JP5911948B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
102,211,311 第1の絶縁物
103,203,303 第3の金属
104,204,304 第1の金属
105,205,305 第2の金属
106,206,306 第3の絶縁物
107,207,307 第2の絶縁物
108,208,308 第4の金属
109,209,309 第5の金属
110,210,310 基板
Claims (6)
- 1017cm-3以下の不純物濃度の柱状半導体と、
前記柱状半導体を囲む第1の絶縁物と、
前記柱状半導体の一端の前記第1の絶縁物を取り囲む第1の金属と、
前記柱状半導体の他方の一端の前記第1の絶縁物を取り囲む第2の金属と、
前記第1の金属と前記第2の金属とに挟まれた領域で前記第1の絶縁物を取り囲む第3の金属と、
前記第1の金属と前記第3の金属との間に形成された第2の絶縁物と、
前記第2の金属と前記第3の金属との間に形成された第3の絶縁物と、
前記第1の金属と前記柱状半導体の一端とは電気的に接続され、
前記第2の金属と前記柱状半導体の他方の一端とは電気的に接続され、
前記第3の金属の仕事関数は4.2eVから5.0eVの間であり、前記第1の金属と前記第2の金属の仕事関数は4.0eVから4.2eVの間であることを特徴とする半導体装置。 - 1017cm-3以下の不純物濃度の柱状半導体と、
前記柱状半導体を囲む第1の絶縁物と、
前記柱状半導体の一端の前記第1の絶縁物を取り囲む第1の金属と、
前記柱状半導体の他方の一端の前記第1の絶縁物を取り囲む第2の金属と、
前記第1の金属と前記第2の金属とに挟まれた領域で前記第1の絶縁物を取り囲む第3の金属と、
前記第1の金属と前記第3の金属との間に形成された第2の絶縁物と、
前記第2の金属と前記第3の金属との間に形成された第3の絶縁物と、
前記第1の金属と前記柱状半導体の一端とは電気的に接続され、
前記第2の金属と前記柱状半導体の他方の一端とは電気的に接続され、
前記第3の金属の仕事関数は4.2eVから5.0eVの間であり、前記第1の金属と前記第2の金属の仕事関数は5.0eVから5.2eVの間であることを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体は、シリコンであることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 柱状半導体と、
前記柱状半導体を囲む第1の絶縁物と、
前記柱状半導体の一端の前記第1の絶縁物を取り囲む第1の金属と、
前記柱状半導体の他方の一端の前記第1の絶縁物を取り囲む第2の金属と、
前記第1の金属と前記第2の金属とに挟まれた領域で前記第1の絶縁物を取り囲む第3の金属と、
前記第1の金属と前記第3の金属との間に形成された第2の絶縁物と、
前記第2の金属と前記第3の金属との間に形成された第3の絶縁物と、
前記第1の金属と前記柱状半導体の一端とは電気的に接続され、
前記第2の金属と前記柱状半導体の他方の一端とは電気的に接続され、
を有し、
前記柱状半導体と前記第1の金属との仕事関数差によって前記柱状半導体の一端においてキャリアが誘起され、前記柱状半導体と前記第2の金属との仕事関数差によって前記柱状半導体の他方の一端においてキャリアが誘起されることを特徴とする半導体装置。 - 柱状半導体と、
前記柱状半導体の一端を取り囲む第1の絶縁物と、
前記第1の絶縁物を取り囲む第1の金属と、
前記柱状半導体の他方の一端を取り囲む第4の絶縁物と、
前記第4の絶縁物を取り囲む第2の金属と、
前記第1の金属と前記第2の金属とに挟まれた領域で前記柱状半導体を取り囲む第5の絶縁物と、
前記第5の絶縁物を取り囲む第3の金属と、
前記第1の金属と前記第3の金属の間に形成された第2の絶縁物と、
前記第2の金属と前記第3の金属の間に形成された第3の絶縁物と、
前記第1の金属と前記柱状半導体の一端とは電気的に接続され、
前記第2の金属と前記柱状半導体の他方の一端とは電気的に接続され、
を有し、
前記柱状半導体と前記第1の金属との仕事関数差によって前記柱状半導体の一端においてキャリアが誘起され、前記柱状半導体と前記第2の金属との仕事関数差によって前記柱状半導体の他方の一端においてキャリアが誘起されることを特徴とする半導体装置。 - 柱状半導体と、
前記柱状半導体の一端の少なくとも一部を取り囲む第1の絶縁物と、
前記第1の絶縁物の少なくとも一部を取り囲む第1の金属と、
前記柱状半導体の他方の一端の少なくとも一部を取り囲む第4の絶縁物と、
前記第4の絶縁物の少なくとも一部を取り囲む第2の金属と、
前記第1の金属と前記第2の金属とに挟まれた領域で前記柱状半導体の少なくとも一部を取り囲む第5の絶縁物と、
前記第5の絶縁物の少なくとも一部を取り囲む第3の金属と、
前記第1の金属と前記第3の金属の間に形成された第2の絶縁物と、
前記第2の金属と前記第3の金属の間に形成された第3の絶縁物と、
前記第1の金属と前記柱状半導体の一端とは電気的に接続され、
前記第2の金属と前記柱状半導体の他方の一端とは電気的に接続され、
を有し、
前記柱状半導体と前記第1の金属の仕事関数差によって前記柱状半導体の一端においてキャリアが誘起され、前記柱状半導体と前記第2の金属との仕事関数差によって前記柱状半導体の他方の一端においてキャリアが誘起されることを特徴とする半導体装置。
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