JP6209700B2 - ネオン回収精製システムおよびネオン回収精製方法 - Google Patents
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Description
前記排出ラインから分岐して延びる排ガス経路に配置される、前記排ガスを貯留する回収容器と、
前記回収容器より排ガス経路下流側に配置され、前記回収容器から送り出される前記排ガスの圧力を第3圧力へ昇圧するコンプレッサーと、
前記コンプレッサーより排ガス経路下流側に配置され、排ガス経路下流に送られる、コンプレッサーで昇圧された前記排ガスの流量を調整する排ガス流量調整部と、
前記排ガス流量調整部より排ガス経路下流側に配置され、前記排ガスから第1不純物を除去する第1不純物除去部と、
前記第1不純物除去部より排ガス経路下流側に配置され、前記第1不純物除去後の排ガスから第2不純物を除去する第2不純物除去部と、
前記第2不純物除去部より精製ガス経路下流側に配置され、前記第1不純物除去処理および第2不純物除去処理が施された精製ガスを貯留する昇圧容器と、
前記昇圧容器より精製ガス経路下流側に配置され、前記昇圧容器から送り出される前記精製ガスの圧力を前記第1圧力へ減圧する減圧手段と、
前記減圧手段より精製ガス経路下流側に配置され、前記製造システムの前記供給ラインへ供給される前記精製ガスの流量を調整する精製ガス流量調整部と、
を有する。
そして、昇圧容器で精製ガスを貯留して一定量に達したら、減圧手段で第1圧力に減圧させ、かつ精製ガス流量調整部によって一定流量の精製ガスを供給ラインに送り込むことができるため、混合希ガスと精製ガスとの混合を精度よく制御できる。よって、従来よりも簡単な構成で半導体製造装置などの製造システムに接続して、排ガスから第1、第2不純物を分離し、精製ガスを回収して、再び製造システムに供給できる。
前記排出ラインから分岐して延びる排ガス経路に配置される、前記排ガスを貯留する回収容器と、
前記回収容器より排ガス経路下流側に配置され、前記回収容器から送り出される前記排ガスの圧力を第3圧力へ昇圧するコンプレッサーと、
前記コンプレッサーより排ガス経路下流側、好ましくは排ガス経路下流側直近に配置され、前記コンプレッサーで昇圧された前記排ガスを貯留する昇圧容器と、
前記昇圧容器より排ガス経路下流側に配置され、排ガス経路下流に送られる前記排ガスの流量を調整する排ガス流量調整部と、
前記排ガス流量調整部より排ガス経路下流側に配置され、前記排ガスから第1不純物を除去する第1不純物除去部と、
前記第1不純物除去部より排ガス経路下流側に配置され、前記第1不純物除去後の排ガスから第2不純物を除去する第2不純物除去部と、
前記第2不純物除去部より精製ガス経路下流側に配置され、前記第2不純物除去部から送り出される前記精製ガスの圧力を前記第1圧力へ減圧する減圧手段と、
前記減圧手段より精製ガス経路下流側に配置され、前記製造システムの前記供給ラインへ供給される前記精製ガスの流量を調整する精製ガス流量調整部と、を有する。
そして、第2不純物除去部の後段に配置された減圧手段で第1圧力に減圧させ、かつ精製ガス流量調整部によって一定流量の精製ガスを供給ラインに送り込むことができるため、混合希ガスと精製ガスとの混合を精度よく制御できる。よって、従来よりも簡単な構成で半導体製造装置などの製造システムに接続して、排ガスから第1、第2不純物を分離し、精製ガスを回収して、再び製造システムに供給できる。
前記混合希ガスは、主成分がネオンであり、第1希ガスが総量に対し1〜10%、好ましくは、1〜8%である。混合希ガスには、不純物が含まれていてもよい。混合希ガス中の不純物としては、例えば、窒素、酸素、一酸化炭素、二酸化炭素、水などが挙げられる。
前記第1希ガスは、例えば、アルゴン(Ar)、キセノン(Xe)、クリプトン(Kr)のうちいずれか1種または複数種を含む。
第1希ガスの配合比は、例えば、混合希ガス総量に対しアルゴンが1〜5%、混合希ガス総量に対しクリプトンが1〜15%、キセノンが1ppm〜100ppmが挙げられる。
前記製造システムは、例えば、半導体露光装置などの半導体製造装置、精密加工装置、外科的医療装置などが挙げられる。
前記レーザ装置は、例えば、クリプトン・フッ素(KrF)エキシマレーザ発振器を備える装置が挙げられる。
前記背圧弁の排ガス経路上における前後に仕切弁が配置されることが好ましい。制御部が背圧弁を制御してもよい。
前記第1圧力は、製造システムの仕様に対応して設定されるが、通常大気圧よりも高い圧力であり、例えば、ゲージ圧で300KPa以上〜700KPaの範囲、好ましくは400KPa以上〜700KPaの範囲、より好ましくは500KPa以上〜700KPaの範囲が例示される。
前記第2圧力は、大気圧以上であって前記第1圧力以下であり、例えば、ゲージ圧で50KPa〜200KPaの範囲が挙げられる。
前記第3圧力は、前記第1圧力よりも大きい値であり、例えば、第1圧力と第3圧力の差がゲージ圧で50KPa〜150KPaの範囲である。
前記コンプレッサーは、その排ガス経路下流側に配置される圧力計の測定値に基づいて排ガスの圧力を制御する構成であることが好ましい。制御部がコンプレッサーを制御してもよい。
前記排ガス流量調整部は、ガス流量計と、ガス流量調整弁とを有し、ガス流量計の測定値に応じて弁を調整しガス流量を制御することが好ましい。制御部が、排ガス流量調整部を制御してもよい。
前記第1不純物は、排ガス成分中で最も多く含まれる不純物であり、例えば酸素が挙げられる。
前記第1不純物除去部は、第1不純物が酸素である場合、脱酸素装置であり、酸化マンガン反応剤や酸化銅反応剤が充填された構成が例示される。酸化マンガン反応剤としては、一酸化マンガンMnOなどの反応剤、二酸化マンガンMnO2の反応剤、吸着剤をベースとした酸化マンガン反応剤が挙げられる。酸化銅反応剤としては、例えば、酸化銅CuOなどの反応剤、吸着剤をベースとした酸化銅反応剤が挙げられる。
前記第2不純物は、排ガス成分中で最も多く含まれる不純物を除いた成分であり、例えば、窒素、一酸化炭素、二酸化炭素、水、CF4などが挙げられる。
前記第2不純物除去部は、第2不純物が酸素以外の成分(窒素、一酸化炭素、二酸化炭素、水、CF4)である場合、化学吸着剤が充填されたゲッターが挙げられる。
第1、第2不純物除去部の配置は、排ガス含有量(あるいは除去部で除去可能な量)に対応して配置され、含有量の多い不純物を除去するための除去部を前段に配置することが好ましい。
前記減圧弁は、その精製ガス経路下流側に配置される圧力計の測定値に基づいて精製ガスの圧力を制御する構成であることが好ましい。ネオン回収精製システムが有する制御部が減圧弁を制御してもよい。
前記精製ガス流量調整部は、ガス流量計と、ガス流量調整弁とを有し、ガス流量計の測定値に応じて弁を調整しガス流量を制御することが好ましい。ネオン回収精製システムが有する制御部が、精製ガス流量調整部を制御してもよい。
前記排ガス経路は、前記排出ラインあるいは排出ラインから分岐された位置から前記不純物除去部までの排ガスの流通経路(配管)をいう。
前記精製ガス経路は、前記不純物除去部から前記供給ラインと合流する位置までの精製ガスの流通経路(配管)をいう。
前記供給ラインは、ハロゲン(F2)ガスを第1圧力で供給するハロゲン供給ラインをさらに有してもよい。
前記第2不純物除去部から送り出される精製ガスを大気中へ排出する経路であるベント経路を、さらに有する。ベント経路は、精製ガス経路から分岐して設けられ、ベント経路に自動仕切弁または手動仕切弁が配置される。第1の発明において、例えば、前記昇圧容器の貯留容量を超える場合、自動仕切弁または手動仕切弁を開けて、大気中へ精製ガスを排出するように調整できる。昇圧容器に貯留容量を検出する検知部を配置し、制御部が検知部の検知に基づいて自動仕切弁を開ける制御を行うことができる。
前記第1希ガスがアルゴン(Ar)であって、さらに第2希ガスとしてキセノン(Xe)を含み、
前記第1不純物除去部と前記第2不純物除去部との間に、前記キセノンを除去するキセノン除去部と、
ネオンとキセノンの補助希ガスを、前記精製ガス流量調整部より精製ガス経路下流の位置で精製ガス経路に供給する補助希ガス供給経路と、をさらに有する。
前記補助希ガス供給経路配置され、ネオンとキセノンの補助希ガスを貯留する補助容器と、
前記補助希ガス供給経路に配置され、前記補助容器から送り出される補助希ガスの圧力を前記第1圧力へ補助希ガスを減圧する補助希ガス減圧弁と、
前記補助希ガス供給経路に配置され、前記補助希ガスの流量を調整する補助希ガス流量調整部と、をさらに有する。
前記補助希ガス減圧弁は、それよりも補助希ガス供給経路下流側に配置される圧力計の測定値に基づいて補助希ガスの圧力を制御する構成であることが好ましい。ネオン回収精製システムが有する制御部が補助希ガス減圧弁を制御してもよい。
前記補助希ガス流量調整部は、ガス流量計と、ガス流量調整弁とを有し、ガス流量計の測定値に応じて弁を調整しガス流量を調整することが好ましい。ネオン回収精製システムが有する制御部が、補助希ガス流量調整部を制御してもよい。
前記排出ラインに配置され、かつ前記製造システムから第2圧力で排出される少なくとも酸素を含む排ガスを貯留するバッファ容器と、
前記バッファ容器から送りだされる前記排ガスを大気中へ排出する経路である予備ベント経路と、をさらに有する。予備ベント経路は、排出ラインから分岐して設けられ、予備ベント経路に自動仕切弁または手動仕切弁が配置される。これにより、例えば、前記回収容器の貯留容量を超える場合、自動仕切弁または手動仕切弁を開けて、排ガスを大気中へ排出するように調整できる。回収容器に貯留容量を検出する検知部を配置し、制御部が検知部の検知に基づいて自動仕切弁を開ける制御を行うことができる。あるいは、背圧弁が開いていない場合において、バッファ容器の貯留容量を超える場合、自動仕切弁または手動仕切弁を開けて、大気中へ排出するように調整できる。バッファ容器に貯留容量を検出する検知部を配置し、制御部が検知部の検知に基づいて自動仕切弁を開けるように制御を行うことができる。
前記供給ラインに配置され、かつ前記混合希ガスを貯留する供給容器と、
前記供給ラインに配置され、かつ前記供給容器から送り出される混合希ガスの圧力を前記第1圧力へ減圧する混合希ガス減圧手段と、
前記供給ラインに配置され、かつ前記供給容器から送り出させる前記混合希ガスの供給量を制御する混合希ガス流量調整部と、を有する。
前記混合希ガス減圧手段が、前記供給容器と前記混合希ガス流量調整部との間に配置されることが好ましい。
前記混合希ガス減圧手段は、それよりも供給ライン下流側に配置される圧力計の測定値に基づいて混合希ガスの圧力を制御する構成であることが好ましい。製造システムの制御部あるいはネオン回収精製システムが有する制御部が混合希ガス減圧手段を制御してもよい。
前記混合希ガス減圧手段としては、例えば、減圧弁が挙げられる。
前記混合希ガス流量調整部は、ガス流量計と、ガス流量調整弁とを有し、ガス流量計の測定値に応じて弁を調整しガス流量を調整することが好ましい。
前記精製ガス経路は、前記混合希ガス流量調整部よりも供給ライン下流側に接続されることが好ましい。
前記第1不純物除去部に対する第1バイパスラインを有していてもよい。
前記第2不純物除去部に対する第2バイパスラインを有していてもよい。
前記キセノン除去部に対する第3バイパスラインを有していてもよい。
第1〜第3バイパスラインにはそれぞれ、仕切弁が配置されている。バイパス処理時に仕切弁が開放される構成である。
前記第1不純物除去部は、少なくともその上流側に仕切弁を有する。
前記第2不純物除去部は、少なくともその上流側に仕切弁を有する。
前記キセノン除去部は、少なくともその上流側に仕切弁を有する。
上記第1の発明の一実施形態として、温度調整部は、前記コンプレッサーより排ガス経路下流側に配置され、好ましくは前記コンプレッサーと前記排ガス流量調整部との間に配置される。
上記第2の発明の一実施形態として、温度調整部は、前記昇圧容器より排ガス経路下流側に配置され、好ましくは前記昇圧容器と前記排ガス流量調整部との間に配置される。
前記排出ラインから分岐して延びる排ガス経路に配置される前記排ガスを回収容器に貯留する第1回収工程と、
前記回収容器から送り出される前記排ガスの圧力を第3圧力へ昇圧する昇圧工程と、
前記昇圧工程で昇圧された前記排ガスの流量を調整する排ガス流量調整工程と、
前記排ガス流量調整工程により調整された前記排ガスから第1不純物を除去する第1不純物除去工程と、
前記第1不純物除去工程における前記第1不純物除去後の排ガスから第2不純物を除去する第2不純物除去工程と、
前記第1不純物除去工程および第2不純物除去工程の各処理が施された精製ガスを昇圧容器に貯留する第2回収工程と、
前記昇圧容器から送り出される前記精製ガスの圧力を前記第1圧力へ減圧する減圧工程と、
前記減圧工程で減圧された前記精製ガスであって、前記製造システムの前記供給ラインへ供給される前記精製ガスの流量を調整する精製ガス流量調整工程と、を含む。
そして、昇圧容器で精製ガスを貯留して一定量に達したら、減圧工程で第1圧力に減圧させ、かつ精製ガス流量調整工程によって一定流量の精製ガスを供給ラインに送り込むことができるため、混合希ガスと精製ガスとの混合を精度よく制御できる。よって、従来よりも簡単な構成で半導体製造装置などの製造システムにおいて、排ガスから第1、第2不純物を分離し、精製ガスを回収し、再び製造システムに供給できる。
前記排出ラインから分岐して延びる排ガス経路に配置される前記排ガスを回収容器に貯留する第1回収工程と、
前記回収容器から送り出される前記排ガスの圧力を第3圧力へ昇圧する昇圧工程と、
前記昇圧工程で昇圧された前記排ガスを昇圧容器で貯留する第2回収工程と、
前記昇圧容器より送りだされる前記排ガスの流量を調整する排ガス流量調整工程と、
前記排ガス流量調整工程により調整された前記排ガスから第1不純物を除去する第1不純物除去工程と、
前記第1不純物除去工程における前記第1不純物除去後の排ガスから第2不純物を除去する第2不純物除去工程と、
前記第2不純物除去工程の処理が施された精製ガスの圧力を前記第1圧力へ減圧する減圧工程と、
前記減圧工程で減圧された前記精製ガスであって、前記製造システムの前記供給ラインへ供給される前記精製ガスの流量を調整する精製ガス流量調整工程と、を含む。
そして、第2不純物除去工程の後段で第1圧力に減圧させ、かつ精製ガス流量調整工程によって一定流量の精製ガスを供給ラインに送り込むことができるため、混合希ガスと精製ガスとの混合を精度よく制御できる。よって、従来よりも簡単な構成で半導体製造装置などの製造システムに接続して、排ガスから第1、第2不純物を分離し、精製ガスを回収して、再び製造システムに供給できる。
前記第1不純物除去工程と前記第2不純物除去工程との間に、前記キセノンを除去するキセノン除去工程と、
前記精製ガス流量調整工程後の精製ガス経路に、ネオンとキセノンの補助希ガスを供給する補助希ガス供給工程と、をさらに含む。
前記補助希ガスの供給量を制御する補助希ガス流量調整工程と、をさらに含む。
実施形態1のネオン回収精製システム2について図1を参照しながら説明する。ネオン回収精製システム2は、製造システム1に直接的に接続される。本実施形態において、製造システム1は、エキシマレーザ発振器を有し、キセノン、アルゴンを含有する雰囲気ガスがネオンガスである混合希ガスを利用する。本実施形態において、混合希ガスとしては、例えば、ネオンが主要成分であって、全量に対しキセノン5〜50ppm、アルゴン3.0〜4.0%である(不純物が含まれている場合もある)。
本実施形態において、キセノン含有混合希ガスについて説明したが、これに制限されず、キセノンを含まない混合希ガスの排ガスの場合には、キセノン除去部82、補助希ガス経路L6、補助容器71、供給弁53、補助希ガス減圧弁54、補助希ガス流量調整部72、第8仕切弁47は、不要であり、第2バイパスラインB2を使用し、第8仕切弁47などを閉じることで、精製処理時には機能しないように構成できる。
実施形態2のネオン回収精製システムについて図2を参照しながら説明する。実施形態1と同じ符号は同じ機能を有しているが、実施形態2では、昇圧容器22がコンプレッサー23の後段に配置される構成である。
本実施形態は、少なくともネオンと第1希ガスとを含む混合希ガスを第1圧力で供給する供給ラインと、当該混合希ガスを利用するレーザ装置と、少なくとも当該レーザ装置から排出される排出ガスを大気圧以上であって当該第1圧力以下である第2圧力で排出する排出ラインと、を有する製造システムから排出される排ガスからネオンを回収精製するネオン回収精製方法である。
前記回収容器から送り出される前記排ガスの圧力を第3圧力へ昇圧する昇圧工程と、
前記昇圧工程で昇圧された前記排ガスの流量を調整する排ガス流量調整工程と、
前記排ガス流量調整工程により調整された前記排ガスから第1不純物を除去する第1不純物除去工程と、
前記第1不純物除去工程における前記第1不純物除去後の排ガスから第2不純物を除去する第2不純物除去工程と、
前記第1不純物除去工程および第2不純物除去工程の各処理が施された精製ガスを昇圧容器に貯留する第2回収工程と、
前記昇圧容器から送り出される前記精製ガスの圧力を前記第1圧力へ減圧する減圧工程と、
前記減圧工程で減圧された前記精製ガスであって、前記製造システムの前記供給ラインへ供給される前記精製ガスの流量を調整する精製ガス流量調整工程と、を含む。
前記回収容器から送り出される前記排ガスの圧力を第3圧力へ昇圧する昇圧工程と、
前記昇圧工程で昇圧された前記排ガスを昇圧容器で貯留する第2回収工程と、
前記昇圧容器より送りだされる前記排ガスの流量を調整する排ガス流量調整工程と、
前記排ガス流量調整工程により調整された前記排ガスから第1不純物を除去する第1不純物除去工程と、
前記第1不純物除去工程における前記第1不純物除去後の排ガスから第2不純物を除去する第2不純物除去工程と、
前記第2不純物除去工程の処理が施された精製ガスの圧力を前記第1圧力へ減圧する減圧工程と、
前記減圧工程で減圧された前記精製ガスであって、前記製造システムの前記供給ラインへ供給される前記精製ガスの流量を調整する精製ガス流量調整工程と、を含む。
2 ネオン回収精製システム
10 供給容器
14 バッファ容器
21 背圧弁
22 回収容器
23 コンプレッサー
24 排ガス流量調整部
25 昇圧容器
26 精製ガス流量調整部
61 酸素除去部
62 キセノン除去部
63 不純物除去部
L1 供給ライン
L2 排出ライン
L3、L4 排ガス経路
L5 精製ガス経路
Claims (19)
- 少なくともネオンと第1希ガスとを含む混合希ガスを利用するレーザ装置から排出される排ガスから第1希ガスおよびネオンを回収精製するネオン回収精製システムであって、
前記排ガスから酸素を除去する第1不純物除去部と、
前記第1不純物除去部を使用せずに前記排ガスを通過させるためのバイパスラインと、
前記第1不純物除去部より排ガス経路下流側に配置され、前記酸素を除去した後の排ガスから第2不純物を除去するゲッターと、
前記ゲッターを使用せずに前記排ガスを通過させるためのバイパスラインと、を有するネオン回収精製システム。 - 前記排ガスが、
少なくともネオンと第1希ガスとを含む混合希ガスを第1圧力で供給する供給ラインと、当該混合希ガスを利用するレーザ装置と、少なくとも当該レーザ装置から排出される排出ガスを大気圧以上であって当該第1圧力以下である第2圧力で排出する排出ラインと、を有する製造システムから排出される、請求項1に記載のネオン回収精製システム。 - 前記ネオン回収精製システムは、さらに、
前記排出ガスラインから分岐して延びる排ガス経路に配置される、前記排ガスを貯留する回収容器と、
前記回収容器より排ガス経路下流側に配置され、前記回収容器から送り出される前記排ガスの圧力を第3圧力へ昇圧するコンプレッサーと、
前記コンプレッサーより排ガス経路下流側に配置され、前記コンプレッサーで昇圧された前記排ガスを貯留する昇圧容器と、
前記昇圧容器より排ガス経路下流側に配置され、排ガス経路下流に送られる前記排ガスの流量を調整する排ガス流量調整部と、を有する請求項2に記載のネオン回収精製システム。 - 前記第1希ガスがクリプトン(Kr)である、請求項1〜3のいずれか1項に記載のネオン回収精製システム。
- 前記第1希ガスがアルゴン(Ar)であって、さらに第2希ガスとしてキセノン(Xe)を含み、
前記第1不純物除去部と前記第2不純物除去部との間に、前記キセノンを除去するキセノン除去部と、
ネオンとキセノンの補助希ガスを、精製ガス経路に供給する補助希ガス供給経路と、をさらに有する、請求項1〜3のいずれか1項に記載のネオン回収精製システム。 - 前記補助希ガス供給経路に配置され、ネオンとキセノンの補助希ガスを貯留する補助容器と、
前記補助希ガス供給経路に配置され、前記補助容器から送り出される補助希ガスの圧力を前記第1圧力へ減圧する補助希ガス減圧弁と、
前記補助希ガス供給経路に配置され、前記補助希ガスの供給量を制御する補助希ガス流量調整部と、をさらに有する請求項5に記載のネオン回収精製システム。 - 前記排出ラインに配置され、かつ前記製造システムから第2圧力で排出される少なくとも酸素を含む排ガスを貯留するバッファ容器と、
前記バッファ容器から送りだされる前記排ガスを大気中へ排出する経路である予備ベント経路とを、さらに有する、請求項2〜6のいずれか1項に記載のネオン回収精製システム。 - 前記供給ラインに配置され、かつ前記混合希ガスを貯留する供給容器と、
前記供給ラインに配置され、かつ前記供給容器から送り出される混合希ガスの圧力を前記第1圧力へ減圧する減圧弁と、
前記供給ラインに配置され、かつ前記供給容器から送り出させる前記混合希ガスの流量を調整する混合希ガス流量調整部と、を有する、請求項2〜7のいずれか1項に記載のネオン回収精製システム。 - 前記コンプレッサーより排ガス経路下流側に配置され、前記排ガスの温度を調整する温度調整部をさらに有する、請求項3に記載のネオン回収精製システム。
- 前記回収容器は、前記排出ラインから分岐して延びる前記排ガス経路に配置される圧力調整手段を介して前記排ガスを貯留する、請求項3〜9のいずれか1項に記載のネオン回収精製システム。
- 少なくともネオンと第1希ガスとを含む混合希ガスを利用するレーザ装置から排出される排ガスから第1希ガスおよびネオンを回収精製するネオン回収精製方法であって、
前記排ガスから酸素を第1不純物除去部で除去する第1不純物除去工程と、
前記排ガスから酸素を除去させない場合に、前記第1不純物除去部を使用せずにバイパスラインで前記排ガスを通過させる工程と、
前記第1不純物除去部より排ガス経路下流側に配置され、前記酸素を除去した後の排ガスから第2不純物をゲッターで除去する第2不純物除去工程と、
前記排ガスから第2不純物を除去させない場合に、前記ゲッターを使用せずにバイパスラインで前記排ガスを通過させる工程と、を含むネオン回収精製方法。 - 前記排ガスが、
少なくともネオンと第1希ガスとを含む混合希ガスを第1圧力で供給する供給ラインと、当該混合希ガスを利用するレーザ装置と、少なくとも当該レーザ装置から排出される排出ガスを大気圧以上であって当該第1圧力以下である第2圧力で排出する排出ラインと、を有する製造システムから排出される、請求項11に記載のネオン回収精製方法。 - 前記ネオン回収精製方法は、さらに、
前記排出ラインから分岐して延びる排ガス経路に配置される前記排ガスを回収容器に貯留する第1回収工程と、
前記回収容器から送り出される前記排ガスの圧力を第3圧力へ昇圧する昇圧工程と、
前記昇圧工程で昇圧された前記排ガスの流量を調整する排ガス流量調整工程と、を含む、請求項12に記載のネオン回収精製方法。 - 前記第1希ガスがクリプトン(Kr)である、請求項11〜13のいずれか1項に記載のネオン回収精製方法。
- 前記第1希ガスがアルゴン(Ar)であって、さらに第2希ガスとしてキセノン(Xe)を含み、
前記第1不純物除去工程と前記第2不純物除去工程との間に、前記キセノンを除去するキセノン除去工程と、
前記第2不純物除去工程後の精製ガス経路に、ネオンとキセノンの補助希ガスを供給する補助希ガス供給工程と、をさらに含む、請求項11〜13のいずれか1項に記載のネオン回収精製方法。 - ネオンとキセノンを含む補助希ガスの圧力を前記第1圧力へ減圧する補助希ガス減圧工程と、
前記補助希ガスの供給量を制御する補助希ガス流量調整工程と、をさらに含む請求項12〜15のいずれか1項に記載のネオン回収精製方法。 - 前記排ガス流量調整工程の前に、前記排ガスの温度を調整する温度調整工程をさらに含む、請求項13〜16のいずれか1項に記載のネオン回収精製方法。
- 少なくともネオンと第1希ガスとを含む混合希ガスを利用するレーザ装置から排出される排ガスから第1希ガスおよびネオンを回収精製するネオン回収精製システムであって、
前記排ガスから酸素を除去する第1不純物除去部と、
前記第1不純物除去部より排ガス経路下流側に配置され、前記酸素を除去した後の排ガスから第2不純物を除去するゲッターと、を有し、
前記第1希ガスがクリプトン(Kr)であるネオン回収精製システム。 - 少なくともネオンと第1希ガスとを含む混合希ガスを利用するレーザ装置から排出される排ガスから第1希ガスおよびネオンを回収精製するネオン回収精製方法であって、
前記排ガスから酸素を除去する第1不純物除去工程と、
前記第1不純物除去部より排ガス経路下流側に配置され、前記酸素を除去した後の排ガスから第2不純物をゲッターで除去する第2不純物除去工程と、を含み、
前記第1希ガスがクリプトン(Kr)であるネオン回収精製方法。
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---|---|---|---|
JP2017096569A JP6209700B2 (ja) | 2017-05-15 | 2017-05-15 | ネオン回収精製システムおよびネオン回収精製方法 |
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