JP2017041574A - ウエーハの加工方法 - Google Patents

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隆志 灰本
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秀輝 小清水
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侑里香 荒谷
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哲一 杉谷
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Abstract

【課題】先ダイシングを採用する場合の半導体デバイスの裏面に対して、生産性を悪化させることなく、個々のデバイスに対してダイボンド用樹脂を敷設するウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】本発明により、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハの加工方法であって、個々のデバイスに分割されたウエーハの表面に該表面を保護する保護部材が配設される保護部材配設工程と、液状のダイボンド用樹脂をウエーハの裏面に塗布して固化させることによりダイボンド用の樹脂を個々のデバイスの裏面に敷設する樹脂敷設工程と、裏面に該樹脂が敷設された該デバイスをウエーハから分離する分離工程と、から少なくとも構成されるウエーハの加工方法が提供される。
【選択図】図４

Description

本発明は、ダイボンド用樹脂を裏面に備えた複数のデバイスを形成するウエーハの加工方法に関する。
ＩＣ、ＬＳＩ等に使用される半導体デバイスの製造プロセスにおいては、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハが、個々のデバイスに分割されることで、半導体デバイスが形成される。そして、該半導体デバイスがパッケージングされることにより、携帯電話、パソコン等の電気機器に利用されている。
分割された半導体デバイスは、リードフレーム（金属製基板）等にボンディング（接着）されるが、該半導体デバイスの裏面に対してリードフレームに接着するためのボンディング剤を敷設する方法として、個々のデバイスに分割する前のウエーハの裏面に、該ウエーハと略同じ大きさのＤＡＦ（ダイ アタッチ フィルム：ダイシングテープとボンディング剤としての機能を持ち合わせたフィルム）を貼着し、ウエーハの表面側からダイシングによってウエーハを個々のデバイスに分割すると共に、個々のデバイスに対応してボンディング剤を切断し、分割した個々のデバイスを該ウエーハから分離して取り出すことで、裏面にボンディング剤が敷設された半導体デバイスを得ることが知られている（例えば、特許文献１を参照）。
上記したようなボンディング剤の敷設方法を採用する場合は、ウエーハを所望の厚さになるように裏面側から研削（薄化）を行い、研削後の裏面に対して該ＤＡＦを貼着した上で表面側からダイシングし、個々のデバイスに分割することを前提とする。
しかし、表面側から切削ブレードを用いて仕上がり厚みに相当する深さの分離溝を設けるダンシングを行い、その後、裏面を研削することで個々のデバイスに分割するいわゆる先ダイシングと呼ばれる技術を採用する場合、裏面研削の完了と同時に、ウエーハが個々のデバイスに分割されてしまうため、上記のような方法を採用することは困難である。そこで、先ダイシングを採用した場合のデバイスの裏面にボンディング剤となる、例えば、ダイボンド用樹脂を敷設する場合は、個々の半導体デバイスに分割した後、ウエーハから個々の半導体デバイスを取り出す前に、ウエーハの裏面全体にダイボンド用の樹脂フィルムを貼着し、ウエーハの表面の分離溝側からレーザー光線を照射するなどして、該フィルムを該半導体デバイスに対応させて分割することが試みられている（例えば、特許文献２を参照）。なお、分割予定ラインに沿って、デバイスの仕上がり厚さに相当する深さの分離溝を形成する方法としては、上記切削ブレードに限らず、エッチング等により形成することも可能である（例えば、特許文献３を参照）。
特開２０００−１８２９９５号公報 特開２００２−１１８０８１号公報 特開２００６−２９４９１３号公報
上記した先ダイシングを採用した場合のダイボンド用樹脂を敷設する方法では、半導体デバイスの分割とは別に、裏面に貼着されたダイボンド用の樹脂フィルムの切断が必要になり、比較的複雑な工程となるという問題が生じる。さらにいえば、ダイシング後に実行される裏面研削を終えて個々の半導体デバイスに分割された後のウエーハの分割予定ラインは、裏面研削時の研削グラインダーから加わる負荷により、分割前の分割予定ラインに対してその幅や位置が変化し直線性が損なわれる等の可能性があり、当該分割予定ラインに沿って物理的な加工手段により分割することが困難になる虞もある等、生産性が悪化するという問題がある。
本発明は、上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、いわゆる先ダイシングを採用する場合の半導体デバイスの裏面に対して、生産性を悪化させることなく、個々のデバイスに対してダイボンド用樹脂を敷設するウエーハの加工方法を提供することにある。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハの加工方法であって、
個々のデバイスに分割されたウエーハの表面に該表面を保護する保護部材が配設される保護部材配設工程と、
液状のダイボンド用樹脂をウエーハの裏面に塗布して固化させることによりダイボンド用の樹脂を個々のデバイスの裏面に敷設する樹脂敷設工程と、
裏面に該樹脂が敷設された該デバイスをウエーハから分離する分離工程と、
から少なくとも構成されるウエーハの加工方法が提供される。
該保護部材配設工程は、該保護部材を配設する前に該分割予定ラインに沿って、該デバイスの仕上がり厚みに相当する分離溝を形成する分離溝形成ステップと、該分離溝が形成された該ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着ステップと、該ウエーハを薄化して該分離溝を該ウエーハの裏面に表出させ、該ウエーハを個々のデバイスに分割する分割ステップと、から少なくとも構成されることが好ましい。
該分離溝形成ステップでは、切削ブレードを分割予定ラインに沿って切り込むことによって、ウエットエッチング、又はドライエッチングによって、レーザー光線を分割予定ラインに沿って照射することによって、のいずれかにより、デバイスの仕上がり厚みに相当する深さを備えた分離溝を形成することができる。
該分割ステップは、ウエーハの裏面を研削して薄化し分離溝をウエーハの裏面に表出させることが好ましい。
該樹脂敷設工程の後、該樹脂が敷設されたウエーハの裏面に粘着テープを貼着すると共に、該ウエーハを収容する開口を有するフレームで該粘着テープを介してウエーハを支持し、該ウエーハの表面から保護部材を除去する移し替え工程を実施し、該移し替え工程の実施後、該粘着テープからデバイスをピックアップして該分離工程を実施することが好ましい。
該樹脂敷設工程は、該ウエーハの裏面を露出させて回転可能なテーブルに保持する保持ステップと、該テーブルを回転させ、該液状樹脂を霧状にしてウエーハの裏面に塗布する塗布ステップと、該ウエーハの裏面に塗布された液状樹脂に外的刺激を付与して固化させることにより該樹脂をウエーハの裏面に敷設する敷設ステップと、から、少なくとも構成されることが好ましい。
該塗布ステップは、該液状樹脂を霧状にしてウエーハの裏面に塗布して個々のデバイスの裏面に薄膜層を形成し、その後、さらに該薄膜層に重ねて薄膜層を積層させて所望の厚みに仕上げることを含むことが好ましく、さらに、一度に塗布される当該薄膜層は３〜７μｍの厚さで形成されることが好ましい。
本発明によるウエーハの加工方法は、個々のデバイスに分割されたウエーハの表面に該表面全体を保護する保護部材が配設される保護部材配設工程と、液状のダイボンド用樹脂をウエーハの裏面に塗布して固化させることによりダイボンド用の樹脂を個々のデバイスの裏面に敷設する樹脂敷設工程と、裏面に該樹脂が敷設された該デバイスをウエーハから分離する分離工程と、から少なくとも構成されることにより、ダイボンド用の樹脂が液状状態で分割された個々のデバイスの裏面に塗布することが可能となり、個々のデバイスに対応して敷設される。よって、従来技術のように、先ダイシングにより個々のデバイスを得る場合であっても、別途レーザー光線を照射してＤＡＦをデバイスに対応して分割する等の工程を必要とせず、複雑な工程が不要となって生産性が向上する。
本発明によるウエーハの加工方法における分離溝形成ステップを実行するための切削装置の一部を示す斜視図、およびウエーハのＡ−Ａ断面図。 本発明によるウエーハの加工方法における保護部材を装着する工程を示す図。 本発明のウエーハの加工方法においてウエーハの裏面を研削してデバイスを分割する分割工程を示す図。 本発明のウエーハの加工方法の樹脂敷設工程において液状のダイボンド用樹脂を塗布する工程を示す図。 本発明のウエーハ加工方法の樹脂敷設工程において、液状のダイボンド用樹脂に紫外線を照射する工程を示す図。 本発明のウエーハ加工方法の移し替え工程において、保護部材を剥離する工程を示す図。 本発明のウエーハ加工方法において、デバイスをウエーハから分離する分離工程を示す図。
以下、本発明によるウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
（保護部材配設工程）
図１には、半導体ウエーハＷの表面側に形成された分割予定ラインに沿って、該デバイスの仕上がり厚みに相当する分離溝を形成する分離溝形成ステップが実行される状態が示されている。
図１（ａ）に示すように、上記分離溝形成ステップは、スピンドルユニット１０を備えた切削装置（装置全体の図示は省略）により実行される。該スピンドルユニット１０は、回転スピンドル１２の先端部に固定された切削ブレード１３を保持するスピンドルハウジング１１を備えている。所定の厚さ（例えば、７００μｍ）で形成された加工前の該半導体ウエーハＷの表面２０ａ側は、分割予定ラインにより複数の領域に区画されており、当該区画された各領域にデバイス２１が形成されている。回転スピンドル１２と共に高速回転させられた切削ブレード１３を、切削装置の保持テーブル（図示省略）に裏面側２０ｂ側が吸引保持された半導体ウエーハＷに対して下降させて切り込ませ、該保持テーブルと切削ブレード１３を加工送り方向に相対移動させることで、図１（ａ）のＡ−Ａ断面図として示す図１（ｂ）に示されるように、分割予定ラインに沿った該デバイスの仕上がり厚み（例えば、５０μｍ）に相当する深さで、所定の溝幅（例えば、３０μｍ）の分離溝２２を形成する。なお、図１（ｂ）は、説明の都合上分離溝２２を強調して記載したものであり、実際の寸法に従ったものではない。
該切削装置は、切削ブレード１３の切削方向に沿った加工送り方向、半導体ウエーハＷと並行で該加工送り方向と直交する割り出し送り方向、切削ブレード１３を半導体ウエーハＷに向けて上下動させる切り出し方向、いずれに対しても予め記憶されたプログラムに従って制御可能に構成されており、半導体ウエーハＷ上の分割予定ライン上のすべてに上記と同様な分離溝２２が形成され、該分離溝形成ステップが終了すると、切削装置の保持テーブルから半導体ウエーハＷが取り出される。なお、上記分離溝２２は、デバイスの仕上がり厚みに相当する深さに設定されるが、後述する研削装置により研削され、所望の仕上がり厚みに研削加工された際に、結果として個々のデバイスに分割されればよく、仕上がり厚みよりも若干深く設定することが可能である。
図２（ａ）に示すように、該分離溝形成ステップが終了し、取り出された半導体ウエーハＷの表面２０ａ側に対して、デバイス２１を保護するための保護部材である保護テープ２３が貼着され（保護部材貼着ステップ、図２（ｂ）を参照）、該半導体ウエーハＷを個々のデバイスに分割する分割ステップに移行する。
図３に基づいて、分割ステップについて説明する。図３（ａ）に示すように、保護テープ２３が貼着された半導体ウエーハＷは、研削装置に備えられたチャックテーブル３０上に該保護テープ２３側を下面に位置付けられ固定される。チャックテーブル３０は、図示しないモータにより回転可能に構成され、その上面部が微細な通気孔を有するポーラスセラミックスによって形成されており、図示しない吸引手段に連通されている。このように構成されたチャックテーブル３０は、図示しない吸引手段を作動することにより、該チャックテーブル３０の上面である保持面に載置された半導体ウエーハＷを吸引保持する。
研削装置のチャックテーブル３０の上方には、図示しないサーボモータにより駆動される回転スピンドル３１が備えられており、チャックテーブル３０の中心に対して偏心した位置に設定された回転スピンドル３１の下端には、マウンター３２が形成されている。マウンター３２には、チャックテーブル３０上に吸引保持された半導体ウエーハＷを研削するための研削ホイール３３がボルトにより強固に固定されている。該研削装置は、上記回転スピンドル３１とマウンター３２と研削ホイール３３と図示しないサーボモータにより構成された研削ユニットを上下方向である研削送り方向に移動するための研削送り手段を備えている。
上記研削送り手段により、チャックテーブル３０上に吸引保持された半導体ウエーハＷに対して研削ホイール３３が圧接させられる。この際、チャックテーブル３０は３００ｒｐｍ、研削ホイール３３は６０００ｒｐｍの回転速度で駆動され、下方に向けて１μｍ／秒の速度で研削送りされる。図示しない接触式又は非接触式の厚み測定ゲージで半導体ウエーハＷの厚みを測定しながら、半導体ウエーＷを所望の仕上がり厚み（５０μｍ）まで研削すると、図３（ｂ）に示されるように、上記した分離溝形成ステップにて形成していた分離溝２２が裏面側に表出し、結果として、半導体ウエーハＷが、個々のデバイス２１に分割される。このようにして個々のデバイス２１に分割されると、個々のデバイスに分割されたウエーハの表面に該表面を保護する保護部材が配設された状態となり、本発明の保護部材配設工程が終了する。
（樹脂敷設工程）
図４、５に基づいて、本発明の樹脂敷設工程について説明する。上記した保護部材配設工程が終了した後、図４に示すように、半導体ウエーハＷがチャックテーブル３０から取り出され、上記分割ステップにて研削された該半導体ウエーハＷの裏面側を上面にして、樹脂敷設装置（装置全体の図示は省略）の保持テーブル４０に表面側を保持させる保持ステップを実行する。当該保持テーブル４０も、上記チャックテーブル３０と同様の構成を有しており、図示しない吸引手段により吸引保持されると共に、図示しないサーボモータにより回転可能に構成されている。
上記保持ステップにより半導体ウエーハＷが保持テーブル４０に保持した後、当該塗布ステップが、樹脂敷設装置の保持テーブル４０近傍に設置される塗布ユニット５０により実行される。当該塗布ユニット５０は、保持テーブル４０上に保持された半導体ウエーハＷの上方に、その先端部５１ａが位置付けられるように延びる塗布ノズル５１と、後述する液状のダイボンド用樹脂（液状樹脂）と高圧エアーを混合して塗布ノズル５１側に供給する混合ユニット５２と、該塗布ユニット５０の塗布ノズル５１を半導体ウエーハＷの上面に沿って平行に揺動させる（図中矢印を参照）図示しないエアーモータを備えた揺動ユニット５３と、混合ユニット５２に高圧エアーを供給する高圧エアータンク５４と、混合ユニット５２にダイボンド用の液状樹脂を供給する液状樹脂タンク５５により構成されている。
該高圧エアータンク５４には、図示しないエアポンプとリリーフバルブが備えられ、作動中は該タンク内が常に一定の圧力（例えば、０．３ＭＰａ）になるように制御されており、必要に応じて混合ユニット５２に向けて高圧エアーを供給可能に構成されている。また、液状樹脂タンク５５には、定常では液状状態を維持し、外的刺激を与えることにより固化し、ボンディング剤として機能するダイボンド用の樹脂が充填されており、内蔵されたポンプにより一定圧力で混合ユニット５２に向けて供給可能に構成されている。なお、当該ダイボンド用の液状樹脂としては、外的刺激として紫外線を照射することにより固化する紫外線硬化型接着剤を採用する。当該紫外線硬化型接着剤としては、例えば、Ｈｏｎｇｈｏｗ Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｉｎｃ．製の商品名「ＨＰ２０ＶＬ」又は「ＳＴ２０ＶＬ」を採用できる。なお、他にも外的刺激として所定の熱を付加することにより固化する銀充てんエポキシ樹脂接着剤、例えば、Ａｂｌｅｓｔｉｋ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ製の商品名「Ａｂｌｅｂｏｎｄ ８２００ｃ」等を使用可能である。
混合ユニット５２内には、上記高圧エアーが通過する図示しないくびれ部が設けられており、当該くびれ部に対して直交する方向から上記液状樹脂が細管により供給可能になっている。塗布ノズル５１の先端部５１ａから該液状樹脂を噴霧する場合は、高圧エアータンク５４から高圧エアーを、該液状樹脂タンク５５から液状樹脂を供給し、混合ユニット５２内の該くびれ部を高圧エアーが通過する際に、ベンチュリ効果により細管から液状樹脂が吸い出されると共に微粒化され、塗布ノズル５１の先端部５１ａから半導体ウエーハＷの裏面に向けて霧状に噴射可能に構成されている。なお、当該混合ユニット５２の構造はこれに限定されない。一般的によく知られた塗装用具として用いられるエアーブラシ等の構成をそのまま適用することが可能である。
上記塗布ノズル５１から半導体ウエーハＷの裏面に向けて該液状樹脂を噴霧する塗布ステップについてさらに説明する。上記した保持ステップにより半導体ウエーハＷが保持テーブル４０上に保持されると、上記塗布ユニット５０がスタンバイ状態にセットされる。この際、塗布ノズル５１の先端部５１ａは、半導体ウエーハＷの上方に位置しない近傍にセットされる。これは、噴霧開始時に大きい粒径の液状樹脂が半導体ウエーハＷ上に滴下しないようにするためである。該塗布ノズル５１から液状樹脂を噴霧させる場合、まず保持テーブル４０が、例えば５００ｒｐｍの速度で回転を開始する。次に高圧エアー５４から高圧エアーの供給を開始し、その後、液状樹脂タンク５５から液状樹脂の供給を開始する。そして、塗布ノズル５１の先端部５１ａが半導体ウエーハＷの上方にない状態で、先端部５１ａからの噴霧が開始された後に、揺動ユニット５３の駆動が開始される。つまり、半導体ウエーハＷが上記速度で回転しながら、その上を、該揺動ユニット５３により駆動される塗布ノズル５１の先端部５１ａが、往復動させられる。そして、揺動ユニット５３により、塗布ノズル５１が設定回数だけ（例えば５往復）往復動したならば、塗布ノズル５１の先端部５１ａが半導体ウエーハＷ上にないスタンバイ状態に戻され、液状樹脂の供給、高圧エアーの供給が停止され、保持テーブル４０の回転も停止する。また、一度に大量に噴霧することなく、上記したように一回の塗布処理を５往復に限定することで、液状樹脂によって形成される薄膜層を３〜７μｍになるようにしている。
上記した一回目の塗布処理を行った後、半導体ウエーハＷの個々のデバイス上に噴霧された液状のダイボンド用の樹脂が安定する時間をおき（例えば、３０秒程度）、再度、上記と同様の液状樹脂を塗布する処理を実行して、さらに液状樹脂の薄膜層を形成する。当該薄膜層を形成する塗布処理の回数は、後述する敷設ステップにより固化された結果、該ダイボンド用樹脂の最終的な厚さが１０〜５０μｍとなるような回数だけ実行されればよい。所定の塗布処理の回数が実行されることで、該塗布ステップが終了する。
該塗布ステップが完了した後、図５に示すように、液状の該ダイボンド用樹脂が塗布された面に対して、外的刺激を付加する手段としての紫外線照射手段１００により紫外線を照射し固化することで、該半導体ウエーハＷの個々のデバイス２１の裏面に、該ダイボンド用樹脂層６０を得ることができる（敷設ステップ）。以上、保持ステップ〜敷設ステップを実行することで、樹脂敷設工程が終了する。なお、液状のダイボンド用樹脂として熱硬化型樹脂を採用した場合は、上記紫外線の照射に替えて、ヒータ等による加熱を実行して該液状樹脂を固化し、個々のデバイス２１の裏面に、該ダイボンド用樹脂層６０を得る。
上記のように、半導体ウエーハＷの裏面上にダイボンド用の樹脂を液状で塗布して固化する構成を採用することにより、個々のデバイス間に存在している分離溝形成工程にて形成された３０μｍ幅の分離溝幅内にダイボンド用樹脂を流入させることなく、デバイス２１の裏面のみに留めること、すなわち先ダイシングによる個々のデバイスに分割した後にダイボンド用樹脂を個々のデバイスに対応させて分割する工程が必要のない状態で該樹脂を敷設することが可能となる。
（移し替え工程）
上記した樹脂敷設工程が終了した後、移し替え工程を実施する。上記したように、該樹脂敷設工程が終了した半導体ウエーハＷは、分離溝２２にダイボンド用樹脂が侵入しておらず、個々のデバイス２１は、保護テープ２３のみにより連結されている状態である。ここで、当該半導体ウエーハＷを、上記樹脂敷設装置の保持テーブル４０から取り外し、図６に示すように、環状のフレームＦの内側開口部を覆うように外周部が装着された伸縮性に優れた粘着テープＴの表面に、半導体デバイスＷの裏面、すなわち上記ダイボンド用樹脂層６０が形成された面を貼着し、表面側を保護すべく貼着されていた保護テープ２３を剥離し、移し替え工程が終了する。
（分離工程）
上記移し替え工程が終了すると、裏面に該樹脂が敷設された該デバイスをウエーハから分離する分離工程を実施する。該分離工程は、図７にその一部を示す分離装置７０にて実施されるものであり、該分離装置７０は、フレーム保持部材７１と、その上面部に環状フレームＦを載置して上記環状のフレームＦを保持するクランプ７２と、該クランプ７２により保持された環状のフレームＦに装着された半導体ウエーハＷを拡張するための少なくとも上方が開口した円筒形状からなる拡張ドラム７３とを備えている。フレーム保持部材７１は、拡張ドラム７３を囲むように設置された複数のエアシリンダ７２３ａと、エアシリンダ７２３ａから延びるピストンロッド７２３ｂとから構成される支持手段７２３により昇降可能に支持されている。
該拡張ドラム７３は、環状のフレームＦの内径よりも小さく、環状のフレームＦのフレームＦに装着された粘着テープＴに貼着される半導体ウエーハＷの外径よりも大きく設定されている。ここで、図７に示すように、分離装置７０は、フレーム保持部材７１と、拡張ドラム７３の上面部が略同一の高さになる位置（実線で示す）と、支持手段７２３の作用によりフレーム保持部材７１が下降させられ、拡張ドラム７３の上端部が、フレーム保持部材７１の上端部よりも高くなる位置（点線で示す）とすることができる。
上記フレーム保持部材７１を下降させて、拡張ドラム７３の上端を、点線で示す位置から、実線で示すフレーム保持部材７１よりも高い位置となるように相対的に変化させると、環状のフレームＦに装着された粘着テープＴは拡張ドラム７３の上端縁に接して拡張させられる。この結果、粘着テープＴに貼着されている半導体ウエーハＷには放射状に引張力が作用するため、予め分離溝２２に沿って分割されている個々のデバイス２１同士の間隔が広げられる。そして、個々のデバイス２１同士の間隔が広げられた状態で、ピックアップコレット７４を作動させてすでに分割されているデバイス２１を吸着し、粘着テープＴから剥離してピックアップし、図示しないトレー、又はリードフレームにデバイス２１を接着するダイボンディング工程に搬送する。以上により、分離工程が終了し、本発明によるウエーハの加工方法が完了する。
上記した保護部材配設工程の一部を構成する分離溝形成ステップでは、分離溝を形成するために、回転スピンドルの先端部に設けられた切削ブレードを回転させて半導体ウエーハの表面に圧接して加工することにより形成する例を示したが、分離溝を形成する方法は、これに限定されず、種々の方法を取ることが可能である。例えば、特許文献３に示されているような、プラズマによりガスをイオン化・ラジカル化してエッチングする反応性イオンエッチング等のドライエッチング、あるいは、ウエーハの材料に応じて選択される種々の液体を用いるウエットエッチングを採用することが可能である。また、他の方法としては、ウエーハの表面に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を用いたレーザー加工により形成することもできる。
上記したように、樹脂敷設工程で実施されるダイボンド用樹脂を塗布する際、液状のダイボンド用樹脂を半導体ウエーハ裏面側に噴射するが、その際の高圧エアーの圧力、液状樹脂タンクからの供給量、あるいは混合ユニットにおける混合割合は、噴霧した液状樹脂の粒径が細かく、時間当たりの噴霧量が少ない方が好ましい。粒径が大きすぎたり、時間当たりの噴霧量が多すぎたりすると、塗布された液状樹脂が裏面から表出した分離溝内に進入し埋めてしまい、上記した従来技術と同様に別途分割する工程が必要になるおそれがある。よって、時間当りの液状樹脂の供給量や、噴霧の粒径などに影響のある高圧エアーの圧力の条件は、該分離溝の溝幅、液状樹脂の粘度等を考慮して、液状樹脂が該分離溝に入り込まない程度の条件を選択すればよい。
１０：スピンドルユニット
１１：スピンドルハウジング
１２：回転スピンドル
１３：切削ブレード
２１：デバイス
２２：分離溝
２３：保護テープ（保護部材）
３０：チャックテーブル
３３：研削ホイール
５０：塗布ユニット
５１：塗布ノズル
５２：混合ユニット
５３：揺動ユニット
５４：高圧エアータンク
５５：液体樹脂タンク
６０：ダイボンド用樹脂層
７０：分離装置
７１：フレーム保持部材
７２：クランプ
７３：拡張ドラム
７２０：支持手段

Claims (10)

  1. 複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハの加工方法であって、
    個々のデバイスに分割されたウエーハの表面に該表面を保護する保護部材が配設される保護部材配設工程と、
    液状のダイボンド用樹脂をウエーハの裏面に塗布して固化させることによりダイボンド用の樹脂を個々のデバイスの裏面に敷設する樹脂敷設工程と、
    裏面に該樹脂が敷設された該デバイスをウエーハから分離する分離工程と、
    から少なくとも構成されるウエーハの加工方法。
  2. 該保護部材配設工程は、
    該保護部材を配設する前に該分割予定ラインに沿って、該デバイスの仕上がり厚みに相当する分離溝を形成する分離溝形成ステップと、
    該分離溝が形成された該ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着ステップと、
    該ウエーハを薄化して該分離溝を該ウエーハの裏面に表出させ、該ウエーハを個々のデバイスに分割する分割ステップと、
    から少なくとも構成される請求項１記載のウエーハの加工方法。
  3. 該分離溝形成ステップは、切削ブレードを分割予定ラインに沿って切り込み、デバイスの仕上がり厚みに相当する深さを備えた分離溝を形成する、請求項２に記載のウエーハの加工方法。
  4. 該分離溝形成ステップは、ウエットエッチング、又はドライエッチングによって分割予定ラインに該デバイスの仕上がり厚みに相当する深さの分離溝を形成する請求項２に記載のウエーハの加工方法。
  5. 該分離溝形成ステップは、レーザー光線を分割予定ラインに沿って照射し、該デバイスの仕上がり厚みに相当する深さの分離溝を形成するフレーム請求項２に記載のウエーハの加工方法。
  6. 該分割ステップは、ウエーハの裏面を研削して薄化し分離溝をウエーハの裏面に表出させる請求項２ないし５のいずれかに記載のウエーハの加工方法。
  7. 該樹脂敷設工程の後、該樹脂が敷設されたウエーハの裏面に粘着テープを貼着すると共に、該ウエーハを収容する開口を有するフレームで該粘着テープを介してウエーハを支持し、該ウエーハの表面から保護部材を除去する移し替え工程を実施し、
    該移し替え工程の実施後、該粘着テープからデバイスをピックアップして該分離工程を実施する、請求項１ないし６のいずれかに記載のウエーハの加工方法。
  8. 該樹脂敷設工程は、
    該ウエーハの裏面を露出させて回転可能なテーブルに保持する保持ステップと、
    該テーブルを回転させ、該液状樹脂を霧状にしてウエーハの裏面に塗布する塗布ステップと、
    該ウエーハの裏面に塗布された液状樹脂に外的刺激を付与して固化させることにより該樹脂をウエーハの裏面に敷設する敷設ステップと、
    から、少なくとも構成される請求項１ないし７のいずれかに記載のウエーハの加工方法。
  9. 該塗布ステップは、
    該液状樹脂を霧状にしてウエーハの裏面に塗布して個々のデバイスの裏面に薄膜層を形成し、その後、さらに該薄膜層に重ねて薄膜層を積層させて所望の厚みに仕上げることを含む、請求項８に記載されたウエーハの加工方法。
  10. 該塗布ステップにおける該薄膜層の一度に形成される厚みが、３〜７μｍである請求項９に記載されたウエーハの加工方法。
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MYPI2016702824A MY180537A (en) 2015-08-21 2016-08-03 Wafer processing method using adhesive tape to pick up device chips
KR1020160101242A KR20170022881A (ko) 2015-08-21 2016-08-09 웨이퍼의 가공 방법
US15/234,587 US9716040B2 (en) 2015-08-21 2016-08-11 Wafer processing method using adhesive tape to pick up device chips
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018182115A (ja) * 2017-04-17 2018-11-15 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2018206795A (ja) * 2017-05-30 2018-12-27 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2019087673A (ja) * 2017-11-08 2019-06-06 株式会社ディスコ ダイボンド用樹脂層形成装置
JP2019133997A (ja) * 2018-01-29 2019-08-08 株式会社ディスコ ダイボンド用樹脂の敷設方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017168736A (ja) * 2016-03-17 2017-09-21 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
US20170287768A1 (en) * 2016-03-29 2017-10-05 Veeco Precision Surface Processing Llc Apparatus and Method to Improve Plasma Dicing and Backmetal Cleaving Process
JP6738687B2 (ja) * 2016-08-25 2020-08-12 株式会社ディスコ パッケージウエーハの加工方法
JP2018125479A (ja) * 2017-02-03 2018-08-09 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6766758B2 (ja) 2017-06-15 2020-10-14 株式会社デンソー 半導体装置およびその製造方法
US10685863B2 (en) * 2018-04-27 2020-06-16 Semiconductor Components Industries, Llc Wafer thinning systems and related methods
KR20200008246A (ko) * 2018-07-16 2020-01-28 삼성전자주식회사 기판 본딩용 진공척, 이를 포함하는 기판 본딩 장치 및 이를 이용한 기판 본딩 방법
KR102617347B1 (ko) * 2018-10-04 2023-12-26 삼성전자주식회사 다이 이젝터 및 상기 다이 이젝터를 포함하는 다이 공급 장치
US11552040B2 (en) * 2020-07-21 2023-01-10 Western Digital Technologies, Inc. Package process, DAF replacement
US20220181208A1 (en) * 2020-12-03 2022-06-09 Western Digital Technologies, Inc. Semiconductor device with reduced stress die pick and place

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005050914A (ja) * 2003-07-30 2005-02-24 Sharp Corp 半導体装置の製造方法
JP2008270282A (ja) * 2007-04-16 2008-11-06 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP2011233576A (ja) * 2010-04-23 2011-11-17 Shibaura Mechatronics Corp 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法
JP2012164739A (ja) * 2011-02-04 2012-08-30 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP2013531889A (ja) * 2010-06-08 2013-08-08 ヘンケル コーポレイション 先ダイシング法を行う微細加工されたウェーハへの接着剤の被覆

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000182995A (ja) 1998-12-14 2000-06-30 Mitsumi Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP4109823B2 (ja) 2000-10-10 2008-07-02 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US6908784B1 (en) * 2002-03-06 2005-06-21 Micron Technology, Inc. Method for fabricating encapsulated semiconductor components
JP2006196701A (ja) * 2005-01-13 2006-07-27 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2006294913A (ja) 2005-04-12 2006-10-26 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの分割方法
JP2009231629A (ja) * 2008-03-24 2009-10-08 Sekisui Chem Co Ltd 半導体ウエハの加工方法
JP2010183014A (ja) * 2009-02-09 2010-08-19 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP2011233711A (ja) * 2010-04-27 2011-11-17 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP5600035B2 (ja) * 2010-06-30 2014-10-01 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
JP2013008831A (ja) * 2011-06-24 2013-01-10 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP2014120494A (ja) * 2012-12-13 2014-06-30 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP6219565B2 (ja) * 2012-12-26 2017-10-25 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6110136B2 (ja) * 2012-12-28 2017-04-05 株式会社ディスコ ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005050914A (ja) * 2003-07-30 2005-02-24 Sharp Corp 半導体装置の製造方法
JP2008270282A (ja) * 2007-04-16 2008-11-06 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP2011233576A (ja) * 2010-04-23 2011-11-17 Shibaura Mechatronics Corp 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法
JP2013531889A (ja) * 2010-06-08 2013-08-08 ヘンケル コーポレイション 先ダイシング法を行う微細加工されたウェーハへの接着剤の被覆
JP2012164739A (ja) * 2011-02-04 2012-08-30 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018182115A (ja) * 2017-04-17 2018-11-15 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2018206795A (ja) * 2017-05-30 2018-12-27 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2019087673A (ja) * 2017-11-08 2019-06-06 株式会社ディスコ ダイボンド用樹脂層形成装置
JP7062330B2 (ja) 2017-11-08 2022-05-06 株式会社ディスコ ダイボンド用樹脂層形成装置
JP2019133997A (ja) * 2018-01-29 2019-08-08 株式会社ディスコ ダイボンド用樹脂の敷設方法
JP6994965B2 (ja) 2018-01-29 2022-02-04 株式会社ディスコ ダイボンド用樹脂の敷設方法

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