JPWO2016174877A1 - Itoスパッタリングターゲット材 - Google Patents
Itoスパッタリングターゲット材 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2016174877A1 JPWO2016174877A1 JP2017515394A JP2017515394A JPWO2016174877A1 JP WO2016174877 A1 JPWO2016174877 A1 JP WO2016174877A1 JP 2017515394 A JP2017515394 A JP 2017515394A JP 2017515394 A JP2017515394 A JP 2017515394A JP WO2016174877 A1 JPWO2016174877 A1 JP WO2016174877A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target material
- sno
- ito
- sputtering target
- phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/453—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zinc, tin, or bismuth oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. zincates, stannates or bismuthates
- C04B35/457—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zinc, tin, or bismuth oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. zincates, stannates or bismuthates based on tin oxides or stannates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3286—Gallium oxides, gallates, indium oxides, indates, thallium oxides, thallates or oxide forming salts thereof, e.g. zinc gallate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3293—Tin oxides, stannates or oxide forming salts thereof, e.g. indium tin oxide [ITO]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
- C04B2235/54—Particle size related information
- C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
- C04B2235/5445—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof submicron sized, i.e. from 0,1 to 1 micron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/77—Density
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
Abstract
本発明は、Snの含有量がSnO2換算で2.8〜3.5質量%であるITOスパッタリングターゲット材であって、In2O3にSnO2が固溶した相とIn4Sn3O12相との二相を有し、相対密度が98%以上であり、ひずみ解放による変化長さが1m当り50μm以下であるITOスパッタリングターゲット材である。本発明のITOスパッタリングターゲット材は、Snの含有量がSnO2換算で2.8〜3.5質量%であるというきわめて割れを生じさせやすい組成を有しながら、ボンディング時に割れにくく、かつスパッタリング中にノジュールの発生が少ないので、効率的なITO薄膜の成膜が可能である。
Description
本発明は、ITOスパッタリングターゲット材に関し、さらに詳しくは、ボンディング時に割れが発生しにくく、効率的な成膜が可能なITOスパッタリングターゲット材に関する。
ITO(Indium-Tin-Oxide)膜は高い光透過性と電気伝導性を有することから、フラットパネルディスプレイの透明電極やタッチパネルなどに広く利用されている。透明電極用のITO膜は、通常SnO2換算で10質量%程度のSnを含有するが、タッチパネル用に使用されるITO膜は、膜の熱処理との関係により、Snの含有量がSnO2換算で2.5〜8.0質量%程度のものが使用されている。
ITO膜は、一般にITOスパッタリングターゲット材をスパッタリングすることにより形成される。ITOスパッタリングターゲット材は一般にCu製のバッキングプレートにボンディングされて使用される。このため、タッチパネル用のITO膜を形成するときには、一般に、目的とする膜抵抗を実現することが可能なSnの含有量のITOスパッタリングターゲット材をCu製のバッキングプレートにボンディングしてスパッタリングが行われている。
しかし、Snの含有量がSnO2換算で10質量%よりも少ないITOスパッタリングターゲット材は脆く、割れやすいことが知られている。特に、Snの含有量がSnO2換算で3.5質量%以下になると割れやすい傾向が顕著となり、ターゲットを製造する上で大きな障害となっている。これは、これらのITOスパッタリングターゲット材においては、製造過程の焼成時において残留応力が残りやすいこと、更にターゲット材の強度が低いことが原因であることが知られている。そのため、これらのITOスパッタリングターゲット材は、Cu製等のバッキングプレートにボンディングするときに割れを起こしやすい。
さらに、Snの含有量がSnO2換算で10質量%よりも少ないITOスパッタリングターゲット材をスパッタリングしたときに、ノジュールの発生を抑制することも課題の一つである。このノジュールの発生については、ターゲット材の密度を高くすることで改善が可能である。しかし、ターゲット材の密度を高くすると残留応力が大きくなり、割れやすくなるという問題が発生する。
また、焼成温度を下げて焼成密度を97%と低くした場合は、残留応力が小さく割れにくく、結晶組織も小さいITOターゲット材が得られるが、ターゲット材にピンホールが増加し、それが原因でスパッタリング時のノジュールが増加するという問題が発生する。つまり、ITOターゲット材を割れにくくすることとノジュールを抑制することとはトレードオフの関係にある。
特開平10−147862号公報には、ノジュールの発生の少ない錫含有量が3〜12重量%である酸化インジウム・酸化スズ焼結体に関し、結晶の平均粒径や錫原子の最大凝集径について述べられているが、ターゲット材の割れについては何ら言及されていない。
また、特開2010−255022号公報には、酸化インジウムに対する酸化錫の含有量が質量比で1.5%以上3.5%以下であるITO焼結体において、焼結体の結晶相が単相であることや、平均結晶粒径と焼結体の曲げ強度(70MPa以上)との関係について記載されている。しかし、この焼結体から構成されるITOターゲット材では、割れの抑制は不十分である。
本発明は、Snの含有量がSnO2換算で2.8〜3.5質量%であるITOスパッタリングターゲット材において、ボンディング時に割れが発生しにくく、且つ、スパッタリング時のノジュールの発生量が少ないITOスパッタリングターゲット材を提供することを目的とする。
本発明者は、前記目的を達成するために鋭意研究した結果、Snの含有量がSnO2換算で2.8〜3.5質量%であるITOスパッタリングターゲット材において、ターゲット材が、In2O3にSnO2が固溶した相とIn4Sn3O12相との二相を有し、ターゲット材の相対密度が98%以上であり、ターゲット材のひずみ解放による変化長さが1m当り50μm以下であれば前記目的を達成できることを見出した。さらに、それらの物性を得るためには、成形体を焼成した後の冷却を60℃/hr以下で行うことが必要であることを見出した。
すなわち、本発明は、Snの含有量がSnO2換算で2.8〜3.5質量%であるITOスパッタリングターゲット材であって、In2O3にSnO2が固溶した相とIn4Sn3O12相との二相を有し、相対密度が98%以上であり、ひずみ解放による変化長さが1m当り50μm以下であるITOスパッタリングターゲット材である。
前記ITOスパッタリングターゲット材は、ひずみ解放による変化長さが1m当り40μm以下であることが好ましい。
前記ITOスパッタリングターゲット材は、抗折強度が13.0kgf/mm2以上であることが好ましく、14.0kgf/mm2以上であることがさらに好ましい。
他の発明は、平均粒径が0.5μm以上であるSnO2原料粉末を含むITO製造用の原料から作製された成形体を焼成炉で1500〜1600℃の焼成温度で焼成し、得られた焼成体を、焼成炉内の温度が前記焼成温度から700〜1100℃の温度範囲に達するまで、焼成炉内の温度を60℃/hr以下の降温速度で降下させることにより冷却する工程を含む前記ITOスパッタリングターゲット材の製造方法である。
本発明のITOスパッタリングターゲット材は、Snの含有量がSnO2換算で2.8〜3.5質量%であるというきわめて割れを生じさせやすい組成を有しながら、ボンディング時に割れにくく、かつスパッタリング中にノジュールの発生が少ないので、効率的なITO薄膜の成膜が可能である。本発明のITOスパッタリングターゲット材の製造方法は、前記ターゲット材をきわめて効率的に製造できる。
本発明のITOスパッタリングターゲット材(以下、ITOターゲット材ともいう)は、Snの含有量がSnO2換算で2.8〜3.5質量%であるITOターゲット材であって、In2O3にSnO2が固溶した相とIn4Sn3O12相との二相を有し、相対密度が98%以上であり、ひずみ解放による変化長さが1m当り50μm以下である。本発明のITOスパッタリングターゲット材は、ボンディング時に割れにくく、かつスパッタリング中にノジュールの発生が少ない。
前述のとおり、Snの含有量がSnO2換算で2.8〜3.5質量%である従来のITOターゲット材は、残留応力が生じやすく、強度が低いことから脆く、割れやすい。ITOターゲット材の製造時に焼成温度を下げてターゲット材の相対密度を97%、あるいはそれ以下とすれば、残留応力が小さくなり割れにくくなるが、スパッタリング時のノジュールが増加するようになる。ITOターゲット材の相対密度を98%以上にすれば、スパッタリング時のノジュールが少なくなるが、残留応力が大きくなり割れやすくなる。つまり、Snの含有量がSnO2換算で2.8〜3.5質量%である従来のITOターゲット材においては、割れにくさとノジュール抑制とを両立することができなかった。
本発明は、Snの含有量がSnO2換算で2.8〜3.5質量%であるITOターゲット材において、割れにくさとノジュール抑制とを両立させることに成功した。割れにくさとノジュール抑制との両立は、ITOターゲット材が、In2O3にSnO2が固溶した相と、Snの含有量がIn2O3にSnO2が固溶した相よりも多い相であるIn4Sn3O12相との二相を有するようにしたことにより初めて実現された。
ITOの製造は、通常In2O3粉とSnO2粉との混合粉から成形体を作製し、この成形体を焼成することにより行われる。この焼成においてSnO2がIn2O3中に固溶していく。このとき、たとえばSnの含有量がSnO2換算で10%であるITOでは、SnO2がIn2O3に固溶しきれないので、In2O3にSnO2が固溶した相である母相のほかに、Snがリッチな相であるIn4Sn3O12相が形成される。その結果、SnO2の含有量がSnO2換算で10%であるITOは、母相とIn4Sn3O12相との二相を有する。一方、Snの含有量がSnO2換算で2.8〜3.5質量%である従来のITOでは、Sn量が少なく、SnO2がIn2O3に完全に固溶できるので、In4Sn3O12相は形成されない。その結果、SnO2の含有量がSnO2換算で2.8〜3.5質量%である従来のITOは、In2O3にSnO2が固溶した相のみの単一相からなる。
本発明者は、後述の製造方法を採用することにより、SnO2の含有量がSnO2換算で2.8〜3.5質量%でありながら、In2O3にSnO2が固溶した相とIn4Sn3O12相との二相を有し、さらに相対密度が98%以上であり、残留応力の指標となるひずみ解放による変化長さが1m当り50μm以下であるITOターゲット材を製造することに成功した。その結果、SnO2の含有量が2.8〜3.5質量%であるITOターゲット材において、割れにくさとノジュール抑制との両立を可能にした。
SnO2の含有量が2.8〜3.5質量%であるITOターゲット材を、In2O3にSnO2が固溶した相とIn4Sn3O12相との二相を有する構造にすることにより、割れにくさとノジュール抑制との両立が可能となる理由は必ずしも明らかではないが、このような構造では、In4Sn3O12相が、In2O3にSnO2が固溶した相の粒界に存在することで、In2O3にSnO2が固溶した相相互の結合を強くするクサビのような働きをしていることによるのではないかと考えられる。その結果、前記二相を有するITOターゲット材は、高密度化させることによりノジュールの抑制を実現でき、その一方、残留応力が生じたとしても、それが一定値以下であれば割れにくい特性を獲得できるのではないかと考えられる。たとえばSnの含有量がSnO2換算で10%であるITOが、SnO2の含有量が2.8〜3.5質量%であるITOよりも一般に割れにくい性質を有するのは、前者のITOは、前述のとおり、In2O3にSnO2が固溶した相とIn4Sn3O12相との二相からなっており、In4Sn3O12相が前記のような働きをしているからであるとも考えられる。
本発明に係るITOターゲット材は、Snの含有量がSnO2換算で2.8〜3.5質量%である。具体的なSnの含有量は、このターゲット材から得られる膜に要求される物性によって前記範囲内から決定される。
本発明に係るITOターゲット材の相対密度は、98%以上であり、より好ましくは98.5%以上であり、さらに好ましくは99.0%以上である。相対密度が98%以上であると、スパッタ時にノジュールの発生を抑制でき、良好なスパッタリングが可能になる。
本発明に係るITOターゲット材のひずみ解放による変化長さは1m当り50μm以下であり、1m当り40μm以下であることが好ましい。ひずみ解放による変化長さとは、ITOターゲット材が有する残有応力が実質的にすべて解放されたときの、その解放前のITOターゲット材の長さと解放後のITOターゲット材の長さとの差を意味する。ひずみ解放による変化長さは、残留応力の指標となる物性値である。ひずみ解放による変化長さは、ひずみゲージを用いて測定することができる。ITOターゲット材のひずみ解放による変化長さの測定方法については実施例において詳述する。本発明のITOターゲット材は、前述のとおり、In2O3にSnO2が固溶した相とIn4Sn3O12相との二相を有することから、残留応力が存在していても割れにくいが、ひずみ解放による変化長さが1m当り50μmを超えるような大きな残留応力が存在すると、その後の加工またはボンディング工程で割れが発生する確率が高くなる。
本発明に係るITOターゲット材は、抗折強度が13.0kgf/mm2以上であることが好ましく、14.0kgf/mm2以上であることがより好ましい。本発明のITOターゲット材がこの条件をみたすと、さらに割れの発生を有効に防止することができる。
本発明に係るITOターゲット材の形状および大きさには、特に制限はなく、いかなる形状および大きさのITOターゲット材であっても、上記条件を満たせば本発明の目的を達成することができる。形状としては、平板形および円筒形等が挙げられる。
以下、本発明に係るITOターゲット材の製造方法につき詳述する。
本発明のITOターゲット材の製造方法は、平均粒径が0.5μm以上であるSnO2原料粉末を含むITO製造用の原料から作製された成形体を1500〜1600℃の温度範囲で焼成し、得られた焼成体を60℃/hr以下の降温速度で冷却する工程を含む。この製造方法により、上記のITOターゲット材を製造することができる。
ITO製造用の原料は、SnO2粉末を含み、通常In2O3粉末およびSnO2粉末を含む。原料粉末であるIn2O3粉末とSnO2粉末とを、SnO2粉末の含有量が2.8〜3.5質量%の目的組成となるように混合して混合粉末を作製する。各原料粉末は、通常は粒子が凝集しているため、事前に粉砕して混合するか、あるいは混合しながら粉砕を行うことが好ましい。
In2O3粉末の平均粒径は通常0.2〜1.5μm、好ましくは0.4〜1.0μmである。SnO2粉末の平均粒径は0.5μm以上であり、好ましくは0.5μm〜5.0μm、より好ましくは0.6μm〜2.0μmである。本発明のITOターゲット材の製造方法において、In2O3にSnO2が固溶した相とIn4Sn3O12相との二相を有するITOターゲット材を得るためには、SnO2粉の平均粒径が0.5μm以上であることが必要である。SnO2粉の平均粒径が0.5μm以上であると、焼成時にSnがリッチな相であるIn4Sn3O12相が形成される。これは、SnO2粉の平均粒径が0.5μm以上である場合、前記成形体の焼成過程において、SnO2がIn2O3に固溶しきれず、固溶しきれなかったSnO2がIn4Sn3O12相を形成するためであると考えられる。一方、SnO2粉の平均粒径が0.5μmより小さいと、In4Sn3O12相が形成されなくなる。これは、SnO2粉の平均粒径が0.5μm未満である場合、前記成形体の焼成過程において、SnO2がIn2O3に固溶しやすくなり、SnO2の少なくとも大部分がIn2O3に固溶されるためであると考えられる。そのため、0.5μm以上という大きな平均粒径を有するSnO2粉末を意図的に使用する必要がある。なお、上記平均粒径は、レーザー回折散乱式粒度分布測定法による累積体積50容量%における体積累積粒径D50である。
原料粉末の粉砕方法や混合方法には特に制限はなく、例えば原料粉末をポットに入れて、ボールミルにより粉砕または混合を行うことができる。
混合粉末は、そのまま成形して成形体とし、これを焼結することもできるが、必要により混合粉末にバインダーを加えて成形して成形体としてもよい。このバインダーとしては、公知の粉末冶金法において成形体を得るときに使用されるバインダー、例えばポリビニルアルコール、アクリルエマルジョンバインダー等を使用することができる。また得られた成形体は、必要に応じて公知の粉末冶金法において採用される方法により脱脂してもよい。成形方法も、公知の粉末冶金法において採用される方法、たとえば鋳込み成形を適用することができる。成形体の密度は通常50〜75%である。
得られた成形体を焼成して焼成体とし、これを冷却して焼結体を得る。焼成に使用する焼成炉としては、冷却時に冷却速度をコントロールすることができれば特に制限はなく、粉末冶金に一般的に使用される焼成炉で差し支えない。焼成雰囲気としては酸素雰囲気が適している。
昇温速度は、高密度化および割れ防止の観点から、通常100〜500℃/hである。焼成温度は、1500〜1600℃であり、好ましくは1520〜1580℃である。焼成温度が前記範囲内であると、高密度の焼結体を得ることができる。前記焼成温度での保持時間は通常3〜30h、好ましくは5〜20hである。保持時間が前記範囲内であると、高密度の焼結体を得やすい。
焼成が完了した後、焼成炉内の温度が前記焼成温度から700〜1100℃の温度範囲に達するまで、たとえば800℃に達するまで、焼成炉内の温度を60℃/hr以下、好ましくは30℃/hr以下で降下させて、得られた焼成体を冷却する。この範囲の降温速度で冷却することで焼結体のひずみ解放による変化長さを小さくすることができ、1m当り50μm以下にすることができる。その後の焼成炉内の温度の降下速度は、焼成体の割れの防止等が可能である限り特に制限はなく、たとえば50〜150℃/hrとすることができる。
このようにして得られたITO焼結体を、必要に応じて所望の形状に切り出し、研削等することにより本発明のITOターゲット材を得ることができる。
本発明のITOターゲット材は、通常バッキングプレートにボンディングして使用される。バッキングプレートは、通常Cu、Al、Tiまたはステンレス製である。ボンディング材は、従来のITOターゲット材のボンディングに使用されるボンディング材、たとえばInメタルを用いることができる。ボンディング方法も、従来のITOターゲット材のボンディング方法と同様である。たとえば、本発明のITOターゲット材およびバッキングプレートをボンディング材が融解する温度、たとえば約200℃に加熱し、ターゲット材およびバッキングプレートのそれぞれのボンディング面にボンディング材を塗布し、それぞれのボンディング面を貼り合わせて両者を圧着した後、冷却する。あるいは、本発明のITOターゲット材およびバッキングプレートのそれぞれのボンディング面にボンディング材を塗布し、それぞれのボンディング面を貼り合わせて、ターゲット材およびバッキングプレートをボンディング剤が融解する温度、たとえば約200℃に加熱した後、冷却する。
下記実施例および比較例で得られたITOターゲット材の評価方法を以下示す。
1.相対密度
ITOターゲット材の相対密度はアルキメデス法に基づき測定した。具体的には、ターゲット材の空中重量を体積(ターゲット材の水中重量/計測温度における水比重)で除し、下記式(X)に基づく理論密度ρ(g/cm3)に対する百分率の値を相対密度(単位:%)とした。
1.相対密度
ITOターゲット材の相対密度はアルキメデス法に基づき測定した。具体的には、ターゲット材の空中重量を体積(ターゲット材の水中重量/計測温度における水比重)で除し、下記式(X)に基づく理論密度ρ(g/cm3)に対する百分率の値を相対密度(単位:%)とした。
2.原料粉末の平均粒径
原料粉末の平均粒径は、日機装株式会社製レーザー回折散乱式粒度分布測定装置(HRA 9320−X100)を用いて測定した。溶媒は水を使用し、測定物質の屈折率2.20で測定した。
3.抗折強度測定
抗折強度は、JIS-R-1601に準拠して測定した。
4.ターゲット材の組織(結晶相)の特定
電子顕微鏡観察によりIn2O3にSnO2が固溶した相を観察した。また、In4Sn3O12相の特定については、オージェ電子分光法によりSnの分布を調査することで行った。
電子顕微鏡観察によりIn2O3にSnO2が固溶した相を観察した。また、In4Sn3O12相の特定については、オージェ電子分光法によりSnの分布を調査することで行った。
In2O3にSnO2が固溶した相およびIn4Sn3O12相が確認された場合は「二相」、In2O3にSnO2が固溶した相のみが確認された場合は「単一相」と評価した。
5. ターゲット材のひずみ解放による変化長さ(1ゲージ法2線式)
清浄したターゲット材表面にひずみゲージ(N11−FA−2−120−VSE1、公称抵抗値120Ω、ゲージ率2.0/日本アビオニクス社製)を専用の接着剤で張り付け、ダイヤモンドバンドソーマシンでターゲット材を切断した。切断は、図1に示すように、配線2が取り付けられたひずみゲージ1を中心に、ひずみゲージ1の4辺と平行な方向に、20×20mmサイズのターゲット材断片3が得られるように行った。ターゲット材の切断によりひずみが解放されたことによって生じたターゲット材の長さの変化を、配線2が接続されたデータロガー(リモートスキャナ DC6100/日本アビオニクス社製)で測定した。測定は室温(25℃)で行った。
清浄したターゲット材表面にひずみゲージ(N11−FA−2−120−VSE1、公称抵抗値120Ω、ゲージ率2.0/日本アビオニクス社製)を専用の接着剤で張り付け、ダイヤモンドバンドソーマシンでターゲット材を切断した。切断は、図1に示すように、配線2が取り付けられたひずみゲージ1を中心に、ひずみゲージ1の4辺と平行な方向に、20×20mmサイズのターゲット材断片3が得られるように行った。ターゲット材の切断によりひずみが解放されたことによって生じたターゲット材の長さの変化を、配線2が接続されたデータロガー(リモートスキャナ DC6100/日本アビオニクス社製)で測定した。測定は室温(25℃)で行った。
6.ボンディング時のターゲット材の割れ
ターゲット材を、これをボンディングするのに十分な面積を有するCu製平板状バッキングプレートに次の方法によりボンディングした。ターゲット材およびバッキングプレートを160℃に加熱し、ターゲット材および基材のそれぞれのボンディング面にボンディング材としてIn半田を塗布し、それぞれのボンディング面を貼り合わせて両者を圧着した後、冷却した。ボンディング時のターゲット材の割れの有無を目視により観察した。割れが確認された場合は「有」、確認されなかった場合は「無」と評価した。
ターゲット材を、これをボンディングするのに十分な面積を有するCu製平板状バッキングプレートに次の方法によりボンディングした。ターゲット材およびバッキングプレートを160℃に加熱し、ターゲット材および基材のそれぞれのボンディング面にボンディング材としてIn半田を塗布し、それぞれのボンディング面を貼り合わせて両者を圧着した後、冷却した。ボンディング時のターゲット材の割れの有無を目視により観察した。割れが確認された場合は「有」、確認されなかった場合は「無」と評価した。
7.ノジュールの発生量評価
ボンディング時に割れの生じなかったITOターゲットを、ノジュール評価用のサイズにワイヤーカットで切断し、下記条件でスパッタリングした。スパッタ後のターゲット材の表面を写真撮影し、撮影により得られた画像から画像解析ソフト(粒子解析Ver.3 日鉄住金テクノロジー株式会社製)を使用してノジュールの面積を求めた。得られたノジュールの面積から、ターゲット材表面におけるノジュールの面積の、ターゲット材表面の面積に対する比率(%)によりノジュールの発生量を評価した。
ボンディング時に割れの生じなかったITOターゲットを、ノジュール評価用のサイズにワイヤーカットで切断し、下記条件でスパッタリングした。スパッタ後のターゲット材の表面を写真撮影し、撮影により得られた画像から画像解析ソフト(粒子解析Ver.3 日鉄住金テクノロジー株式会社製)を使用してノジュールの面積を求めた。得られたノジュールの面積から、ターゲット材表面におけるノジュールの面積の、ターゲット材表面の面積に対する比率(%)によりノジュールの発生量を評価した。
スパッタリングは、DCマグネトロンスパッタリングを用いて行った。
背圧:7.0×10-5[Pa]
Ar分圧:4.0×10-1[Pa]
O2分圧:4.0×10-5[Pa]
Power:300[W](1.6W/cm2)
ターゲットサイズ:直径203.2mm、厚さ6mm
Ar分圧:4.0×10-1[Pa]
O2分圧:4.0×10-5[Pa]
Power:300[W](1.6W/cm2)
ターゲットサイズ:直径203.2mm、厚さ6mm
[実施例1]
事前にボールミルで粉砕して得られた平均粒径が0.6μmであるIn2O3粉末と、平均粒径が0.8μmであるSnO2粉末とを、SnO2粉末の含有量が3.0質量%になるように配合し、バインダーとしてアクリルエマルジョンバインダーをセラミックス原料粉末に対して0.3質量%、分散剤としてポリカルボン酸アンモニウムをセラミックス原料粉末に対して0.5質量%、および分散媒として水をセラミックス原料粉末に対して20質量%加え、混合してスラリーを調製した。このスラリーを石膏型に流し込み、次いで排水して縦350mm、横1000mm、厚さ10mmの平板状の成形体を得た。
事前にボールミルで粉砕して得られた平均粒径が0.6μmであるIn2O3粉末と、平均粒径が0.8μmであるSnO2粉末とを、SnO2粉末の含有量が3.0質量%になるように配合し、バインダーとしてアクリルエマルジョンバインダーをセラミックス原料粉末に対して0.3質量%、分散剤としてポリカルボン酸アンモニウムをセラミックス原料粉末に対して0.5質量%、および分散媒として水をセラミックス原料粉末に対して20質量%加え、混合してスラリーを調製した。このスラリーを石膏型に流し込み、次いで排水して縦350mm、横1000mm、厚さ10mmの平板状の成形体を得た。
次に、この成形体を乾燥後、焼成して焼成体を作製した。焼成は、酸素雰囲気中で昇温速度300℃/h、焼成温度1550℃で10時間行った。その後、焼成体を、焼成炉内の温度が800℃に達するまで焼成炉内の温度を30℃/hrの速度で降下させることにより冷却したのち、焼成炉内の温度が室温になるまで焼成炉内の温度を100℃/hrの速度で降下させることにより冷却し、焼結体を得た。
さらに、得られた焼結体を切削加工し、表面粗度Raが0.7μmである、縦280mm、横750mm、厚さ6mmの平板状ITOターゲット材を得た。加工には、#170の砥石を使用した。
得られたITOターゲット材のSnの含有量は、SnO2換算で3.0質量%であり、原料のSn含有量と同一であることを確認した。
このITOターゲット材に対し上記評価を行った。
[実施例2]
平均粒径が0.8μmであるSnO2粉末に替えて、平均粒径が1.3μmであるSnO2粉末を使用したこと以外は、実施例1と同様に製造、評価を行った。
[実施例3]
平均粒径が0.8μmであるSnO2粉末に替えて、平均粒径が0.6μmであるSnO2粉末を使用したこと以外は、実施例1と同様に製造、評価を行った。
[実施例2]
平均粒径が0.8μmであるSnO2粉末に替えて、平均粒径が1.3μmであるSnO2粉末を使用したこと以外は、実施例1と同様に製造、評価を行った。
[実施例3]
平均粒径が0.8μmであるSnO2粉末に替えて、平均粒径が0.6μmであるSnO2粉末を使用したこと以外は、実施例1と同様に製造、評価を行った。
[実施例4]
焼成後の800℃までの冷却速度を50℃/hrとしたこと以外は、実施例1と同様に製造、評価を行った。
[実施例5]
SnO2粉末の含有量が2.8質量%になるように配合したこと以外は、実施例1と同様に製造、評価を行った。
[実施例6]
SnO2粉末の含有量が2.8質量%になるように配合したこと以外は、実施例2と同様に製造、評価を行った。
焼成後の800℃までの冷却速度を50℃/hrとしたこと以外は、実施例1と同様に製造、評価を行った。
[実施例5]
SnO2粉末の含有量が2.8質量%になるように配合したこと以外は、実施例1と同様に製造、評価を行った。
[実施例6]
SnO2粉末の含有量が2.8質量%になるように配合したこと以外は、実施例2と同様に製造、評価を行った。
[実施例7]
SnO2粉末の含有量が2.8質量%になるように配合したこと以外は、実施例3と同様に製造、評価を行った。
[実施例8]
SnO2粉末の含有量が2.8質量%になるように配合したこと以外は、実施例4と同様に製造、評価を行った。
[実施例9]
SnO2粉末の含有量が3.5質量%になるように配合したこと以外は、実施例1と同様に製造、評価を行った。
SnO2粉末の含有量が2.8質量%になるように配合したこと以外は、実施例3と同様に製造、評価を行った。
[実施例8]
SnO2粉末の含有量が2.8質量%になるように配合したこと以外は、実施例4と同様に製造、評価を行った。
[実施例9]
SnO2粉末の含有量が3.5質量%になるように配合したこと以外は、実施例1と同様に製造、評価を行った。
[実施例10]
SnO2粉末の含有量が3.5質量%になるように配合したこと以外は、実施例2と同様に製造、評価を行った。
[実施例11]
SnO2粉末の含有量が3.5質量%になるように配合したこと以外は、実施例3と同様に製造、評価を行った。
[実施例12]
SnO2粉末の含有量が3.5質量%になるように配合したこと以外は、実施例4と同様に製造、評価を行った。
SnO2粉末の含有量が3.5質量%になるように配合したこと以外は、実施例2と同様に製造、評価を行った。
[実施例11]
SnO2粉末の含有量が3.5質量%になるように配合したこと以外は、実施例3と同様に製造、評価を行った。
[実施例12]
SnO2粉末の含有量が3.5質量%になるように配合したこと以外は、実施例4と同様に製造、評価を行った。
[比較例1]
平均粒径が0.8μmであるSnO2粉末に替えて、平均粒径が0.4μmであるSnO2粉末を使用したこと以外は、実施例1と同様に製造、評価を行った。
[比較例2]
焼成後の800℃までの冷却速度を150℃/hrとしたこと以外は、実施例1と同様に製造、評価を行った。
[比較例3]
焼成温度を1450℃としたこと以外は、実施例1と同様に製造、評価を行った。
平均粒径が0.8μmであるSnO2粉末に替えて、平均粒径が0.4μmであるSnO2粉末を使用したこと以外は、実施例1と同様に製造、評価を行った。
[比較例2]
焼成後の800℃までの冷却速度を150℃/hrとしたこと以外は、実施例1と同様に製造、評価を行った。
[比較例3]
焼成温度を1450℃としたこと以外は、実施例1と同様に製造、評価を行った。
評価結果を表1に示す。表1の比較例1および2においては、ターゲット材がボンディング時に割れてしまったため、ノジュール発生量の評価は行わなかった。
1 ひずみゲージ
2 配線
3 ターゲット材断片
2 配線
3 ターゲット材断片
Claims (5)
- Snの含有量がSnO2換算で2.8〜3.5質量%であるITOスパッタリングターゲット材であって、In2O3にSnO2が固溶した相とIn4Sn3O12相との二相を有し、相対密度が98%以上であり、ひずみ解放による変化長さが1m当り50μm以下であるITOスパッタリングターゲット材。
- ひずみ解放による変化長さが1m当り40μm以下である請求項1に記載のITOスパッタリングターゲット材。
- 抗折強度が13.0kgf/mm2以上である請求項1または2に記載のITOスパッタリングターゲット材。
- 抗折強度が14.0kgf/mm2以上である請求項1〜3のいずれかに記載のITOスパッタリングターゲット材。
- 平均粒径が0.5μm以上であるSnO2原料粉末を含むITO製造用の原料から作製された成形体を焼成炉で1500〜1600℃の焼成温度で焼成し、得られた焼成体を、焼成炉内の温度が前記焼成温度から700〜1100℃の温度範囲に達するまで、焼成炉内の温度を60℃/hr以下の降温速度で降下させることにより冷却する工程を含む請求項1〜4いずれかに記載のITOスパッタリングターゲット材の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015092830 | 2015-04-30 | ||
JP2015092830 | 2015-04-30 | ||
PCT/JP2016/050020 WO2016174877A1 (ja) | 2015-04-30 | 2016-01-04 | Itoスパッタリングターゲット材 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016174877A1 true JPWO2016174877A1 (ja) | 2018-02-22 |
Family
ID=57199250
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017515394A Pending JPWO2016174877A1 (ja) | 2015-04-30 | 2016-01-04 | Itoスパッタリングターゲット材 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPWO2016174877A1 (ja) |
KR (1) | KR20170142169A (ja) |
CN (1) | CN107250426A (ja) |
TW (1) | TWI660056B (ja) |
WO (1) | WO2016174877A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111440000B (zh) * | 2020-04-24 | 2022-04-29 | 河北恒博新材料科技股份有限公司 | 一种大尺寸旋转陶瓷靶材制备方法 |
JP7394085B2 (ja) * | 2021-04-05 | 2023-12-07 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08188871A (ja) * | 1994-11-10 | 1996-07-23 | Hitachi Metals Ltd | 透明導電膜形成用ito焼結体 |
JP2000233969A (ja) * | 1998-12-08 | 2000-08-29 | Tosoh Corp | Itoスパッタリングターゲットおよび透明導電膜の製造方法 |
JP2004359982A (ja) * | 2003-06-03 | 2004-12-24 | Nikko Materials Co Ltd | Itoスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
WO2009020091A1 (ja) * | 2007-08-06 | 2009-02-12 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Ito焼結体およびitoスパッタリングターゲット |
JP2010150093A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Tosoh Corp | 透明導電膜用焼結体の製造方法 |
JP2010150611A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Tosoh Corp | 透明導電膜用焼結体及びスパッタリングターゲット並びにその製造方法 |
JP2010255022A (ja) * | 2009-04-22 | 2010-11-11 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Itoスパッタリングターゲットとその製造方法 |
JP2012126937A (ja) * | 2010-12-13 | 2012-07-05 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Itoスパッタリングターゲットとその製造方法 |
WO2014156234A1 (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Itoスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007008752A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 酸化インジウム−酸化錫粉末及びそれを用いたスパッタリングターゲット並びに酸化インジウム−酸化錫粉末の製造方法 |
JP2009040620A (ja) * | 2007-08-06 | 2009-02-26 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | Ito焼結体およびitoスパッタリングターゲット |
CN101580379B (zh) * | 2009-06-29 | 2012-05-16 | 北京航空航天大学 | 掺铌纳米铟锡氧化物粉末及其高密度溅射镀膜靶材的制备方法 |
CN102718499B (zh) * | 2012-07-10 | 2014-02-26 | 国家钽铌特种金属材料工程技术研究中心 | 一种含In4Sn3O12相ITO溅射靶的制造方法 |
CN105308002A (zh) * | 2014-02-18 | 2016-02-03 | 三井金属矿业株式会社 | Ito溅射靶材及其制造方法 |
-
2016
- 2016-01-04 JP JP2017515394A patent/JPWO2016174877A1/ja active Pending
- 2016-01-04 CN CN201680011407.1A patent/CN107250426A/zh active Pending
- 2016-01-04 KR KR1020177030294A patent/KR20170142169A/ko unknown
- 2016-01-04 WO PCT/JP2016/050020 patent/WO2016174877A1/ja active Application Filing
- 2016-01-26 TW TW105102324A patent/TWI660056B/zh active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08188871A (ja) * | 1994-11-10 | 1996-07-23 | Hitachi Metals Ltd | 透明導電膜形成用ito焼結体 |
JP2000233969A (ja) * | 1998-12-08 | 2000-08-29 | Tosoh Corp | Itoスパッタリングターゲットおよび透明導電膜の製造方法 |
JP2004359982A (ja) * | 2003-06-03 | 2004-12-24 | Nikko Materials Co Ltd | Itoスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
WO2009020091A1 (ja) * | 2007-08-06 | 2009-02-12 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Ito焼結体およびitoスパッタリングターゲット |
JP2010150093A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Tosoh Corp | 透明導電膜用焼結体の製造方法 |
JP2010150611A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Tosoh Corp | 透明導電膜用焼結体及びスパッタリングターゲット並びにその製造方法 |
JP2010255022A (ja) * | 2009-04-22 | 2010-11-11 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Itoスパッタリングターゲットとその製造方法 |
JP2012126937A (ja) * | 2010-12-13 | 2012-07-05 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Itoスパッタリングターゲットとその製造方法 |
WO2014156234A1 (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Itoスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107250426A (zh) | 2017-10-13 |
KR20170142169A (ko) | 2017-12-27 |
TW201638364A (zh) | 2016-11-01 |
WO2016174877A1 (ja) | 2016-11-03 |
TWI660056B (zh) | 2019-05-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6278229B2 (ja) | 透明酸化物膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP2012052227A (ja) | スパッタリングターゲットの製造方法およびスパッタリングターゲット | |
JP6042520B1 (ja) | Mn−Zn−O系スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP6621422B2 (ja) | 透明アルミナ焼結体の製法 | |
KR20100012040A (ko) | 아모르퍼스 복합 산화막, 결정질 복합 산화막, 아모르퍼스 복합 산화막의 제조 방법, 결정질 복합 산화막의 제조 방법 및 복합 산화물 소결체 | |
TWI522332B (zh) | Ito濺鍍靶材及其製造方法 | |
KR102166104B1 (ko) | 스퍼터링 타깃, 스퍼터링 타깃의 제조 방법, 비정질막, 비정질막의 제조 방법, 결정질막 및 결정질막의 제조 방법 | |
WO2016174877A1 (ja) | Itoスパッタリングターゲット材 | |
JP5437919B2 (ja) | Itoスパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
TWI491580B (zh) | 蒸鍍用錠及其製造方法 | |
JPWO2012073882A1 (ja) | スパッタリングターゲット | |
JP7086080B2 (ja) | 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット | |
JP6267297B1 (ja) | 焼結体、スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP6536239B2 (ja) | Te−Ge系スパッタリングターゲット、及び、Te−Ge系スパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP6453528B1 (ja) | 透明導電膜用スパッタリングターゲット | |
TW201936938A (zh) | 濺鍍靶材 | |
JP7203088B2 (ja) | 酸化物焼結体、スパッタリングターゲットおよび透明導電膜 | |
JP6722736B2 (ja) | 焼結体および、スパッタリングターゲット | |
TW201943677A (zh) | Sn-Zn-O系氧化物燒結體及其製造方法 | |
JP2007302556A (ja) | Ito焼結体の製造方法 | |
JP5035060B2 (ja) | 高密度および低比抵抗を有する酸化チタンターゲットの製造方法 | |
WO2020031635A1 (ja) | スパッタリングターゲット | |
TW202323220A (zh) | 氧化物燒結體及其製造方法與濺鍍靶材 | |
JP2013112833A (ja) | スパッタリングターゲット材およびその製造方法 | |
JP2020164957A (ja) | スパッタリングターゲットおよび、スパッタリングターゲットの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181030 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191203 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20200122 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20200714 |