JP6118031B2 - 不純物分析装置及び方法 - Google Patents
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Description
11 気相分解部
12 加熱部
13 試料回収部
20 蛍光X線分析装置
30 搬送装置
Claims (5)
- 基板上に形成されたシリコンおよび窒素を含有する膜を気相分解し、
気相分解後、前記基板を120℃未満で加熱し、
120℃未満での加熱後、前記基板を180℃以上240℃以下で加熱して、前記シリコンおよび窒素を含有する膜の表面に析出したシリコン化合物を除去し、
前記基板を180℃以上240℃以下で加熱した後、前記基板表面にフッ化水素酸蒸気を供給して、前記基板表面を疎水性にし、
疎水性の前記基板表面に対して回収液を滴下して基板表面を移動させて、金属を前記回収液に回収し、
前記回収液を乾燥させて、乾燥痕を蛍光X線分析することを特徴とする不純物分析方法。 - 基板上に形成されたシリコンおよび窒素を含有する膜を気相分解し、
気相分解後、前記基板を第1温度で加熱し、
前記第1温度での加熱後、前記基板を前記第1温度より高い第2温度で加熱して、前記シリコンおよび窒素を含有する膜の表面に析出したシリコン化合物を除去し、
前記第2温度での加熱後、回収液を前記基板表面に滴下して基板表面を移動させて、金属を前記回収液に回収し、
前記回収液を乾燥させて、乾燥痕を蛍光X線分析することを特徴とする不純物分析方法。 - 前記第2温度は、180℃以上240℃以下であることを特徴とする請求項2に記載の不純物分析方法。
- 前記第1温度は120℃未満であることを特徴とする請求項2又は3に記載の不純物分析方法。
- 前記第2温度での加熱後、前記回収液を滴下する前に、前記基板表面にフッ化水素酸蒸気を供給して、前記基板表面を疎水性にすることを特徴とする請求項2乃至4のいずれかに記載の不純物分析方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012058918A JP6118031B2 (ja) | 2012-03-15 | 2012-03-15 | 不純物分析装置及び方法 |
US13/593,563 US8932954B2 (en) | 2012-03-15 | 2012-08-24 | Impurity analysis device and method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012058918A JP6118031B2 (ja) | 2012-03-15 | 2012-03-15 | 不純物分析装置及び方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013190403A JP2013190403A (ja) | 2013-09-26 |
JP6118031B2 true JP6118031B2 (ja) | 2017-04-19 |
Family
ID=49157998
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012058918A Active JP6118031B2 (ja) | 2012-03-15 | 2012-03-15 | 不純物分析装置及び方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8932954B2 (ja) |
JP (1) | JP6118031B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6491883B2 (ja) * | 2015-01-05 | 2019-03-27 | 信越化学工業株式会社 | 元素分析方法 |
JP6530289B2 (ja) * | 2015-09-11 | 2019-06-12 | 東芝メモリ株式会社 | 分析前処理装置 |
JP6108367B1 (ja) * | 2015-12-22 | 2017-04-05 | 株式会社 イアス | シリコン基板用分析装置 |
JP2018048946A (ja) | 2016-09-23 | 2018-03-29 | 東芝メモリ株式会社 | 分析装置 |
JP6399141B1 (ja) * | 2017-04-17 | 2018-10-03 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの金属汚染分析方法およびシリコンウェーハの製造方法 |
JP6603934B2 (ja) | 2018-04-13 | 2019-11-13 | 東芝メモリ株式会社 | シリコン基板の分析方法 |
JP6856052B2 (ja) * | 2018-05-17 | 2021-04-07 | 信越半導体株式会社 | 半導体基板の評価方法 |
CN112683988B (zh) * | 2020-12-28 | 2023-06-02 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种晶圆中金属杂质的检测方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63212838A (ja) * | 1987-02-28 | 1988-09-05 | Horiba Ltd | シリコン中酸素測定方法 |
JP2973638B2 (ja) | 1991-09-27 | 1999-11-08 | 日本電気株式会社 | 不純物の分析方法 |
JP3249316B2 (ja) | 1993-12-20 | 2002-01-21 | 株式会社東芝 | 全反射蛍光x線分析が行われる被測定体の表面処理方法 |
JP3297291B2 (ja) * | 1995-03-10 | 2002-07-02 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP3331106B2 (ja) | 1995-11-29 | 2002-10-07 | 株式会社東芝 | 半導体薄膜または半導体基板の不純物分析方法 |
JP3116871B2 (ja) | 1997-09-03 | 2000-12-11 | 日本電気株式会社 | 半導体基板表面分析の前処理方法及びその装置 |
JP3356669B2 (ja) | 1997-12-04 | 2002-12-16 | 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 | 不純物回収装置 |
DE60039744D1 (de) * | 1999-03-30 | 2008-09-18 | Seiko Epson Corp | Verfahren zur Hersltellung einer Siliziumschicht |
JP2001343339A (ja) | 2000-06-02 | 2001-12-14 | Rigaku Industrial Co | 分析位置設定手段を備えた蛍光x線分析方法およびその装置 |
JP3832204B2 (ja) * | 2000-07-28 | 2006-10-11 | 株式会社Sumco | シリコン基板中の微量不純物分析方法 |
JP3619895B2 (ja) * | 2001-03-19 | 2005-02-16 | 理学電機工業株式会社 | 蛍光x線分析用試料前処理装置およびそれを備えた蛍光x線分析装置 |
JP3603278B2 (ja) * | 2001-09-06 | 2004-12-22 | 理学電機工業株式会社 | 蛍光x線分析システムおよびそれに用いるプログラム |
JP2004109072A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 液中の金属不純物分析方法 |
JP4232457B2 (ja) * | 2002-12-25 | 2009-03-04 | 株式会社Sumco | シリコン基板表面に存在する表面酸化膜中の金属不純物分析方法 |
JP2005003422A (ja) * | 2003-06-10 | 2005-01-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 全反射蛍光x線分析方法および気相分解処理装置 |
JP2008130696A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウェーハ表面の珪素脱離方法、シリコンウェーハ表層下領域の液体サンプル採取方法及びその金属不純物分析方法 |
JP2009294091A (ja) * | 2008-06-05 | 2009-12-17 | Sumco Corp | シリコンウェーハ中の汚染物の分析方法 |
-
2012
- 2012-03-15 JP JP2012058918A patent/JP6118031B2/ja active Active
- 2012-08-24 US US13/593,563 patent/US8932954B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8932954B2 (en) | 2015-01-13 |
US20130244349A1 (en) | 2013-09-19 |
JP2013190403A (ja) | 2013-09-26 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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