JP6178991B2 - 光源ユニットおよびそれを用いた光源モジュール - Google Patents

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Description

本発明は、プロジェクタなどのディスプレイや、溶接、加工装置などに用いられる光出力の大きな光源、光源ユニットおよび光源モジュールに関する技術である。
光出力が1ワットを超える非常に高いエネルギーの光を放射する光源の開発が進んでいる。特に指向性の優れた光を効率よく放射させる光源は様々な用途で検討されている。このような指向性の優れた光を放射する光源として、半導体レーザに代表される、光導波路を有する半導体発光素子をパッケージなどに搭載した半導体発光装置が挙げられる。例えば、InAlGaP系、InAlGaAs系などの化合物半導体を用いた半導体発光装置は、溶接装置、加工装置、レーザスクライビング装置、薄膜のアニール装置などの産業用加工装置の光源や、ディスプレイの長波長光源などの用途に開発が進んでいる。またInAlGaN系などの窒化物半導体を用いた半導体発光装置は、レーザディスプレイやプロジェクタなどの画像表示装置の光源や、白色固体光源の励起光源ユニット用の光源として開発が進んでいる。例えば、半導体発光装置である光源を励起光源とし、蛍光体と組み合わせた光源モジュールについては、高い光出力の白色光を出射させることができる。このため、プロジェクタなどの投写型画像表示装置用に開発が進んでいる。
これらの光源や光源ユニットの光出力は、例えば合計数10ワットを超える非常に高いエネルギーの光を放射することが望まれている。このため、光源において発生した熱を排熱する構造や、光源から放射される光を光学系外部に効率良く放射させる構造についてもさまざまな工夫が必要となる。
上記のような課題に対し、例えば、特許文献1には複数の光源を組み合わせた光源ユニットの構造について提案がなされている。以下、図18を用いて、従来の光源ユニットについて説明する。光源ユニット1000は、複数の光源1001が行及び列をなすように平面状に配列された光源群1010と、光源群1010の光軸上に配置され、光源群1010の各行を構成する光源1001から射出された光線束の行間隔を狭めることにより列方向に断面面積が縮小された光線束として反射する第一反射ミラー群1020と、から構成される。光源1001は複数の半導体レーザ素子1005と、レーザ素子から発生した光を平行光に変換する複数のコリメートレンズ1007から構成される。第一反射ミラー群1020は、光源群1010の各行から平行光として射出される光線束の光軸上にそれぞれ異なる短冊状の反射ミラー1025が階段状に配置されることによって構成され、各反射ミラー1025は、各反射ミラー1025からの反射光相互の間隔を小さくするように配置されており、これにより光線束の断面面積を縮小することができる。また、複数のレーザ素子から発生した複数の光束は互いに平行になっているので、小型の光学系で集光して利用することができる。
特開2011−013317号公報
しかしながら、従来の光源ユニットにおいて、光出力を高くしようとした場合、光源の光出力増加に限界があるため、光源数が増加し、光源ユニットの大きさが大きくなり、後段の光学系との結合効率が悪化するなどの課題を有する。
本発明が解決する課題は、小型・高出力で光学系との結合効率が高く、また発熱源を効率良く分散させ、排熱させることが可能な光源、光源ユニットおよび投写型画像表示装置を提供することにある。
上記課題を解決するため、本発明の光源ユニットは、複数の発光点を備え、複数の発光点のそれぞれより同一方向かつ所定の拡がり角をもって出射光を放射する光源と、出射光を透過するコリメートレンズと、主面に対して異なる傾斜角を有し、かつ複数の出射光それぞれに対する入射面を有する光学素子とで構成されたものである。
この構成により、複数の発光点から発生した光をそれぞれ平行化し、さらに平行化された複数の光束を互いに平行にすることができる。
本発明の光源ユニットは、さらに入射面が、主面に対し光源側に傾いていることが好ましい。
本発明の光源ユニットは、さらに複数の出射光の光軸は、レンズを透過した後に所定の角度差を有し、傾斜角は所定の角度差の半分であることが好ましい。
本発明の光源ユニットは、さらに主面が光軸に対して45度の角度を有し、複数の入射面が出射光を反射することが好ましい。
本発明の光源ユニットは、さらに光学素子は、入射面を備えたミラーを複数有することが好ましい。
本発明の光源ユニットは、さらに光学素子は出射光を透過し、かつ入射面は主面に対し光学素子側に凸になるように傾いていることが好ましい。
本発明の光源ユニットは、さらに主面が光軸に対して垂直で、複数の面が出射光を透過することが好ましい。
本発明の光源ユニットは、さらに光源は、順に第1の出射光、第2の出射光、第3の出射光と一列に並んだ3つの出射光を放射し、光学素子は第1出射光、第2の出射光および第3の出射光のそれぞれに対し第1の入射面、第2の入射面および第3の入射面を有し、第2の入射面は主面に一致し、第1の入射面と第3の入射面とは、主面に対し所定の傾斜角を有することが好ましい。
本発明の光源ユニットは、さらに光学素子は、レンズであることが好ましい。
本発明の光源ユニットは、さらに光学素子を搭載するパッケージをさらに備え、入射面をパッケージに備えたことが好ましい。
本発明の光源ユニットは、さらに光源が半導体レーザアレイであることが好ましい。この好ましい構成によれば、光源の高出力化が実現でき、光源ユニット全体の高出力化が実現できる。
さらに本発明の光源ユニットは、主面が光軸に対して垂直で、複数の出射面が出射光を透過することが好ましい。この好ましい構成によれば、光源からの出射光をその出射方向を大きく変えることなく、互いに平行な光束群を得ることができる。
さらに本発明の光源ユニットは、主面が光軸に対して45度の角度を有し、複数の光学面が出射光を反射することが好ましい。この好ましい構成によれば、光源となるレーザアレイからの出射光をその出射方向を45度折り曲げ、互いに平行な光束群を得ることができる。さらに光束群の密度を高めることができる。
また、本発明の光源ユニットを含むことによって、輝度の高い投写型画像表示装置を実現できる。
本発明の光源は、複数の発光点を備え、複数の発光点のそれぞれより同一方向かつ所定の拡がり角をもって出射光を放射する光源であって、複数の発光点間隔が20μm以上120μm以下であることが好ましい。この好ましい構成により、コリメートレンズ等でコリメート光を形成しても、コリメートレンズにおける光学損失が小さくかつ互いの伝搬方向のズレ角度を十分小さくすることができる。
さらに本発明の光源は、光源が窒化物半導体レーザアレイ素子であることが好ましい。
この好ましい構成によれば、光源の高出力化が実現でき、光源ユニット全体の高出力化が実現できる。
本発明の構成によれば、半導体レーザアレイなどの所定の間隔で複数の発光点を有する半導体発光素子を光源に用いても、簡単な構成で出射光が平行で、小さな領域で光を放射することができる。
図1は、第1の実施形態の光源ユニットの構成を説明する図である。 図2は、第1の実施形態の光源ユニットの構成を説明する図である。 図3は、第1の実施形態の光源ユニットの効果を説明する図である。 図4は、第1の実施形態の光源ユニットの効果を説明する図である。 図5は、第1の実施形態の光源の構成を説明する概略図である。 図6は、第1の実施形態の光源ユニットの効果を説明する図である。 図7は、第1の実施形態の光源ユニットの効果を説明する図である。 図8は、第1の実施形態の光源および光源ユニットの効果を説明する図である。 図9は、第1の実施形態の光源ユニットの効果を説明するための比較例を説明する図である。 図10は、第1の実施形態の光源ユニットの変形例を説明する図である。 図11は、第2の実施形態の光源ユニットの構成を説明する図である。 図12は、第3の実施形態の光源ユニットの構成を説明する図である。 図13は、第3の実施形態の光源ユニットの変形例1を説明する図である。 図14は、第3の実施形態の光源ユニットの変形例2を説明する図である。 図15は、第4の実施形態の光源モジュールを説明する概略図である。 図16は、第5の実施形態の光源ユニットを説明する図である。 図17は、第5の実施形態の光源ユニットを説明する図である。 図18は、従来の光源ユニットを説明する図である。
以下、図面を用いて本発明の実施形態について説明する。
(第1の実施形態)
図1は本発明の第1の実施形態となる光源ユニットの構成図である。光源ユニット100は、複数の光源111、112および113、複数のコリメートレンズ131、132および133、複数の凹面反射ミラー151、152および153からなる。光源111は、同一基板上に二つの導波路111Aおよび111Bが形成され、二つのエミッタ111aおよび111bから指向性の高い出射光を放射する半導体発光素子であり、例えばレーザアレイ素子である。ここで、光源はレーザ素子に限らず、コリメートレンズによって平行化が可能な程度の指向性を持つ光を発生する半導体発光素子であればよい。たとえば、スーパールミネッセントダイオード(Superluminescent Diode:SLD)を用いてもよい。
光源111のエミッタ111aおよび111bから放出された出射光121aおよび121bは、それぞれある拡がり角をもっている。これらの出射光121aおよび121bはコリメートレンズ131に取り込まれ、それぞれコリメート光(平行光)141aおよび141bに変換される。このとき、二つのコリメート光の伝搬方向は平行ではなく、後述するように、二つのコリメート光の主光線は、ビームずれ角2αの角度差が生じる。
次に、二つのコリメート光141aおよび141bは凹面反射ミラー151によっておよそ直角に折り曲げられ、光源ユニットから光束群160として放出される。凹面反射ミラー151は光源111からの光の出射方向に対して概ね45°の角度をもって設置されている。ただし、凹面反射ミラー151の形状は、二つのコリメート光141a、141bのビームずれ角2αに応じた凹面とする。具体的には、コリメート光141a、141bの光束141A、141Bがそれぞれ反射される反射点151a、151bでは、それぞれ角度αだけ反射面側に微少傾斜している。この構成により、コリメート光141a、141bが凹面反射ミラー151で反射されることによりなるコリメート光161aおよび161bの主光線を互いに平行とすることができる。なお、図1において凹面反射ミラー151、152、153に付した破線は、平面を表す。
同様に光源112、光源113についても同様に凹面反射ミラー152、153が配置されており、凹面反射ミラー152および153の反射点152a、152b、153a、153bで、コリメート光142a、142b、143a、143bが反射されてなるコリメート光162a、162b、163aおよび163bの伝搬方向も互いに平行にすることができる。結果として光源ユニットから、光束群160として互いに平行な6本のコリメート光が出力される。本実施形態では、3個の半導体発光素子である光源を用いたが、4個以上の光源を用いても同様の構成を用いることができる。
つぎに、図2から図8を用いて光源および光源ユニットの具体的な設計を用いて好ましい形態について述べる。図2はコリメートレンズの設計を模式的に説明している。図2にはエミッタ(発光点)とコリメートレンズであるレンズとの相対的な位置関係が示されている。コリメートレンズの瞳に入射する光の入射角度の最大角度である取り込み角度θは、開口数をNAとして
NA=sinθ (数1)
で表されるが、レンズの瞳径Dと焦点距離fで近似的に
θ=tan−1(D/(2・f)) (数2)
として決定される。エミッタが一つだけの半導体発光素子を用いる場合には、エミッタの中心軸(発光点)をコリメートレンズの中心軸と一致させれば、取り込み角θよりも小さな拡がり角の光はレンズに取り込まれ、コリメート光に変換される。したがって、焦点距離fを小さくして、取り込み角θが大きくなるように光学系を設計すれば、より多くの光をレンズに取り込むことができる。
図3は発明者らが半導体発光素子として使用したレーザ素子の出射光強度の角度分布を示している。図3において横軸は光放射角度(Divergence angle、単位は度(°))、縦軸は光強度(Intensity、任意単位(a.u.))を示す。また、実線は垂直放射強度(半導体発光素子の活性層の主面に対し垂直な方向)、破線は水平放射強度(半導体発光素子の活性層の主面に対し平行な方向)を示す。ここで例えばコリメートレンズの有効径Dを6mm、焦点距離fを8.2mmとすると取り込み角θは約20°となる。20°以上の拡がり角度をもつ出射光の成分(同図中ハッチング部分)はレンズに取り込まれず、光学的な損失となる。図4は、コリメートレンズの取り込み角θと光学損失の関係を示している。図4において、横軸が取り込み角(°)、縦軸はコリメートレンズによる半導体発光素子からの光の損失(光学損失)を示す。図4より、取り込み角θを大きくする、すなわち焦点距離fを小さくすると光学損失を低減できることがわかる。また、光源から出射された出射光はできるだけコリメートレンズを通過することが望ましく、例えば取り込み角θを24°以上とし、光学損失を約1%以下とすることが望ましい。
続いて光源である半導体発光素子の好ましい形態について説明する。光源ユニットおよび光源モジュールに用いる光源は、光出力が1ワット以上のワットクラスの高い光出力を必要とする。しかし、半導体発光素子の光出力は発光素子自体の温度によって制限される。投入電流を大きくして光出力を高めると、発光素子内部での発熱が増大し、素子の温度は上昇する。その結果、半導体発光素子の内部では、発光を生じる活性層からあふれる電子正孔対の数が増大して(キャリアのオーバーフロー)、さらに発熱が促進される。その結果、電流を増やしても光出力が増大しない現象すなわち光出力の熱飽和が生じる。したがって、高い光出力を得るためには、キャリアのオーバーフローを抑制する必要がある。
そこで、高出力動作と発熱の抑制を両立する手法として、一つのチップの内部で複数の導波路を形成し、各導波路がレーザ光を発生するエミッタとして機能させるレーザアレイ構造が有効である。この構造では、光出力は各エミッタの光出力の総和として取り出すことができる。換言すれば、一つのチップから得られる光出力Ptに対して、各エミッタの光出力PoはPt/Nでよいため、熱飽和を抑制しながら、高い光出力を実現できる。ここでNはチップ内に形成されたエミッタの数である。また、発熱源となるエミッタは空間的に離れて配置されているために、効果的にチップ全体を放熱経路として利用することができ、各エミッタの温度上昇を抑制することができる。
具体的に図5に示した本実施形態の光源111として用いる半導体発光素子の模式図を用いて説明する。本実施形態において光源111は窒化物半導体レーザ素子であり、エミッタ数(導波路数)は2本である。具体的にn型GaN基板である基板111G上に発光層111Fなどの窒化物半導体積層膜が積層され、リッジ型の導波路111A、111Bが形成される。光源111の2つの導波路111A、111Bで変換され生成されたレーザ光は2つのエミッタ111a、111bから出射光(Outgoing beam)として出射される。
上記の光源111において、前述のように各エミッタ(エミッタ111aと111b)の間隔は互いになるべく離れている(エミッタ間隔dが大きい)ことが望ましい。半導体発光素子に形成されたエミッタおよび導波路は発光部であると同時に発熱源でもある。したがって、エミッタ間隔dが大きいほうが、半導体発光素子内での発熱を分散させることができ、エミッタ部の温度上昇を抑制しやすく、高い光出力を得ることができる。
具体的に図6を用いて熱分散の効果について説明する。図6のグラフは、チップ長さ800μm、チップ厚み90μmの半導体発光素子を所定のパッケージに実装したものに対して、チップ幅Wcを160μm、200μm、260μmとした場合に、半導体発光素子のエミッタの発光層温度であるジャンクション温度Tjをエミッタ間隔dに対して実験および計算に基づいてプロットしたものである。図6において横軸がエミッタ間隔(Emitter interval)、縦軸がジャンクション温度(Junction Temperature)である。なおエミッタ間隔0μmはシングルエミッタを表す。光源の構成は、図5に示した半導体発光素子を図15に示したパッケージに搭載したものを用いて、光出力(Po)を3W、パッケージ温度(Tc)を50℃としている。図6の結果より、シングルエミッタの構成でチップ幅Wcを増加させるよりも、複数(2つ)のエミッタの構成でエミッタ間隔dを増加させることで効果的にジャンクション温度Tjを下げることができることがわかる。つまり光源(半導体発光素子)の光出力を効果的に増加させることができる。
一方、空間的に距離dだけ離れた二つのエミッタをもつ光源を用いて光源ユニットを構成する場合の課題について図7から図9を用いて説明する。
まず、図7に示すように2つのエミッタ(Emitter)を有する光源を1つのコリメートレンズを用いてコリメート光を生成する場合について説明する。ここで、コリメートレンズの焦点距離をf、2つのエミッタの中間に光軸(Optical axis)を配置したとする。この場合、2つのエミッタは光軸上から所定の距離で離れているため、それぞれの主光線(Principal ray)は光軸から角度α(=tan−1(d/(2・f))だけずれる。したがって、2つの主光線は角度2αだけずれる。この角度2αは光軸の位置に依存せず保存される。このような構成において取り込み角θを大きく(焦点距離fを小さく)したコリメートレンズを用いて、より多くの光を取り込もうとすると、コリメートレンズを通過した二つの光のずれ角2αは大きくなる。この角度2αが大きいと、後述のように、これらのコリメート光を利用した光源ユニットや光源モジュールにおいて、後段の光学系での光利用損失が増大する。
このような課題は、エミッタ間隔dを大きくした場合でも同様に生じる。図8は、コリメートレンズの取り込み角θ、コリメートレンズ出射後におけるビームずれ角2α、エミッタ間隔dの相関を示している。図8において横軸がエミッタ間隔d、縦軸がコリメートレンズ出射後におけるビームずれ角2αを示す。図8より、エミッタ間隔dが大きくなるほどビームずれ角2αが大きくなる。さらに、取り込み角θを大きくすると2αはさらに増大することがわかる。
このような光学系の構成を、光源ユニットの構成に適用した場合について、図9に示す比較例の光源ユニットを用いて説明する。
光源ユニット1100は、1つの半導体発光素子に2つのエミッタが集積されたレーザアレイ素子である光源1111、1112および1113と、コリメートレンズ1131、1132および1133と、平面である反射面を有する反射ミラー1151、1152および1153とで構成される。いま、光源1111に着目すると、この光源の二つのエミッタ1111aと1111bからそれぞれ、出射光1121aおよび1121bが放射される。このときエミッタ1111aとエミッタ1111bは所定の距離だけ空間的に離れて配置されているため、出射光1121aと1121bの主光線(エミッタとレンズ中心を結ぶ線)は互いに平行にはならない。このため、コリメートレンズを通過した後のコリメート光1141aと1141bは、それぞれ互いに平行にはならず、所定の角度(ビームずれ角)を持って、反射ミラー1151に入射する。このビームずれ角は反射ミラー1151を通過した後も保存される。このため、光源の光束幅1160は、求める光束幅1160aよりも大きくなってしまう。つまり、小型の光学系においては、光束幅1160b、1160cにおいてロスが生じる。さらに、この光源ユニット1100から出射される光束はビームずれ角だけ出射角度分布を持った光束となるため、後段の光学系における光の利用効率が低下するため、装置の小型化が難しくなることや、光源ユニットから放射される光束を集光させることが困難になる。
このような課題に対して、本実施形態においては、光源の高出力化が可能で、かつ後段の光学系において光の利用効率が高い光源および光源ユニットを提供することができる。
まず、光源については、図4に示すようにコリメートレンズの光利用効率を高く、例えば表面反射を除いた光利用効率を99%以上とするためには、取り込み角を24°以上とする。この場合、ビームずれ角2αを1°以内に抑えるためには、エミッタ間隔は120μm以下とする。この構成によりビームずれ角2αを1°以下とすることにより、後段の光学系における光結合効率のロスを十分低減することができる。例えば図9に示す光学系の構成において、光源1111、1112、1113の間隔を12mm、コリメートレンズ1131、1132、1133は、瞳径Dが6mm、焦点距離fが6.7mm、取り込み角θが24°であるものを用いたとすると、ビームずれ角2αは1°となる。このとき、光源ユニット1100と後段の光学系(Optical system)との距離L2が30mm離れていても光束幅1160cは0.3mm以下である。このとき光束幅1160aは少なくとも18mm(瞳径の3倍)必要であるため、十分光束幅1160cを小さくし、光結合効率のロスを低くすることができる。上記構成は、図8の本実施形態の光源で示した範囲で示される。また、上記構成においては、図6に示すように、エミッタ間隔を20μm以上、好ましくは40μm以上の範囲で設定することにより、ジャンクション温度を効果的に低減させ光源の光出力を増大させることができる。
また、本実施形態の光源ユニットを用いることで、エミッタ間隔dの拡大による半導体発光素子の高出力化、コリメートレンズの光学損失低減およびコリメート光束群平行化(ビームずれ角の低減)を効果的に実現することができる。以下、図1を中心に具体的な例を挙げて説明する。まず第一に、光源である半導体発光素子では、光出力を高めるために十分なエミッタ間隔d、具体的には例えば100μm以上とする。本実施形態では、光源のエミッタ間隔dとして200μmとする。つぎに、コリメートレンズの取り込み角は光学損失を十分低くできる水準、すなわちコリメートレンズでの光学損失が1%以下となる水準として、レンズ取り込み角度θを24度とする。具体的には本実施形態では、40度とし、光利用効率を99.9%以上とする。このとき具体的なコリメートレンズの設計は瞳径6mm、焦点距離約3.6mmとなる。このとき、コリメートレンズ通過後のビームずれ角2αはおよそ3.2度となる。そして、図1に示した凹面反射ミラー151のビーム反射点151a、151bにおいて反射面の角度を反射面側にそれぞれ角度α(1.6度)だけ大きくする。その結果、凹面反射ミラー151を通過した後の二つのコリメート光161a、161bは平行化される。
またこのとき、コリメート光141a、141bの光束141A、141Bは、図7に示すように遠視野(Far Field Patten)における光分布が水平方向より垂直方向の方が大きい楕円のビーム形状である。よって、コリメートレンズ131の主点と凹面反射ミラー151の中心の距離を例えば30mm以上とする。この構成により水平方向のビーム幅が約1.5mm程度であるのに対して、2つのビーム中心の距離は1.5mmよりも大きくすることができるため、ビーム反射点151a、151bにおいてそれぞれのコリメート光を独立に反射し、コリメート光161a、161bの角度ズレを低減させ、互いに平行な光とすることができる。
上記の構成により光源ユニット100から、出射角度分布が小さく、光束の大きさが小さい光束群160を放射させることができる。
以上、本実施形態の構成により、小型・高出力で光学系との結合効率が高く、また発熱源を効率良く分散させ、排熱させることが可能な光源および光源ユニットを実現できる。
(第1の実施形態の変形例)
上述した光源ユニットでは、光源として、2つのエミッタをもつレーザアレイ素子である半導体発光素子を使用したが、3つのエミッタをもつ半導体発光素子を使用した場合には、図10のような構成とすればよい。図10では、簡略化のため、一つの光源211、コリメートレンズ231、凹面反射ミラー251のみを図示している。光源211の3つの導波路211A、211Bおよび211Cの端部に形成された3つのエミッタ211a、211bおよび211cのそれぞれの出射光221a、221bおよび221cは同一のコリメートレンズでコリメート光(平行光)に変換される。コリメート光241a、241bおよび241cはそれぞれ凹面反射ミラー251に投射され、光束群260を構成する反射光261a、261bおよび261cが得られる。このとき、各コリメート光の反射点251a、251bおよび251cの角度を、反射光261a、261bおよび261cが互いに平行になるように設計すれば、第1の実施形態で示した、エミッタ数2の半導体発光素子を用いた場合と同じ効果を得ることができる。エミッタの数を4以上に増やした場合も同様で、各コリメート光が反射ミラーで反射される点の反射角度を変えることで、互いに平行な出射方向をもつ複数のコリメート光を得ることができる。
以上、本変形例の構成により、小型・高出力で光学系との結合効率が高く、また発熱源を効率良く分散させ、排熱させることが可能な光源ユニット200を実現できる。
なお、本実施形態および変形例において、凹面反射ミラー151、152、153、251は、複数の反射平面で構成しても、複数の反射凹曲面で構成しても良い。複数の反射凹曲面で構成する場合は、凹面反射ミラーでもレンズ効果が発生するため、光源、コリメートレンズ、凹面曲面の距離を微少調整し、光源ユニットから放射させる放射光を直進光としてもよい。
(第2の実施形態)
続いて図11を用いて第2の実施形態の光源ユニットについて説明する。本実施形態の光源ユニットは第1の実施形態とほぼ同じ構成であるため異なる部分を中心に説明する。
図11は本発明の第2の実施形態にかかる光源ユニット400の構成図である。光源ユニット400は、複数の光源411、412および413、複数のコリメートレンズ431、432および433、複数の反射ミラー451a、451b、452a、452b、453aおよび453bからなる。光源411は二つのエミッタ411aおよび411bからなるレーザアレイ素子である。
エミッタ411aおよび411bから放出された出射光421aおよび421bは、それぞれある拡がり角をもっている。これらの出射光421aおよび421bはコリメートレンズ431に取り込まれ、それぞれコリメート光(平行光)441aおよび441bに変換される。このとき、二つのコリメート光の出射方向は平行ではなく、ビームずれ角2αの角度をもっている。ここまでの構成は、第1の実施形態と全く同一である。
本実施形態の相違点は、反射ミラーの構成にある。すなわち、第1の実施形態では一つの半導体発光素子と一つのコリメートレンズに対して一つの凹面ミラーを配置していたのに対して、本実施形態では、二つの平面ミラーを配置している。同一の平面ミラーを複数個用い、所定の角度で配置することで、光学系を構成できることが最も大きな特徴である。たとえば、第1の実施形態に示した凹面ミラーを用いた光学ユニットでは、凹面ミラーはコリメートレンズの取り込み角度とレーザアレイチップのエミッタ間隔によって決まるビームずれ角2αに応じて設計、製作される必要がある。そのため、コリメートレンズの開口数や光源のエミッタ間隔などを変更した場合には、凹面ミラーの設計を変更する必要がある。一方、本実施形態に示した光源ユニットでは、コリメートレンズや光源を変更した場合でも、反射ミラー451a、451b、452a、452b、453aおよび453bの位置と角度を調整するだけで、コリメート光461a、461b、462a、462b、463aおよび463bを互いに平行な光束群460として放射させることができる。
以上、本実施形態の構成により、小型・高出力で光学系との結合効率が高く、また発熱源を効率良く分散させ、排熱させることが可能な光源ユニットを実現できる。
(第3の実施形態)
上述した実施形態においては、反射ミラーを用いて光源ユニットを構成した。一方では本実施形態では、反射ミラーではなく光の屈折を利用した光学系を用いている。図12は本発明にかかる本実施形態の光源ユニットの構成図である。光源ユニット500は、複数の光源511、512および513、複数のコリメートレンズ531、532および533、光学素子550から構成される。さらに、光学素子550はその主面からθ2だけ傾斜した複数の光学面551a、551b、552a、552b、553a、553bから構成される。いま、光源511について着目する。光源511は二つのエミッタ511aおよび511bを備える。それぞれのエミッタから放射されたレーザ光521aおよび521bはコリメートレンズ531に入射し、コリメート光541aおよび541bに変換される。このとき、二つのコリメート光の出射方向は平行ではなく、上述したように、ビームずれ角2αの角度をもっている。
さらにいま、コリメート光541bに着目する。このコリメート光541bは光学素子550の光学面551bに入射角θで入射する。そして光学面から出射角θの角度をもって光学素子から後方に伝播する。このとき、光学面551bでの光の入射角と出射角の関係はスネルの法則に従う。すなわち、
sinθ/sinθ=n/n (数3)
となる。ここで、nとnはそれぞれ空気と光学素子550に用いられる透明材料の屈折率である。θの値は、幾何学的に
θ=θ−α (数4)
となる。ここで、光学面551bを屈折して透過したコリメート光が光学素子550の主面に対して垂直になるようにするためには、光学面551bの光学素子550の主面に対する傾斜角θがθに等しくなるようにすればよい。
たとえば、ビームずれ角2αが1.8度になる場合を考える。光学素子550を屈折率1.5の光学ガラス材料で形成するとθを約3.6度にすると、コリメート光は光学素子550の主面に対して垂直に方向に進む。
同様に、コリメート光541bについても光学面551aを設計すると、光学素子550から光束群560として放射される二つのコリメート光561aと561bは互いに平行な光束となる。
さらに、これを他の光源とコリメートレンズについて、同様に光学面を設計し、配置すれば、光源ユニット500を構成するすべての光源から発せられた光束群は互いに平行になる。
なお、図12では、3個の光源511、512および513と3個のコリメートレンズ531、532および533、光学素子550で構成された光源ユニット500を例示したが、光源とコリメートレンズが4組以上となった場合でも、光学素子550の光学面を追加すればよい。
以上、本実施形態の構成により、小型・高出力で光学系との結合効率が高く、また発熱源を効率良く分散させ、排熱させることが可能な光源ユニットを実現できる。
(第3の実施形態の変形例1)
上記実施形態において、光源に三つのエミッタを形成してもよい。この場合の変形例として図13に示す光源ユニット600を用いて説明する。図13は、一つの光源611が3個のエミッタ611a、611bよび611cで構成された場合の光源ユニットの構成を図示する。簡単化のために、一つの光源、コリメートレンズ、光学素子のセットのみを図示するが、光源ユニットは複数の光源、コリメートレンズ、光学素子で構成されていても構わない。
エミッタ611a、611bおよび611cからの出射光621a、621bおよび621cはコリメートレンズ631によってそれぞれコリメート光641a、641bおよび641cに変換される。
光学素子650は、三つの光学面651a、651bおよび651cで構成される。これらの光学面651a、651bおよび651cは、それぞれコリメート光641a、641bおよび641cを互いに平行化するように設計される。光学素子650の主面に対して傾斜して伝播するコリメート光641aおよび641cは、それぞれ光学面651aおよび651cに入射する。このとき光学面651aおよび651cは光学素子650の主面に対してθだけ傾斜している。このときのθの設計値は上述した通り、光学素子650の屈折率、コリメート光641aと641cのビームずれ角2αで決定される。一方、コリメート光641bは光学素子650の主面に対して垂直に伝播する。したがって、コリメート光641bが入射する光学面651bは光学素子650の主面と平行であればよい。その結果、三つのコリメート光641a、641bおよび641cは互いに平行な光束となり、光束群660が形成される。
エミッタの数が4個以上になった場合も同様に、それぞれのコリメート光が入射する光学面を設計することによって、やはり互いに平行な光束であるコリメートな光束群を実現できる。
以上、本実施形態の構成により、小型・高出力で光学系との結合効率が高く、また発熱源を効率良く分散させ、排熱させることが可能な光源ユニットを実現できる。
(第3の実施形態の変形例2)
上述した実施形態は、平面で構成された複数の光学面をもつ光学素子を用いた。これを拡張して、曲面で構成される光学面を用いた光学素子を利用することも可能である。図14の光源ユニット700を用いて、曲面で構成された光学面を持つ光学素子を用いた場合の実施形態について説明する。
半導体発光素子である光源711は二つのエミッタ711aおよび711bを有している。光源712および713も同様にエミッタ712a、712b、713aおよび713bを有している。各エミッタからの出射光721a、721b、722a、722b、723aおよび723bはコリメートレンズ731、732および733によってすべてコリメート光741a、741b、742a、742b、743a、743bにそれぞれ変換される。ここまでの光学系の基本構成は図12に示した構成と全く同一である。図12の構成と異なる点は光学素子750の光学面が曲面で構成されていることである。
コリメート光741bが光学素子750に入射したとき、その入射点を光学点751bと定義する。この光学点751bにおける曲面に対する接線751nと光学素子750の主面のなす角を上述した手法で設計すれば、コリメート光741bの伝播方向は、光学素子750の主面に対して垂直とすることができる。一方、光学点751aおよび接線751mについても同様の設計をすることで、コリメート光741aと741bを互いに平行な光に変換できる。他のコリメート光742a、742b、743aと743bと光学点752a、752b、753a、753b、接線752m、752n、753m、753nについても同様に行なえば、互いに平行な光束で構成される光束群760を形成することができる。
以上、本実施形態の構成により、小型・高出力で光学系との結合効率が高く、また発熱源を効率良く分散させ、排熱させることが可能な光源ユニットを実現できる。
(第4の実施形態)
次に、本発明にかかる第4の実施形態として光源ユニットと蛍光体を組み合わせた光源モジュールについて説明する。図15は第4の実施形態の光源モジュール800の模式図である。光源モジュール800は、光源ユニット801、ダイクロイックミラー865、集光レンズ870、蛍光体層876つき回転板875および直流モータ880から構成される。
光源ユニット801は第1の実施形態に示した光源ユニットと基本的に同じ構成で、より具体的な実施形態を示す。すなわち、2個のエミッタをもつ複数の光源811、812および813と、複数のコリメートレンズ831、832および833、凹面反射ミラー851、852および853から構成される。
ここで光源811、812および813は波長405nm付近のレーザ光を発生する半導体レーザ素子でありパッケージ810に実装されてなる。具体的には、鉄もしくは銅などからなる金属ベース810a上に形成されたポスト上にサブマウント810cを介して光源811、812、813は実装される。金属ベース810aには光源811、812、813と外部とを電気的に接続するためのリード線810d、810eが形成される。また、光源811、812、813を覆うようにキャップ810bが金属ベース810aに固定され気密封止されている。またキャップ810bには例えば厚み0.2〜0.3mmの透光窓が形成され、光源811、812、813から放射された出射光を光学損失なくコリメートレンズ831、832、833に入射させる。さらに、光源811、812、813で発生した熱は、サブマウント810c、パッケージ810を介して、鉄、アルミニウムまたは銅などの金属や合金などで構成されたヒートシンク805へ伝達され、効果的に光源ユニット801から外部へと放熱される。ここで光源811、812、813は前述のように複数のエミッタを有する。このため、光源811、812、813の導波路およびエミッタで発生した熱は効果的にパッケージへと排熱され、ジャンクション温度を低減させることができる。そして光源ユニット801から放射される光束群860は、互いに平行な複数の光束として出射されている。このため、光束の大きさが小さく、後段の光学系との結合効率の高い光として放射される。光束群860は図15では点線矢印で模式的に示す。
この光束群860は、ダイクロイックミラー865および集光レンズ870を通過して、回転板875上の蛍光体層876上に集光される。ここでダイクロイックミラー865は波長選択性のある反射ミラーで、420nmよりも短い波長の光を透過し、420nmよりも長い波長の光を反射する特性のものを配置した。したがって、光束群860は波長が約405nmなので、このダイクロイックミラー865を透過する。
回転板875には、例えばCe賦活Y(Ga,Al)12蛍光体やEu賦活βサイアロン蛍光体などの蛍光体がガラス等のバインダに混合されてなる蛍光体層876が形成される。ここで蛍光体層876は1種類の蛍光体層を形成する構成の他に、光の三原色、すなわち、青(中心波長420〜500nm)、緑(同500〜590nm)、赤(同590〜660nm)の蛍光を放射する3種類の蛍光体からなる蛍光体層を領域分割して形成しても良い。
集光レンズ870によって集光された光束群860は、この蛍光体層つき回転板875に照射され、蛍光体を励起して、蛍光が発生される。蛍光体層つき回転板875は、直流モータ880によって回転され、蛍光体層876に連続して光束群860が照射され、蛍光体層876が劣化するのを抑制する。
蛍光体層876で発生した蛍光で構成される光束群890(図15中では実線矢印で模式的に示す)は、集光レンズ870を通過して、ダイクロイックミラー865に到達する。ここに用いたダイクロイックミラー865は、前述のように420nmより長い波長の光を反射するので、光束群890はダイクロイックミラー865で反射され光源モジュール800の外部に放射される。
上記構成により、光束群860の光を、蛍光体を用いて異なるスペクトルの光で構成される光束群890へ変換させ光源モジュール800から効率良く出射させることができる。このとき光束群860は、平行な光束で構成されるため効率良く集光レンズ870に入射させ、蛍光体層876の微少領域に集光させることができる。このため、エテンデュの小さい蛍光を蛍光体層876から放射させることができる。したがって、光出力の高い蛍光を集光レンズ870で容易に平行光に変換することができる。すなわち集光レンズ870やダイクロイックミラー865を用いて、効率良く直進性の高い蛍光で構成される光束群を放射させることができる光源モジュールを実現できる。
なお、回転板875上に青、緑、赤の3種類の蛍光体を領域ごとに形成した場合、光源モジュールから青、緑、赤の各色を時分割で放射させることができる。すなわち光源ユニット801から放出される光出力の制御と蛍光体つき回転板875の回転を同期させれば、白色を含めた任意の色を形成することができる。
さらに、図示しないが、反射した光束群890をデジタル・マイクロミラー・デバイス(DMD)などの画像形成デバイスに照射すれば、投射型画像表示装置(プロジェクタ装置)が容易に形成される。
なお、本実施形態では、光源ユニット801には、第1の実施形態で示した凹面反射ミラーを用いた光源ユニットを用いたが、第2の実施形態に示した平面反射ミラーを用いた光源ユニット、第3の実施形態で示した光学素子を用いた光源ユニットを用いても構わない。光源ユニット801から放出される光束群が互いに平行化されたコリメート光束群になっていればよい。また、本実施形態では、3個の半導体発光素子を用いたが、その数を増やして、より輝度の高い光源モジュールを形成することもできる。
本実施形態では、半導体発光素子に複数のエミッタをもつ半導体レーザアレイが用いられている。単一のエミッタしか持たない半導体レーザに比べて、一つの半導体発光素子から得られる光出力が高い。そのため、少ない半導体発光素子でより高い光出力を得ることができる。結果として、小型で高輝度の光源モジュールを構成することができる特徴がある。
(第5の実施形態)
続いて図16および図17を用いて本発明にかかる第5の実施形態の光源ユニットについて説明する。図16は本実施形態の光源ユニット900の模式的な斜視図である。図17は本実施形態の光源ユニット900の機能を説明する図である。
光源ユニット900は、基板上に第1の導波路911Aと第2の導波路911Bが形成され、第1のエミッタ911aと第2のエミッタ911bから指向性の高い出射光を放射するレーザアレイ素子などの半導体発光素子である光源911がパッケージ905に搭載されて構成される。パッケージ905には第1の反射ミラー951aと第2の反射ミラー951bが形成される。光源911の第1のエミッタ911aと第2のエミッタ911bから出射された出射光921a、921bは第1の反射ミラー951aと第2の反射ミラー951bにより反射され、垂直方向に反射され、出射光941a、941bとして光源ユニット900から放射される。このとき第1の反射ミラー951aと第2の反射ミラー951bは微小角度を有するように設定される。
上記構成において、図17に示すように第1の反射ミラー951aと第2の反射ミラー951bによって反射された出射光941a、941bの見かけの発光点は、同一の発光点990になるように設定される。この構成により出射光941a、941bの主軸に設定されたコリメートレンズ931により平行な出射光である光束群960として放射させることができる。
以上、本実施形態の構成により、小型・高出力で光学系との結合効率が高く、また発熱源を効率良く分散させ、排熱させることが可能な光源、光源ユニットおよび投写型画像表示装置を実現できる。
なお、上記、第1から第5の実施形態において半導体発光素子である光源の発光中心波長をおよそ405nmとしたがこの限りではない。例えば、窒化物半導体材料を持ち半導体発光素子であれば、発光中心波長を420〜500nmの間に設定して青色光源として用いることや、中心波長を490〜550nmの間に設定して緑色光源として用いることができる。また砒化ガリウム系半導体材料を用いて中心波長550〜700nmの赤色光源として用いることや、それよりも長波長である赤外光源として用いることもできる。
本発明の光源、光源ユニットおよび光源モジュールは、レーザディスプレイやプロジェクタなどの画像表示装置や、レーザ加工やレーザーアニールなどの産業用のレーザ機器などの比較的高い光出力が必要な装置の光源として有用である。
100,200,400,500,600,700,900 光源ユニット
111,112,113,211,411,412,413,511,512,513,611,711,712,713,811,812,813,911,1111,1 112,1113 光源
111a,111b,112a,112b,113a,113b,211a,211b,411a,411b,511a,511b,611a,611b,711a,711b,712a,712b,713a,713b,911a,911b,1111a,1111b エミッタ
121a,121b 出射光
131,132,133,231,431,432,433,531,532,533,631,731,732,733,831,832,833,931 コリメートレンズ
141a,141b,142a,142b,143a,143b コリメート光
151,152,153,851,852,853 凹面反射ミラー
151a,151b,152a,152b,153a,153b 反射点
161a,161b,162a,162b,163a,163b コリメート光
160,260,460,560,660,760,860,890,960 光束群
451a,451b,452a,452b,453a,453b 反射ミラー
550,650,750 光学素子
551a,551b,552a,552b,553a,553b,651a,651b,651c 光学面
751a,751b,752a,752b,753a,753b 光学点
800 光源モジュール
951a,951b 反射面

Claims (14)

  1. 複数の発光点を備え、前記複数の発光点のそれぞれより同一方向かつ所定の拡がり角をもって出射光を放射する光源と、
    前記出射光を透過するコリメートレンズと、
    主面に対して異なる傾斜角を有し、かつ前記複数の出射光それぞれに対する複数の入射面を有する光学素子とで構成されたことを特徴とする光源ユニット。
  2. 前記複数の入射面が、前記主面に対し前記光源側に傾いていることを特徴とする、請求項1に記載の光源ユニット。
  3. 前記複数の出射光の光軸は、前記レンズを透過した後に所定の角度差を有し、前記傾斜角は前記所定の角度差の半分であることを特徴とする、請求項2に記載の光源ユニット。
  4. 前記主面が前記複数の発光点からの出射光の光軸に対して45度の角度を有し、前記複数の入射面が前記出射光を反射することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の光源ユニット。
  5. 前記光学素子は、前記入射面を備えたミラーを複数有することを特徴とする、請求項1に記載の光源ユニット。
  6. 前記光学素子は前記出射光を透過し、かつ前記入射面は前記主面に対し前記光学素子側に凸になるように傾いていることを特徴とする、請求項1に記載の光源ユニット。
  7. 前記主面が前記複数の発光点からの出射光の光軸に対して垂直で、前記複数の入射面が前記出射光を透過することを特徴とする請求項6に記載の光源ユニット。
  8. 前記光源は、順に第1の出射光、第2の出射光、第3の出射光と一列に並んだ3つの出射光を放射し、前記光学素子は前記第1の出射光、前記第2の出射光および前記第3の出射光のそれぞれに対し第1の入射面、第2の入射面および第3の入射面を有し、前記第2の入射面は前記主面に一致し、前記第1の入射面と前記第3の入射面とは、前記主面に対し所定の傾斜角を有することを特徴とする、請求項1または請求項6に記載の光源ユニット。
  9. 前記光学素子は、レンズであることを特徴とする、請求項6に記載の光源ユニット。
  10. 前記光学素子を搭載するパッケージをさらに備え、前記入射面を前記パッケージに備えたことを特徴とする、請求項1に記載の光源ユニット。
  11. 前記光源が半導体レーザアレイであることを特徴とする請求項1〜10のいずれか1つに記載の光源ユニット。
  12. 前記光源は、前記複数の発光点のそれぞれより同一方向かつ所定の拡がり角をもって出射光を放射し、前記複数の発光点間隔が20μm以上120μm以下であることを特徴とする請求項1〜10のいずれか1つに記載の光源ユニット
  13. 前記光源が窒化物半導体レーザアレイであることを特徴とする請求項12記載の光源ユニット。
  14. 請求項1〜13のいずれか1つに記載の光源ユニットと蛍光体を含み、前記光源ユニットから放射される出射光が前記蛍光体に照射されることを特徴とする光源モジュール。
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