JP6123687B2 - 磁気センサ - Google Patents
磁気センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP6123687B2 JP6123687B2 JP2014014538A JP2014014538A JP6123687B2 JP 6123687 B2 JP6123687 B2 JP 6123687B2 JP 2014014538 A JP2014014538 A JP 2014014538A JP 2014014538 A JP2014014538 A JP 2014014538A JP 6123687 B2 JP6123687 B2 JP 6123687B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- hall element
- plane
- magnetic
- magnetic sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 110
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 107
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N iron nickel Chemical compound [Fe].[Ni] UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
本発明の第1実施形態に係る磁気センサ1について図1〜図4を参照して説明する。なお、図2は、図1に示す磁気センサ1におけるセンサチップ部分(第1半導体基板2、ホール素子4などで構成された部分)を、図1とは上下逆向きにして示したものである。
本発明の第2実施形態について図5を参照して説明する。本実施形態は、第1実施形態において、磁気シールド部6を、ホール素子4と信号処理回路とを電気的に接続する配線として構成したものである。その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
2a 第1半導体基板の平面
3 第2半導体基板
3a 第2半導体基板の一面
4 ホール素子
5 接合部
6 磁気シールド部
7 シリコン酸化膜
Claims (4)
- 平面(2a)を有する第1半導体基板(2)と、
前記第1半導体基板の平面に向けられた一面(3a)を有する第2半導体基板(3)と、
前記第1半導体基板の平面に設けられ、ホール効果を用いて前記第1半導体基板の平面に垂直な磁界を検出するホール素子(4)と、
前記第1半導体基板の平面と前記第2半導体基板の一面との間に設けられ、前記第1半導体基板と前記第2半導体基板とを接合する接合部(5)と、を有し、
前記第1半導体基板および前記第2半導体基板の少なくとも一方において、前記ホール素子が検出した磁界を電気信号に変換するための信号処理回路が設けられた磁気センサであって、
前記第1半導体基板の平面と前記第2半導体基板の一面との間には、前記第1半導体基板の平面に対する垂線の方向から見て前記ホール素子の周囲を囲み、軟磁性体を含む構成とされた磁気シールド部(6)が設けられており、
前記ホール素子は、前記第1半導体基板と、前記第2半導体基板と、前記接合部および前記磁気シールド部の少なくとも一方と、によって封止された構成とされていることを特徴とする磁気センサ。 - 前記磁気シールド部が、前記第1半導体基板の平面に対する垂線の方向から見て、前記ホール素子の周囲を一周全周に亘って囲んで形成されていることを特徴とする請求項1に記載の磁気センサ。
- 前記磁気シールド部が、前記ホール素子と前記信号処理回路とを電気的に接続する配線として構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の磁気センサ。
- 前記接合部によって前記磁気シールド部を構成していることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の磁気センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014014538A JP6123687B2 (ja) | 2014-01-29 | 2014-01-29 | 磁気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014014538A JP6123687B2 (ja) | 2014-01-29 | 2014-01-29 | 磁気センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015141121A JP2015141121A (ja) | 2015-08-03 |
JP6123687B2 true JP6123687B2 (ja) | 2017-05-10 |
Family
ID=53771562
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014014538A Active JP6123687B2 (ja) | 2014-01-29 | 2014-01-29 | 磁気センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6123687B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9702748B2 (en) * | 2015-10-14 | 2017-07-11 | International Business Machines Corporation | Graphene-based magnetic hall sensor for fluid flow analysis at nanoscale level |
LU93151B1 (en) * | 2016-07-15 | 2018-01-23 | Luxembourg Inst Science & Tech List | Hall Probe |
US10261138B2 (en) | 2017-07-12 | 2019-04-16 | Nxp B.V. | Magnetic field sensor with magnetic field shield structure and systems incorporating same |
US10718825B2 (en) * | 2017-09-13 | 2020-07-21 | Nxp B.V. | Stray magnetic field robust magnetic field sensor and system |
CN112703371A (zh) * | 2018-07-20 | 2021-04-23 | 弗瑞柏私人有限公司 | 旋转角度测量*** |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0395474A (ja) * | 1989-09-08 | 1991-04-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁場センサー |
EP1031844A3 (fr) * | 1999-02-25 | 2009-03-11 | Liaisons Electroniques-Mecaniques Lem S.A. | Procédé de fabrication d'un capteur de courant électrique |
JP4696455B2 (ja) * | 2004-03-09 | 2011-06-08 | 株式会社デンソー | ホール素子および磁気センサおよび磁気検出方法 |
US7768083B2 (en) * | 2006-01-20 | 2010-08-03 | Allegro Microsystems, Inc. | Arrangements for an integrated sensor |
US9086444B2 (en) * | 2009-12-28 | 2015-07-21 | Tdk Corporation | Magnetic field detection device and current sensor |
JP6134941B2 (ja) * | 2012-03-29 | 2017-05-31 | 株式会社Soken | 回転角検出装置 |
JP5776905B2 (ja) * | 2012-07-03 | 2015-09-09 | Tdk株式会社 | 電流センサ |
-
2014
- 2014-01-29 JP JP2014014538A patent/JP6123687B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015141121A (ja) | 2015-08-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6123687B2 (ja) | 磁気センサ | |
US8089276B2 (en) | Magnetic field sensor assembly | |
JP6610178B2 (ja) | 磁気センサ | |
JP2008008883A (ja) | 磁気センサ及びセンサ | |
JP5899012B2 (ja) | 磁気センサ | |
JP6597370B2 (ja) | 磁気センサ | |
US10317480B2 (en) | Magneto resistive device | |
US11169225B2 (en) | TMR high-sensitivity single-chip push-pull bridge magnetic field sensor | |
JP2007147460A (ja) | 磁気平衡式電流センサ | |
US20070252585A1 (en) | Rotary position sensor with rectangular magnet and hall sensors placed within the surface of the magnet | |
JP6267613B2 (ja) | 磁気センサおよびその磁気センサを備えた電流センサ | |
JP2008116429A (ja) | 磁気センサデバイス | |
JP5866496B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
JP6314010B2 (ja) | 電流センサ | |
WO2016024621A1 (ja) | 磁気センサ | |
JP6914671B2 (ja) | 電流センサ | |
JP5704352B2 (ja) | 電流センサ | |
JP5504483B2 (ja) | 電流センサ | |
JP7062935B2 (ja) | 電流センサ、電流センサの製造方法および半導体装置 | |
JP2013142604A (ja) | 電流センサ | |
JP2010243232A (ja) | 電流センサ | |
JP2017083280A (ja) | 半導体装置及び磁気センサ装置 | |
JP2014006118A (ja) | 電流センサ | |
JP2019158508A (ja) | 磁気センサ | |
JPWO2018155701A1 (ja) | 磁気センサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160614 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170227 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170307 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170320 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6123687 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |