JP5987105B2 - Itoスパッタリングターゲット及びその製造方法 - Google Patents
Itoスパッタリングターゲット及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5987105B2 JP5987105B2 JP2015508113A JP2015508113A JP5987105B2 JP 5987105 B2 JP5987105 B2 JP 5987105B2 JP 2015508113 A JP2015508113 A JP 2015508113A JP 2015508113 A JP2015508113 A JP 2015508113A JP 5987105 B2 JP5987105 B2 JP 5987105B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- bulk resistivity
- difference
- result
- resistivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/453—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zinc, tin, or bismuth oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. zincates, stannates or bismuthates
- C04B35/457—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zinc, tin, or bismuth oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. zincates, stannates or bismuthates based on tin oxides or stannates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3286—Gallium oxides, gallates, indium oxides, indates, thallium oxides, thallates or oxide forming salts thereof, e.g. zinc gallate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3293—Tin oxides, stannates or oxide forming salts thereof, e.g. indium tin oxide [ITO]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
- C04B2235/54—Particle size related information
- C04B2235/5409—Particle size related information expressed by specific surface values
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
- C04B2235/54—Particle size related information
- C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
- C04B2235/5436—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof micrometer sized, i.e. from 1 to 100 micron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
- C04B2235/6565—Cooling rate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
- C04B2235/6583—Oxygen containing atmosphere, e.g. with changing oxygen pressures
- C04B2235/6585—Oxygen containing atmosphere, e.g. with changing oxygen pressures at an oxygen percentage above that of air
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
この特許は、スパッタリング時に異常放電やノジュ−ルを発生することが殆どない上にガスの吸着も極力少なく、そのため良好な成膜作業下で品質の高いITO膜を安定して得ることのできるITO焼結タ−ゲットを実現することができるという、当時としては画期的な発明と言える。
しかし、このような酸化錫粉末を使用して、従来よりも多くの酸化錫を含有するITOターゲットを製造した場合は、焼結体内部にマクロポア及びマイクロクラックが発生して、焼結体の加工中や加工終了後の保管中に、割れやひびが発生することがあった。そして、それらはターゲットとしての製品の出荷に影響を及ぼすことがあった。
一般に、ターゲットとして使用される板状の焼結体では、この濃度分布はターゲットの厚み方向に発生する。また、この濃度分布は焼結温度パターン、および雰囲気の酸素分圧に依存する。
従って、スパッタガスの最適酸素分圧は、ターゲットがエロージョンされスパッタ表面が内部になるに従い、変化していく。言い換えれば、スパッタガスの酸素分圧が一定の場合、スパッタ時間に伴い膜特性が変化することになる。
1)インジウム(In)、錫(Sn)、酸素(O)、不可避的不純物からなる焼結体であって、錫(Sn)の含有量が(原子組成比:at.%)が0.3以上14.5at.%以下である焼結体ITOスパッタリングターゲットであって、バルク抵抗率が0.1mΩ・cm〜1.4mΩ・cmであり、ターゲットの厚さをtとした場合、厚さtのバルク抵抗率と板厚方向の任意の地点でのバルク抵抗率について、その差異が20%以下であることを特徴とするITOスパッタリングターゲット、を提供する。
なお、製造されたターゲットは基本的にターゲットの厚み中心部が最低バルク抵抗率となり、中心部を過ぎるとバルク抵抗率が上昇し、裏面は表面とほぼ同じバルク抵抗率になる。従って、ターゲットの加工の際に表面を研削した場合であっても、裏面までの厚みには、少なくとも元の厚みの中心の最低バルク抵抗率が存在することになる。
5)また、本発明はターゲットの厚さをtとした場合、厚さtのバルク抵抗率と板厚方向の任意の地点でのバルク抵抗率について、その差異を15%以下とすることを特徴とする上記3)又は4)に記載のITOスパッタリングターゲットの製造方法、を提供する。
このようなターゲットを使用することにより、液晶テレビやプラズマテレビだけでなく、静電容量式及び抵抗膜式タッチパネルなどに好適な、スパッタリング初期から終了時にかけて、膜特性の変化が少ないITOスパッタリングターゲットを提供することができる。
降温時冷却中の雰囲気を大気雰囲気(酸素分圧比30%未満)とし、前記焼結時の最高温度から1000℃までの平均冷却速度を0.1〜3.0℃/minとする。
すなわち、インジウム(In)、錫(Sn)、酸素(O)、不可避的不純物からなる焼結体であって、錫(Sn)の含有量が(原子組成比:at.%)が0.3以上14.5at.%以下からなる焼結体ITOスパッタリングターゲットにおいて、バルク抵抗率が0.1mΩ・cm〜1.4mΩ・cmであるときに、ターゲットの厚さをtとした場合、厚さtのバルク抵抗率と板厚方向の任意の地点でのバルク抵抗率について、その差異を20%以内、さらには15%以内とすることができる。
次に、無酸素銅製のバッキングプレートを200°Cに設定したホットプレート上に設置し、インジウムをロウ材として使用し、その厚みが約0.2mmとなるように塗布した。このバッキングプレート上に、ITO焼結体を接合させ、室温まで放置冷却した。
下記に、実施例及び比較例に基づいて本発明を説明する。
錫(Sn)の含有量が(原子組成比:at.%)3.7at.%とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度1560℃から1000℃までの降温時平均冷却速度を0.5℃/minとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比30%未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が0.142mΩ・cmで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が0.130mΩ・cmであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が8%であった。
また、図1のように調査した結果、最大で12%の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も1.3%と変動が小さかった。この結果を、表1に示す。
錫(Sn)の含有量が(原子組成比:at.%)3.7at.%とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度1560℃から1000℃までの降温時平均冷却速度を1.0℃/minとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比30%未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が0.138mΩ・cmでターゲットライフ後期のバルク抵抗率が0.125mΩ・cmであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が9%であった。
また、図1のように調査した結果、最大で13%の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も0.6%と変動が小さかった。この結果を、同様に表1に示す。
錫(Sn)の含有量が(原子組成比:at.%)3.7at.%とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度1560℃から1000℃までの降温時平均冷却速度を1.5℃/minとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比30%未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が0.135mΩ・cmでターゲットライフ後期のバルク抵抗率が0.121mΩ・cmであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が10%であった。
また、図1のように調査した結果、最大で15%の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も2.5%と変動が小さかった。
錫(Sn)の含有量が(原子組成比:at.%)3.7at.%とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度1560℃から1000℃までの降温時平均冷却速度を2.0℃/minとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比30%未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が0.134mΩ・cmでターゲットライフ後期のバルク抵抗率が0.119mΩ・cmであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が11%であった。
また、図1のように調査した結果、最大で17%の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も1.2%と変動が小さかった。この結果を、同様に表1に示す。
錫(Sn)の含有量が(原子組成比:at.%)3.7at.%とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度1560℃から1000℃までの降温時平均冷却速度を2.5℃/minとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比30%未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が0.132mΩ・cmでターゲットライフ後期のバルク抵抗率が0.118mΩ・cmであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が11%であった。
また、図1のように調査した結果、最大で14%の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も2.4%と変動が小さかった。この結果を、同様に表1に示す。
錫(Sn)の含有量が(原子組成比:at.%)3.7at.%とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度1560℃から1000℃までの降温時平均冷却速度を3.0℃/minとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比30%未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が0.130mΩ・cmでターゲットライフ後期のバルク抵抗率が0.116mΩ・cmであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が11%であった。
また、図1のように調査した結果、最大で13%の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も3.5%と変動が小さかった。この結果を、同様に表1に示す。
錫(Sn)の含有量が(原子組成比:at.%)3.7at.%とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度1560℃から1000℃までの降温時平均冷却速度を0.05℃/minとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比30%未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が0.163mΩ・cmでターゲットライフ後期のバルク抵抗率が0.130mΩ・cmであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が20%であった。
また、図1のように調査した結果、最大で25%の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も10.4%と大きく変動していた。この結果を、同様に表1に示す。
錫(Sn)の含有量が(原子組成比:at.%)3.7at.%とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度1560℃から1000℃までの降温時平均冷却速度を5.0℃/minとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比30%未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が0.131mΩ・cmでターゲットライフ後期のバルク抵抗率が0.106mΩ・cmであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が19%であった。
また、図1のように調査した結果、最大で24%の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も9.4%と大きく変動していた。この結果を、同様に表1に示す。
錫(Sn)の含有量が(原子組成比:at.%)3.7at.%とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度1560℃から1000℃までの降温時平均冷却速度を1.0℃/minとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比30%以上とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が0.160mΩ・cmでターゲットライフ後期のバルク抵抗率が0.130mΩ・cmであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が19%であった。
また、図1のように調査した結果、最大で23%の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も10.0%と大きく変動していた。この結果を、同様に表1に示す。
錫(Sn)の含有量が(原子組成比:at.%)3.7at.%とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度1560℃から1000℃までの降温時平均冷却速度を3.0℃/minとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比30%以上とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が0.152mΩ・cmでターゲットライフ後期のバルク抵抗率が0.123mΩ・cmであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が19%であった。
また、図1のように調査した結果、最大で24%の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も11.7%と大きく変動していた。この結果を、同様に表1に示す。
錫(Sn)の含有量が(原子組成比:at.%)0.4at.%とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度1560℃から1000℃までの降温時平均冷却速度を1.0℃/minとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比30%未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が0.250mΩ・cmで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が0.230mΩ・cmであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が8%であった。
また、図1のように調査した結果、最大で10%の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も4.4%と変動が小さかった。この結果を、表1に示す。
錫(Sn)の含有量が(原子組成比:at.%)0.4at.%とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度1560℃から1000℃までの降温時平均冷却速度を3.0℃/minとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比30%未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が0.231mΩ・cmで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が0.209mΩ・cmであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が10%であった。
また、図1のように調査した結果、最大で12%の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も1.6%と変動が小さかった。この結果を、表1に示す。
錫(Sn)の含有量が(原子組成比:at.%)1.1at.%とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度1560℃から1000℃までの降温時平均冷却速度を1.0℃/minとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比30%未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が0.121mΩ・cmで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が0.109mΩ・cmであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が10%であった。
また、図1のように調査した結果、最大で11%の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も4.5%と変動が小さかった。この結果を、表1に示す。
錫(Sn)の含有量が(原子組成比:at.%)1.1at.%とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度1560℃から1000℃までの降温時平均冷却速度を3.0℃/minとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比30%未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が0.113mΩ・cmで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が0.101mΩ・cmであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が11%であった。
また、図1のように調査した結果、最大で14%の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も2.2%と変動が小さかった。この結果を、表1に示す。
錫(Sn)の含有量が(原子組成比:at.%)1.8at.%とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度1560℃から1000℃までの降温時平均冷却速度を1.0℃/minとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比30%未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が0.119mΩ・cmで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が0.109mΩ・cmであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が8%であった。
また、図1のように調査した結果、最大で9%の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も3.2%と変動が小さかった。この結果を、表1に示す。
錫(Sn)の含有量が(原子組成比:at.%)1.8at.%とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度1560℃から1000℃までの降温時平均冷却速度を3.0℃/minとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比30%未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が0.110mΩ・cmで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が0.100mΩ・cmであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が9%であった。
また、図1のように調査した結果、最大で11%の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も1.6%と変動が小さかった。この結果を、表1に示す。
錫(Sn)の含有量が(原子組成比:at.%)5.4at.%とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度1560℃から1000℃までの降温時平均冷却速度を1.0℃/minとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比30%未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が0.176mΩ・cmで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が0.161mΩ・cmであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が9%であった。
また、図1のように調査した結果、最大で11%の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も2.4%と変動が小さかった。この結果を、表1に示す。
錫(Sn)の含有量が(原子組成比:at.%)5.4at.%とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度1560℃から1000℃までの降温時平均冷却速度を3.0℃/minとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比30%未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が0.167mΩ・cmで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が0.155mΩ・cmであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が7%であった。
また、図1のように調査した結果、最大で9%の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も4.2%と変動が小さかった。この結果を、表1に示す。
錫(Sn)の含有量が(原子組成比:at.%)7.2at.%とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度1560℃から1000℃までの降温時平均冷却速度を1.0℃/minとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比30%未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が0.220mΩ・cmで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が0.200mΩ・cmであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が9%であった。
また、図1のように調査した結果、最大で12%の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も3.5%と変動が小さかった。この結果を、表1に示す。
錫(Sn)の含有量が(原子組成比:at.%)7.2at.%とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度1560℃から1000℃までの降温時平均冷却速度を3.0℃/minとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比30%未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が0.200mΩ・cmで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が0.180mΩ・cmであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が10%であった。
また、図1のように調査した結果、最大で11%の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も2.1%と変動が小さかった。この結果を、表1に示す。
錫(Sn)の含有量が(原子組成比:at.%)12.8at.%とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度1560℃から1000℃までの降温時平均冷却速度を1.0℃/minとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比30%未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が1.302mΩ・cmで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が1.172mΩ・cmであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が10%であった。
また、図1のように調査した結果、最大で12%の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も3.3%と変動が小さかった。この結果を、表1に示す。
錫(Sn)の含有量が(原子組成比:at.%)12.8at.%とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度1560℃から1000℃までの降温時平均冷却速度を3.0℃/minとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比30%未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が1.251mΩ・cmで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が1.151mΩ・cmであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が8%であった。
また、図1のように調査した結果、最大で10%の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も2.1%と変動が小さかった。この結果を、表1に示す。
錫(Sn)の含有量が(原子組成比:at.%)0.4at.%とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度1560℃から1000℃までの降温時平均冷却速度を0.05℃/minとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比30%未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が0.277mΩ・cmで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が0.228mΩ・cmであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が18%であった。
また、図1のように調査した結果、最大で22%の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も9.9%と大きく変動していた。この結果を、表1に示す。
錫(Sn)の含有量が(原子組成比:at.%)0.4at.%とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度1560℃から1000℃までの降温時平均冷却速度を5.0℃/minとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比30%未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が0.228mΩ・cmで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が0.187mΩ・cmであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が18%であった。
また、図1のように調査した結果、最大で23%の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も10.3%と変動と大きく変動していた。この結果を、表1に示す。
錫(Sn)の含有量が(原子組成比:at.%)1.1at.%とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度1560℃から1000℃までの降温時平均冷却速度を0.05℃/minとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比30%未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が0.131mΩ・cmで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が0.105mΩ・cmであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が20%であった。
また、図1のように調査した結果、最大で25%の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も10.8%と大きく変動していた。この結果を、表1に示す。
錫(Sn)の含有量が(原子組成比:at.%)1.1at.%とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度1560℃から1000℃までの降温時平均冷却速度を5.0℃/minとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比30%未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が0.105mΩ・cmで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が0.085mΩ・cmであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が19%であった。
また、図1のように調査した結果、最大で21%の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も11.1%と大きく変動していた。この結果を、表1に示す。
錫(Sn)の含有量が(原子組成比:at.%)1.8at.%とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度1560℃から1000℃までの降温時平均冷却速度を0.05℃/minとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比30%未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が0.129mΩ・cmで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が0.104mΩ・cmであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が19%であった。
また、図1のように調査した結果、最大で22%の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も7.4%と大きく変動していた。この結果を、表1に示す。
錫(Sn)の含有量が(原子組成比:at.%)1.8at.%とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度1560℃から1000℃までの降温時平均冷却速度を5.0℃/minとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比30%未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が0.101mΩ・cmで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が0.083mΩ・cmであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が18%であった。
また、図1のように調査した結果、最大で22%の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も10.7%と大きく変動していた。この結果を、表1に示す。
錫(Sn)の含有量が(原子組成比:at.%)5.4at.%とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度1560℃から1000℃までの降温時平均冷却速度を0.05℃/minとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比30%未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が0.191mΩ・cmで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が0.155mΩ・cmであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が19%であった。
また、図1のように調査した結果、最大で24%の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も9.0%と大きく変動していた。この結果を、表1に示す。
錫(Sn)の含有量が(原子組成比:at.%)5.4at.%とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度1560℃から1000℃までの降温時平均冷却速度を5.0℃/minとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比30%未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が0.160mΩ・cmで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が0.128mΩ・cmであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が20%であった。
また、図1のように調査した結果、最大で22%の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も12.3%と大きく変動していた。この結果を、表1に示す。
錫(Sn)の含有量が(原子組成比:at.%)7.2at.%とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度1560℃から1000℃までの降温時平均冷却速度を0.05℃/minとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比30%未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が0.259mΩ・cmで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が0.213mΩ・cmであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が18%であった。
また、図1のように調査した結果、最大で23%の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も13.8%と大きく変動していた。この結果を、表1に示す。
錫(Sn)の含有量が(原子組成比:at.%)7.2at.%とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度1560℃から1000℃までの降温時平均冷却速度を5.0℃/minとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比30%未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が0.184mΩ・cmで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が0.142mΩ・cmであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が23%であった。
また、図1のように調査した結果、最大で26%の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も7.9%と大きく変動していた。この結果を、表1に示す。
錫(Sn)の含有量が(原子組成比:at.%)12.8at.%とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度1560℃から1000℃までの降温時平均冷却速度を0.05℃/minとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比30%未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が1.355mΩ・cmで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が1.070mΩ・cmであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が21%であった。
また、図1のように調査した結果、最大で25%の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も10.3%と大きく変動していた。この結果を、表1に示す。
錫(Sn)の含有量が(原子組成比:at.%)12.8at.%とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度1560℃から1000℃までの降温時平均冷却速度を5.0℃/minとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比30%未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が1.259mΩ・cmで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が0.944mΩ・cmであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が25%であった。
また、図1のように調査した結果、最大で30%の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も9.5%と大きく変動していた。この結果を、表1に示す。
Claims (5)
- インジウム(In)、錫(Sn)、酸素(O)、不可避的不純物からなる焼結体であって、錫(Sn)の含有量が(原子組成比:at.%)が0.3以上14.5at.%以下であり、バルク抵抗率が0.1mΩ・cm〜1.4mΩ・cmであり、ターゲットの厚さをtとした場合、厚さtのバルク抵抗率と板厚方向の任意の地点でのバルク抵抗率について、その差異が20%以下であり、さらに相対密度が90%以上であることを特徴とするITOスパッタリングターゲット。
- ターゲットの厚さをtとした場合、厚さtのバルク抵抗率と板厚方向の任意の地点でのバルク抵抗率について、その差異が15%以下であることを特徴とする請求項1に記載のITOスパッタリングターゲット。
- インジウム(In)、錫(Sn)、酸素(O)、不可避的不純物からなる焼結体であって、錫(Sn)の含有量が(原子組成比:at.%)が0.3以上14.5at.%以下である焼結体ITOスパッタリングターゲットの製造方法であって、酸化インジウム粉及び酸化錫粉からなる原料粉の焼結に際し、焼結温度を1300〜1600°Cとし、焼結時の最高温度から1000℃までの平均冷却速度を0.1〜3.0℃/minとすると共に、降温時冷却中の雰囲気を大気雰囲気(酸素分圧比30%未満)とすることを特徴とする焼結体ITOスパッタリングターゲットの製造方法。
- バルク抵抗率が0.10〜1.40mΩ・cmで、ターゲットの厚さをtとした場合、厚さtのバルク抵抗率と板厚方向の任意の地点でのバルク抵抗率について、その差異を20%以下とすることを特徴とする請求項3に記載の焼結体ITOスパッタリングターゲットの製造方法。
- ターゲットの厚さをtとした場合、厚さtのバルク抵抗率と板厚方向の任意の地点でのバルク抵抗率について、その差異を15%以下とすることを特徴とする請求項3又は4に記載のITOスパッタリングターゲットの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013071342 | 2013-03-29 | ||
JP2013071342 | 2013-03-29 | ||
PCT/JP2014/050912 WO2014156234A1 (ja) | 2013-03-29 | 2014-01-20 | Itoスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5987105B2 true JP5987105B2 (ja) | 2016-09-06 |
JPWO2014156234A1 JPWO2014156234A1 (ja) | 2017-02-16 |
Family
ID=51623239
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015508113A Active JP5987105B2 (ja) | 2013-03-29 | 2014-01-20 | Itoスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5987105B2 (ja) |
TW (1) | TWI608112B (ja) |
WO (1) | WO2014156234A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190096974A (ko) * | 2018-02-08 | 2019-08-20 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 산화물 스퍼터링 타깃, 및 산화물 스퍼터링 타깃의 제조 방법 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102030892B1 (ko) * | 2014-11-07 | 2019-10-10 | 제이엑스금속주식회사 | Ito 스퍼터링 타겟 및 그 제조 방법 그리고 ito 투명 도전막 및 ito 투명 도전막의 제조 방법 |
JPWO2016174877A1 (ja) * | 2015-04-30 | 2018-02-22 | 三井金属鉱業株式会社 | Itoスパッタリングターゲット材 |
JP6414165B2 (ja) * | 2016-09-06 | 2018-10-31 | 三菱マテリアル株式会社 | 酸化物スパッタリングターゲット、及び酸化物スパッタリングターゲットの製造方法 |
TWI657159B (zh) * | 2018-02-08 | 2019-04-21 | 日商三菱綜合材料股份有限公司 | 氧化物濺鍍靶及氧化物濺鍍靶之製造方法 |
CN114835485A (zh) * | 2022-04-20 | 2022-08-02 | 柳州华锡有色设计研究院有限责任公司 | 一种利用精准配比氧气与氩气深度降低ito靶材电阻率的方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0344465A (ja) * | 1989-07-13 | 1991-02-26 | Nippon Mining Co Ltd | Ito透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法 |
JP2000233969A (ja) * | 1998-12-08 | 2000-08-29 | Tosoh Corp | Itoスパッタリングターゲットおよび透明導電膜の製造方法 |
JP2003301265A (ja) * | 2002-02-08 | 2003-10-24 | Tosoh Corp | スパイク状突起のないito薄膜及びその製法並びにそれに用いるターゲット |
JP2009040620A (ja) * | 2007-08-06 | 2009-02-26 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | Ito焼結体およびitoスパッタリングターゲット |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101080527B1 (ko) * | 2005-09-20 | 2011-11-04 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 스퍼터링 타겟, 투명 도전막 및 투명 전극 |
-
2014
- 2014-01-20 JP JP2015508113A patent/JP5987105B2/ja active Active
- 2014-01-20 WO PCT/JP2014/050912 patent/WO2014156234A1/ja active Application Filing
- 2014-01-24 TW TW103102621A patent/TWI608112B/zh active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0344465A (ja) * | 1989-07-13 | 1991-02-26 | Nippon Mining Co Ltd | Ito透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法 |
JP2000233969A (ja) * | 1998-12-08 | 2000-08-29 | Tosoh Corp | Itoスパッタリングターゲットおよび透明導電膜の製造方法 |
JP2003301265A (ja) * | 2002-02-08 | 2003-10-24 | Tosoh Corp | スパイク状突起のないito薄膜及びその製法並びにそれに用いるターゲット |
JP2009040620A (ja) * | 2007-08-06 | 2009-02-26 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | Ito焼結体およびitoスパッタリングターゲット |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190096974A (ko) * | 2018-02-08 | 2019-08-20 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 산화물 스퍼터링 타깃, 및 산화물 스퍼터링 타깃의 제조 방법 |
KR102115126B1 (ko) * | 2018-02-08 | 2020-05-25 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 산화물 스퍼터링 타깃, 및 산화물 스퍼터링 타깃의 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI608112B (zh) | 2017-12-11 |
JPWO2014156234A1 (ja) | 2017-02-16 |
TW201446998A (zh) | 2014-12-16 |
WO2014156234A1 (ja) | 2014-10-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5987105B2 (ja) | Itoスパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP6125689B1 (ja) | 酸化インジウム−酸化亜鉛系(izo)スパッタリングターゲット | |
JP6291593B2 (ja) | Itoスパッタリングターゲット及びその製造方法並びにito透明導電膜の製造方法 | |
JP5887819B2 (ja) | 酸化亜鉛焼結体、それから成るスパッタリングターゲットおよび酸化亜鉛薄膜 | |
CN103717779A (zh) | Zn-Sn-O系氧化物烧结体及其制造方法 | |
KR20140041950A (ko) | 아모르퍼스 복합 산화막, 결정질 복합 산화막, 아모르퍼스 복합 산화막의 제조 방법, 결정질 복합 산화막의 제조 방법 및 복합 산화물 소결체 | |
WO2017158928A1 (ja) | 酸化物焼結体 | |
CN104710163A (zh) | Izo溅射靶的制造方法 | |
JP7158102B2 (ja) | Itoスパッタリングターゲット及びその製造方法並びにito透明導電膜及びito透明導電膜の製造方法 | |
JP4859726B2 (ja) | SnO2系スパッタリングターゲットおよびスパッタ膜 | |
JP2007290875A (ja) | 酸化チタン系焼結体およびその製造方法 | |
JP6885038B2 (ja) | 酸化物焼結体、その製造方法及びスパッタリングターゲット | |
JP6343695B2 (ja) | 酸化インジウム−酸化亜鉛系(izo)スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP2013256425A (ja) | Itoスパッタリングターゲット用酸化スズ粉末、itoスパッタリングターゲット用酸化スズおよび酸化インジウムの混合粉末の製造方法、および、itoスパッタリングターゲット用焼結体 | |
JP6133531B1 (ja) | 酸化物焼結体 | |
JP5890671B2 (ja) | Itoスパッタリングターゲットの製造方法 | |
WO2013042747A1 (ja) | 酸化物焼結体およびその製造方法並びに酸化物透明導電膜 | |
JP6800405B2 (ja) | 酸化物焼結体、その製造方法及びスパッタリングターゲット | |
JP2020147822A (ja) | MgO−TiO系スパッタリングターゲットの製造方法 | |
WO2003008658A1 (en) | Ito sintered body sputtering target for forming high-resistance film and its manufacturing method | |
JP2013112833A (ja) | スパッタリングターゲット材およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160802 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160808 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5987105 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |