JP6028882B2 - 電子デバイス - Google Patents

Description

本発明は、電子デバイスに関し、より特定的には、基板及び基板上に取り付けられるキャップを備えた電子デバイス及びその製造方法に関する。

従来の電子デバイスとしては、例えば、特許文献１に記載の水晶振動子が知られている。該水晶振動子は、セラミック平板、接合剤、水晶振動素子及びキャップを備えている。セラミック平板の主面上には、水晶振動素子が実装されると共に、該水晶振動素子の周囲を囲むように接合剤が配されている。キャップは、底面において開口を有する直方体状をなしており、水晶振動素子を覆うようにセラミック平板の主面上に配置される。この際、キャップの開口の外縁は、接合剤に接触する。そして、接合剤は溶融させられた後に固化させられる。これにより、キャップがセラミック平板上に固定される。

ところで、特許文献１に記載の水晶振動子は、キャップとセラミック平板との位置ずれが発生するという問題を有している。

国際公開第２０１３／１７２４４０号

そこで、本発明の目的は、キャップと基板との位置ずれの発生を抑制できる電子デバイスを提供することである。

本発明の一形態に係る電子デバイスは、
主面を有する基板本体、及び、該主面上に設けられている金属膜であって、該主面に対する法線方向から平面視したときに、所定領域を囲む環状をなしている線状の金属膜を含む基板と、
前記所定領域と実質的に一致する形状の開口を有し、かつ、該開口の外縁において前記金属膜に接合することによって、前記主面と共に密閉空間を形成するキャップと、
を備えており、
前記開口の外縁は、前記金属膜が延在する延在方向に直交する第１の断面において、前記基板から最も近くに位置する第１の部分と、該第１の部分よりも該基板から遠くに位置する第２の部分と、を有しており、
前記金属膜は、前記法線方向から平面視したときに、前記第２の部分と重なっており、
前記金属膜において前記第２の部分と重なっている部分の膜厚は、前記第１の断面において、前記第１の部分から該第２の部分に向かう所定方向に行くにしたがって増加していること、
を特徴とする。

本発明によれば、キャップと基板との位置ずれの発生を抑制できる。

電子デバイス１０の外観斜視図である。 電子デバイス１０の分解斜視図である。 図１のＡ−Ａにおける断面構造図である。 図３のＣにおける拡大図である。 電子デバイス１０の製造時の外観斜視図である。 電子デバイス１０の製造時の外観斜視図である。 電子デバイス１０の製造時の外観斜視図である。 電子デバイス１０の製造時の外観斜視図である。 マザー基板１１０がカットされるときの断面構造図である。 変形例に係る電子デバイス１０ａのＣにおける拡大図である。

（電子デバイスの構造）
以下に、本発明の電子部品の一実施形態に係るチップ部品を備えた電子デバイスについて図面を参照しながら説明する。図１は、電子デバイス１０の外観斜視図である。図２は、電子デバイス１０の分解斜視図である。図３は、図１のＡ−Ａにおける断面構造図である。図４は、図３のＣにおける拡大図である。以下では、電子デバイス１０の主面に対する法線方向を上下方向と定義し、上側から平面視したときに、電子デバイス１０の長辺が延在する方向を左右方向と定義し、電子デバイス１０の短辺が延在する方向を前後方向と定義する。

電子デバイス１０は、図１ないし図３に示すように、基板１２、金属キャップ１４及び水晶片１６を備えている。

基板１２（回路基板の一例）は、基板本体２１、外部電極２２，２６，４０，４２，４４，４６、配線２４，２８、メタライズ膜（金属膜の一例）３０、ろう材（接合材の一例）５０及びビアホール導体ｖ１，ｖ２を含んでいる。

基板本体２１は、上側から平面視したときに、長方形状をなす平板である。基板本体２１は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭化ケイ素質焼結体、ガラスセラミックス焼結体等のセラミックス系絶縁性材料、水晶、ガラス、シリコン等により作製されている。基板本体２１は、上下に２つの主面を有している。基板本体２１の上側の主面を表面と呼び、基板本体２１の下側の主面を裏面と呼ぶ。

外部電極２２は、基板本体２１の表面の左後ろの角近傍に設けられている正方形状の導体層である。外部電極２６は、基板本体２１の表面の左前の角近傍に設けられている正方形状又は長方形状の導体層である。外部電極２２と外部電極２６とは、前後方向に並んでいる。

外部電極４０は、基板本体２１の裏面の左前の角近傍に設けられている正方形状の導体層である。外部電極４２は、基板本体２１の裏面の左後ろの角近傍に設けられている正方形状の導体層である。外部電極４４は、基板本体２１の裏面の右前の角近傍に設けられている正方形状の導体層である。外部電極４６は、基板本体２１の裏面の右後ろの角近傍に設けられている正方形状の導体層である。なお、外部電極４０，４２，４４，４６は長方形状又は五角形状でもよい。

配線２４は、基板本体２１の表面に設けられ、外部電極２２から左側に向かって延在している直線状の導体層である。配線２４の左端は、上側から平面視したときに、外部電極４２と重なっている。配線２８は、外部電極２６から前側に延在した後に右側に向かって延在している線状の導体層である。配線２８の右端は、上側から平面視したときに、外部電極４４と重なっている。

メタライズ膜３０は、基板本体２１の表面上に設けられている線状の金属膜であり、上側（表面に対する法線方向）から平面視したときに、領域Ｒを囲む環状をなしている。より詳細には、メタライズ膜３０は、基板本体２１の表面の外縁の全長にわたって接触している。したがって、メタライズ膜３０は、上側から平面視したときに、基板本体２１の表面の４辺に接触することにより、枠状の長方形状をなしている。これにより、メタライズ膜３０は、長方形状の領域Ｒを囲んでいる。

また、メタライズ膜３０は、図４に示すように、３層構造をなしており、モリブデン層３０ａ、ニッケル層３０ｂ及び金層３０ｃを含んでいる。モリブデン層３０ａ、ニッケル層３０ｂ及び金層３０ｃは、基板本体２１の表面上において下側から上側へとこの順に積層されている。モリブデン層３０ａは、例えば、印刷により形成され、２０μｍ程度の厚みを有している。ニッケル層３０ｂ及び金層３０ｃは、例えば、めっきにより形成され、０．５μｍ〜１μｍ程度の厚みを有している。なお、図４は、理解の容易のために、実際の寸法とは異なる寸法により記載されている。

ここで、メタライズ膜３０の膜厚は、図４に示すように、メタライズ膜３０が延在する延在方向に直交する断面において、領域Ｒ内から領域Ｒ外に向かう所定方向（図４では、右側から左側へと向かう方向）に行くにしたがって増加している。本実施形態では、メタライズ膜３０の膜厚は、連続的に増加しており、基板本体２１の外縁において最大となっている。すなわち、メタライズ膜３０の断面形状は、ドーム状を半分に分割した形状をなしている。

なお、図４では、基板本体２１の表面の左側の短辺に接しているメタライズ膜３０の断面形状が示されている。したがって、領域Ｒ内から領域Ｒ外に向かう所定方向は、右側から左側へと向かう方向である。ただし、基板本体２１の表面の右側の短辺に接しているメタライズ膜３０の断面形状では、所定方向は、左側から右側へと向かう方向である。また、基板本体２１の表面の前側の長辺に接しているメタライズ膜３０の断面形状では、所定方向は、後ろ側から前側へと向かう方向である。基板本体２１の表面の後ろ側の長辺に接しているメタライズ膜３０の断面形状では、所定方向は、前側から後ろ側へと向かう方向である。

なお、外部電極２２，２６，４０，４２，４４，４６及び配線２４，２８は、メタライズ膜３０と同じ３層構造を有している。ただし、外部電極２２，２６，４０，４２，４４，４６及び配線２４，２８の積層構造については、重要ではないのでこれ以上の説明を省略する。

ビアホール導体ｖ１は、基板本体２１を上下方向に貫通しており、配線２４の左端と外部電極４２とを接続している。これにより、外部電極２２と外部電極４２とが電気的に接続されている。

ビアホール導体ｖ２は、基板本体２１を上下方向に貫通しており、配線２８の右端と外部電極４４とを接続している。これにより、外部電極２６と外部電極４４とが電気的に接続されている。

ビアホール導体ｖ１，ｖ２は、基板本体２１に形成されたビアホールに対してタングステン、ニッケル等の導体が埋め込まれて作製される。

水晶片１６は、水晶本体１７及び外部電極９７，９８を含んでいる。水晶本体１７は、上側から平面視したときに、長方形状をなす平板である。水晶本体１７は、例えば、水晶の原石などから所定の角度で切り出されたＡＴカット型である。水晶本体１７の上側の主面を表面と呼び、水晶本体１７の下側の主面を裏面と呼ぶ。

外部電極９７は、水晶本体１７の裏面の左後ろの角近傍に設けられている正方形状の導体層である。外部電極９８は、水晶本体１７の裏面の左前の角近傍に設けられている正方形状の導体層である。外部電極９７，９８は、例えば、クロムの下地層上に金が積層されることにより作製される。

なお、水晶片１６は、水晶本体１７及び外部電極９７，９８以外の構成も含んでいる。しかしながら、水晶片１６は一般的な水晶片と同じ構造であるので、詳細な説明を省略する。

水晶片１６は、基板１２の表面の領域Ｒに実装される。具体的には、外部電極２２と外部電極９７とが導電性接着剤２１０により接続され、外部電極２６と外部電極９８とが導電性接着剤２１２により接続される。

金属キャップ１４は、領域Ｒと実質的に一致する形状（すなわち、長方形状）の開口を有する筺体であり、例えば、ニッケル又はコバルトニッケル合金の母材にニッケルめっき及び金めっきが施されることにより作製されている。本実施形態では、金属キャップ１４は、下側が開口した直方体状の箱であり、コバルトニッケル合金の母材に表面にニッケルめっき及び金めっきが施されることにより作製されている。

また、開口の外縁Ｅは、図４に示すように、メタライズ膜３０が延在する延在方向に直交する断面において、近接部分Ａ１と非近接部分Ａ２とを有している。近接部分Ａ１は、メタライズ膜３０が延在する延在方向に直交する断面において、基板本体２１から最も近くに位置する部分である。非近接部分Ａ２は、メタライズ膜３０が延在する延在方向に直交する断面において、近接部分Ａ１よりも基板本体２１から遠くに位置する部分である。領域Ｒ内から領域Ｒ外に向かう所定方向は、近接部分Ａ１から非近接部分Ａ２に向かう方向と一致している。したがって、図４では、近接部分Ａ１は、非近接部分Ａ２に対して右側に隣接して位置している。

更に、図４に示すように、開口の外縁Ｅは、開口の外縁Ｅと基板本体２１との距離が、近接部分Ａ１と非近接部分Ａ２との境界において不連続に変化することにより、階段状をなしている。すなわち、近接部分Ａ１と基板本体２１との距離は、距離Ｄ１で実質的に一定である。また、非近接部分Ａ２と基板本体２１との距離は、距離Ｄ１よりも大きな距離Ｄ２で実質的に一定である。

なお、図４では、基板本体２１の表面の左側の短辺近傍における開口の外縁Ｅの断面形状が示されている。したがって、近接部分Ａ１から非近接部分Ａ２に向かう方向は、右側から左側へと向かう方向である。ただし、基板本体２１の表面の右側の短辺近傍における開口の外縁Ｅの断面形状では、近接部分Ａ１から非近接部分Ａ２に向かう方向は、左側から右側へと向かう方向である。基板本体２１の表面の前側の長辺近傍における開口の外縁Ｅの断面形状では、近接部分Ａ１から非近接部分Ａ２に向かう方向は、後ろ側から前側へと向かう方向である。基板本体２１の表面の後ろ側の長辺近傍における開口の外縁Ｅの断面形状では、近接部分Ａ１から非近接部分Ａ２に向かう方向は、前側から後ろ側へと向かう方向である。

以上のように構成された金属キャップ１４は、開口の外縁Ｅとメタライズ膜３０とが一致するように、基板本体２１に取り付けられる。以下に、金属キャップ１４の基板本体２１への取り付けについて説明する。

ろう材５０は、メタライズ膜３０上に配置される。ろう材５０は、メタライズ膜３０と実質的に同じ形状を有しており、長方形状の枠状をなしている。ろう材５０は、メタライズ膜３０よりも低い融点を有しており、例えば、金−すず合金により作製されている。ろう材５０は、例えば、印刷等によりメタライズ膜３０上に形成される。そして、金属キャップ１４の開口の外縁Ｅがろう材５０に接触した状態で、メタライズ膜３０が溶融及び固化させられる。これにより、金属キャップ１４は、開口の外縁Ｅの全長においてメタライズ膜３０にろう材５０を介して接合する。接合するとは、金属キャップ１４の外縁Ｅがメタライズ膜３０に接触している状態及び金属キャップ１４の外縁Ｅとメタライズ膜３０との間にろう材５０が存在している状態の両方を含む意味である。その結果、基板本体２１の表面及び金属キャップ１４により、密閉空間Ｓｐが形成されている。よって、水晶片１６は、密閉空間Ｓｐ内に収容されている。また、密閉空間Ｓｐは、金属キャップ１４がメタライズ膜３０及びろう材５０を介して基板本体２１に密着することによって、真空状態に保たれている。

ここで、メタライズ膜３０は、図４に示すように、上側から平面視したときに、非近接部分Ａ２と重なっている。ただし、メタライズ膜３０は、上側から平面視したときに、非近接部分Ａ２からはみ出していてもよく、近接部分Ａ１と重なっていてもよい。

（電子デバイスの製造方法）
以下に、電子デバイス１０の製造方法について図面を参照しながら説明する。図５ないし図８は、電子デバイス１０の製造時の外観斜視図である。図９は、マザー基板１１０がカットされるときの断面構造図である。図５ないし図８は、マザー基板１１０の一部を抽出した図である。

まず、図５に示すように、複数の基板本体２１がマトリクス状に配列されたマザー基板１１０を準備する。マザー基板１１０は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭化ケイ素質焼結体、ガラスセラミックス焼結体等のセラミックス系絶縁性材料、水晶、ガラス、シリコン等により作製されている。

次に、マザー基板１１０において、ビアホール導体ｖ１，ｖ２が形成されるべき位置にビームを照射して、貫通孔を形成する。更に、貫通孔にモリブデン等の導電性材料を充填し、乾燥させる。その後、導電性材料を焼結することにより、図６に示すように、ビアホール導体ｖ１，ｖ２を形成する。

次に、図７に示すように、外部電極４０，４２，４４，４６の下地電極を基板本体２１の裏面のそれぞれに形成する。具体的には、モリブデン層をマザー基板１１０の裏面上に印刷し、乾燥させる。その後、モリブデン層を焼結する。これにより、外部電極４０，４２，４４，４６の下地電極が形成される。

次に、図８に示すように、外部電極２２，２６、配線２４，２８及びメタライズ膜３０の下地電極を基板本体２１の表面のそれぞれに形成する。この際、各メタライズ膜３０は、前後左右に隣り合うもの同士で繋がっている。すなわち、基板本体２１の表面の境界に沿う格子状のメタライズ膜３０をマザー基板１１０の表面に形成する。モリブデン層をマザー基板１１０の表面上に印刷し、乾燥する。その後、モリブデン層を焼結する。これにより、外部電極２２，２６、配線２４，２８及びメタライズ膜３０の下地電極が形成される。

次に、外部電極４０，４２，４４，４６，２２，２６、配線２４，２８及びメタライズ膜３０の下地電極に、ニッケルめっき及び金めっきをこの順に施す。これにより、外部電極４０，４２，４４，４６，２２，２６、配線２４，２８及びメタライズ膜３０が形成される。

ここで、貫通孔への導電性材料の充填と基板の配線等の印刷は真空印刷などを用いることで、同時に形成することができる。このとき、導電性材料と配線等は、同時に焼成すれば良い。

また、マザー基板１１０がセラミックス系焼結体絶縁性材料の場合は、焼成前のシート状態で、貫通孔の形成、導電性材料の充填、外部電極４０，４２，４４，４６，２２，２６、配線２４，２８及びメタライズ膜３０の印刷、乾燥を行い、その後、複数枚積層した状態で加圧密着し積層シートとし、これを焼成して、ビアホール導体、外部電極４０，４２，４４，４６，２２，２６、配線２４，２８、メタライズ膜３０及び基板本体２１を同時に完成させることができる。この後、前記同様のめっきを施す。

次に、図９に示すように、ダイサー２００により、マザー基板１１０を複数の基板本体２１に分割する。この際、前後左右方向において隣り合うもの同士で繋がっていたメタライズ膜３０が分割される。

次に、メタライズ膜３０上にろう材５０を形成する。具体的には、図２に示すように、金−すず合金からなる導電性材料をメタライズ膜３０上に印刷する。

次に、基板本体２１の表面の領域Ｒに水晶片１６を実装する。具体的には、図２に示すように、外部電極２２と外部電極９７とを導電性接着剤２１０により接着するとともに、外部電極２６と外部電極９８とを導電性接着剤２１２により接着する。

次に、金属キャップ１４の母材を電鋳により作製する。具体的には、金属キャップ１４の形状と一致する内周面を有する原型を準備する。そして、原型の内周面上にコバルトニッケル合金をめっき成長させて、金属キャップ１４の母材を得る。更に、金属キャップ１４の母材に対して、ニッケルめっき及び金めっきを施す。これにより、近接部分Ａ１と非近接部分Ａ２との境界に段差が形成される。以上の工程により、金属キャップ１４が形成される。

次に、金属キャップ１４の開口の外縁Ｅにおいてメタライズ膜３０に接合し、かつ、基板本体２１の主面及びメタライズ膜３０と共に密閉空間Ｓｐを形成するように、金属キャップ１４を基板本体２１に取り付ける。

具体的には、金属キャップ１４の開口の外縁Ｅをろう材５０に押しつける。この際、上側から平面視したときに、非近接部分Ａ２をメタライズ膜３０上に位置させる。この後、ろう材５０が溶融し、かつ、メタライズ膜３０が溶融しない温度（例えば、２８０℃以上３５０℃以下）まで真空中（例えば、１０^-5Ｐａ以上１０^-1Ｐａ以下）で基板本体２１等を１分〜６０分間程度の間にわたって加熱する。これにより、ろう材５０が溶融する。この後、基板本体２１等を冷却することにより、ろう材５０が固化する。これにより、金属キャップ１４が基板本体２１に固定される。以上の工程を経て、電子デバイス１０が完成する。

（効果）
以上のように構成された電子デバイス１０によれば、基板１２と金属キャップ１４との位置ずれの発生を抑制できる。より詳細には、電子デバイス１０では、開口の外縁Ｅは、メタライズ膜３０が延在する延在方向に直交する断面において、近接部分Ａ１と非近接部分Ａ２とを有している。近接部分Ａ１は、メタライズ膜３０が延在する延在方向に直交する断面において、基板本体２１から最も近くに位置する部分である。非近接部分Ａ２は、メタライズ膜３０が延在する延在方向に直交する断面において、近接部分Ａ１よりも基板本体２１から遠くに位置する部分である。更に、メタライズ膜３０の膜厚は、図４に示すように、メタライズ膜３０が延在する延在方向に直交する断面において、近接部分Ａ１から非近接部分Ａ２に向かう所定方向に行くにしたがって増加している。そして、メタライズ膜３０は、図４に示すように、上側から平面視したときに、非近接部分Ａ２と重なっている。これにより、図４において、金属キャップ１４が左側に移動しようとすると、近接部分Ａ１と非近接部分Ａ２との境界がメタライズ膜３０に引っかかるようになる。なお、基板本体２１の表面の右側の短辺近傍、前側の長辺近傍及び後ろ側の長辺近傍においても、図４の基板本体２１の表面の左側の短辺近傍と同じ現象が生じる。したがって、金属キャップ１４が前後左右方向に移動しようとすると、近接部分Ａ１と非近接部分Ａ２との境界がメタライズ膜３０に引っかかるようになる。以上より、メタライズ膜３０が金属キャップ１４の取り付け時に位置決め部材として機能するようになる。その結果、基板１２と金属キャップ１４との位置ずれの発生を抑制できる。

また、基板１２と金属キャップ１４との位置ずれの発生が抑制されると、密閉空間Ｓｐがより確実に真空状態に保たれるようになる。その結果、電子デバイス１０の信頼性及び歩留まりが向上する。

更に、基板１２と金属キャップ１４との位置ずれの発生が抑制されると、金属キャップ１４が基板１２に取り付けられる際に、金属キャップ１４が水晶片１６と衝突することが抑制される。

（変形例）
以下に、変形例に係る電子デバイス１０ａについて図面を参照しながら説明する。図１０は、変形例に係る電子デバイス１０ａのＣにおける拡大図である。

電子デバイス１０ａは、近接部分Ａ１と非近接部分Ａ２との位置、及び、メタライズ膜３０の位置において、電子デバイス１０と相違する。以下に、かかる相違点を中心に、電子デバイス１０ａについて説明する。

電子デバイス１０ａでは、近接部分Ａ１から非近接部分Ａ２に向かう方向は、領域Ｒ外から領域Ｒ内に向かう方向と一致している。すなわち、近接部分Ａ１の方が非近接部分Ａ２よりも外側に位置している。

また、近接部分Ａ１と非近接部分Ａ２との位置関係が入れ替わることに伴い、メタライズ膜３０が、基板本体２１の外縁に接していない。

以上のように構成された電子デバイス１０ａにおいても、電子デバイス１０と同じ作用効果を奏することができる。

（その他の実施形態）
本発明に係る電子デバイスは、電子デバイス１０，１０ａに限らずその要旨の範囲内において変更可能である。

なお、電子デバイス１０において、メタライズ膜３０は、基板本体２１の表面の外縁に対して該外縁の全長にわたって接触しているが、基板本体２１の表面の外縁に対して接触していなくてもよい。

また、電子デバイス１０では、メタライズ膜３０の膜厚は、図４に示すように、メタライズ膜３０が延在する延在方向に直交する断面において、近接部分Ａ１から非近接部分Ａ２に向かう方向（右側から左側に向かう方向）に行くにしたがって増加している。そのため、メタライズ膜３０の膜厚は、基板本体２１の表面の外縁において最大となっている。すなわち、メタライズ膜３０の断面形状は、ドーム状を半分に分割した形状をなしている。しかしながら、メタライズ膜３０の断面形状は、ドーム状をなしていてもよい。ただし、この場合であっても、メタライズ膜３０において非近接部分Ａ２と重なっている部分の膜厚は、メタライズ膜３０が延在する延在方向に直交する断面において、近接部分Ａ１から非近接部分Ａ２に向かう方向（右側から左側に向かう方向）に行くにしたがって増加している必要がある。

また、電子デバイス１０には、水晶片１６が実装されているが、水晶片１６の代わりに他の電子部品等が実装されていてもよい。ただし、水晶片１６が実装される場合には、密閉空間Ｓｐが真空状態に保たれる必要がある。そのためには、金属キャップ１４を基板１２に対して位置精度よく取り付ける必要がある。したがって、本発明に係る電子デバイスは、水晶片１６を備えている電子デバイス１０に特に適している。

なお、金属キャップ１４の代わりにセラミックス系絶縁性材料からなるキャップが用いられてもよい。また、ろう材５０の代わりに低融点ガラス又は樹脂接着剤が用いられてもよい。

以上のように、本発明は、電子デバイスに有用であり、特に、基板とキャップとの位置ずれの発生を抑制できる点において優れている。

１０：電子デバイス
１２：基板
１４：金属キャップ
１６：水晶片
２１：基板本体
３０：メタライズ膜
３０ａ：モリブデン層
３０ｂ：ニッケル層
３０ｃ：金層
５０：ろう材
１１０：マザー基板
２００：ダイサー
Ａ１：近接部分
Ａ２：非近接部分
Ｒ：領域
Ｓｐ：密閉空間
Ｅ：外縁

Claims (10)

1. 主面を有する基板本体、及び、該主面上に設けられている金属膜であって、該主面に対する法線方向から平面視したときに、所定領域を囲む環状をなしている線状の金属膜を含む基板と、
   前記所定領域と実質的に一致する形状の開口を有し、かつ、該開口の外縁において前記金属膜に接合することによって、前記主面と共に密閉空間を形成するキャップと、
   を備えており、
   前記開口の外縁は、前記金属膜が延在する延在方向に直交する第１の断面において、前記基板から最も近くに位置する第１の部分と、該第１の部分よりも該基板から遠くに位置する第２の部分と、を有しており、
   前記金属膜は、前記法線方向から平面視したときに、前記第２の部分と重なっており、
   前記金属膜において前記第２の部分と重なっている部分の膜厚は、前記第１の断面において、前記第１の部分から該第２の部分に向かう所定方向に行くにしたがって増加していること、
   を特徴とする電子デバイス。
2. 前記所定方向は、前記第１の断面において、前記所定領域内から該所定領域外に向かう方向であること、
   を特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
3. 前記金属膜は、前記主面の外縁に対して該外縁の全長にわたって接触していること、
   を特徴とする請求項２に記載の電子デバイス。
4. 前記金属膜の膜厚は、前記第１の断面において、前記所定方向に行くにしたがって増加していること、
   を特徴とする請求項３に記載の電子デバイス。
5. 前記開口の外縁は、該開口の外縁と前記基板との距離が、前記第１の部分と前記第２の部分との境界において不連続に変化することにより、階段状をなしていること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の電子デバイス。
6. 前記開口の外縁と前記金属膜とは、接合材を介して接合されていること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の電子デバイス。
7. 前記接合材は、ろう材であること、
   を特徴とする請求項６に記載の電子デバイス。
8. 前記ろう材は、金−すず合金であること、
   を特徴とする請求項７に記載の電子デバイス。
9. 前記接合材は、低融点ガラス又は樹脂接着剤であること、
   を特徴とする請求項６に記載の電子デバイス。
10. 前記所定領域に実装されることにより、前記密閉空間に収容されている水晶片を、
    更に備えていること、
    を特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の電子デバイス。

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