JP6175471B2 - ネオン回収精製システムおよびネオン回収精製方法 - Google Patents

ネオン回収精製システムおよびネオン回収精製方法 Download PDF

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Description

本発明は、例えばエキシマレーザを搭載する半導体製造装置から排出される排ガスからネオンを回収精製するシステムおよびその方法に関し、半導体製造装置が設置される工場内において設置されるシステムに関する。
ＫｒＦエキシマレーザ発振器から排出されるガスから高純度のネオンを回収するネオン回収装置の一例として特許文献１がある。
また、クリプトン、キセノン、ネオンの少なくとも１種類の高付加価値ガスを雰囲気ガスとして用いる半導体製品又は表示装置の製造設備から排出される排ガスから高付加価値ガスを分離精製して循環再利用するにあたり、排ガス中に含まれる窒素酸化物、アンモニア、酸素、窒素、水素、ヘリウム、水蒸気のような微量不純物を効率良く除去し、高付加価値ガスを高回収率で連続的に分離精製して循環再利用することが、特許文献２に記載されている。
特開２００１−２３２１３４号公報 特開２０１０−２４１６８６号公報
特許文献１のネオン回収装置は、工場単位ではＫｒＦエキシマレーザ発振器から排出される排ガスの量が多くないため、工場内の一設備として設置するよりも各工場の排ガスをまとめてから精製する方が効率的であるとして、排ガスを一旦ガスボンベに充填して別のガス精製工場へ搬送し、そこに設置してあるネオン回収装置でまとめてネオン回収処理をさせることで効率的な回収を図っている。
特許文献２では、半導体製造設備から排出された排ガスからアンモニアと水蒸気を吸着剤で除去し、次いで、排ガスから高付加価値ガス（ネオンなど）を吸着剤で選択的に吸着し、高付加価値ガスを脱着させ、さらに高付加価値ガス（ネオン）に対し難吸着性の吸着剤で不純物を吸着除去させることで、高付加価値ガスを分離精製している。すなわち、高付加価値ガス以外の不純物を吸着させること以外に、高付加価値ガスに対しても選択的に吸着させているため、複雑な工程を必要とし、必然的に分離精製におけるコストが高くなっている。
本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであって、必要以上に不純物を分離精製することなく従来よりも簡単な装置構成で、半導体製造装置などの製造システムに接続し、製造システムから排出される排ガスからネオンおよび希ガスを回収して製造システムに供給できる、ネオン回収精製システムを提供することを目的とする。
第１の発明は、少なくともネオンと第１希ガスとを含む混合希ガスを第１圧力で供給する供給ラインと、当該混合希ガスを利用するレーザ装置と、少なくとも当該レーザ装置から排出される排出ガスを大気圧以上であって当該第１圧力以下である第２圧力で排出する排出ラインと、を有する製造システムから排出される排ガスから第１希ガスおよびネオンを回収精製するネオン回収精製システムであって、
前記排出ラインから分岐して延びる排ガス経路に配置される、前記排ガスを貯留する回収容器と、
前記回収容器より排ガス経路下流側に配置され、前記回収容器から送り出される前記排ガスの圧力を第３圧力へ昇圧するコンプレッサーと、
前記コンプレッサーより排ガス経路下流側に配置され、排ガス経路下流に送られる、コンプレッサーで昇圧された前記排ガスの流量を調整する排ガス流量調整部と、
前記排ガス流量調整部より排ガス経路下流側に配置され、前記排ガスから酸素を除去する第１不純物除去部と、
前記第１不純物除去部より排ガス経路下流側に配置され、前記酸素を除去した後の排ガスから第２不純物を除去するゲッターと、
前記ゲッターより精製ガス経路下流側に配置され、前記酸素の除去処理および前記第２不純物の除去処理が施された前記ネオンと前記第1希ガスを含む精製ガスを貯留する昇圧容器と、
前記昇圧容器より精製ガス経路下流側に配置され、前記昇圧容器から送り出される前記精製ガスの圧力を前記第１圧力へ減圧する減圧手段と、
前記減圧手段より精製ガス経路下流側に配置され、前記製造システムの前記供給ラインへ供給される前記精製ガスの流量を調整する精製ガス流量調整部と、を有する。
この構成によれば、回収容器を備えることで排ガスを貯留して一定量に達したら、コンプレッサーで第１圧力以上の一定圧に昇圧させ、かつ排ガス流量調整部によって一定流量の排ガスを後段の第１不純物除去部、ゲッターに連続的に送り込むことができるため不純物の除去処理性能を確保でき、ネオンガスおよび第１希ガスの精製ガスを好適に得られる。そして、昇圧容器で精製ガスを貯留して一定量に達したら、減圧手段で第１圧力に減圧させ、かつ精製ガス流量調整部によって一定流量の精製ガスを供給ラインに送り込むことができるため、混合希ガスと精製ガスとの混合を精度よく制御できる。よって、従来よりも簡単な構成で半導体製造装置などの製造システムに接続して、排ガスから酸素および第２不純物を分離し、精製ガスを回収して、再び製造システムに供給できる。
第２の発明は、少なくともネオンと第１希ガスとを含む混合希ガスを第１圧力で供給する供給ラインと、当該混合希ガスを利用するレーザ装置と、少なくとも当該レーザ装置から排出される排出ガスを大気圧以上であって当該第１圧力以下である第２圧力で排出する排出ラインと、を有する製造システムから排出される排ガスから第１希ガスおよびネオンを回収精製するネオン回収精製システムであって、
前記排出ラインから分岐して延びる排ガス経路に配置される、前記排ガスを貯留する回収容器と、
前記回収容器より排ガス経路下流側に配置され、前記回収容器から送り出される前記排ガスの圧力を第３圧力へ昇圧するコンプレッサーと、
前記コンプレッサーより排ガス経路下流側に配置され、前記コンプレッサーで昇圧された前記排ガスを貯留する昇圧容器と、
前記昇圧容器より排ガス経路下流側に配置され、排ガス経路下流に送られる前記排ガスの流量を調整する排ガス流量調整部と、
前記排ガス流量調整部より排ガス経路下流側に配置され、前記排ガスから酸素を除去する第１不純物除去部と、
前記第１不純物除去部より排ガス経路下流側に配置され、前記酸素を除去した後の排ガスから第２不純物を除去するゲッターと、
前記ゲッターより精製ガス経路下流側に配置され、前記ゲッターから送り出される前記ネオンと前記第1希ガスを含む精製ガスの圧力を前記第１圧力へ減圧する減圧手段と、
前記減圧手段より精製ガス経路下流側に配置され、前記製造システムの前記供給ラインへ供給される前記精製ガスの流量を調整する精製ガス流量調整部と、を有する。
この構成によれば、回収容器を備えることで排ガスを貯留して一定量に達したら、コンプレッサーで第１圧力以上の一定圧に昇圧させた後で昇圧容器に貯留させておき、排ガス流量調整部によって一定流量の排ガスを後段の第１不純物除去部、ゲッターに連続的に送り込むことができるため不純物の除去処理性能を確保でき、ネオンガスおよび第1希ガスの精製ガスを好適に得られる。そして、第２不純物除去部の後段に配置された減圧手段で第１圧力に減圧させ、かつ精製ガス流量調整部によって一定流量の精製ガスを供給ラインに送り込むことができるため、混合希ガスと精製ガスとの混合を精度よく制御できる。よって、従来よりも簡単な構成で半導体製造装置などの製造システムに接続して、排ガスから酸素および第２不純物を分離し、精製ガスを回収して、再び製造システムに供給できる。
上記第２の発明において、前記昇圧容器は、前記コンプレッサーより排ガス経路下流側の直近に配置されることが好ましい。「直近」は、例えば、コンプレッサーと昇圧容器とを連結する配管の長さが５０ｍ以内、好ましくは３０ｍ以内、より好ましくは２０ｍ以内である。
上記第１、２の発明において、前記減圧手段として、例えば、減圧弁が挙げられる。
上記第１、２の発明において、以下の構成が例示される。
前記混合希ガスは、主成分がネオンであり、第１希ガスが総量に対し１〜１０％、好ましくは、１〜８％である。混合希ガスには、不純物が含まれていてもよい。混合希ガス中の不純物としては、例えば、窒素、酸素、一酸化炭素、二酸化炭素、水などが挙げられる。
前記第１希ガスは、例えば、アルゴン（Ａｒ）、キセノン（Ｘｅ）、クリプトン（Ｋｒ）のうちいずれか１種または複数種を含む。
第１希ガスの配合比は、例えば、混合希ガス総量に対しアルゴンが１〜５％、混合希ガス総量に対しクリプトンが１〜１５％、キセノンが１ｐｐｍ〜１００ｐｐｍが挙げられる。
前記製造システムは、例えば、半導体露光装置などの半導体製造装置、精密加工装置、外科的医療装置などが挙げられる。
前記レーザ装置は、例えば、クリプトン・フッ素（ＫｒＦ）エキシマレーザ発振器を備える装置が挙げられる。
前記背圧弁の排ガス経路上における前後に仕切弁が配置されることが好ましい。制御部が背圧弁を制御してもよい。
前記第１圧力は、製造システムの仕様に対応して設定されるが、通常大気圧よりも高い圧力であり、例えば、ゲージ圧で３００ＫＰａ以上〜７００ＫＰａの範囲、好ましくは４００ＫＰａ以上〜７００ＫＰａの範囲、より好ましくは５００ＫＰａ以上〜７００ＫＰａの範囲が例示される。
前記第２圧力は、大気圧以上であって前記第１圧力以下であり、例えば、ゲージ圧で５０ＫＰａ〜２００ＫＰａの範囲が挙げられる。
前記第３圧力は、前記第１圧力よりも大きい値であり、例えば、第１圧力と第３圧力の差がゲージ圧で５０ＫＰａ〜１５０ＫＰａの範囲である。
前記コンプレッサーは、その排ガス経路下流側に配置される圧力計の測定値に基づいて排ガスの圧力を制御する構成であることが好ましい。制御部がコンプレッサーを制御してもよい。
前記排ガス流量調整部は、ガス流量計と、ガス流量調整弁とを有し、ガス流量計の測定値に応じて弁を調整しガス流量を制御することが好ましい。制御部が、排ガス流量調整部を制御してもよい。
前記第１不純物は、排ガス成分中で最も多く含まれる不純物であり、例えば酸素が挙げられる。
前記第１不純物除去部は、第１不純物が酸素である場合、脱酸素装置であり、酸化マンガン反応剤や酸化銅反応剤が充填された構成が例示される。酸化マンガン反応剤としては、一酸化マンガンＭｎＯなどの反応剤、二酸化マンガンＭｎＯ２の反応剤、吸着剤をベースとした酸化マンガン反応剤が挙げられる。酸化銅反応剤としては、例えば、酸化銅ＣｕＯなどの反応剤、吸着剤をベースとした酸化銅反応剤が挙げられる。
前記第２不純物は、排ガス成分中で最も多く含まれる不純物を除いた成分であり、例えば、窒素、一酸化炭素、二酸化炭素、水、ＣＦ４などが挙げられる。
前記第２不純物除去部は、第２不純物が酸素以外の成分（窒素、一酸化炭素、二酸化炭素、水、ＣＦ４）である場合、化学吸着剤が充填されたゲッターが挙げられる。
第１、第２不純物除去部の配置は、排ガス含有量（あるいは除去部で除去可能な量）に対応して配置され、含有量の多い不純物を除去するための除去部を前段に配置することが好ましい。
前記減圧弁は、その精製ガス経路下流側に配置される圧力計の測定値に基づいて精製ガスの圧力を制御する構成であることが好ましい。ネオン回収精製システムが有する制御部が減圧弁を制御してもよい。
前記精製ガス流量調整部は、ガス流量計と、ガス流量調整弁とを有し、ガス流量計の測定値に応じて弁を調整しガス流量を制御することが好ましい。ネオン回収精製システムが有する制御部が、精製ガス流量調整部を制御してもよい。
前記排ガス経路は、前記排出ラインあるいは排出ラインから分岐された位置から前記不純物除去部までの排ガスの流通経路（配管）をいう。
前記精製ガス経路は、前記不純物除去部から前記供給ラインと合流する位置までの精製ガスの流通経路（配管）をいう。
前記供給ラインは、ハロゲン（Ｆ２）ガスを第１圧力で供給するハロゲン供給ラインをさらに有してもよい。
上記第１、第２の発明の一実施形態として、
前記第２不純物除去部から送り出される精製ガスを大気中へ排出する経路であるベント経路を、さらに有する。ベント経路は、精製ガス経路から分岐して設けられ、ベント経路に自動仕切弁または手動仕切弁が配置される。第１の発明において、例えば、前記昇圧容器の貯留容量を超える場合、自動仕切弁または手動仕切弁を開けて、大気中へ精製ガスを排出するように調整できる。昇圧容器に貯留容量を検出する検知部を配置し、制御部が検知部の検知に基づいて自動仕切弁を開ける制御を行うことができる。
上記第１、第２の発明の一実施形態として、前記第１希ガスがクリプトン（Ｋｒ）である。この場合、クリプトンとネオンの混合希ガスである。
上記第１、第２の発明の一実施形態として、
前記第１希ガスがアルゴン（Ａｒ）であって、さらに第２希ガスとしてキセノン（Ｘｅ）を含み、
前記第１不純物除去部と前記第２不純物除去部との間に、前記キセノンを除去するキセノン除去部と、
ネオンとキセノンの補助希ガスを、前記精製ガス流量調整部より精製ガス経路下流の位置で精製ガス経路に供給する補助希ガス供給経路と、をさらに有する。
この構成によれば、混合希ガスにキセノンが含まれている場合に、キセノン除去部をさらに配置させる構成である。第１不純物が酸素で、残りの不純物が第２不純物である場合は、排ガス中のキセノン含有量が酸素のそれよりも少なく、第２不純物のそれよりも多く含まれている可能性が高いため、第１不純物除去部と前記第２不純物除去部との間にキセノン除去部を配置することが好ましい。キセノン除去部は、例えば、活性炭やゼオライト系の吸着剤が充填された構成が挙げられる。
上記第１、第２の発明の一実施形態として、
前記補助希ガス供給経路配置され、ネオンとキセノンの補助希ガスを貯留する補助容器と、
前記補助希ガス供給経路に配置され、前記補助容器から送り出される補助希ガスの圧力を前記第１圧力へ補助希ガスを減圧する補助希ガス減圧弁と、
前記補助希ガス供給経路に配置され、前記補助希ガスの流量を調整する補助希ガス流量調整部と、をさらに有する。
この構成によれば、補助希ガスは、主成分がネオンであり、キセノン含有量が総量に対し一定比（例えば１０％）である。但し、補助希ガスには微量の不純物が含まれていてもよい。これにより、キセノン含有量が多い補助希ガスを、キセノンが除去された精製ガス（主成分ネオンガス）に混合させて、供給ライン側の混合希ガス中のキセノン含有量になるように調整できる。
前記補助希ガス減圧弁は、それよりも補助希ガス供給経路下流側に配置される圧力計の測定値に基づいて補助希ガスの圧力を制御する構成であることが好ましい。ネオン回収精製システムが有する制御部が補助希ガス減圧弁を制御してもよい。
前記補助希ガス流量調整部は、ガス流量計と、ガス流量調整弁とを有し、ガス流量計の測定値に応じて弁を調整しガス流量を調整することが好ましい。ネオン回収精製システムが有する制御部が、補助希ガス流量調整部を制御してもよい。
上記第１、第２の発明の一実施形態として、
前記排出ラインに配置され、かつ前記製造システムから第２圧力で排出される少なくとも酸素を含む排ガスを貯留するバッファ容器と、
前記バッファ容器から送りだされる前記排ガスを大気中へ排出する経路である予備ベント経路と、をさらに有する。予備ベント経路は、排出ラインから分岐して設けられ、予備ベント経路に自動仕切弁または手動仕切弁が配置される。これにより、例えば、前記回収容器の貯留容量を超える場合、自動仕切弁または手動仕切弁を開けて、排ガスを大気中へ排出するように調整できる。回収容器に貯留容量を検出する検知部を配置し、制御部が検知部の検知に基づいて自動仕切弁を開ける制御を行うことができる。あるいは、背圧弁が開いていない場合において、バッファ容器の貯留容量を超える場合、自動仕切弁または手動仕切弁を開けて、大気中へ排出するように調整できる。バッファ容器に貯留容量を検出する検知部を配置し、制御部が検知部の検知に基づいて自動仕切弁を開けるように制御を行うことができる。
上記第１、第２の発明の一実施形態として、
前記供給ラインに配置され、かつ前記混合希ガスを貯留する供給容器と、
前記供給ラインに配置され、かつ前記供給容器から送り出される混合希ガスの圧力を前記第１圧力へ減圧する混合希ガス減圧手段と、
前記供給ラインに配置され、かつ前記供給容器から送り出させる前記混合希ガスの供給量を制御する混合希ガス流量調整部と、を有する。
前記混合希ガス減圧手段が、前記供給容器と前記混合希ガス流量調整部との間に配置されることが好ましい。
前記混合希ガス減圧手段は、それよりも供給ライン下流側に配置される圧力計の測定値に基づいて混合希ガスの圧力を制御する構成であることが好ましい。製造システムの制御部あるいはネオン回収精製システムが有する制御部が混合希ガス減圧手段を制御してもよい。
前記混合希ガス減圧手段としては、例えば、減圧弁が挙げられる。
前記混合希ガス流量調整部は、ガス流量計と、ガス流量調整弁とを有し、ガス流量計の測定値に応じて弁を調整しガス流量を調整することが好ましい。
前記精製ガス経路は、前記混合希ガス流量調整部よりも供給ライン下流側に接続されることが好ましい。
上記第１、第２の発明の一実施形態として以下の構成が挙げられる。
前記第１不純物除去部に対する第１バイパスラインを有していてもよい。
前記第２不純物除去部に対する第２バイパスラインを有していてもよい。
前記キセノン除去部に対する第３バイパスラインを有していてもよい。
第１〜第３バイパスラインにはそれぞれ、仕切弁が配置されている。バイパス処理時に仕切弁が開放される構成である。
前記第１不純物除去部は、少なくともその上流側に仕切弁を有する。
前記第２不純物除去部は、少なくともその上流側に仕切弁を有する。
前記キセノン除去部は、少なくともその上流側に仕切弁を有する。
上記第１、第２の発明の一実施形態として、供給ガスと精製ガスを同時に製造システムに供給する構成でもよく、精製ガスのみを供給する構成でもよい。
上記第１、第２の発明の一実施形態として、製造システムの制御部からの命令信号に基づいて、ネオン回収精製システムの制御部が各要素を制御する構成でもよい。
上記第１、第２の発明の一実施形態として、キセノン除去部は、２つのキセノン除去部が並列に配置され、一方で吸着処理を行い、他方で再生処理をする構成でもよい。
上記第１、第２の発明の一実施形態として、前記排ガス流量調整部より排ガス経路上流側に、前記排ガスの温度を調整する温度調整部を、さらに有する。温度調整部として、例えば、熱交換器が挙げられる。
上記第１の発明の一実施形態として、温度調整部は、前記コンプレッサーより排ガス経路下流側に配置され、好ましくは前記コンプレッサーと前記排ガス流量調整部との間に配置される。
上記第２の発明の一実施形態として、温度調整部は、前記昇圧容器より排ガス経路下流側に配置され、好ましくは前記昇圧容器と前記排ガス流量調整部との間に配置される。
この構成によれば、排ガス温度を所定温度に調整することができる。例えば、コンプレッサーで昇圧されると共に上昇した排ガス温度（例えば、６０〜８０℃）を所定温度（例えば１５〜３５℃）に調整することができる。また、後段の各種除去部における除去作用に適した温度範囲に排ガス温度を調整することができる。
第３の発明は、少なくともネオンと第１希ガスとを含む混合希ガスを第１圧力で供給する供給ラインと、当該混合希ガスを利用するレーザ装置と、少なくとも当該レーザ装置から排出される排出ガスを大気圧以上であって当該第１圧力以下である第２圧力で排出する排出ラインと、を有する製造システムから排出される排ガスから第１希ガスおよびネオンを回収精製するネオン回収精製方法であって、
前記排出ラインから分岐して延びる排ガス経路に配置される前記排ガスを回収容器に貯留する第１回収工程と、
前記回収容器から送り出される前記排ガスの圧力を第３圧力へ昇圧する昇圧工程と、
前記昇圧工程で昇圧された前記排ガスの流量を調整する排ガス流量調整工程と、
前記排ガス流量調整工程により調整された前記排ガスから酸素を除去する第１不純物除去工程と、
前記第１不純物除去工程における前記酸素を除去した後の排ガスから第２不純物をゲッターで除去する第２不純物除去工程と、
前記第１不純物除去工程および第２不純物除去工程の各処理が施された前記ネオンと前記第1希ガスを含む精製ガスを昇圧容器に貯留する第２回収工程と、
前記昇圧容器から送り出される前記精製ガスの圧力を前記第１圧力へ減圧する減圧工程と、
前記減圧工程で減圧された前記精製ガスであって、前記製造システムの前記供給ラインへ供給される前記精製ガスの流量を調整する精製ガス流量調整工程と、を含む。
この構成によれば、回収容器を備えることで排ガスを貯留して一定量に達したら、第１圧力以上の一定圧に昇圧させ、かつ排ガス流量調整工程によって一定流量の排ガスを後段の第１不純物除去工程、第２不純物除去工程に連続的に処理させることができるため不純物の除去処理性能を確保でき、ネオンガスおよび第1希ガスの精製ガスを好適に得られる。そして、昇圧容器で精製ガスを貯留して一定量に達したら、減圧工程で第１圧力に減圧させ、かつ精製ガス流量調整工程によって一定流量の精製ガスを供給ラインに送り込むことができるため、混合希ガスと精製ガスとの混合を精度よく制御できる。よって、従来よりも簡単な構成で半導体製造装置などの製造システムにおいて、排ガスから酸素および第２不純物を分離し、精製ガスを回収して、再び製造システムに供給できる。
第４の発明は、少なくともネオンと第１希ガスとを含む混合希ガスを第１圧力で供給する供給ラインと、当該混合希ガスを利用するレーザ装置と、少なくとも当該レーザ装置から排出される排出ガスを大気圧以上であって当該第１圧力以下である第２圧力で排出する排出ラインと、を有する製造システムから排出される排ガスから第１希ガスおよびネオンを回収精製するネオン回収精製方法であって、
前記排出ラインから分岐して延びる排ガス経路に配置される前記排ガスを回収容器に貯留する第１回収工程と、
前記回収容器から送り出される前記排ガスの圧力を第３圧力へ昇圧する昇圧工程と、
前記昇圧工程で昇圧された前記排ガスを昇圧容器で貯留する第２回収工程と、
前記昇圧容器より送りだされる前記排ガスの流量を調整する排ガス流量調整工程と、
前記排ガス流量調整工程により調整された前記排ガスから酸素を除去する第１不純物除去工程と、
前記第１不純物除去工程における前記酸素を除去した後の排ガスから第２不純物をゲッターで除去する第２不純物除去工程と、
前記第２不純物除去工程の処理が施された前記ネオンと前記第1希ガスを含む精製ガスの圧力を前記第１圧力へ減圧する減圧工程と、
前記減圧工程で減圧された前記精製ガスであって、前記製造システムの前記供給ラインへ供給される前記精製ガスの流量を調整する精製ガス流量調整工程と、を含む。
この構成によれば、回収容器を備えることで排ガスを貯留して一定量に達したら、コンプレッサーで第１圧力以上の一定圧に昇圧させた後で昇圧容器に貯留させておき、排ガス流量調整工程によって一定流量の排ガスを後段の第１不純物除去工程、第２不純物除去工程に連続的に処理させることができるため不純物の除去処理性能を確保でき、ネオンガスおよび第1希ガスの精製ガスを好適に得られる。そして、第２不純物除去工程の後段で第１圧力に減圧させ、かつ精製ガス流量調整工程によって一定流量の精製ガスを供給ラインに送り込むことができるため、混合希ガスと精製ガスとの混合を精度よく制御できる。よって、従来よりも簡単な構成で半導体製造装置などの製造システムに接続して、排ガスから酸素および第２不純物を分離し、精製ガスを回収して、再び製造システムに供給できる。
上記第４の発明において、前記第２回収工程は、前記昇圧工程の昇圧処理の直後に昇圧された前記排ガスを昇圧容器で貯留することが好ましい。昇圧処理された排ガスが昇圧容器に貯留されるまでの時間が５分以内、好ましくは３分以内、より好ましくは１分以内である。
上記第３、第４の発明の一実施形態として、前記第２不純物除去工程を経た精製ガスをベント経路から大気中へ排出する排出工程をさらに含む。
上記第３、第４の発明の一実施形態として、前記第１希ガスがアルゴン（Ａｒ）であって、さらに第２希ガスとしてキセノン（Ｘｅ）を含み、
前記第１不純物除去工程と前記第２不純物除去工程との間に、前記キセノンを除去するキセノン除去工程と、
前記精製ガス流量調整工程後の精製ガス経路に、ネオンとキセノンの補助希ガスを供給する補助希ガス供給工程と、をさらに含む。
上記第３、第４の発明の一実施形態として、ネオンとキセノンを含む補助希ガスの圧力を前記第１圧力へ減圧する補助希ガス減圧工程と、
前記補助希ガスの供給量を制御する補助希ガス流量調整工程と、をさらに含む。
上記第３、第４の発明の一実施形態として、前記昇圧工程と前記排ガス流量調整工程との間で、前記排ガスの温度を低下させる熱交換工程をさらに含む。
実施形態１の製造システムおよびネオン回収精製システムの構成例を示す図である。 実施形態２の製造システムおよびネオン回収精製システムの構成例を示す図である。
（ネオン回収精製システム）
実施形態１のネオン回収精製システム２について図１を参照しながら説明する。ネオン回収精製システム２は、製造システム１に直接的に接続される。本実施形態において、製造システム１は、エキシマレーザ発振器を有し、キセノン、アルゴンを含有する雰囲気ガスがネオンガスである混合希ガスを利用する。本実施形態において、混合希ガスとしては、例えば、ネオンが主要成分であって、全量に対しキセノン５〜５０ｐｐｍ、アルゴン３．０〜４．０％である（不純物が含まれている場合もある）。
供給容器１０から混合希ガスが供給ラインＬ１を通じて製造システム１の半導体製造装置へ第１圧力で供給される。供給ラインＬ１には供給弁１１、混合希ガス流量調整部１２、供給用仕切弁１３がこの順に配置される。混合希ガス流量調整部１２は、ガス流量計と、ガス流量調整弁とを有し、ガス流量計の測定値に応じて弁を調整しガス流量を制御する。製造システム側の制御部が、例えば、後述する精製ガスのみを半導体製造装置へ供給する際に、供給用仕切弁１３を閉じるように制御する。第１圧力は、製造システム１の仕様に応じて設定され、例えば５００ＫＰａから７００ＫＰａである。後述する精製ガス経路Ｌ５は、混合希ガス流量調整部１２および供給用仕切弁１３よりも供給ライン下流側に接続される。
また、ハロゲンを供給するためのハロゲン供給ライン（不図示）が設けられている。また、供給容器１０内の混合希ガスの圧力が第１圧力よりも大きい場合に、混合希ガス流量調整部１２より上流側に配置された混合希ガス減圧弁（不図示）で混合希ガスの圧力を第１圧力へ減圧する。
半導体製造装置から排出される排ガスは、大気圧以上であって上記第１圧力以下である第２圧力で排出される。この第２圧力も製造システムの仕様に応じて設定される。第２圧力としては、例えば５０〜１００ＫＰａである。排出される排ガスには、不純物が混じっている。不純物としては、例えば、窒素、酸素、一酸化炭素、二酸化炭素、水、ＣＦ４などが挙げられる。
排ガスは、半導体製造装置と接続された排出ラインＬ２を通じて排出される。排出ラインＬ２には、バッファ容器１４が配置され、バッファ容器１４に一定量になるように排ガスを貯留する。バッファ容器１４を設置することで、後段の回収容器２２へ所定容量の排ガスを連続的に送り込むことができる。
また、バッファ容器１４から後段の回収容器２２へ送らない場合に、第１仕切弁３０を閉じておき、予備ベント経路Ｌ２１に配置された予備ベント弁１５を開けて排ガスを大気中へ排出することができる。製造システム側の制御部１４１が、バッファ容器１４に配置された貯留容量を検出する検知部の検知に基づいて予備ベント弁１５を開けるように制御する。
排ガス経路Ｌ３は、予備ベント弁１５の上流側で排出ラインＬ２から分岐される。排ガス経路Ｌ３には、第１仕切弁３０、背圧弁（バックプレッシャーレギュレータ）２１、第２仕切弁３１、回収容器２２がこの順に配置される。予備ベント弁１５を閉じておき、第１仕切弁３０、背圧弁（バックプレッシャーレギュレータ）２１、第２仕切弁３１を開けて排ガスを回収容器２２に貯留させる。弁制御部６１は、第１仕切弁３０、背圧弁（バックプレッシャーレギュレータ）２１、第２仕切弁３１の弁の開閉を制御する。
回収容器２２より下流側の排ガス経路Ｌ３には、コンプレッサー２３、熱交換器５０、第３仕切弁３２、排ガス流量調整部２４がこの順に配置される。コンプレッサー２３より上流側に安全弁５１が設けられる。
コンプレッサー２３は、回収容器２２から送り出される排ガスの圧力を第３圧力へ昇圧する。第３圧力は、例えば、第１圧力よりも５０ＫＰａ〜１５０ＫＰａほど高い圧力である。圧力制御部６２は、コンプレッサー２３に組み込まれた圧力計あるいはコンプレッサー２３より下流に配置された圧力計の測定値に基づいて排ガスの圧力を制御する。
熱交換器５０は、排ガスの温度を所定温度に低下させる。コンプレッサー２３で昇圧されると共に上昇した排ガス温度（例えば、６０〜８０℃）を所定温度（例えば１５〜３５℃）に低下させることができ、例えば、後段の各種除去部における除去作用に適した温度範囲まで排ガス温度を低下させる。ガス温度制御部６３は、熱交換器５０に組み込まれたガス温度測定器あるいは熱交換器５０より下流に配置されたガス温度測定器の測定値に基づいて排ガスの温度を制御する。弁制御部６１は、第３仕切弁３２の弁の開閉を制御する。
排ガス流量調整部２４は、後段の酸素除去部８１へ送り込まれる排ガスの流量を調整する。排ガス流量調整部２４は、ガス流量計と、ガス流量調整弁とを有し、排ガス流量制御部６４が、ガス流量計の測定値に応じて、ガス流量調整弁を調整し、排ガスの流量を制御する。
排ガス流量調整部２４より下流側の排ガス経路Ｌ４には、酸素除去部８１、キセノン除去部８２、不純物除去部８３がこの順に配置される。
酸素除去部８１は、排ガスから酸素を除去する、酸化マンガン反応剤が充填された脱酸素装置である。酸化マンガン反応剤としては、一酸化マンガンＭｎＯなどの反応剤、二酸化マンガンＭｎＯ２の反応剤が挙げられる。酸素除去部８１の上流側および下流側のそれぞれに入口弁３３、出口弁３４が配置され、入口弁３３の上流側から分岐し出口弁３４の下流側で排ガス経路Ｌ４に合流する第１バイパスラインＢ１が設けられる。第１バイパスラインＢ１に第１バイパス弁３５が配置される。酸素除去部８１を使用しない場合に、入口弁３３および出口弁３４を閉じ、第１バイパスラインＢ１を開ける。弁制御部６１は、入口弁３３、出口弁３４、第１バイパス弁３５の弁の開閉を制御する。
キセノン除去部８２は、キセノンを除去する、活性炭が充填された脱キセノン装置である。キセノン除去部８２の上流側および下流側のそれぞれに入口弁３６、出口弁３７が配置され、入口弁３６の上流側から分岐し出口弁３７の下流側で排ガス経路Ｌ４に合流する第２バイパスラインＢ２が設けられる。第２バイパスラインＢ２に第２バイパス弁３８が配置される。キセノン除去部８２を使用しない場合に、入口弁３６および出口弁３７を閉じ、第２バイパスラインＢ２を開ける。弁制御部６１は、入口弁３６、出口弁３７、第２バイパス弁３８の弁の開閉を制御する。
不純物除去部８３は、酸素、キセノン以外の不純物（例えば、窒素、一酸化炭素、二酸化炭素、水、ＣＦ４）を除去する、化学吸着剤が充填されたゲッターである。不純物除去部８３の上流側および下流側のそれぞれに入口弁３９、出口弁４０が配置され、入口弁３９の上流側から分岐し出口弁４０の下流側で精製ガス経路Ｌ５に合流する第３バイパスラインＢ３が設けられる。第３バイパスラインＢ３に第３バイパス弁４１が配置される。不純物除去部８３を使用しない場合に、入口弁３９および出口弁４０を閉じ、第３バイパスラインＢ３を開ける。弁制御部６１は、入口弁３９、出口弁４０、第３バイパス弁４１の弁の開閉を制御する。
不純物除去部８３を通過したガスは、酸素、キセノン、不純物が除去された精製ガス（ネオンガス）である。精製ガスは精製ガス経路Ｌ５を通じて供給ラインＬ１へ供給される。後述する昇圧容器２５へ送らない場合に、第４仕切弁４２を閉じ、精製ガスベント経路Ｌ５１に配置されたベント弁４３を開けて精製ガスを大気中へ排出することができる。例えば、弁制御部６１が、昇圧容器２５に配置された貯留容量を検出する検知部の検知に基づいて、第４仕切弁４２を閉じ、ベント弁４３を開けるように制御する。
精製ガス経路Ｌ５には、第４仕切弁４２、昇圧容器２５、第５仕切弁４４、減圧弁５２、精製ガス流量調整部２６、第６仕切弁４５、第７仕切弁４６がこの順に配置される。
昇圧容器２５は、精製ガスを貯留する。精製ガスを所定量まで貯留させておき、所定量の精製ガスをまとめて供給ラインＬ１へ送り込めるようにできる。
圧力制御部６５は、精製ガス経路Ｌ５の下流側に配置される圧力計あるいは減圧弁５２に組み込まれた圧力計の測定値に基づいて、減圧弁５２を制御し、精製ガスの圧力を制御する。昇圧容器２５の精製ガスは、第３圧力のガスであるため、供給ラインＬ１の供給ガスと同じ圧力（第１圧力）まで減圧する必要がある。
精製ガス流量調整部２６は、ガス流量計と、ガス流量調整弁とを有し、精製ガス制御部６６が、ガス流量計の測定値に応じて、ガス流量調整弁を調整し、精製ガスの流量を制御する。これにより、供給ラインＬ１へ送り込まれる精製ガスの供給量を一定に制御できる。
第６仕切弁４５の下流側の精製ガス経路Ｌ５に合流する補助希ガス供給経路Ｌ６が設けられる。補助希ガス供給経路Ｌ６には、ネオンとキセノンの補助希ガスが充填された補助容器７１、供給弁５３、補助希ガス減圧弁５４、補助希ガス流量調整部７２、第８仕切弁４７がこの順に配置される。
補助希ガスは、主成分がネオンであり、キセノン含有量が総量に対し一定比（例えば１０％）である。但し、補助希ガスには微量の不純物が含まれていてもよい。
圧力制御部６５は、補助希ガス供給経路Ｌ６の下流側に配置される圧力計あるいは減圧弁５４に組み込まれた圧力計の測定値に基づいて、補助希ガス減圧弁５４を制御し、補助希ガスの圧力を制御する。補助容器７１内の補助希ガスの圧力が第１圧力よりも大きい場合に、第１圧力になるように減圧される。
前記補助希ガス流量調整部は、ガス流量計と、ガス流量調整弁とを有し、精製ガス制御部６６が、ガス流量計の測定値に応じて、ガス流量調整弁を調整し、補助希ガスの流量を制御する。精製ガス制御部６６は、混合希ガス（アルゴン、キセノン、ネオン）と同じ配合量のキセノン含有ガス（主成分ネオン）になるように、補助希ガスの流量と精製ガスの流量とを制御する。精製ガスと補助希ガスとは、精製ガス経路Ｌ５の配管内で混合されて供給ラインＬ１へ送り込まれる。弁制御部６１は、供給弁５３、第８仕切弁４７の弁の開閉を制御する。
制御部６０は、ＣＰＵ（又はＭＰＵ）などのハードウエア、回路、ファームウエア、ソフトウエアプログラムを記憶するメモリなどを有していてもよい。制御部６０は、符号６１〜６６の各制御部の機能を有する。
（別実施形態）
本実施形態において、キセノン含有混合希ガスについて説明したが、これに制限されず、キセノンを含まない混合希ガスの排ガスの場合には、キセノン除去部８２、補助希ガス経路Ｌ６、補助容器７１、供給弁５３、補助希ガス減圧弁５４、補助希ガス流量調整部７２、第８仕切弁４７は、不要であり、第２バイパスラインＢ２を使用し、第８仕切弁４７などを閉じることで、精製処理時には機能しないように構成できる。
本実施形態において、キセノン除去部８２は一つの構成であったが、２つのキセノン除去部を有し、それらが並列に配置され、一方で除去処理を行い、他方で再生処理をする構成でもよい。
本実施形態において、熱交換器５０を備えていたが、熱交換器５０を備えていなくてもよい。
本実施形態において、供給ラインＬ１に配置された混合希ガス流量調整部１２、供給用仕切弁１３は、ネオン回収精製システム２の一部を構成していてもよい。かかる場合において、制御部６０が混合希ガス流量調整部１２、供給用仕切弁１３を制御する構成である。
本実施形態において、排出ラインＬ２に配置されたバッファ容器１４、予備ベント弁１５は、ネオン回収精製システム２の一部を構成していてもよい。かかる場合において、制御部６０がバッファ容器１４、予備ベント弁１５を制御する構成である。
（実施形態２）
実施形態２のネオン回収精製システムについて図２を参照しながら説明する。実施形態１と同じ符号は同じ機能を有しているが、実施形態２では、昇圧容器２２がコンプレッサー２３の後段に配置される構成である。
昇圧容器２５は、コンプレッサー２３より排ガス経路下流側直近に配置され、コンプレッサー２３で昇圧された排ガスを貯留する。排ガス流量調整部２４は、昇圧容器２５より排ガス経路下流側に配置され、排ガス経路下流に送られる排ガスの流量を調整する。減圧弁５２は、不純物除去部８３より精製ガス経路下流側に配置され、不純物除去部８３から送り出される精製ガスの圧力を第１圧力へ減圧する。
（ネオン回収精製方法）
本実施形態は、少なくともネオンと第１希ガスとを含む混合希ガスを第１圧力で供給する供給ラインと、当該混合希ガスを利用するレーザ装置と、少なくとも当該レーザ装置から排出される排出ガスを大気圧以上であって当該第１圧力以下である第２圧力で排出する排出ラインと、を有する製造システムから排出される排ガスからネオンを回収精製するネオン回収精製方法である。
第１のネオン回収精製方法は、前記排出ラインから分岐して延びる排ガス経路に配置される前記排ガスを回収容器に貯留する第１回収工程と、
前記回収容器から送り出される前記排ガスの圧力を第３圧力へ昇圧する昇圧工程と、
前記昇圧工程で昇圧された前記排ガスの流量を調整する排ガス流量調整工程と、
前記排ガス流量調整工程により調整された前記排ガスから第１不純物を除去する第１不純物除去工程と、
前記第１不純物除去工程における前記第１不純物除去後の排ガスから第２不純物を除去する第２不純物除去工程と、
前記第１不純物除去工程および第２不純物除去工程の各処理が施された精製ガスを昇圧容器に貯留する第２回収工程と、
前記昇圧容器から送り出される前記精製ガスの圧力を前記第１圧力へ減圧する減圧工程と、
前記減圧工程で減圧された前記精製ガスであって、前記製造システムの前記供給ラインへ供給される前記精製ガスの流量を調整する精製ガス流量調整工程と、を含む。
第２のネオン回収精製方法は、前記排出ラインから分岐して延びる排ガス経路に配置される前記排ガスを回収容器に貯留する第１回収工程と、
前記回収容器から送り出される前記排ガスの圧力を第３圧力へ昇圧する昇圧工程と、
前記昇圧工程で昇圧された前記排ガスを昇圧容器で貯留する第２回収工程と、
前記昇圧容器より送りだされる前記排ガスの流量を調整する排ガス流量調整工程と、
前記排ガス流量調整工程により調整された前記排ガスから第１不純物を除去する第１不純物除去工程と、
前記第１不純物除去工程における前記第１不純物除去後の排ガスから第２不純物を除去する第２不純物除去工程と、
前記第２不純物除去工程の処理が施された精製ガスの圧力を前記第１圧力へ減圧する減圧工程と、
前記減圧工程で減圧された前記精製ガスであって、前記製造システムの前記供給ラインへ供給される前記精製ガスの流量を調整する精製ガス流量調整工程と、を含む。
上記実施形態として、前記昇圧工程と前記排ガス流量調整工程との間で、前記排ガスの温度を低下させる熱交換工程をさらに含んでもよい。
上記実施形態として、前記第２不純物除去工程を経た精製ガスをベント経路から大気中へ排出する排出工程をさらに含んでもよい。
上記実施形態として、前記第１希ガスがアルゴン（Ａｒ）であって、さらに第２希ガスとしてキセノン（Ｘｅ）を含み、前記第１不純物除去工程と前記第２不純物除去工程との間に、前記キセノンを除去するキセノン除去工程と、前記精製ガス流量調整工程後の精製ガス経路に、ネオンとキセノンの補助希ガスを供給する補助希ガス供給工程と、をさらに含んでもよい。
上記実施形態として、前記排出ラインに配置され、かつ前記製造システムから第２圧力で排出される少なくとも酸素を含む排ガスをバッファ容器に貯留するバッファ工程と、前記バッファ容器から送りだされる前記排ガスを予備ベント経路から大気中へ排出する予備ベント工程とを、さらに含んでもよい。
上記実施形態として、前記供給ラインに配置され、かつ前記混合希ガスを供給容器に貯留する貯留工程と、前記供給ラインに配置され、かつ前記供給容器から送り出される混合希ガスの圧力を前記第１圧力へ減圧する減圧工程と、前記供給ラインに配置され、かつ前記供給容器から送り出させる前記混合希ガスの流量を調整する混合希ガス流量調整工程と、さらに含んでもよい。
１ 半導体製造システム
２ ネオン回収精製システム
１０ 供給容器
１４ バッファ容器
２１ 背圧弁
２２ 回収容器
２３ コンプレッサー
２４ 排ガス流量調整部
２５ 昇圧容器
２６ 精製ガス流量調整部
６１ 酸素除去部
６２ キセノン除去部
６３ 不純物除去部
Ｌ１ 供給ライン
Ｌ２ 排出ライン
Ｌ３、Ｌ４ 排ガス経路
Ｌ５ 精製ガス経路

Claims (17)

  1. 少なくともネオンと第１希ガスとを含む混合希ガスを第１圧力で供給する供給ラインと、当該混合希ガスを利用するレーザ装置と、少なくとも当該レーザ装置から排出される排出ガスを大気圧以上であって当該第１圧力以下である第２圧力で排出する排出ラインと、を有する製造システムから排出される排ガスから第１希ガスおよびネオンを回収精製するネオン回収精製システムであって、
    前記排出ラインから分岐して延びる排ガス経路に配置される、前記排ガスを貯留する回収容器と、
    前記回収容器より排ガス経路下流側に配置され、前記回収容器から送り出される前記排ガスの圧力を第３圧力へ昇圧するコンプレッサーと、
    前記コンプレッサーより排ガス経路下流側に配置され、排ガス経路下流に送られる、コンプレッサーで昇圧された前記排ガスの流量を調整する排ガス流量調整部と、
    前記排ガス流量調整部より排ガス経路下流側に配置され、前記排ガスから酸素を除去する第１不純物除去部と、
    前記第１不純物除去部より排ガス経路下流側に配置され、前記酸素を除去した後の排ガスから第２不純物を除去するゲッターと、
    前記ゲッターより精製ガス経路下流側に配置され、前記酸素の除去処理および前記第２不純物の除去処理が施された前記ネオンと前記第1希ガスを含む精製ガスを貯留する昇圧容器と、
    前記昇圧容器より精製ガス経路下流側に配置され、前記昇圧容器から送り出される前記精製ガスの圧力を前記第１圧力へ減圧する減圧手段と、
    前記減圧手段より精製ガス経路下流側に配置され、前記製造システムの前記供給ラインへ供給される前記精製ガスの流量を調整する精製ガス流量調整部と、を有するネオン回収精製システム。
  2. 少なくともネオンと第１希ガスとを含む混合希ガスを第１圧力で供給する供給ラインと、当該混合希ガスを利用するレーザ装置と、少なくとも当該レーザ装置から排出される排出ガスを大気圧以上であって当該第１圧力以下である第２圧力で排出する排出ラインと、を有する製造システムから排出される排ガスから第１希ガスおよびネオンを回収精製するネオン回収精製システムであって、
    前記排出ラインから分岐して延びる排ガス経路に配置される、前記排ガスを貯留する回収容器と、
    前記回収容器より排ガス経路下流側に配置され、前記回収容器から送り出される前記排ガスの圧力を第３圧力へ昇圧するコンプレッサーと、
    前記コンプレッサーより排ガス経路下流側に配置され、前記コンプレッサーで昇圧された前記排ガスを貯留する昇圧容器と、
    前記昇圧容器より排ガス経路下流側に配置され、排ガス経路下流に送られる前記排ガスの流量を調整する排ガス流量調整部と、
    前記排ガス流量調整部より排ガス経路下流側に配置され、前記排ガスから酸素を除去する第１不純物除去部と、
    前記第１不純物除去部より排ガス経路下流側に配置され、前記酸素を除去した後の排ガスから第２不純物を除去するゲッターと、
    前記ゲッターより精製ガス経路下流側に配置され、前記ゲッターから送り出される前記ネオンと前記第1希ガスを含む精製ガスの圧力を前記第１圧力へ減圧する減圧手段と、
    前記減圧手段より精製ガス経路下流側に配置され、前記製造システムの前記供給ラインへ供給される前記精製ガスの流量を調整する精製ガス流量調整部と、を有するネオン回収精製システム。
  3. 前記ゲッターから送り出される精製ガスを大気中へ排出する経路であるベント経路をさらに有する、請求項１または２に記載のネオン回収精製システム。
  4. 前記第１希ガスがクリプトン（Ｋｒ）である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のネオン回収精製システム。
  5. 前記第１希ガスがアルゴン（Ａｒ）であって、さらに第２希ガスとしてキセノン（Ｘｅ）を含み、
    前記第１不純物除去部と前記ゲッターとの間に、前記キセノンを除去するキセノン除去部と、
    ネオンとキセノンの補助希ガスを、前記精製ガス流量調整部より精製ガス経路下流の位置で精製ガス経路に供給する補助希ガス供給経路と、をさらに有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載のネオン回収精製システム。
  6. 前記補助希ガス供給経路に配置され、ネオンとキセノンの補助希ガスを貯留する補助容器と、
    前記補助希ガス供給経路に配置され、前記補助容器から送り出される補助希ガスの圧力を前記第１圧力へ減圧する補助希ガス減圧弁と、
    前記補助希ガス供給経路に配置され、前記補助希ガスの供給量を制御する補助希ガス流量調整部と、をさらに有する請求項５に記載のネオン回収精製システム。
  7. 前記排出ラインに配置され、かつ前記製造システムから第２圧力で排出される少なくとも酸素を含む排ガスを貯留するバッファ容器と、
    前記バッファ容器から送りだされる前記排ガスを大気中へ排出する経路である予備ベント経路とを、さらに有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載のネオン回収精製システム。
  8. 前記供給ラインに配置され、かつ前記混合希ガスを貯留する供給容器と、
    前記供給ラインに配置され、かつ前記供給容器から送り出される混合希ガスの圧力を前記第１圧力へ減圧する減圧弁と、
    前記供給ラインに配置され、かつ前記供給容器から送り出させる前記混合希ガスの流量を調整する混合希ガス流量調整部と、を有する、請求項１〜７のいずれか１項に記載のネオン回収精製システム。
  9. 前記コンプレッサーより排ガス経路下流側に配置され、前記排ガスの温度を調整する温度調整部をさらに有する、請求項１に記載のネオン回収精製システム。
  10. 前記回収容器は、前記排出ラインから分岐して延びる前記排ガス経路に配置される圧力調整手段を介して前記排ガスを貯留する、請求項１から９のいずれか１項に記載のネオン回収精製システム。
  11. 少なくともネオンと第１希ガスとを含む混合希ガスを第１圧力で供給する供給ラインと、当該混合希ガスを利用するレーザ装置と、少なくとも当該レーザ装置から排出される排出ガスを大気圧以上であって当該第１圧力以下である第２圧力で排出する排出ラインと、を有する製造システムから排出される排ガスから第１希ガスおよびネオンを回収精製するネオン回収精製方法であって、
    前記排出ラインから分岐して延びる排ガス経路に配置される前記排ガスを回収容器に貯留する第１回収工程と、
    前記回収容器から送り出される前記排ガスの圧力を第３圧力へ昇圧する昇圧工程と、
    前記昇圧工程で昇圧された前記排ガスの流量を調整する排ガス流量調整工程と、
    前記排ガス流量調整工程により調整された前記排ガスから酸素を除去する第１不純物除去工程と、
    前記第１不純物除去工程における前記酸素を除去した後の排ガスから第２不純物をゲッターで除去する第２不純物除去工程と、
    前記第１不純物除去工程および第２不純物除去工程の各処理が施された前記ネオンと前記第1希ガスを含む精製ガスを昇圧容器に貯留する第２回収工程と、
    前記昇圧容器から送り出される前記精製ガスの圧力を前記第１圧力へ減圧する減圧工程と、
    前記減圧工程で減圧された前記精製ガスであって、前記製造システムの前記供給ラインへ供給される前記精製ガスの流量を調整する精製ガス流量調整工程と、を含む、ネオン回収精製方法。
  12. 少なくともネオンと第１希ガスとを含む混合希ガスを第１圧力で供給する供給ラインと、当該混合希ガスを利用するレーザ装置と、少なくとも当該レーザ装置から排出される排出ガスを大気圧以上であって当該第１圧力以下である第２圧力で排出する排出ラインと、を有する製造システムから排出される排ガスから第１希ガスおよびネオンを回収精製するネオン回収精製方法であって、
    前記排出ラインから分岐して延びる排ガス経路に配置される前記排ガスを回収容器に貯留する第１回収工程と、
    前記回収容器から送り出される前記排ガスの圧力を第３圧力へ昇圧する昇圧工程と、
    前記昇圧工程で昇圧された前記排ガスを昇圧容器で貯留する第２回収工程と、
    前記昇圧容器より送りだされる前記排ガスの流量を調整する排ガス流量調整工程と、
    前記排ガス流量調整工程により調整された前記排ガスから酸素を除去する第１不純物除去工程と、
    前記第１不純物除去工程における前記酸素を除去した後の排ガスから第２不純物をゲッターで除去する第２不純物除去工程と、
    前記第２不純物除去工程の処理が施された前記ネオンと前記第1希ガスを含む精製ガスの圧力を前記第１圧力へ減圧する減圧工程と、
    前記減圧工程で減圧された前記精製ガスであって、前記製造システムの前記供給ラインへ供給される前記精製ガスの流量を調整する精製ガス流量調整工程と、を含む、ネオン回収精製方法。
  13. 前記第２不純物除去工程を経た精製ガスをベント経路から大気中へ排出する排出工程をさらに含む、請求項１１または１２に記載のネオン回収精製方法。
  14. 前記第１希ガスがクリプトン（Ｋｒ）である、請求項１１〜１３のいずれか１項に記載のネオン回収精製方法。
  15. 前記第１希ガスがアルゴン（Ａｒ）であって、さらに第２希ガスとしてキセノン（Ｘｅ）を含み、
    前記第１不純物除去工程と前記第２不純物除去工程との間に、前記キセノンを除去するキセノン除去工程と、
    前記精製ガス流量調整工程後の精製ガス経路に、ネオンとキセノンの補助希ガスを供給する補助希ガス供給工程と、をさらに含む、請求項１１〜１３のいずれか１項に記載のネオン回収精製方法。
  16. ネオンとキセノンを含む補助希ガスの圧力を前記第１圧力へ減圧する補助希ガス減圧工程と、
    前記補助希ガスの供給量を制御する補助希ガス流量調整工程と、をさらに含む請求項１１〜１５のいずれか１項に記載のネオン回収精製方法。
  17. 前記排ガス流量調整工程の前に、前記排ガスの温度を調整する温度調整工程をさらに含む、請求項１１〜１６のいずれか１項に記載のネオン回収精製方法。
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