JP5980288B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
102,211,311 第1の絶縁物
103,203,303 第3の金属
104,204,304 第1の金属
105,205,305 第2の金属
106,206,306 第3の絶縁物
107,207,307 第2の絶縁物
108,208,308 第4の金属
109,209,309 第5の金属
110,210,310 基板
Claims (3)
- 柱状半導体と、
前記柱状半導体を囲む第1の絶縁物と、
前記柱状半導体の一端の前記第1の絶縁物を取り囲む第1の金属と、
前記柱状半導体の他方の一端の前記第1の絶縁物を取り囲む第2の金属と、
前記第1の金属と前記第2の金属とに挟まれた領域で前記第1の絶縁物を取り囲む第3
の金属と、
前記第1の金属と前記第3の金属との間に形成された第2の絶縁物と、
前記第2の金属と前記第3の金属との間に形成された第3の絶縁物と、
前記第1の金属と前記柱状半導体の一端とを接続する第4の金属と、
前記第2の金属と前記柱状半導体の他方の一端とを接続する第5の金属
を有し、
前記柱状半導体の一端において、前記柱状半導体と前記第1の金属との仕事関数差によってキャリアを誘起させて、ソース・ドレインとして用い、前記柱状半導体の他方の一端において、前記柱状半導体と前記第2の金属との仕事関数差によってキャリアを誘起させて、ソース・ドレインとして用いることを特徴とする半導体装置。 - 柱状半導体と、
前記柱状半導体の一端を取り囲む第1の絶縁物と、
前記第1の絶縁物を取り囲む第1の金属と、
前記柱状半導体の他方の一端を取り囲む第4の絶縁物と、
前記第4の絶縁物を取り囲む第2の金属と、
前記第1の金属と前記第2の金属とに挟まれた領域で前記柱状半導体を取り囲む第5の絶縁物と、
前記第5の絶縁物を取り囲む第3の金属と、
前記第1の金属と前記第3の金属の間に形成された第2の絶縁物と、
前記第2の金属と前記第3の金属の間に形成された第3の絶縁物と、
前記第1の金属と前記柱状半導体の一端を接続する第4の金属と、
前記第2の金属と前記柱状半導体の他方の一端を接続する第5の金属
を有し、
前記柱状半導体の一端において、前記柱状半導体と前記第1の金属との仕事関数差によってキャリアを誘起させて、ソース・ドレインとして用い、
前記柱状半導体の他方の一端において、前記柱状半導体と前記第2の金属との仕事関数差によってキャリアを誘起させて、ソース・ドレインとして用いることを特徴とする半導体装置。 - 柱状半導体と、
前記柱状半導体の一端の少なくとも一部を取り囲む第1の絶縁物と、
前記第1の絶縁物の少なくとも一部を取り囲む第1の金属と、
前記柱状半導体の他方の一端の少なくとも一部を取り囲む第4の絶縁物と、
前記第4の絶縁物の少なくとも一部を取り囲む第2の金属と、
前記第1の金属と前記第2の金属とに挟まれた領域で前記柱状半導体の少なくとも一部を取り囲む第5の絶縁物と、
前記第5の絶縁物の少なくとも一部を取り囲む第3の金属と、
前記第1の金属と前記第3の金属の間に形成された第2の絶縁物と、
前記第2の金属と前記第3の金属の間に形成された第3の絶縁物と、
前記第1の金属と前記柱状半導体の一端とを接続する第4の金属と、
前記第2の金属と前記柱状半導体の他方の一端とを接続する第5の金属
を有し、
前記柱状半導体の一端において、前記柱状半導体と前記第1の金属との仕事関数差によってキャリアを誘起させて、ソース・ドレインとして用い、
前記柱状半導体の他方の一端において、前記柱状半導体と前記第2の金属との仕事関数差によってキャリアを誘起させて、ソース・ドレインとして用いることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2014207863A JP5980288B2 (ja) | 2014-10-09 | 2014-10-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2014207863A JP5980288B2 (ja) | 2014-10-09 | 2014-10-09 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2014119042A Division JP5676807B1 (ja) | 2014-06-09 | 2014-06-09 | 半導体装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016124481A Division JP6129387B2 (ja) | 2016-06-23 | 2016-06-23 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015233113A JP2015233113A (ja) | 2015-12-24 |
JP5980288B2 true JP5980288B2 (ja) | 2016-08-31 |
Family
ID=54934396
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2014207863A Active JP5980288B2 (ja) | 2014-10-09 | 2014-10-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5980288B2 (ja) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62156873A (ja) * | 1985-12-28 | 1987-07-11 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP4108537B2 (ja) * | 2003-05-28 | 2008-06-25 | 富士雄 舛岡 | 半導体装置 |
JP2008172164A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
KR100861236B1 (ko) * | 2007-04-10 | 2008-10-02 | 경북대학교 산학협력단 | 낮은 누설전류를 갖는 기둥형 전계효과트랜지스터 |
JP2013021274A (ja) * | 2011-07-14 | 2013-01-31 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP5670605B2 (ja) * | 2013-01-25 | 2015-02-18 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドUnisantis Electronics Singapore Pte Ltd. | 半導体装置 |
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2014
- 2014-10-09 JP JP2014207863A patent/JP5980288B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015233113A (ja) | 2015-12-24 |
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