JP6032033B2 - シリコンのドライエッチング方法 - Google Patents
シリコンのドライエッチング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6032033B2 JP6032033B2 JP2013018215A JP2013018215A JP6032033B2 JP 6032033 B2 JP6032033 B2 JP 6032033B2 JP 2013018215 A JP2013018215 A JP 2013018215A JP 2013018215 A JP2013018215 A JP 2013018215A JP 6032033 B2 JP6032033 B2 JP 6032033B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- gas
- pressure
- iodine heptafluoride
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 64
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 64
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 44
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 227
- XRURPHMPXJDCOO-UHFFFAOYSA-N iodine heptafluoride Chemical compound FI(F)(F)(F)(F)(F)F XRURPHMPXJDCOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 55
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 127
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 18
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 13
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 9
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 4
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 4
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 4
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 4
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 3
- DEXFNLNNUZKHNO-UHFFFAOYSA-N 6-[3-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperidin-1-yl]-3-oxopropyl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1CCN(CC1)C(CCC1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1)=O DEXFNLNNUZKHNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 BrF 3 Chemical class 0.000 description 2
- MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N N-[1-oxo-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propan-2-yl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(C(C)NC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- PDJAZCSYYQODQF-UHFFFAOYSA-N iodine monofluoride Chemical compound IF PDJAZCSYYQODQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- CEBDXRXVGUQZJK-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-benzofuran-7-carboxylic acid Chemical compound C1=CC(C(O)=O)=C2OC(C)=CC2=C1 CEBDXRXVGUQZJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N octafluorocyclobutane Chemical compound FC1(F)C(F)(F)C(F)(F)C1(F)F BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019407 octafluorocyclobutane Nutrition 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N trifluorochlorine Chemical compound FCl(F)F JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
Description
計算式(1):(Max−Min)/2Ave×100・・・(1)
で表される値のことであり(単位:%)、その値が大きい程エッチング量のばらつきが大きいことを示している。
エッチングガスとして、実質的に七フッ化ヨウ素以外の成分を含まないもの(IF7、体積100%、希釈ガスなし)を使用して試料のエッチング試験を行った。エッチング条件としては、エッチングガスの供給圧力を100kPa、チャンバー内のエッチングプロセス圧力を1kPa、エッチングガスの総流量を100sccm、シリコン基板温度を30℃とした。その結果、エッチング後の試料の面内分布は1〜6%でありエッチング量の面内均一性は良好であった。また、エッチング速度は12μm/minであり良好であった。なお、[実施例1−1]において、供給圧力(Ps)とチャンバーの処理室内圧力(Pn)の比率Ps/Pnは、66である。
エッチングガスとして、七フッ化ヨウ素を80体積%(Arガス、20体積%)とした以外は、実施例1−1と同じ条件でエッチング試験を行った。その結果、実施例1−1と同様に、エッチング後の試料の面内分布は1〜6%でありエッチング量の面内均一性は良好であった。また、エッチング速度は11μm/minであり良好であった。
エッチングガスとして、七フッ化ヨウ素を50体積%(Arガス、50体積%)とした以外は、実施例1−1と同じ条件でエッチング試験を行った。その結果、実施例1−1と同様に、エッチング後の試料の面内分布は1〜8%であり、実施例1−1、1−2に若干劣るもののエッチング量の面内均一性はおおむね良好であった。また、エッチング速度は5μm/minであり比較的良好であった。
エッチングガスとして、七フッ化ヨウ素を10体積%(N2ガス、90体積%)とした以外は、実施例1−1と同じ条件でエッチング試験を行った。その結果、実施例1−1と同様に、エッチング後の試料の面内分布は1〜11%であり、実施例1−1、1−2に若干劣るもののエッチング量の面内均一性はおおむね良好であった。また、エッチング速度は1.2μm/minであった。
シリコン基板温度を−30℃とする以外は、実施例1−1と同じ条件でエッチング試験を行った。その結果、エッチング後の試料の面内分布は1〜8%であり、実施例1−1、1−2に若干劣るもののエッチング量の面内均一性はおおむね良好であったが、エッチング速度は5μm/minであり、実施例1−1と比較して低かった。
シリコン基板温度を110℃とする以外は、実施例1−1と同じ条件でエッチング試験を行った。その結果、エッチング速度は、14μm/minであり、実施例1−1と同等な値であったが、エッチング後の試料の面内分布は1〜11%であり、実施例1−1と比較してバラつきがみられた。
エッチングガスを十分に断熱膨張させることができない条件(供給圧力20kPa)とした以外は実施例1−1と同じ条件でエッチング試験を行った。その結果、エッチング速度は12μm/minと良好であったが、エッチング後の試料の面内分布は11〜25%であり面内のエッチング量のバラつきが大きかった。なお、[比較例1−1]において、供給圧力(Ps)とチャンバーの処理室内圧力(Pn)の比率Ps/Pnは、13である。
従来からシリコン層のエッチングに使用されてきた既存のClF3(三フッ化塩素)を用いる以外は実施例1−1と同じ条件でエッチング試験を行った。その結果、エッチング速度は5μm/minであったが、エッチング後の試料の面内分布は17〜28%であり面内のエッチング量のバラつきが大きかった。
[実施例1−1]にて使用した図1のエッチング装置を用いて、図5のマスクを形成した試料のエッチング試験を行った。エッチングガスとしては、100体積%の七フッ化ヨウ素を使用した。エッチング条件として、エッチングプロセスの圧力は200kPaとする以外は、[実施例1−1]と同じ条件でエッチング試験を行った。その結果、エッチングガスとして、七フッ化ヨウ素を使用すると、SiN、TiN、SiO2に対してシリコン層エッチングの選択比が優れていることが分かった。また、マスク開口部周辺の加工形状を観察したところ、マスク材料の肩落ちがなく、形成した側壁形状も良好であった。
使用するエッチングガスとして、XeF2、ClF3、BrF5、IF5、F2とし、それぞれのエッチングプロセス圧力(Pa)を順に30、50、150、90、200とする以外は[実施例2−1]と同じ条件でエッチング試験を行った。なお、使用したガスは何れも希釈ガス等による希釈は行わず試験を行った。
Claims (6)
- 処理室内で処理対象物のシリコン層をプラズマレスでエッチングするドライエッチング方法であって、供給源から七フッ化ヨウ素を含むエッチングガスを、供給圧力が66kPa〜0.5MPaの圧力範囲で供給し、該圧力範囲に保持されたエッチングガスを、供給圧力(Ps)と処理室内の圧力(Pn)の比率Ps/Pnが、20以上、1×10 9 以下となるように、前記供給圧力より低い圧力に減圧された処理室に導入し、前記シリコン層をエッチングすることを特徴とする、ドライエッチング方法。
- エッチングガスが、少なくとも50体積%以上の七フッ化ヨウ素を含む、請求項1に記載のドライエッチング方法。
- エッチングガスが、実質的に七フッ化ヨウ素以外の成分を含まない、請求項1又は2に記載のドライエッチング方法。
- 処理対象物の温度が、−40℃〜150℃である、請求項1から3の何れかに記載のドライエッチング方法。
- 処理対象物が、少なくともシリコン層と耐エッチング部材とを含み、エッチングガスにより前記シリコン層を選択的にエッチングする、請求項1から4の何れかに記載のドライエッチング方法。
- 耐エッチング部材が、SiO2、SiN、TiNから選ばれる少なくとも1つ以上の材料からなる、請求項5に記載のドライエッチング方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013018215A JP6032033B2 (ja) | 2013-02-01 | 2013-02-01 | シリコンのドライエッチング方法 |
PCT/JP2014/051452 WO2014119474A1 (ja) | 2013-02-01 | 2014-01-24 | シリコンのドライエッチング方法 |
CN201480007116.6A CN104969333B (zh) | 2013-02-01 | 2014-01-24 | 硅的干蚀刻方法 |
KR1020157023791A KR20150113176A (ko) | 2013-02-01 | 2014-01-24 | 실리콘의 드라이 에칭 방법 |
US14/765,413 US9524877B2 (en) | 2013-02-01 | 2014-01-24 | Silicon dry etching method |
TW103103660A TWI525699B (zh) | 2013-02-01 | 2014-01-29 | Silicon dry etching method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013018215A JP6032033B2 (ja) | 2013-02-01 | 2013-02-01 | シリコンのドライエッチング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014150169A JP2014150169A (ja) | 2014-08-21 |
JP6032033B2 true JP6032033B2 (ja) | 2016-11-24 |
Family
ID=51262188
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013018215A Active JP6032033B2 (ja) | 2013-02-01 | 2013-02-01 | シリコンのドライエッチング方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9524877B2 (ja) |
JP (1) | JP6032033B2 (ja) |
KR (1) | KR20150113176A (ja) |
CN (1) | CN104969333B (ja) |
TW (1) | TWI525699B (ja) |
WO (1) | WO2014119474A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US12014929B2 (en) | 2019-10-25 | 2024-06-18 | Resonac Corporation | Etching method for silicon nitride and production method for semiconductor element |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6210039B2 (ja) | 2014-09-24 | 2017-10-11 | セントラル硝子株式会社 | 付着物の除去方法及びドライエッチング方法 |
JP6544215B2 (ja) | 2015-01-23 | 2019-07-17 | セントラル硝子株式会社 | ドライエッチング方法 |
US20180130761A1 (en) * | 2016-11-09 | 2018-05-10 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Semiconductor package, manufacturing method thereof, and electronic element module using the same |
SG11202004968SA (en) * | 2017-12-15 | 2020-07-29 | Tokyo Electron Ltd | Plasma etching method and plasma etching apparatus |
JP6981267B2 (ja) * | 2018-01-17 | 2021-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及びエッチング装置 |
SG11202009473XA (en) * | 2018-03-29 | 2020-10-29 | Central Glass Co Ltd | Substrate processing gas, storage container, and substrate processing method |
JP7427155B2 (ja) * | 2019-08-23 | 2024-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 別の金属及び誘電体に対してチューニング可能な選択性を有するチタン含有材料層の非プラズマエッチング |
EP4159892A4 (en) * | 2020-05-29 | 2023-11-29 | Resonac Corporation | DRY ETCHING METHOD, SEMICONDUCTOR ELEMENT PRODUCTION METHOD AND CLEANING METHOD |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2746448B2 (ja) | 1990-02-07 | 1998-05-06 | セントラル硝子株式会社 | 混合ガス組成物 |
JP3007032B2 (ja) * | 1996-03-15 | 2000-02-07 | セントラル硝子株式会社 | タングステン及びタングステン化合物成膜装置のガスクリーニング方法 |
US6949202B1 (en) * | 1999-10-26 | 2005-09-27 | Reflectivity, Inc | Apparatus and method for flow of process gas in an ultra-clean environment |
US6290864B1 (en) | 1999-10-26 | 2001-09-18 | Reflectivity, Inc. | Fluoride gas etching of silicon with improved selectivity |
US6581612B1 (en) * | 2001-04-17 | 2003-06-24 | Applied Materials Inc. | Chamber cleaning with fluorides of iodine |
US7192875B1 (en) * | 2004-10-29 | 2007-03-20 | Lam Research Corporation | Processes for treating morphologically-modified silicon electrode surfaces using gas-phase interhalogens |
DE102005004877A1 (de) * | 2005-02-03 | 2006-08-10 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches Bauelement und entsprechendes Herstellungsverfahren |
JP2008117209A (ja) | 2006-11-06 | 2008-05-22 | Toshiba Corp | 料金収受処理システム |
JP4693823B2 (ja) | 2007-06-18 | 2011-06-01 | セントラル硝子株式会社 | 七フッ化ヨウ素の製造法 |
CN102124544B (zh) * | 2008-08-18 | 2013-11-13 | 岩谷产业株式会社 | 团簇喷射式加工方法、半导体元件、微机电元件及光学零件 |
-
2013
- 2013-02-01 JP JP2013018215A patent/JP6032033B2/ja active Active
-
2014
- 2014-01-24 US US14/765,413 patent/US9524877B2/en active Active
- 2014-01-24 WO PCT/JP2014/051452 patent/WO2014119474A1/ja active Application Filing
- 2014-01-24 CN CN201480007116.6A patent/CN104969333B/zh active Active
- 2014-01-24 KR KR1020157023791A patent/KR20150113176A/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-01-29 TW TW103103660A patent/TWI525699B/zh active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US12014929B2 (en) | 2019-10-25 | 2024-06-18 | Resonac Corporation | Etching method for silicon nitride and production method for semiconductor element |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104969333B (zh) | 2017-11-10 |
TWI525699B (zh) | 2016-03-11 |
JP2014150169A (ja) | 2014-08-21 |
TW201442111A (zh) | 2014-11-01 |
KR20150113176A (ko) | 2015-10-07 |
US9524877B2 (en) | 2016-12-20 |
CN104969333A (zh) | 2015-10-07 |
WO2014119474A1 (ja) | 2014-08-07 |
US20160005612A1 (en) | 2016-01-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6032033B2 (ja) | シリコンのドライエッチング方法 | |
KR102494959B1 (ko) | 플라즈마 에칭 방법 | |
TWI631618B (zh) | Dry etching method, dry etchant, and method of manufacturing semiconductor device | |
TWI648429B (zh) | 矽化合物用蝕刻氣體組成物及蝕刻方法 | |
TWI475611B (zh) | 選擇性蝕刻及二氟化氙的形成 | |
TWI636121B (zh) | 乾式蝕刻方法及乾式蝕刻劑 | |
TWI585854B (zh) | 圖案化半導體晶圓及圖案化目標材料層之方法 | |
WO2022009553A1 (ja) | エッチング方法及び半導体素子の製造方法 | |
TWI815331B (zh) | 蝕刻氣體及其製造方法、蝕刻方法以及半導體元件之製造方法 | |
TWI783736B (zh) | 蝕刻方法及半導體元件的製造方法 | |
WO2021079780A1 (ja) | 窒化ケイ素のエッチング方法及び半導体素子の製造方法 | |
TWI749422B (zh) | 鹵氟化物之蝕刻方法、半導體之製造方法 | |
TWI788052B (zh) | 蝕刻氣體、蝕刻方法,及半導體元件之製造方法 | |
TWI798870B (zh) | 蝕刻氣體、蝕刻方法,及半導體元件之製造方法 | |
WO2023100476A1 (ja) | デポジション膜の形成方法 | |
TW202310028A (zh) | 蝕刻方法及半導體元件之製造方法 | |
TW202407760A (zh) | 蝕刻方法 | |
KR20230066073A (ko) | 에칭 가스 및 그 제조 방법, 및 에칭 방법, 반도체 소자의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151118 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160705 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160830 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160927 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161010 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6032033 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |