JP6082489B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 115
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 207
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 207
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 79
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 39
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 39
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 14
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 240000004050 Pentaglottis sempervirens Species 0.000 description 1
- 235000004522 Pentaglottis sempervirens Nutrition 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
102,211,311 第1の絶縁物
103,203,303 第3の金属
104,204,304 第1の金属
105,205,305 第2の金属
106,206,306 第3の絶縁物
107,207,307 第2の絶縁物
108,208,308 第4の金属
109,209,309 第5の金属
110,210,310 基板
Claims (6)
- 1017cm-3以下の不純物濃度の柱状半導体と、
前記柱状半導体を囲む第1の絶縁物と、
前記柱状半導体の一端の前記第1の絶縁物を取り囲む第1の金属と、
前記柱状半導体の他方の一端の前記第1の絶縁物を取り囲む第2の金属と、
前記第1の金属と前記第2の金属とに挟まれた領域で前記第1の絶縁物を取り囲む第3の金属と、
前記第1の金属と前記第3の金属とは電気的に絶縁され、
前記第2の金属と前記第3の金属とは電気的に絶縁され、
前記第1の金属と前記柱状半導体の一端とは電気的に接続され、
前記第2の金属と前記柱状半導体の他方の一端とは電気的に接続され、
前記第3の金属の仕事関数は4.2eVから5.0eVの間であり、前記第1の金属と前記第2の金属の仕事関数は4.0eVから4.2eVの間であることを特徴とする半導体装置。 - 1017cm-3以下の不純物濃度の柱状半導体と、
前記柱状半導体を囲む第1の絶縁物と、
前記柱状半導体の一端の前記第1の絶縁物を取り囲む第1の金属と、
前記柱状半導体の他方の一端の前記第1の絶縁物を取り囲む第2の金属と、
前記第1の金属と前記第2の金属とに挟まれた領域で前記第1の絶縁物を取り囲む第3の金属と、
前記第1の金属と前記第3の金属とは電気的に絶縁され、
前記第2の金属と前記第3の金属とは電気的に絶縁され、
前記第1の金属と前記柱状半導体の一端とは電気的に接続され、
前記第2の金属と前記柱状半導体の他方の一端とは電気的に接続され、
前記第3の金属の仕事関数は4.2eVから5.0eVの間であり、前記第1の金属と前記第2の金属の仕事関数は5.0eVから5.2eVの間であることを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体は、シリコンであることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 柱状半導体と、
前記柱状半導体を囲む第1の絶縁物と、
前記柱状半導体の一端の前記第1の絶縁物を取り囲む第1の金属と、
前記柱状半導体の他方の一端の前記第1の絶縁物を取り囲む第2の金属と、
前記第1の金属と前記第2の金属とに挟まれた領域で前記第1の絶縁物を取り囲む第3の金属と、
前記第1の金属と前記第3の金属とは電気的に絶縁され、
前記第2の金属と前記第3の金属とは電気的に絶縁され、
前記第1の金属と前記柱状半導体の一端とは電気的に接続され、
前記第2の金属と前記柱状半導体の他方の一端とは電気的に接続され、
を有し、
前記柱状半導体と前記第1の金属との仕事関数差によって前記柱状半導体の一端においてキャリアが誘起され、前記柱状半導体と前記第2の金属との仕事関数差によって前記柱状半導体の他方の一端においてキャリアが誘起されることを特徴とする半導体装置。 - 柱状半導体と、
前記柱状半導体の一端を取り囲む第1の絶縁物と、
前記第1の絶縁物を取り囲む第1の金属と、
前記柱状半導体の他方の一端を取り囲む第4の絶縁物と、
前記第4の絶縁物を取り囲む第2の金属と、
前記第1の金属と前記第2の金属とに挟まれた領域で前記柱状半導体を取り囲む第5の絶縁物と、
前記第5の絶縁物を取り囲む第3の金属と、
前記第1の金属と前記第3の金属とは電気的に絶縁され、
前記第2の金属と前記第3の金属とは電気的に絶縁され、
前記第1の金属と前記柱状半導体の一端とは電気的に接続され、
前記第2の金属と前記柱状半導体の他方の一端とは電気的に接続され、
を有し、
前記柱状半導体と前記第1の金属との仕事関数差によって前記柱状半導体の一端においてキャリアが誘起され、前記柱状半導体と前記第2の金属との仕事関数差によって前記柱状半導体の他方の一端においてキャリアが誘起されることを特徴とする半導体装置。 - 柱状半導体と、
前記柱状半導体の一端の少なくとも一部を取り囲む第1の絶縁物と、
前記第1の絶縁物の少なくとも一部を取り囲む第1の金属と、
前記柱状半導体の他方の一端の少なくとも一部を取り囲む第4の絶縁物と、
前記第4の絶縁物の少なくとも一部を取り囲む第2の金属と、
前記第1の金属と前記第2の金属とに挟まれた領域で前記柱状半導体の少なくとも一部を取り囲む第5の絶縁物と、
前記第5の絶縁物の少なくとも一部を取り囲む第3の金属と、
前記第1の金属と前記第3の金属とは電気的に絶縁され、
前記第2の金属と前記第3の金属とは電気的に絶縁され、
前記第1の金属と前記柱状半導体の一端とは電気的に接続され、
前記第2の金属と前記柱状半導体の他方の一端とは電気的に接続され、
を有し、
前記柱状半導体と前記第1の金属の仕事関数差によって前記柱状半導体の一端においてキャリアが誘起され、前記柱状半導体と前記第2の金属との仕事関数差によって前記柱状半導体の他方の一端においてキャリアが誘起されることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016068473A JP6082489B2 (ja) | 2016-03-30 | 2016-03-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016068473A JP6082489B2 (ja) | 2016-03-30 | 2016-03-30 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014263130A Division JP5911948B2 (ja) | 2014-12-25 | 2014-12-25 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016122865A JP2016122865A (ja) | 2016-07-07 |
JP6082489B2 true JP6082489B2 (ja) | 2017-02-15 |
Family
ID=56329188
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016068473A Active JP6082489B2 (ja) | 2016-03-30 | 2016-03-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6082489B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6891234B1 (en) * | 2004-01-07 | 2005-05-10 | Acorn Technologies, Inc. | Transistor with workfunction-induced charge layer |
JP4108537B2 (ja) * | 2003-05-28 | 2008-06-25 | 富士雄 舛岡 | 半導体装置 |
JP2008172164A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
FR2968125B1 (fr) * | 2010-11-26 | 2013-11-29 | Centre Nat Rech Scient | Procédé de fabrication d'un dispositif de transistor a effet de champ implémenté sur un réseau de nanofils verticaux, dispositif de transistor résultant, dispositif électronique comprenant de tels dispositifs de transistors, et processeur comprenant au moins un tel dispositif électronique |
-
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- 2016-03-30 JP JP2016068473A patent/JP6082489B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016122865A (ja) | 2016-07-07 |
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