図1(c)のB部の模式拡大図である。
なお、図1(a)を含む以下のリッド側から見た平面図では、リッドを省略してある。また、分かり易くするために、各構成要素の寸法比率は実際と異なる。
図3は、第1実施形態の水晶振動子に収容された電子素子としての感温素子を含む水晶振動子の駆動に関わる回路図である。
最初に、電子デバイスの一例としての水晶振動子について説明する。
図1は、第1実施形態の水晶振動子の概略構成を示す模式図である。図1(a)は、リッド(蓋体)側から見た平面図であり、図1(b)は、図1(a)のA−A線での断面図であり、図1(c)は、底面側から見た平面図である。図2は、図1(c)のB部の模式拡大図である。
なお、図1(a)を含む以下のリッド側から見た平面図では、リッドを省略してある。また、分かり易くするために、各構成要素の寸法比率は実際と異なる。
図3は、第1実施形態の水晶振動子に収容された電子素子としての感温素子を含む水晶振動子の駆動に関わる回路図である。
図1に示すように、水晶振動子1は、振動片としての水晶振動片10と、電子素子としての感温素子の一例としてのサーミスター20と、水晶振動片10及びサーミスター20が収容されているパッケージ30と、を備えている。
水晶振動片10は、例えば、水晶の原石などから所定の角度で切り出されたATカット型の水晶基板であって、平面形状が略矩形に形成され、厚みすべり振動が励振される振動部11と振動部11に接続された基部12とを一体で有している。
水晶振動片10は、振動部11の一方の主面13及び他方の主面14に形成された略矩形の励振電極15,16から引き出された引き出し電極15a,16aが、基部12に形成されている。
水晶振動片10は、振動部11の一方の主面13及び他方の主面14に形成された略矩形の励振電極15,16から引き出された引き出し電極15a,16aが、基部12に形成されている。
引き出し電極15aは、一方の主面13の励振電極15から、水晶振動片10の長手方向(紙面左右方向)に沿って基部12に引き出され、基部12の側面に沿って他方の主面14に回り込み、基部12の他方の主面14まで延在している。
引き出し電極16aは、他方の主面14の励振電極16から、水晶振動片10の長手方向に沿って基部12に引き出され、基部12の側面に沿って一方の主面13に回り込み、基部12の一方の主面13まで延在している。
励振電極15,16及び引き出し電極15a,16aは、例えば、Cr(クロム)を下地層とし、その上にAu(金)またはAuを主成分とする金属が積層された構成の金属被膜となっている。
引き出し電極16aは、他方の主面14の励振電極16から、水晶振動片10の長手方向に沿って基部12に引き出され、基部12の側面に沿って一方の主面13に回り込み、基部12の一方の主面13まで延在している。
励振電極15,16及び引き出し電極15a,16aは、例えば、Cr(クロム)を下地層とし、その上にAu(金)またはAuを主成分とする金属が積層された構成の金属被膜となっている。
サーミスター20は、例えば、チップ型(直方体形状)の感温素子(感温抵抗素子)であって、両端部に電極21,22を有し、温度変化に対して電気抵抗の変化の大きい抵抗体である。
サーミスター20には、例えば、温度の上昇に対して抵抗が減少するNTC(Negative Temperature Coefficient)サーミスターと呼ばれるサーミスターが用いられている。NTCサーミスターは、温度と抵抗値の変化の関係が直線的なため、温度センサーとして多用されている。
サーミスター20は、パッケージ30に収容され、水晶振動片10近傍の温度を検知することにより、温度センサーとして水晶振動片10の温度変化に伴う周波数変動の補正に資する機能を果たしている。
サーミスター20には、例えば、温度の上昇に対して抵抗が減少するNTC(Negative Temperature Coefficient)サーミスターと呼ばれるサーミスターが用いられている。NTCサーミスターは、温度と抵抗値の変化の関係が直線的なため、温度センサーとして多用されている。
サーミスター20は、パッケージ30に収容され、水晶振動片10近傍の温度を検知することにより、温度センサーとして水晶振動片10の温度変化に伴う周波数変動の補正に資する機能を果たしている。
パッケージ30は、平面形状が略矩形の略平板状であって、互いに表裏の関係にある第1主面33と第2主面34とを有する基板としてのパッケージベース31と、パッケージベース31の第1主面33側を覆う平板状のリッド32と、を有し、略直方体形状に構成されている。
パッケージベース31は、一方の面が第1主面33となる平板状の第1層31aと、中央部に開口部を有し、第1層31aの第1主面33とは反対側に積層され、この積層面とは反対側の面が第2主面34となる第2層31bと、第1層31aの第1主面33側に積層された枠状の第3層31cと、を備えている。
パッケージベース31の第1層31a及び第2層31bには、セラミックグリーンシートを成形して積層し焼成した酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭化珪素質焼結体、ガラスセラミックス焼結体などのセラミックス系の絶縁性材料、または、水晶、ガラス、シリコン(高抵抗シリコン)などが用いられている。
パッケージベース31の第3層31c及びリッド32には、パッケージベース31と同材料、または、コバール、42アロイなどの金属が用いられている。
パッケージベース31は、一方の面が第1主面33となる平板状の第1層31aと、中央部に開口部を有し、第1層31aの第1主面33とは反対側に積層され、この積層面とは反対側の面が第2主面34となる第2層31bと、第1層31aの第1主面33側に積層された枠状の第3層31cと、を備えている。
パッケージベース31の第1層31a及び第2層31bには、セラミックグリーンシートを成形して積層し焼成した酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭化珪素質焼結体、ガラスセラミックス焼結体などのセラミックス系の絶縁性材料、または、水晶、ガラス、シリコン(高抵抗シリコン)などが用いられている。
パッケージベース31の第3層31c及びリッド32には、パッケージベース31と同材料、または、コバール、42アロイなどの金属が用いられている。
パッケージベース31の第1主面33には、水晶振動片10の引き出し電極15a,16aに対向する位置に、内部端子33a,33bが設けられている。
水晶振動片10は、引き出し電極15a,16aが、金属フィラーなどの導電性物質が混合された、エポキシ系、シリコーン系、ポリイミド系などの導電性接着剤40を介して内部端子33a,33bに接合されている。これにより、水晶振動片10は、パッケージベース31に搭載されたことになる。
水晶振動片10は、引き出し電極15a,16aが、金属フィラーなどの導電性物質が混合された、エポキシ系、シリコーン系、ポリイミド系などの導電性接着剤40を介して内部端子33a,33bに接合されている。これにより、水晶振動片10は、パッケージベース31に搭載されたことになる。
水晶振動子1は、水晶振動片10がパッケージベース31の内部端子33a,33bに接合された状態で、パッケージベース31の第3層31cがリッド32により覆われ、パッケージベース31とリッド32とがシーム溶接や、低融点ガラス、接着剤などの接合部材で接合されることにより、パッケージベース31の第1層31a、第3層31c及びリッド32を含んで構成された内部空間Sが気密に封止されている。
図1では、一例として、金属製の第3層31cと金属製のリッド32とがシーム溶接により接合されている形態を示している。なお、この場合、第3層31cは、第1層31aのメタライズ層(図示せず)に、ロウ付けされている。
パッケージ30の気密に封止された内部空間S内は、減圧された真空状態(真空度の高い状態)または窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスが充填された状態となっている。
図1では、一例として、金属製の第3層31cと金属製のリッド32とがシーム溶接により接合されている形態を示している。なお、この場合、第3層31cは、第1層31aのメタライズ層(図示せず)に、ロウ付けされている。
パッケージ30の気密に封止された内部空間S内は、減圧された真空状態(真空度の高い状態)または窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスが充填された状態となっている。
パッケージベース31の第2主面34側には、第2層31bの開口部と第1層31aの積層面とにより凹部35が設けられている。凹部35の平面形状は、例えば、トラック状に形成されている。
凹部35の内底面36(第1層31aにおける第2層31b側の積層面)には、サーミスター20の電極21,22に対向する位置にそれぞれ電極パッド36a,36bが設けられている。
サーミスター20は、ディスペンサーなどの局所塗布装置を用いて電極パッド36a,36bに塗布されたクリームハンダなどの導電性接合部材41を介してリフロー実装されることにより、電極21,22が電極パッド36a,36bに接合されている。これにより、サーミスター20は、パッケージベース31の凹部35に収容されたことになる。
なお、サーミスター20は、長手方向(電極21と電極22とを結ぶ方向)がパッケージベース31の長手方向(紙面左右方向)に沿うようにして、凹部35の略中央部に配置されている。
凹部35の内底面36(第1層31aにおける第2層31b側の積層面)には、サーミスター20の電極21,22に対向する位置にそれぞれ電極パッド36a,36bが設けられている。
サーミスター20は、ディスペンサーなどの局所塗布装置を用いて電極パッド36a,36bに塗布されたクリームハンダなどの導電性接合部材41を介してリフロー実装されることにより、電極21,22が電極パッド36a,36bに接合されている。これにより、サーミスター20は、パッケージベース31の凹部35に収容されたことになる。
なお、サーミスター20は、長手方向(電極21と電極22とを結ぶ方向)がパッケージベース31の長手方向(紙面左右方向)に沿うようにして、凹部35の略中央部に配置されている。
図1、図2に示すように、電極パッド36a,36bは、サーミスター20の電極21,22よりも大きく形成され、対向する一対の電極パッド36a,36bの少なくとも一方(ここでは、両方)は、他方の電極パッド(36aなら36b、36bなら36a)に対向する側であって、平面視でサーミスター20と重なる部分に、電極パッド36a,36bの内側に食い込む切欠き部Kが設けられている。
切欠き部Kは、電極パッド36a,36bを平面視で矩形状に切り欠いている。これにより、電極パッド36aと電極パッド36bとの間隔は、部分的に(切欠き部Kの分)広くなっている。
切欠き部Kは、電極パッド36a,36bを平面視で矩形状に切り欠いている。これにより、電極パッド36aと電極パッド36bとの間隔は、部分的に(切欠き部Kの分)広くなっている。
加えて、電極パッド36a,36bは、切欠き部K側(互いに対向する側)とは反対側であって、平面視でサーミスター20から露出している部分に、サーミスター20から離れるに従って、電極パッド36a,36bが並ぶ方向とは直交する方向に沿った幅が狭くなっている縮幅部Hを含んでいる。
縮幅部Hの外形は、平面視で仮想の矩形としての仮電極パッド36a’,36b’における、上記直交する方向に沿って隣り合う2つの角部を隅切した後の形状から成り立っている。これにより、縮幅部Hの斜辺H1,H2は、直線となっている。
縮幅部Hは、仮電極パッド36a’,36b’の隅切前のサーミスター20から露出している部分R(図2のハッチングが施された部分)に対して、1/2以上2/3以下の面積となっている。
縮幅部Hの外形は、平面視で仮想の矩形としての仮電極パッド36a’,36b’における、上記直交する方向に沿って隣り合う2つの角部を隅切した後の形状から成り立っている。これにより、縮幅部Hの斜辺H1,H2は、直線となっている。
縮幅部Hは、仮電極パッド36a’,36b’の隅切前のサーミスター20から露出している部分R(図2のハッチングが施された部分)に対して、1/2以上2/3以下の面積となっている。
パッケージベース31の第2主面34の四隅には、それぞれ電極端子37a,37b,37c,37dが設けられている。
4つの電極端子37a〜37dのうち、例えば、一方の対角に位置する2つの電極端子37b,37dは、図示しない導通ビア(スルーホールに金属または導電性を有する材料が充填された導通電極)及び内部配線によって水晶振動片10の引き出し電極15a,16aに繋がる内部端子33a,33bと接続されている。
他方の対角に位置する残りの2つの電極端子37a,37cは、パッケージベース31の第2層31bを貫通する導通ビアV1,V2及び内部配線P1,P2を経由してサーミスター20の電極21,22に繋がる電極パッド36a,36bと接続されている。
4つの電極端子37a〜37dのうち、例えば、一方の対角に位置する2つの電極端子37b,37dは、図示しない導通ビア(スルーホールに金属または導電性を有する材料が充填された導通電極)及び内部配線によって水晶振動片10の引き出し電極15a,16aに繋がる内部端子33a,33bと接続されている。
他方の対角に位置する残りの2つの電極端子37a,37cは、パッケージベース31の第2層31bを貫通する導通ビアV1,V2及び内部配線P1,P2を経由してサーミスター20の電極21,22に繋がる電極パッド36a,36bと接続されている。
4つの電極端子37a〜37dは、平面形状が矩形から凹部35側の一部が切り欠かれた形状に形成されている。
なお、電極端子37cは、図1に破線で示すように、パッケージベース31の第1層31aを貫通する導通ビアV3及び内部配線P2、あるいはパッケージベース31の外側の角部に設けられた図示しないキャスタレーション(凹部)に形成された導電膜のいずれかにより、第3層31cを介してリッド32と電気的に接続されていることがシールド性を向上させる観点から好ましい。なお、第3層31cが絶縁性材料の場合には、第3層31cにも導通ビアを設けることになる。
また、水晶振動子1は、電極端子37cをアース端子(GND端子)として接地することによりシールド性を更に向上させることができる。
なお、電極端子37cは、図1に破線で示すように、パッケージベース31の第1層31aを貫通する導通ビアV3及び内部配線P2、あるいはパッケージベース31の外側の角部に設けられた図示しないキャスタレーション(凹部)に形成された導電膜のいずれかにより、第3層31cを介してリッド32と電気的に接続されていることがシールド性を向上させる観点から好ましい。なお、第3層31cが絶縁性材料の場合には、第3層31cにも導通ビアを設けることになる。
また、水晶振動子1は、電極端子37cをアース端子(GND端子)として接地することによりシールド性を更に向上させることができる。
なお、内部端子33a,33b、電極パッド36a,36b、電極端子37a〜37dは、例えば、W(タングステン)、Mo(モリブデン)などのメタライズ層にNi(ニッケル)、Auなどの各被膜をメッキなどにより積層した金属被膜からなる。
図3に示すように、水晶振動子1は、例えば、電子機器のICチップ70内に集積化された発振回路61から、電極端子37b,37dを経由して印加される駆動信号によって、水晶振動片10が厚みすべり振動を励振されて所定の周波数で共振(発振)し、電極端子37b,37dから共振信号(発振信号)を出力する。
この際、水晶振動子1は、サーミスター20が温度センサーとして水晶振動片10近傍の温度を検知し、それを電源62から供給される電圧値の変化に変換し、電極端子37aから検出信号として出力する。
この際、水晶振動子1は、サーミスター20が温度センサーとして水晶振動片10近傍の温度を検知し、それを電源62から供給される電圧値の変化に変換し、電極端子37aから検出信号として出力する。
出力された検出信号は、例えば、電子機器のICチップ70内に集積化されたA/D変換回路63によりA/D変換され、同じくICチップ70内に集積化された温度補償回路64に入力される。そして、温度補償回路64は、入力された検出信号に応じて温度補償データに基づいた補正信号を発振回路61に出力する。
発振回路61は、入力された補正信号に基づいて補正された駆動信号を水晶振動片10に印加し、温度変化に伴い変動する水晶振動片10の共振周波数を、所定の周波数になるように補正する。発振回路61は、この補正された周波数の発振信号を増幅し外部へ出力する。
発振回路61は、入力された補正信号に基づいて補正された駆動信号を水晶振動片10に印加し、温度変化に伴い変動する水晶振動片10の共振周波数を、所定の周波数になるように補正する。発振回路61は、この補正された周波数の発振信号を増幅し外部へ出力する。
上述したように、第1実施形態の水晶振動子1は、対向する一対の電極パッド36a,36bの少なくとも一方(ここでは、両方)に、他方の電極パッド(36aなら36b、36bなら36a)に対向する側であって、平面視でサーミスター20と重なる部分に、切欠き部Kが設けられている。加えて、水晶振動子1は、電極パッド36a,36bの少なくとも一方(ここでは、両方)が、他方の電極パッド(36aなら36b、36bなら36a)に対向する側とは反対側であって、平面視でサーミスター20から露出している部分に、サーミスター20から離れるに従って、電極パッド36a,36bが並ぶ方向とは直交する方向に沿った幅が狭くなっている縮幅部Hを含んでいる。
このことから、水晶振動子1は、電極パッド36aと電極パッド36bとの間隔が部分的に広くなるとともに、クリームハンダなどの導電性接合部材41の塗布量が少なくなった場合でも、リフロー実装時に導電性接合部材41が電極パッド36a,36bの中央部に集まり易くなる。
この結果、水晶振動子1は、電極パッド36a,36b同士の導電性接合部材41を介した短絡を低減することができるとともに、リフロー実装時に導電性接合部材41の濡れ広がりが制御され、サーミスター20の電極21,22の側面に安定してフィレットが形成され易くなり、セルフアライメント効果を大きくすることができる。
この結果、水晶振動子1は、サーミスター20の接合不良や、サーミスター20の立ち上がり現象、サーミスター20の位置ずれなど、サーミスター20の実装上の不具合を低減することができる。
この結果、水晶振動子1は、電極パッド36a,36b同士の導電性接合部材41を介した短絡を低減することができるとともに、リフロー実装時に導電性接合部材41の濡れ広がりが制御され、サーミスター20の電極21,22の側面に安定してフィレットが形成され易くなり、セルフアライメント効果を大きくすることができる。
この結果、水晶振動子1は、サーミスター20の接合不良や、サーミスター20の立ち上がり現象、サーミスター20の位置ずれなど、サーミスター20の実装上の不具合を低減することができる。
また、水晶振動子1は、縮幅部Hの外形が平面視で仮電極パッド36a’,36b’における、上記直交する方向に沿って隣り合う2つの角部を隅切した後の形状から成り立っていることから、縮幅部Hが、直線状の斜辺H1,H2で構成されたテーパー状となる。
この結果、水晶振動子1は、サーミスター20の電極21,22の側面にフィレットがより容易に形成されるとともに、セルフアライメント効果をより大きくすることができる。
この結果、水晶振動子1は、サーミスター20の電極21,22の側面にフィレットがより容易に形成されるとともに、セルフアライメント効果をより大きくすることができる。
また、水晶振動子1は、縮幅部Hが仮電極パッド36a’,36b’の隅切前のサーミスター20から露出している部分Rに対して、1/2以上2/3以下の面積となっていることから、例えば、クリームハンダなどの導電性接合部材41の塗布量が少なくなった場合でも、リフロー実装時に導電性接合部材41が電極パッド36a,36bの中央部に更に集まり易くなる。
これにより、水晶振動子1は、リフロー実装時にクリームハンダなどの導電性接合部材41の濡れ広がりが制御され、サーミスター20の電極21,22の側面に更に安定してフィレットが形成され易くなるとともに、セルフアライメント効果を更に大きくすることができる。
なお、水晶振動子1は、上記面積が1/2未満の場合には、サーミスター20の接合強度が弱くなり、2/3を超える場合には、フィレットが形成されにくくなる。
これにより、水晶振動子1は、リフロー実装時にクリームハンダなどの導電性接合部材41の濡れ広がりが制御され、サーミスター20の電極21,22の側面に更に安定してフィレットが形成され易くなるとともに、セルフアライメント効果を更に大きくすることができる。
なお、水晶振動子1は、上記面積が1/2未満の場合には、サーミスター20の接合強度が弱くなり、2/3を超える場合には、フィレットが形成されにくくなる。
また、水晶振動子1は、パッケージベース31に搭載される水晶振動片10を備え、振動子として機能することから、電極パッド36a,36b同士の導電性接合部材41を介した短絡や、サーミスター20の接合不良、サーミスター20の立ち上がり現象、サーミスター20の位置ずれなど、サーミスター20の実装上の不具合が低減された信頼性の高い振動子を提供することができる。
また、水晶振動子1は、電子素子が感温素子であることから、水晶振動片10近傍の温度を感温素子で検知することができる。
この結果、水晶振動子1は、感温素子で検知した温度に基づいて、水晶振動片10の周波数の補正が可能となることから、優れた周波数温度特性の振動子を提供することができる。
この結果、水晶振動子1は、感温素子で検知した温度に基づいて、水晶振動片10の周波数の補正が可能となることから、優れた周波数温度特性の振動子を提供することができる。
また、水晶振動子1は、感温素子がサーミスター20であることから、サーミスター20の特性により周囲の温度を正確に検知することができる。なお、感温素子には、サーミスター20に代えて、測温用半導体を用いてもよく、測温用半導体の特性により周囲の温度を正確に検知することができる。測温用半導体としては、ダイオードまたはトランジスターが挙げられる。
詳述すると、ダイオードの場合には、ダイオードの順方向特性を利用し、ダイオードのアノード端子からカソード端子に一定電流を流しておいて、温度によって変化する順方向電圧を測定することによって温度を検知することができる。また、トランジスターの場合には、ベースとコレクター間を短絡し、コレクターとエミッター間をダイオードとして機能させることにより、上記と同様に温度を検知することができる。
水晶振動子1は、感温素子にダイオードまたはトランジスターを用いることにより、ノイズの重畳を低減することができる。
詳述すると、ダイオードの場合には、ダイオードの順方向特性を利用し、ダイオードのアノード端子からカソード端子に一定電流を流しておいて、温度によって変化する順方向電圧を測定することによって温度を検知することができる。また、トランジスターの場合には、ベースとコレクター間を短絡し、コレクターとエミッター間をダイオードとして機能させることにより、上記と同様に温度を検知することができる。
水晶振動子1は、感温素子にダイオードまたはトランジスターを用いることにより、ノイズの重畳を低減することができる。
なお、水晶振動子1のパッケージベース31は、サーミスター20実装時における画像認識の際に、画像認識装置によって白黒の2値化処理されてもクリームハンダなどの導電性接合部材41と識別可能な色調とすることが好ましい。具体的には、パッケージベース31の色調を白色系とすることが好ましい。
なお、電極パッド36a,36bは、図4の電極パッドの形状バリエーションを示す模式平面図のような形状としてもよい。
例えば、図4(a)に示すように、電極パッド36a,36bは、切欠き部Kがくさび状に切り欠かれた形状としてもよい。
また、図4(b)に示すように、電極パッド36a,36bは、縮幅部Hが斜辺H1,H2が外側に湾曲する曲線状(例えば、円弧状)であって、切欠き部Kが円弧状に切り欠かれた形状としてもよい。
例えば、図4(a)に示すように、電極パッド36a,36bは、切欠き部Kがくさび状に切り欠かれた形状としてもよい。
また、図4(b)に示すように、電極パッド36a,36bは、縮幅部Hが斜辺H1,H2が外側に湾曲する曲線状(例えば、円弧状)であって、切欠き部Kが円弧状に切り欠かれた形状としてもよい。
また、電極パッド36a,36bは、図1(c)、図4(a)、図4(b)の切欠き部K及び縮幅部Hの形状を任意に組み合わせた形状としてもよい。
なお、切欠き部K及び縮幅部Hは、電極パッド36a,36bのいずれか一方のみに設けられていてもよい。この場合でも、水晶振動子1は、上記と同様の効果を奏することができる。
なお、上記電極パッド36a,36bの形状バリエーションは、以下の変形例及び各実施形態にも適用可能である。
なお、切欠き部K及び縮幅部Hは、電極パッド36a,36bのいずれか一方のみに設けられていてもよい。この場合でも、水晶振動子1は、上記と同様の効果を奏することができる。
なお、上記電極パッド36a,36bの形状バリエーションは、以下の変形例及び各実施形態にも適用可能である。
(変形例)
次に、第1実施形態の変形例について説明する。
図5は、第1実施形態の変形例の水晶振動子の概略構成を示す模式図である。図5(a)は、リッド側から見た平面図であり、図5(b)は、図5(a)のA−A線での断面図であり、図5(c)は、底面側から見た平面図である。
なお、第1実施形態との共通部分には、同一符号を付して詳細な説明を省略し、第1実施形態と異なる部分を中心に説明する。
次に、第1実施形態の変形例について説明する。
図5は、第1実施形態の変形例の水晶振動子の概略構成を示す模式図である。図5(a)は、リッド側から見た平面図であり、図5(b)は、図5(a)のA−A線での断面図であり、図5(c)は、底面側から見た平面図である。
なお、第1実施形態との共通部分には、同一符号を付して詳細な説明を省略し、第1実施形態と異なる部分を中心に説明する。
図5に示すように、変形例の水晶振動子2は、第1実施形態と比較して、サーミスター20の配置方向が異なる。
水晶振動子2は、サーミスター20の長手方向(電極21と電極22とを結ぶ方向)が、パッケージベース31の長手方向(紙面左右方向)と交差する(ここでは直交する)方向になるようにサーミスター20が配置されている。
水晶振動子2は、サーミスター20の長手方向(電極21と電極22とを結ぶ方向)が、パッケージベース31の長手方向(紙面左右方向)と交差する(ここでは直交する)方向になるようにサーミスター20が配置されている。
これにより、水晶振動子2は、第1実施形態の効果に加えて、傾向的に長手方向の反りが大きいとされているパッケージベース31の反りに伴うサーミスター20の固定強度(接合強度)の低下を低減することができる。
なお、上記変形例の構成は、以下の各実施形態にも適用可能である。
なお、上記変形例の構成は、以下の各実施形態にも適用可能である。
(第2実施形態)
次に、電子デバイスとしての水晶振動子の他の構成について説明する。
図6は、第2実施形態の水晶振動子の概略構成を示す模式図である。図6(a)は、リッド側から見た平面図であり、図6(b)は、図6(a)のA−A線での断面図であり、図6(c)は、底面側から見た平面図である。
なお、第1実施形態との共通部分には、同一符号を付して詳細な説明を省略し、第1実施形態と異なる部分を中心に説明する。
次に、電子デバイスとしての水晶振動子の他の構成について説明する。
図6は、第2実施形態の水晶振動子の概略構成を示す模式図である。図6(a)は、リッド側から見た平面図であり、図6(b)は、図6(a)のA−A線での断面図であり、図6(c)は、底面側から見た平面図である。
なお、第1実施形態との共通部分には、同一符号を付して詳細な説明を省略し、第1実施形態と異なる部分を中心に説明する。
図6に示すように、第2実施形態の水晶振動子3は、第1実施形態と比較して、パッケージベース31及びリッド32の構成が異なる。
水晶振動子3は、パッケージベース31の第3層31cが除去され、代わりにリッド32との接合部材39が配置されている。
リッド32は、コバール、42アロイなどの金属を用いて、全周につば部32aが設けられたキャップ状に形成されている。
水晶振動子3は、リッド32のキャップ部分の膨らみにより、水晶振動片10を収容する内部空間Sが確保されている。
水晶振動子3は、パッケージベース31の第3層31cが除去され、代わりにリッド32との接合部材39が配置されている。
リッド32は、コバール、42アロイなどの金属を用いて、全周につば部32aが設けられたキャップ状に形成されている。
水晶振動子3は、リッド32のキャップ部分の膨らみにより、水晶振動片10を収容する内部空間Sが確保されている。
リッド32は、つば部32aがシームリング、ロウ材、導電性接着剤などの導電性を有する接合部材39を介してパッケージベース31の第1主面33に接合されている。
これにより、リッド32は、パッケージベース31内の導通ビアV2,V3、内部配線P2などを介して電極端子37cと電気的に接続され、シールド効果が発揮されている。
なお、リッド32は、接合部材39及びパッケージベース31の外側の角部に設けられた図示しないキャスタレーションに形成された導電膜を介して電極端子37cと電気的に接続されてもよい。
これにより、リッド32は、パッケージベース31内の導通ビアV2,V3、内部配線P2などを介して電極端子37cと電気的に接続され、シールド効果が発揮されている。
なお、リッド32は、接合部材39及びパッケージベース31の外側の角部に設けられた図示しないキャスタレーションに形成された導電膜を介して電極端子37cと電気的に接続されてもよい。
上述したように、第2実施形態の水晶振動子3は、パッケージベース31の第3層31cが除去されていることから、第1実施形態と比較してパッケージベース31の製造が容易となる。
なお、水晶振動子3は、シールドに支障がなければ、リッド32が電極端子37cと電気的に接続されていなくてもよい。これにより、接合部材39は、絶縁性のものでもよいことになる。
なお、上記第2実施形態の構成は、以下の実施形態にも適用可能である。
なお、水晶振動子3は、シールドに支障がなければ、リッド32が電極端子37cと電気的に接続されていなくてもよい。これにより、接合部材39は、絶縁性のものでもよいことになる。
なお、上記第2実施形態の構成は、以下の実施形態にも適用可能である。
(第3実施形態)
次に、電子デバイスとしての水晶振動子の別の構成について説明する。
図7は、第3実施形態の水晶振動子の概略構成を示す模式図である。図7(a)は、リッド側から見た平面図であり、図7(b)は、図7(a)のA−A線での断面図であり、図7(c)は、底面側から見た平面図である。
なお、第1実施形態との共通部分には、同一符号を付して詳細な説明を省略し、第1実施形態と異なる部分を中心に説明する。
次に、電子デバイスとしての水晶振動子の別の構成について説明する。
図7は、第3実施形態の水晶振動子の概略構成を示す模式図である。図7(a)は、リッド側から見た平面図であり、図7(b)は、図7(a)のA−A線での断面図であり、図7(c)は、底面側から見た平面図である。
なお、第1実施形態との共通部分には、同一符号を付して詳細な説明を省略し、第1実施形態と異なる部分を中心に説明する。
図7に示すように、第3実施形態の水晶振動子4は、第1実施形態と比較して、凹部35の形成位置が異なる。
水晶振動子4は、第1層31aに開口部が設けられ、第1層31aの開口部と平板状の第2層31bの積層面とにより凹部35が設けられている。
これにより、凹部35の内底面36は、第2層31bにおける第1層31a側の積層面となる。
また、第2層31bが平板状となっていることから、4つの電極端子37a〜37dは、切欠きの無い矩形状となっている。
水晶振動子4は、第1層31aに開口部が設けられ、第1層31aの開口部と平板状の第2層31bの積層面とにより凹部35が設けられている。
これにより、凹部35の内底面36は、第2層31bにおける第1層31a側の積層面となる。
また、第2層31bが平板状となっていることから、4つの電極端子37a〜37dは、切欠きの無い矩形状となっている。
上述したように、第3実施形態の水晶振動子4は、サーミスター20が第1層31a側に設けられた凹部35に収容されていることから、サーミスター20と水晶振動片10とが同一空間(内部空間S)内に収容されるとともに、第1実施形態よりも互いに接近する。
このことから、水晶振動子4は、水晶振動片10の温度とサーミスター20の検知する温度との温度差が小さくなる。
この結果、水晶振動子4は、サーミスター20で検知した温度に基づいて、水晶振動片10の周波数の補正が更に正確に行われることから、更に優れた周波数温度特性の振動子を提供することができる。
このことから、水晶振動子4は、水晶振動片10の温度とサーミスター20の検知する温度との温度差が小さくなる。
この結果、水晶振動子4は、サーミスター20で検知した温度に基づいて、水晶振動片10の周波数の補正が更に正確に行われることから、更に優れた周波数温度特性の振動子を提供することができる。
(電子機器)
次に、上述した電子デバイスを備えている電子機器として、携帯電話を一例に挙げて説明する。
図8は、電子機器としての携帯電話を示す模式斜視図である。
携帯電話700は、上記各実施形態及び変形例で述べた電子デバイスとしての水晶振動子を備えている。
図8に示す携帯電話700は、上述した水晶振動子(1〜4のいずれか)を、例えば、基準クロック発振源などのタイミングデバイスとして用い、更に液晶表示装置701、複数の操作ボタン702、受話口703、及び送話口704を備えて構成されている。なお、携帯電話の形態は、図示のタイプに限定されるものではなく、いわゆるスマートフォンタイプの形態でもよい。
これによれば、携帯電話700は、上記水晶振動子を備えていることから、上記各実施形態及び変形例で説明した効果が奏され、優れた性能を発揮することができる。
次に、上述した電子デバイスを備えている電子機器として、携帯電話を一例に挙げて説明する。
図8は、電子機器としての携帯電話を示す模式斜視図である。
携帯電話700は、上記各実施形態及び変形例で述べた電子デバイスとしての水晶振動子を備えている。
図8に示す携帯電話700は、上述した水晶振動子(1〜4のいずれか)を、例えば、基準クロック発振源などのタイミングデバイスとして用い、更に液晶表示装置701、複数の操作ボタン702、受話口703、及び送話口704を備えて構成されている。なお、携帯電話の形態は、図示のタイプに限定されるものではなく、いわゆるスマートフォンタイプの形態でもよい。
これによれば、携帯電話700は、上記水晶振動子を備えていることから、上記各実施形態及び変形例で説明した効果が奏され、優れた性能を発揮することができる。
上述した水晶振動子などの電子デバイスは、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピューター、テレビ、デジタルスチールカメラ、ビデオカメラ、ビデオレコーダー、ナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、ゲーム機器、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡)、魚群探知機、各種測定機器、計器類、フライトシミュレーターなどを含む電子機器のタイミングデバイスとして好適に用いることができ、いずれの場合にも上記各実施形態及び変形例で説明した効果が奏され、優れた性能を発揮する電子機器を提供することができる。
(移動体)
次に、上述した電子デバイスを備えている移動体として、自動車を一例に挙げて説明する。
図9は、移動体としての自動車を示す模式斜視図である。
自動車800は、上記各実施形態及び変形例で述べた電子デバイスとしての水晶振動子を備えている。
自動車800は、上述した水晶振動子(1〜4のいずれか)を、例えば、搭載されている各種電子制御式装置(例えば、電子制御式燃料噴射装置、電子制御式ABS装置、電子制御式一定速度走行装置など)の基準クロック発振源などのタイミングデバイスとして用いている。
これによれば、自動車800は、上記水晶振動子を備えていることから、上記各実施形態及び変形例で説明した効果が奏され、優れた性能を発揮することができる。
次に、上述した電子デバイスを備えている移動体として、自動車を一例に挙げて説明する。
図9は、移動体としての自動車を示す模式斜視図である。
自動車800は、上記各実施形態及び変形例で述べた電子デバイスとしての水晶振動子を備えている。
自動車800は、上述した水晶振動子(1〜4のいずれか)を、例えば、搭載されている各種電子制御式装置(例えば、電子制御式燃料噴射装置、電子制御式ABS装置、電子制御式一定速度走行装置など)の基準クロック発振源などのタイミングデバイスとして用いている。
これによれば、自動車800は、上記水晶振動子を備えていることから、上記各実施形態及び変形例で説明した効果が奏され、優れた性能を発揮することができる。
上述した水晶振動子などの電子デバイスは、上記自動車800に限らず、自走式ロボット、自走式搬送機器、列車、船舶、飛行機、人工衛星などを含む移動体の基準クロック発振源などのタイミングデバイスとして好適に用いることができ、いずれの場合にも上記各実施形態及び変形例で説明した効果が奏され、優れた性能を発揮する移動体を提供することができる。
なお、水晶振動子の振動片の形状は、図示した平板状のタイプに限定されるものではなく、中央部が厚く周辺部が薄いタイプ(例えば、コンベックスタイプ、ベベルタイプ、メサタイプ)、逆に中央部が薄く周辺部が厚いタイプ(例えば、逆メサタイプ)などでもよく、音叉型形状でもよい。
なお、振動片の材料としては、水晶に限定されるものではなく、タンタル酸リチウム(LiTaO3)、四ホウ酸リチウム(Li2B4O7)、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)、酸化亜鉛(ZnO)、窒化アルミニウム(AlN)などの圧電体、またはシリコン(Si)などの半導体でもよい。
また、厚みすべり振動の駆動方法は、圧電体の圧電効果によるものの他に、クーロン力による静電駆動でもよい。
また、厚みすべり振動の駆動方法は、圧電体の圧電効果によるものの他に、クーロン力による静電駆動でもよい。
なお、電子素子は、感温素子に限定されるものではなく、例えば、チップコンデンサーなどの容量素子や、チップインダクター(チップコイル)などの受動素子であってもよい。
1,2,3,4…電子デバイスとしての水晶振動子、10…振動片としての水晶振動片、11…振動部、12…基部、13…一方の主面、14…他方の主面、15,16…励振電極、15a,16a…引き出し電極、20…電子素子としての感温素子の一例としてのサーミスター、21,22…電極、30…パッケージ、31…基板としてのパッケージベース、31a…第1層、31b…第2層、31c…第3層、32…リッド、32a…つば部、33…第1主面、33a,33b…内部端子、34…第2主面、35…凹部、36…内底面、36a,36b…電極パッド、36a’,36b’…仮電極パッド、37a,37b,37c,37d…電極端子、39…接合部材、40…導電性接着剤、41…導電性接合部材、61…発振回路、62…電源、63…A/D変換回路、64…温度補償回路、70…ICチップ、700…電子機器としての携帯電話、701…液晶表示装置、702…操作ボタン、703…受話口、704…送話口、800…移動体としての自動車、H…縮幅部、H1,H2…斜辺、K…切欠き部、P1,P2…内部配線、R…仮電極パッドの隅切前のサーミスターから露出している部分、S…内部空間、V1,V2,V3…導通ビア。
Claims (8)
- 凹部が設けられている基板と、
前記凹部に収容されている電子素子と、
前記凹部の内底面に設けられ、前記電子素子の電極が導電性接合部材を介して接合されている複数の電極パッドと、を備え、
前記複数の電極パッドのうち、対向する一対の電極パッドの少なくとも一方は、他方の電極パッドに対向する側であって、平面視で前記電子素子と重なる部分に、切欠き部が設けられ、
且つ、前記他方の電極パッドに対向する側とは反対側の部分に、前記電子素子から離れるに従って、前記一対の電極パッドが並ぶ方向とは直交する方向に沿った幅が狭くなっている縮幅部を含むことを特徴とする電子デバイス。 - 請求項1において、
前記縮幅部の外形は、平面視で仮想の矩形の前記直交する方向に沿って隣り合う2つの角部を隅切した後の形状から成り立っていることを特徴とする電子デバイス。 - 請求項2において、
前記縮幅部は、前記仮想の矩形の隅切前の前記電子素子から露出している部分に対して、1/2以上2/3以下の面積となっていることを特徴とする電子デバイス。 - 請求項1ないし請求項3のいずれか一項において、
前記基板に搭載される振動片を更に備え、
振動子として機能することを特徴とする電子デバイス。 - 請求項4において、
前記電子素子は、感温素子であることを特徴とする電子デバイス。 - 請求項5において、
前記感温素子は、サーミスターまたは測温用半導体であることを特徴とする電子デバイス。 - 請求項1ないし請求項6のいずれか一項に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする電子機器。
- 請求項1ないし請求項6のいずれか一項に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする移動体。
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- 2015-01-09 JP JP2015002933A patent/JP2016129288A/ja active Pending
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