JP6096698B2 - スイッチング回路 - Google Patents
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Description
図1は、本実施形態のスイッチング回路の構成を示す図である。図1に示すように、スイッチング回路は、第1の正の定圧電源12に接続し、入力信号から制御信号を生成する制御回路19と、第2の正の定圧電源11に保護回路13を介して接続し、制御信号から駆動信号を生成するFETドライバ20と、ドレイン端子が第2の正の定圧電源11に保護回路13を介して接続し、ゲート端子が第2の正の定圧電源11に保護回路13及び抵抗18を介して接続し、ソース端子が負荷に接続するP型Power MOS FET14と、第1の正の定圧電源12にアノードを接続しFETドライバ20の電源端子20Bにカソードを接続した逆流電流阻止部である逆流電流阻止ダイオード16と、を備える。
図5は、本実施形態のスイッチング回路の構成を示す図である。図5に示すように、スイッチング回路は、第1の正の定圧電源12に接続し、入力信号から制御信号を生成する制御回路19と、第2の正の定圧電源11に保護回路13を介して接続し、制御信号から駆動信号を生成するFETドライバ20と、ドレイン端子が第2の正の定圧電源11に保護回路13を介して接続し、ゲート端子が第2の正の定圧電源11に保護回路13及び抵抗18を介して接続し、ソース端子が負荷に接続するP型Power MOS FET14と、第2の正の定圧電源11からFETドライバ20の電源端子20Bに向かって流れる電流を通過させ、FETドライバ20の電源端子20BからP型Power MOS FET14のドレイン端子及びゲート端子に向かって流れる電流をアースする逆流電流阻止部である逆流電流阻止回路16Aと、を備える。
14:P型Power MOS FET
15:マイクロ波FET
16:逆流電流阻止ダイオード
16A:逆流電流阻止回路
19:制御回路
20:FETドライバ
Claims (3)
- 第1の正の定圧電源に接続し、入力信号から制御信号を生成する制御回路と、
信号入力端子と電源供給端子とを接続する保護ダイオードを有し、第2の正の定圧電源に保護回路を介して接続し、前記制御信号から駆動信号を生成するFETドライバと、
ドレイン端子が前記第2の正の定圧電源に前記保護回路を介して接続し、ゲート端子が前記第2の正の定圧電源に前記保護回路及び抵抗を介して接続し、ソース端子が負荷に接続し、前記駆動信号によって動作するP型Power MOS FETと、
前記第2の正の定圧電源から前記FETドライバの電源端子に向かって流れる電流を通過させ、前記FETドライバの電源端子から前記P型Power MOS FETのドレイン端子及びゲート端子に向かって流れる電流を阻止する逆流電流阻止部と、
を備えるスイッチング回路。 - 前記逆流電流阻止部は、
前記第1の正の定圧電源にアノードを接続し、前記FETドライバの前記電源端子にカソードを接続した逆流電流阻止ダイオードである請求項1記載のスイッチング回路。 - 前記逆流電流阻止部は、
前記第2の正の定圧電源から前記FETドライバの前記電源端子に向かって流れる電流を通過させ、前記FETドライバの前記電源端子から前記P型Power MOS FETの前記ドレイン端子及び前記ゲート端子に向かって流れる電流を阻止するとともに接地する逆流電流阻止回路である請求項1記載のスイッチング回路。
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